JP2003521792A - 絶縁基板処理方法及び装置 - Google Patents
絶縁基板処理方法及び装置Info
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-
- G—PHYSICS
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Abstract
(57)【要約】
処理中にそのエッジで絶縁ディスク１２４を把持するためのディスクグリッパー７０が、ディスクのエッジに接触する接触デバイス、及び接触位置と引込み位置との間で接触デバイスを移動させる機構を含む。装置は、枢動ピン１２８、１２６、グリッパー本体１１０、台座１１２、サイドウィング１２２、１２０、グリッパーフィンガー１３２、１３０、１４０、接触ピン１６０、１６２、バネ１８０、１８２、及び引込みピン１９０、１９２を含む。
Description
【０００１】
発明の分野
本発明は、基板を処理するための方法及び装置に関し、特に、磁気ディスク及
び光ディスクに用いられる絶縁基板を処理するための方法及び装置に関するもの
である。
び光ディスクに用いられる絶縁基板を処理するための方法及び装置に関するもの
である。
【０００２】
発明の背景
典型的な磁気ディスクの層は、クローム下地層、情報を記憶する一つ又はそれ
以上の磁性層、及びカーボン層を含む。これら層は、適当な基板上に順次形成さ
れる。それぞれ異なった層は、多数のチャンバを有するスパッタ蒸着コーティン
グシステムの別々のチャンバで形成される。典型的なスパッタ蒸着コーティング
システムが、例えば、米国特許５２１５４２０号（Hughesら、１９９３年６月１
日発行）に開示され、インテバック・インコーポレイテッド（アメリカ合衆国カ
リフォルニア州、サンタ・クララ）から商業的に入手できる。
以上の磁性層、及びカーボン層を含む。これら層は、適当な基板上に順次形成さ
れる。それぞれ異なった層は、多数のチャンバを有するスパッタ蒸着コーティン
グシステムの別々のチャンバで形成される。典型的なスパッタ蒸着コーティング
システムが、例えば、米国特許５２１５４２０号（Hughesら、１９９３年６月１
日発行）に開示され、インテバック・インコーポレイテッド（アメリカ合衆国カ
リフォルニア州、サンタ・クララ）から商業的に入手できる。
【０００３】
磁気ディスクは、在来的に、金属基板上に作製されるものである。基板上への
成膜中、バイアス電圧が、金属基板に印加される。処理チャンバ内のイオンが、
このバイアス電圧によって基板へ向けて加速される。特定の処理に従って、基板
に向かうイオンの加速は、バイアスを印加していない基板と比較して成膜速度が
増し、イオンの射突によりディスク表面を変更し、他の所望の硬化を生じ得る。
金属基板の場合、このバイアス電圧は、処理位置でディスクを物理的に保持する
フィンガーを通じて基板に印加され得る。
成膜中、バイアス電圧が、金属基板に印加される。処理チャンバ内のイオンが、
このバイアス電圧によって基板へ向けて加速される。特定の処理に従って、基板
に向かうイオンの加速は、バイアスを印加していない基板と比較して成膜速度が
増し、イオンの射突によりディスク表面を変更し、他の所望の硬化を生じ得る。
金属基板の場合、このバイアス電圧は、処理位置でディスクを物理的に保持する
フィンガーを通じて基板に印加され得る。
【０００４】
幾つかの応用において、絶縁基板の使用が望まれるようになってきた。例えば
、ガラス基板が、軽量で耐久性のあるラップトップコンピュータに用いられる磁
気ディスクの作製に使用される。しかし、ガラス基板が電圧の印加によりバイア
スされないため、ガラス基板の処理に問題が生じる。このことから、金属基板に
利用される処理をガラス基板に直接適用できない。このため、ガラス基板の処理
が、金属基板の処理よりも遅く、コストがかかり、また、ガラス基板上に形成さ
れる層の物性が、金属基板上に形成される層のものと異なり得る。したがって、
ガラス基板のような絶縁基板を処理するための向上した方法及び装置の必要性が
ある。
