JP5811672B2 - 垂直磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 86
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 64
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 53
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 48
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 45
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 claims description 43
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 43
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 claims description 43
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 40
- 229910005335 FePt Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 16
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 5
- -1 hydrocarbon ions Chemical class 0.000 description 28
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 14
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 14
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 10
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 6
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 6
- 229910000684 Cobalt-chrome Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010952 cobalt-chrome Substances 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000001050 lubricating effect Effects 0.000 description 4
- 239000010687 lubricating oil Substances 0.000 description 4
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010702 perfluoropolyether Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 238000005211 surface analysis Methods 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019222 CoCrPt Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018979 CoPt Inorganic materials 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- 229910000943 NiAl Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001237 Raman spectrum Methods 0.000 description 1
- NPXOKRUENSOPAO-UHFFFAOYSA-N Raney nickel Chemical compound [Al].[Ni] NPXOKRUENSOPAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N copper;5,10,15,20-tetraphenylporphyrin-22,24-diide Chemical compound [Cu+2].C1=CC(C(=C2C=CC([N-]2)=C(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(N=2)=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=C3[N-]2)C=2C=CC=CC=2)=NC1=C3C1=CC=CC=C1 RKTYLMNFRDHKIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002180 crystalline carbon material Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 1
- 238000007885 magnetic separation Methods 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 229910000702 sendust Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005341 toughened glass Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/8408—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers protecting the magnetic layer
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
- G11B5/65—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition
- G11B5/657—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent characterised by its composition containing inorganic, non-oxide compound of Si, N, P, B, H or C, e.g. in metal alloy or compound
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
- G11B5/727—Inorganic carbon protective coating, e.g. graphite, diamond like carbon or doped carbon
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/851—Coating a support with a magnetic layer by sputtering
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
- G11B5/726—Two or more protective coatings
- G11B5/7262—Inorganic protective coating
- G11B5/7264—Inorganic carbon protective coating, e.g. graphite, diamond like carbon or doped carbon
- G11B5/7268—Inorganic carbon protective coating, e.g. graphite, diamond like carbon or doped carbon comprising elemental nitrogen in the inorganic carbon coating
Description
本発明は、コンピュータの外部記録装置などの各種磁気記録装置に搭載される垂直磁気記録媒体およびその製造方法に関する。
ハードディスク、光磁気記録（ＭＯ）ディスク、磁気テープなどの磁気記録媒体に用いられる磁気記録方式には、面内磁気記録方式と垂直磁気記録方式の２つの方式がある。長年にわたって、ハードディスクには、ディスク表面に対して水平に磁気記録を行う面内磁気記録方式が用いられていた。しかし、記録密度の向上に伴って記録磁化が微細化し、微細化した記録磁化が熱エネルギーによって消失する熱揺らぎ問題が顕著に現れるようになってきていいる。また、記録密度の向上に伴って、面内磁気記録方式では、同じ極性の磁化が向き合う箇所が不安定となるという問題点も顕在化している。上記の状況に鑑みて、２００５年頃から、より高い記録密度が可能となる、ディスク表面に対して垂直に磁気記録を行う垂直磁気記録方式が、ハードディスクに用いられるようになった。近年では、ほぼ全ての磁気記録媒体において、垂直磁気記録方式が採用されるようになった。
従来、垂直磁気記録媒体用の金属磁性材料としては、ＣｏＣｒＰｔをはじめとするＣｏＣｒ系不規則合金磁性膜が主に研究されてきた。しかし、垂直磁気記録媒体においても、記録密度の向上に伴って将来的には熱揺らぎ問題が顕在化する可能性がある。このことを考えると、従来のＣｏＣｒ系不規則合金よりも垂直磁気異方性の大きな材料が必要である。その有力な候補として、Ｆｅ、ＣｏおよびＮｉからなる群から選択される少なくとも１種の磁性元素と、Ｐｔ、Ｐｄ、ＡｕおよびＩｒからなる群から選択される少なくとも１種の貴金属元素とが規則相を形成する、規則合金系材料の研究が盛んに行われるようになってきている（たとえば、特許文献１〜６参照）。特に、面心正方（ｆｃｔ）結晶構造を持つＬ１0型規則合金であるＦｅＰｔは、磁化容易軸であるｃ軸方向において、７×１０7ｅｒｇ／ｃｍ3（７×１０6Ｊ／ｍ3）という、ＣｏＣｒ系不規則合金材料で現在得られている値の２倍以上の大きな磁気異方性を有することが知られている。
このＦｅＰｔのＬ１0型規則合金を垂直磁気記録媒体の磁性層として用いるためには、非磁性材料を添加して規則合金の結晶粒が磁気的に分離されたグラニュラー構造を形成する必要がある。添加する非磁性材料としては、ＣｏＣｒ系不規則合金磁性膜で用いられている、ＳｉＯ2またはＴｉＯ2のような酸化物材料（たとえば、特許文献１および６参照）、非磁性規則合金（たとえば、特許文献２参照）、あるいは炭素材料（たとえば、特許文献７参照）が検討されている。なかでも炭素材料が有力な候補であることが、特許文献７に記載されている。
J. Robertson Thin Solid Films 383 (2001)81_88
A. C. Ferrari and J. Robertson Phys. Rev. B Vol.61 No.20 (2000) 14 095−14 107
ＦｅＰｔのＬ１0型規則合金と炭素とからなるグラニュラー構造（以下、ＦｅＰｔ−Ｃと称する）を有する磁性層は、被成膜基板を加熱した状態で、スパッタ法によりＦｅ、Ｐｔおよび炭素を堆積させることによって形成される。その際に、ＦｅＰｔ規則合金粒子の粒界を炭素により完全に分離するためには、ＦｅＰｔを基準として約２５ａｔ％（原子％）以上の炭素の添加が必要と考えられている（特許文献７参照）。しかしながら、本発明者の検討において、炭素添加量を２５ａｔ％以上とした場合に、ＦｅＰｔのＬ１0型規則構造の形成に伴って、炭素がＦｅＰｔ粒子の粒界に析出するだけではなく、ＦｅＰｔ粒子の表面にも析出することが見いだされた。図１に、炭素添加量２５ａｔ％のターゲットを用いて形成したＦｅＰｔ−Ｃ層の表面をＡｒプラズマによりエッチング処理した際の、Ａｒプラズマ処理時間とＸＰＳ（Ｘ線光電子分光分析）による表面分析におけるＦｅ、ＰｔおよびＣの検出強度（カウント数）との関係を示す。図１から明らかなように、Ａｒプラズマ処理（エッチング処理）の時間の増大に伴って、炭素の検出強度が減少し、ＦｅおよびＰｔの検出強度が若干増加することが分かる。このことから、炭素がＦｅＰｔ粒子の粒界に析出しているとともに、ＦｅＰｔ粒子の表面にも析出していることが分かる。現時点において、ＦｅＰｔ粒子表面に対する炭素の析出の原因は明確になっていない。
ＦｅＰｔ粒子の表面に炭素（グラファイト状）が析出した状態で、従来から磁性層を保護するために用いられているダイヤモンドライクカーボン（以下、ＤＬＣと称する）保護膜を形成すると、炭素の介在によってＤＬＣ保護膜表面からＦｅＰｔ粒子表面までの距離が大きくなる。これは磁気ヘッドと磁性層との間の距離（ヘッドスペーシング）の拡大に相当し、記録密度の低下をもたらす。
一方、ヘッドスペーシングの拡大を防止するために、不活性ガスプラズマによるエッチングなどの手法を用いて、ＦｅＰｔ粒子表面に析出した炭素を除去することが考えられる。しかしながら、ＦｅＰｔ粒子の表面へのイオン衝突によってＦｅＰｔのエッチングまたはＬ１0型規則構造の破壊が起こり、磁性層の磁気異方性が低下する恐れがある。
本発明は、（１）規則合金を構成する金属および炭素を含むターゲットを用いるスパッタ法によって、非磁性基板上に、規則合金の結晶粒子および炭素からなる粒界層を含む磁気記録層と、前記磁気記録層上に存在し、炭素からなる保護層前駆体とを形成する工程と、（２）前記保護層前駆体に、炭化水素系ガスに対するプラズマ放電により生成した炭化水素系イオンを照射して、保護層前駆体を保護層に変化させる工程とを含み、前記炭化水素系イオンは前記保護層前駆体に到達する際に３００ｅＶ以上のエネルギーを有することを特徴とする、非磁性基板、磁気記録層および保護層を少なくとも含む垂直磁気記録媒体の製造方法に関する。ここで、規則合金はＬ１0型規則構造を有することが好ましく、ＦｅＰｔ合金であることがより好ましい。望ましくは、工程（２）は、工程（１）の直後に実施される。さらに、得られる保護層はダイヤモンドライクカーボンからなることが望ましい。また、工程(２)において用いる炭化水素系ガスは、Ｃ2Ｈ4またはＣ2Ｈ2であることが望ましい。
さらに、本発明は、上記の製造方法によって製造された垂直磁気記録媒体に関する。
上記の構成を採用することによって、磁気記録層の表面に、ｓｐ3結合性の高いＤＬＣからなり、小さい膜厚の保護層を形成できる。このことは、磁気記録媒体のヘッドスペーシングの拡大を抑制し、記録密度を向上させることを可能にする。また、本発明の方法によれば、磁気記録層の形成の際に、その表面に析出した炭素を除去する工程を必要としない。このことは、磁気記録層中の規則合金結晶粒子のエッチングおよびＬ１0型規則構造の破壊を抑制して、磁気記録層の大きな磁気異方性の維持を可能にする。