、ガラス基板が、軽量で耐久性のあるラップトップコンピュータに用いられる磁
気ディスクの作製に使用される。しかし、ガラス基板が電圧の印加によりバイア
スされないため、ガラス基板の処理に問題が生じる。このことから、金属基板に
利用される処理をガラス基板に直接適用できない。このため、ガラス基板の処理
が、金属基板の処理よりも遅く、コストがかかり、また、ガラス基板上に形成さ
れる層の物性が、金属基板上に形成される層のものと異なり得る。したがって、
ガラス基板のような絶縁基板を処理するための向上した方法及び装置の必要性が
ある。
【０００５】
発明の概要
本発明の第一の態様は、ガラス基板のような絶縁基板を処理するための方法で
ある。この方法は、処理のため、絶縁基板を把持する工程、この絶縁基板に導電
塗料をコーティングする肯定、絶縁基板のエッジで導電塗料に電気的に接触する
接触デバイスを通じて導電塗料にバイアス電圧を印加する工程、及び基板の表面
付近のプラズマにイオンを生成する工程を含む。イオンは、導電塗料に印加した
バイアス電圧によって、プラズマから基板の表面へ向けて加速される。典型的に
、導電塗料は、第一の処理ステーションで絶縁基板に適用される。バイアス電圧
は、第二の処理ステーションで接触デバイスを通じて導電塗料に印加される。
ある。この方法は、処理のため、絶縁基板を把持する工程、この絶縁基板に導電
塗料をコーティングする肯定、絶縁基板のエッジで導電塗料に電気的に接触する
接触デバイスを通じて導電塗料にバイアス電圧を印加する工程、及び基板の表面
付近のプラズマにイオンを生成する工程を含む。イオンは、導電塗料に印加した
バイアス電圧によって、プラズマから基板の表面へ向けて加速される。典型的に
、導電塗料は、第一の処理ステーションで絶縁基板に適用される。バイアス電圧
は、第二の処理ステーションで接触デバイスを通じて導電塗料に印加される。
【０００６】
ここで、基板は、ディスクを含み、バイアス電圧は、このディスクのエッジに
接線的に接触することによって導電塗料に印加され得る。バイアス電圧は、一つ
又はそれ以上の接触ピンで、基板に印加され得る。一つ又はそれ以上の接触ピン
は、接触位置と引込み位置との間で移動可能である。本発明の第二の態様は、絶
縁基板を処理するための装置である。この装置は、処理のため絶縁基板を把持す
るための手段、絶縁基板に導電塗料をコーティングするための手段、絶縁基板の
エッジで導電塗料に電気的に接触する接触デバイスを通じて導電塗料にバイアス
電圧を印加するための手段、及び基板の表面付近のプラズマにイオンを生成する
ための手段を含み、イオンは、導電塗料に印加したバイアス電圧によって、基板
に向けて加速される。
接線的に接触することによって導電塗料に印加され得る。バイアス電圧は、一つ
又はそれ以上の接触ピンで、基板に印加され得る。一つ又はそれ以上の接触ピン
は、接触位置と引込み位置との間で移動可能である。本発明の第二の態様は、絶
縁基板を処理するための装置である。この装置は、処理のため絶縁基板を把持す
るための手段、絶縁基板に導電塗料をコーティングするための手段、絶縁基板の
エッジで導電塗料に電気的に接触する接触デバイスを通じて導電塗料にバイアス
電圧を印加するための手段、及び基板の表面付近のプラズマにイオンを生成する
ための手段を含み、イオンは、導電塗料に印加したバイアス電圧によって、基板
に向けて加速される。
【０００７】
本発明の他の態様は、絶縁ディスクを処理するための装置である。この装置は
、処理ステーション、この処理ステーション内に配置され、導電塗料を付けた絶
縁基板を把持するためのディスクグリッパーを含む。ディスクグリッパーは、絶
縁基板のエッジで導電塗料に電気的に接触する接触組立体を含む。本装置は、接
触組立体を通じて絶縁基板の導電塗料にバイアス電圧を印加するための電圧ソー
ス、及びディスクの表面付近のプラズマにイオンを生成するためのソースを含む
。イオンは、導電塗料に印加されたバイアス電圧によって、プラズマから基板の
表面に向けて加速される。本発明のその他の態様は、処理中にディスクを把持す