本発明の垂直磁気記録媒体の例示的構成を図２に示す。図２の垂直磁気記録媒体は、非磁性基板１０の上に、軟磁性裏打ち層２０、非磁性下地層３０、非磁性中間層４０、磁気記録層５０、保護層６０および潤滑層７０を含む。これらの層のうち、軟磁性裏打ち層２０、非磁性下地層３０、非磁性中間層４０、および潤滑層７０は、必要に応じて設けてもよい任意選択的な層である。
非磁性基板１０としては、当該技術において知られている、表面が平滑である様々な基体を用いることができる。たとえば、従来の磁気記録媒体に用いられる、ＮｉＰメッキを施したＡｌ合金、強化ガラス、結晶化ガラスなどを、非磁性基板１０として用いることができる。
軟磁性裏打ち層２０は、磁気記録層への記録の際に、磁気ヘッドが発生する磁束を磁気記録層に集中させる機能を有する層である。軟磁性裏打ち層２０は、ＦｅＴａＣ、センダスト（ＦｅＳｉＡｌ）合金などの結晶性材料、またはＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＴａＺｒなどのＣｏ合金を含む非晶質材料を用いて形成することができる。軟磁性裏打ち層２０の膜厚は、記録に使用する磁気ヘッドの構造および特性によって最適値が変化するが、生産性との兼ね合いから、１０ｎｍ以上５００ｎｍ以下程度であることが望ましい。
任意選択的に設けてもよい非磁性下地層３０は、軟磁性裏打ち層２０と非磁性中間層４０との間の密着性を確保すること、および非磁性中間層４０を（００１）配向させることを目的とする層である。非磁性下地層３０は、ＮｉＷ、Ｔａ、Ｃｒ、あるいは、Ｔａおよび／またはＣｒを含む合金を用いて形成することができる。また、非磁性下地層３０を前述の材料を含む複数の層からなる積層構造としてもよい。非磁性中間層４０および磁気記録層５０の結晶性の向上、生産性の向上、および記録時にヘッドが発生させる磁界への最適化を考慮すると、非磁性下地層３０は、１ｎｍ以上２０ｎｍ以下の膜厚を有することが望ましい。
非磁性中間層４０は、磁気記録層５０中の規則合金の結晶を（００１）配向させる（すなわち、垂直磁気記録を可能にする）ことを目的とする層である。非磁性中間層４０は、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、ＦｅまたはＮｉなどの金属、前述の金属を含む合金（ＮｉＡｌ合金など）、あるいは、ＭｇＯ、ＬｉＦまたはＮｉＯなどの化合物を用いて形成することができる。磁気記録層５０と非磁性中間層４０の下にある層との間の材料の拡散を防止するという観点からは、ＭｇＯを用いて非磁性中間層４０を形成することが好ましい。
磁気記録層５０は、規則合金からなる磁性結晶粒と、磁性結晶粒のそれぞれを磁気的に分離するための非磁性マトリクスとからなるグラニュラー構造を有する。本発明において用いることができる規則合金は、好ましくは、Ｌ１0規則合金である。Ｌ１0規則合金は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉからなる群から選択される少なくとも１つの磁性金属元素と、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｉｒからなる群から選択される少なくとも１つの貴金属元素とが規則相を形成している合金であり、添加物としてＣｕ、Ａｇなどの元素をさらに含んでもよい。好ましいＬ１0系規則合金は、ＣｏＰｔ、ＦｅＰｔ、およびこれらにＮｉまたはＣｕを添加した合金を含む。磁気記録層５中のＬ１0系規則合金は（００１）配向している。本発明における非磁性マトリクスは、炭素である。グラニュラー構造磁性材料を用いることによって、磁気記録層５０内の近接する磁性結晶粒間の磁気的分離を促進して媒体特性の改善（ノイズの低減、ＳＮＲの向上、記録分解能の向上など）を図ることができる。磁気記録層５０の膜厚は、特に限定されるものではない。しかしながら、高い生産性および高い記録密度を両立させる観点から、磁気記録層５０は、３０ｎｍ以下、好ましくは１５ｎｍ以下の膜厚を有することが望ましい。
保護層６０は、下にある磁気記録層５０以下の各構成層を保護するための層である。本発明における保護層６０は、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）で形成される。本発明においては、ラマン分光法を用いて保護層６０を分析した際に１３５０ｃｍ-1付近と１５８０ｃｍ-1付近とにピークが現われる場合に、保護層６０がダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）で形成されているとみなすことができる。
潤滑層７０は、ＰＦＰＥ（パーフルオロポリエーテル）などの液体潤滑剤を用いて形成することができる。
次に、本発明の垂直磁気記録媒体の製造方法を説明する。最初に、必要に応じて、非磁性基板１０の上に、軟磁性裏打ち層２０、非磁性下地層３０および／または非磁性中間層４０を形成する。前述の各層は、スパッタ法（ＤＣマグネトロンスパッタ法、ＲＦマグネトロンスパッタ法などを含む）、真空蒸着法などを用いて形成することができる。
続いて、規則合金を構成する金属（磁性金属および貴金属）および炭素を混合したターゲットを用いるスパッタ法によって、規則合金の結晶粒子５１、および結晶粒子５１の粒界に存在し炭素（グラファイト）からなる粒界層５２を含む磁気記録層５０、ならびに結晶粒子５１の表面に存在し、炭素（グラファイト）からなる保護層前駆体６０ａを形成する。図３には、非磁性中間層４０の上に、磁気記録層５０および保護層前駆体６０ａを形成した例を示した。
この工程において、結晶粒子５１を互いに磁気的に分離するために、ターゲット中の炭素の添加量を規則合金を形成する金属全体を基準として２５ａｔ％以上とすることが望ましい。また、規則合金の結晶粒子５１の規則化を促進するために、被成膜基板（非磁性基板１０または適切な構成層が形成された非磁性基板１０）を３００〜５００℃の温度に加熱することが望ましい。
次に、保護層前駆体６０ａに対して、炭化水素系ガスに対するプラズマ放電により生成した炭化水素系イオンを照射し、保護層前駆体６０ａ中の炭素（グラファイト）の硬質化を行い、保護層６０を形成する。本発明における硬質化とは、ｓｐ2結合の多い状態（すなわちグラファイト）からｓｐ3結合の多い状態（すなわちＤＬＣ）への変化を意味する。炭化水素系イオンのイオン源としては、電子サイクロトロン波共鳴（ＥＣＷＲ）イオン源、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）イオン源、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）イオン源などを用いることができる。これらのイオン源の中でも、プラズマ中で生成されるイオンのエネルギー制御が容易であるという観点から、ＥＣＷＲイオン源を用いることが好ましい（特許文献８および非特許文献１参照）。
本発明において用いる炭化水素系ガスは、メタン（ＣＨ4）、エチレン（Ｃ2Ｈ4）、アセチレン（Ｃ2Ｈ2）などを含む。高効率でのプラズマ放電および炭化水素系イオンの生成を行うため、炭化水素系ガスの圧力を０．０１Ｐａ〜０．１Ｐａの範囲内とすることが望ましい。
本発明において、炭化水素系イオンのエネルギーを３００ｅＶ以上、好ましくは３００ｅＶ〜４００ｅＶの範囲内とすることによって、保護層前駆体６０ａの硬質化を行う。ここで、「炭化水素系イオンのエネルギー」とは、炭化水素系イオンが保護層前駆体６０ａに到達する際のエネルギーを意味する。
また、本発明において、炭化水素系イオンの照射時間を２秒以下、好ましくは０．５秒〜２秒とすることが望ましい。前述の範囲内のエネルギーを有する炭化水素系イオンをこの範囲内の時間にわたって照射することによって、保護層６０の膜厚の増大を伴うことなしに、保護層前駆体６０ａの硬質化を行うことができる。
さらに、必要に応じて、前述のように形成した保護層６０の上に、ディップ法、スピンコート法などの当該技術において知られている任意の塗布技術を用いて液体潤滑剤を塗布して、潤滑層７０を形成してもよい。任意選択的に、液体潤滑剤の塗布後に加熱処理または紫外線（ＵＶ）処理を行ってもよい。あるいはまた、塗布の前に、保護層６０の表面を窒素ガスプラズマによって処理し、保護層６０の表面を窒素原子で終端して、保護層６０と液体潤滑剤との結合率を上昇させてもよい。
（実施例１）
非磁性基板１０としてガラス製基板を準備した。非磁性基板１０を超高真空（ＵＨＶ）ＤＣ／ＲＦマグネトロンスパッタ装置（ＡＮＥＬＶＡ，Ｅ８００１）内に配置した。Ｆｅ、Ｐｔおよび炭素を混合したターゲットを用い、基板を３５０℃に加熱し、圧力３．０ＰａのＡｒ雰囲気中、１ｋＷの高周波（ＲＦ）電力を供給して、ＦｅＰｔのＬ１0型規則合金の結晶粒子５１、および結晶粒子５１の粒界に存在し炭素からなる粒界層５２を含む磁気記録層５０、ならびに結晶粒子５１の表面に存在し、炭素（グラファイト）からなる保護層前駆体６０ａを形成した。ターゲット中の炭素の含有量は、ＦｅおよびＰｔの合計を基準として３０ａｔ％とした。得られた磁気記録層５０および保護層前駆体６０ａの合計膜厚は５ｎｍであり、保護層前駆体６０ａの膜厚は２ｎｍであった。
非磁性基板１０としてガラス製基板を準備した。非磁性基板１０を超高真空（ＵＨＶ）ＤＣ／ＲＦマグネトロンスパッタ装置（ＡＮＥＬＶＡ，Ｅ８００１）内に配置した。Ｆｅ、Ｐｔおよび炭素を混合したターゲットを用い、基板を３５０℃に加熱し、圧力３．０ＰａのＡｒ雰囲気中、１ｋＷの高周波（ＲＦ）電力を供給して、ＦｅＰｔのＬ１0型規則合金の結晶粒子５１、および結晶粒子５１の粒界に存在し炭素からなる粒界層５２を含む磁気記録層５０、ならびに結晶粒子５１の表面に存在し、炭素（グラファイト）からなる保護層前駆体６０ａを形成した。ターゲット中の炭素の含有量は、ＦｅおよびＰｔの合計を基準として３０ａｔ％とした。得られた磁気記録層５０および保護層前駆体６０ａの合計膜厚は５ｎｍであり、保護層前駆体６０ａの膜厚は２ｎｍであった。
続いて、保護層前駆体６０ａを形成した積層体を、ＥＣＲＷイオン源に連結されチャンバー内に配置した。マスフローコントローラーを用いて、チャンバー内の圧力が０．０５ＰａとなるようにＣ2Ｈ4ガスを導入した。そしてＥＣＲＷイオン源に対して５００Ｗ〜３０００Ｗの高周波電力を投入し、プラズマ放電を行い、Ｃ2Ｈ2 +およびＣ2Ｈ4 +を主成分とする炭化水素系イオンを発生させた。
高周波電力の出力（ＲＦ出力）と、保護層前駆体６０ａ表面に到達する炭化水素系イオンのエネルギーを第１表に示した。
第１表に示した条件により発生させた炭化水素系イオンを保護層前駆体６０ａに照射した際の、照射時間と保護層前駆体６０ａの膜厚変化との関係を図４に示した。炭素層５３の膜厚は、ＸＰＳにより炭素の積算強度を測定することにより計算した。炭素積算強度から膜厚への変換には、透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）による断面観察により求めた膜厚とＸＰＳで測定した炭素の積算強度との検量線を用いた。
炭化水素系イオンのエネルギーが小さい場合（１００ｅＶ、ＲＦ出力＝５００Ｗ）、照射時間の増大とともに保護層前駆体６０ａの膜厚が増加した。これは、保護層前駆体６０ａの上に炭化水素系イオンを原料とするカーボン層が堆積したためと考えられる。
一方、炭化水素系イオンのエネルギーが３００ｅＶの場合（ＲＦ出力＝１５００Ｗ）、炭化水素系イオン照射の初期（照射時間が２秒以下）までは保護層前駆体６０ａの膜厚がほとんど変化せず、その後に膜厚が増大している。照射の初期には、保護層前駆体６０ａに炭化水素系イオンが衝突し、保護層前駆体６０ａのエッチング、炭化水素系イオンの打ち込み、炭化水素系イオンの付着が平衡状態となり、膜厚がほとんど変化しなかったと考えられる。一方、照射の後期（照射時間が２秒超）には、保護層前駆体６０ａのエッチング量が減少したために、膜厚が増大したと考えられる。このことから、保護層前駆体６０ａ中の炭素が、ｓｐ2結合が多い状態からｓｐ3結合が多い状態へと変化し、硬質化したものと考えられる。
さらに、炭化水素系イオンのエネルギーが高い場合（３５０ｅＶ、ＲＦ出力＝２０００Ｗ；４００ｅＶ、ＲＦ出力＝３０００Ｗ）は、照射初期において保護層前駆体６０ａのエッチング量が多く、保護層前駆体６０ａの膜厚が減少したと考えられる。その後に、保護層前駆体６０ａの硬質化が進行するのに伴って、膜厚減少の停止（エネルギー＝４００ｅＶ）、あるいは膜厚の増加（エネルギー＝３５０ｅＶ）が起こったと考えられる。
次に、第１表に示した条件により発生させた炭化水素系イオンを２秒間にわたって層５１に照射した際の、層５１表面のラマン散乱スペクトルを測定した。ラマン散乱分光法は、試料表面に光（可視光、赤外光など）を照射して、試料の原子または格子の振動に起因した散乱光の波数変化を観測し、試料の状態を分析する。ラマン散乱スペクトルは、散乱光の波数（エネルギー）変化（ラマンシフト、照射光を基準とする）を横軸とし、分光強度を縦軸として与えられる。結晶性の炭素系材料における典型的なラマンスペクトルのピークとして、ダイヤモンドにおける１３３３ｃｍ-1のピーク、高配向性グラファイトにおける１５８２ｃｍ-1のピークなどが知られている。また、ＤＬＣ膜の場合、非晶質性に起因して、結晶性材料とは異なるスペクトルが観察される（非特許文献２参照）。ＤＬＣ膜においては、結晶構造の不規則性および微結晶性に起因する１３５０ｃｍ-1付近のピーク（Ｄバンド）と、グラファイト構造に起因する１５５０ｃｍ-1付近のピーク（Ｇバンド）とが重なり合ったスペクトルが観察される。そして、Ｇバンドのピーク位置が低波数側（低エネルギー側）にシフトするほど、ｓｐ3結合性が高いと考えられている。
照射光として波長５３０ｎｍのレーザ光を用いて測定したラマン散乱スペクトルを図５に示す。図５に示したラマン散乱スペクトルのそれぞれは、炭素層（保護層前駆体６０ａまたは保護層６０）の膜厚が小さいために強度が小さくなっているが、ＤバンドおよびＧバンドに相当する位置にピークが存在し、ＤＬＣ特有のスペクトル波形を示している。このことから、炭化水素系イオンの照射によって、保護層前駆体６０ａが、ＤＬＣの保護層６０に変化したことが分かる。
また、炭化水素系イオンのエネルギー（Ｉ．Ｅ．）、ＸＰＳの測定結果から計算した保護層６０の膜厚、およびラマン散乱スペクトルから波形分離に求めたＧバンドのピーク位置（ラマンシフト）を第２表に示す。Ｇバンドのピーク位置は、１００ｅＶの炭化水素イオンを照射した場合に比べて、３００ｅＶの炭化水素イオンを照射した場合に、Ｇバンドのピーク位置は３５ｃｍ-1低波数側に移動している。３００ｅＶ以上のエネルギーの炭化水素イオンを照射した場合、Ｇバンドのピーク位置は、３００ｅＶの炭化水素イオンを照射した場合のピーク位置と大きな変化はない。このことから、１００ｅＶの炭化水素イオンを照射した場合に比べて、３００ｅＶ以上のエネルギーの炭化水素イオンを照射した場合に、保護層６０はｓｐ3結合性の高いＤＬＣ膜となっていることが分かる。
これらの結果から、ＦｅＰｔのＬ１0型規則化合金形成時に磁気記録層５０（ＦｅＰｔ規則合金結晶粒子５１）の表面に析出した保護層前駆体６０ａに、炭化水素系ガスを原料としたプラズマ放電により発生させ、３００ｅＶ以上のエネルギーを有する炭化水素系イオンを照射することによって、保護層前駆体６０ａからｓｐ3結合性の高いＤＬＣからなる保護層６０への変質が可能であることが明らかとなった。
本発明の方法によれば、炭素からなる粒界層５２によって磁気的に分離されたＦｅＰｔなどのＬ１0型規則合金結晶粒子５１を含む磁気記録層５０の表面に、ｓｐ3結合性の高いＤＬＣからなり、小さい膜厚の保護層６０を形成できる。このことは、磁気記録媒体のヘッドスペーシングの拡大を抑制し、記録密度を向上させることを可能にする。また、本発明の方法によれば、磁気記録層５０の形成の際に、その表面に析出した炭素を除去する工程を必要としない。このことは、磁気記録層５０中の規則合金結晶粒子５１のエッチングおよびＬ１0型規則構造の破壊を抑制して、磁気記録層５０の大きな磁気異方性の維持を可能にする。
１０ 非磁性基板
２０ 軟磁性層
３０ 非磁性シード層
４０ 非磁性下地層
５０ 磁気記録層
５１ 規則化合金粒子
５２ 粒界層
６０ 保護層
６０ａ 保護層前駆体
７０ 潤滑剤層
２０ 軟磁性層
３０ 非磁性シード層
４０ 非磁性下地層
５０ 磁気記録層
５１ 規則化合金粒子
５２ 粒界層
６０ 保護層
６０ａ 保護層前駆体
７０ 潤滑剤層
Claims (6)
- 非磁性基板、磁気記録層および保護層を少なくとも含む垂直磁気記録媒体の製造方法であって、
（１） 規則合金を構成する金属および炭素を含むターゲットを用いるスパッタ法によって、非磁性基板上に、規則合金の結晶粒子および炭素からなる粒界層を含む磁気記録層と、前記磁気記録層上に存在し、炭素からなる保護層前駆体とを形成する工程と、
（２） 前記保護層前駆体に、炭化水素系ガスに対するプラズマ放電により生成した炭化水素系イオンを照射して、保護層前駆体を保護層に変化させる工程と
を含み、前記炭化水素系イオンは前記保護層前駆体に到達する際に３００ｅＶ以上のエネルギーを有することを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。 - 前記規則合金はＬ１0型規則構造を有することを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
- 前記規則合金はＦｅＰｔ合金であることを特徴とする請求項２に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
- 前記工程（２）は、前記工程（１）の直後に実施されることを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
- 前記保護層はダイヤモンドライクカーボンからなることを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
- 前記炭化水素系ガスは、Ｃ2Ｈ4またはＣ2Ｈ2であることを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011171012A JP5811672B2 (ja) | 2011-08-04 | 2011-08-04 | 垂直磁気記録媒体およびその製造方法 |
| US13/566,838 US20130034747A1 (en) | 2011-08-04 | 2012-08-03 | Perpendicular magnetic recording medium and method for manufacturing same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011171012A JP5811672B2 (ja) | 2011-08-04 | 2011-08-04 | 垂直磁気記録媒体およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2013037730A JP2013037730A (ja) | 2013-02-21 |
| JP5811672B2 true JP5811672B2 (ja) | 2015-11-11 |
Family
ID=47627127
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011171012A Expired - Fee Related JP5811672B2 (ja) | 2011-08-04 | 2011-08-04 | 垂直磁気記録媒体およびその製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20130034747A1 (ja) |
| JP (1) | JP5811672B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9540724B2 (en) | 2012-06-18 | 2017-01-10 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sputtering target for magnetic recording film |
| JP5578215B2 (ja) * | 2012-09-14 | 2014-08-27 | 富士電機株式会社 | 磁気記録媒体の製造方法 |
| US10115428B1 (en) * | 2013-02-15 | 2018-10-30 | Wd Media, Inc. | HAMR media structure having an anisotropic thermal barrier layer |
| JP6375719B2 (ja) * | 2014-06-24 | 2018-08-22 | 富士電機株式会社 | 磁性薄膜および磁性薄膜を含む応用デバイス |
| CN105671552B (zh) * | 2016-04-18 | 2018-04-10 | 上海应用技术学院 | 一种汽轮机转子轮槽量规表面耐磨涂层的制备方法 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH101305A (ja) * | 1996-06-11 | 1998-01-06 | Denki Kagaku Kogyo Kk | 炭素膜および炭素膜製造方法 |
| JP2001056931A (ja) * | 1999-06-11 | 2001-02-27 | Fujitsu Ltd | 磁気ディスク媒体の製造方法 |
| JP2001043530A (ja) * | 1999-07-28 | 2001-02-16 | Anelva Corp | 情報記録ディスク用保護膜作成方法及び情報記録ディスク用薄膜作成装置 |
| US6638608B1 (en) * | 2001-03-16 | 2003-10-28 | Seagate Technology Llc | Protection overcoat for recording media |
| US6875492B1 (en) * | 2001-11-15 | 2005-04-05 | Maxtor Corporation | Carbon overcoat for magnetic recording medium |
| KR100470151B1 (ko) * | 2002-10-29 | 2005-02-05 | 한국과학기술원 | ＦｅＰｔＣ 박막을 이용한 고밀도 자기기록매체 및 그제조방법 |
| JP4247535B2 (ja) * | 2003-11-11 | 2009-04-02 | Ｈｏｙａ株式会社 | ロードアンロード方式用磁気ディスク、ロードアンロード方式用磁気ディスクの製造方法及びロードアンロード方式用磁気ディスクの評価方法 |
| US20070087227A1 (en) * | 2005-10-14 | 2007-04-19 | Seagate Technology Llc | Granular magnetic recording media with improved corrosion resistance by cap layer + pre-covercoat etching |
| JP2008091024A (ja) * | 2007-12-25 | 2008-04-17 | Toshiba Corp | 垂直磁気記録媒体 |
| JP5550007B2 (ja) * | 2008-12-05 | 2014-07-16 | 国立大学法人東北大学 | 磁性薄膜及びその製造方法、並びにこのような磁性薄膜を用いた各種応用デバイス |
| CN102473420B (zh) * | 2009-08-20 | 2015-01-07 | 昭和电工株式会社 | 热辅助磁记录介质和磁存储装置 |
-
2011
- 2011-08-04 JP JP2011171012A patent/JP5811672B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-08-03 US US13/566,838 patent/US20130034747A1/en not_active Abandoned
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20130034747A1 (en) | 2013-02-07 |
| JP2013037730A (ja) | 2013-02-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
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| A977 | Report on retrieval |
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|
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|
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
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