るためのグリッパー組立体である。このグリッパー組立体は、グリッパーハウジ
ング、このハウジングに取り付けられ、そのエッジでディスクを把持するための
複数のグリッパー構成要素、ハウジングに取り付けられ、ディスクのエッジに電
気的に接触させるための接触デバイス、接触位置と引込み位置との間で接触デバ
イスを移動させるための機構、及び接触デバイスを電源に接続するための導電性
の経路を含む。
、処理ステーション、この処理ステーション内に配置され、導電塗料を付けた絶
縁基板を把持するためのディスクグリッパーを含む。ディスクグリッパーは、絶
縁基板のエッジで導電塗料に電気的に接触する接触組立体を含む。本装置は、接
触組立体を通じて絶縁基板の導電塗料にバイアス電圧を印加するための電圧ソー
ス、及びディスクの表面付近のプラズマにイオンを生成するためのソースを含む
。イオンは、導電塗料に印加されたバイアス電圧によって、プラズマから基板の
表面に向けて加速される。本発明のその他の態様は、処理中にディスクを把持す
るためのグリッパー組立体である。このグリッパー組立体は、グリッパーハウジ
ング、このハウジングに取り付けられ、そのエッジでディスクを把持するための
複数のグリッパー構成要素、ハウジングに取り付けられ、ディスクのエッジに電
気的に接触させるための接触デバイス、接触位置と引込み位置との間で接触デバ
イスを移動させるための機構、及び接触デバイスを電源に接続するための導電性
の経路を含む。
【０００８】
本発明のその他の態様は、ディスク処理システムである。このディスク処理シ
ステムは、処理中にそのエッジで絶縁ディスクを把持するためのグリッパー、第
一及び第二の処理ステーション、及び第一の処理ステーションから第二の処理ス
テーションへディスクグリッパーを移動させるための輸送デバイスを含む。グリ
ッパーは、絶縁ディスクの前記エッジに接触させるための接触デバイス、及びデ
ィスクのエッジに接触した状態にある接触位置と、引込み位置との間で接触デバ
イスを移動させるための機構を含む。第一の処理ステーションは、接触デバイス
が前記引込み位置にあるグリッパーで保持したディスクに導電塗料を適用する。
第二の処理ステーションは、接触デバイスが導電塗料に接触した状態にあり、接
触デバイスにバイアス電圧が印加されるグリッパーで保持したディスクの表面付
近のプラズマにイオンを生成する。イオンは、導電塗料に印加されたバイアス電
圧によってディスクに向けてプラズマから加速される。
ステムは、処理中にそのエッジで絶縁ディスクを把持するためのグリッパー、第
一及び第二の処理ステーション、及び第一の処理ステーションから第二の処理ス
テーションへディスクグリッパーを移動させるための輸送デバイスを含む。グリ
ッパーは、絶縁ディスクの前記エッジに接触させるための接触デバイス、及びデ
ィスクのエッジに接触した状態にある接触位置と、引込み位置との間で接触デバ
イスを移動させるための機構を含む。第一の処理ステーションは、接触デバイス
が前記引込み位置にあるグリッパーで保持したディスクに導電塗料を適用する。
第二の処理ステーションは、接触デバイスが導電塗料に接触した状態にあり、接
触デバイスにバイアス電圧が印加されるグリッパーで保持したディスクの表面付
近のプラズマにイオンを生成する。イオンは、導電塗料に印加されたバイアス電
圧によってディスクに向けてプラズマから加速される。
【０００９】
本発明をよりよく理解するため、添付の図面を参照する。
【００１０】
詳細な説明
本発明の実施例に従った基板処理システムを図１及び２に示す。同様の構成要
素は、同一の符号にして示される。基板処理システムは、多数の処理チャンバを
有するスパッタ蒸着コーティングシステムとして実施される。図１に示すように
、システムは、処理ユニット１０、及び基板ハンドリングシステム２０を含む。
処理ユニット１０は、メインチャンバ４０に取り付けた複数の処理ステーション
（符号３０、３２、３４他で示す）を含む。処理ステーション（符号３０、３２
、３４他で示す）は、円形のメインチャンバ４０に関して円形状に取り付けられ
る。処理ユニット１０は、さらに、処理を行うために基板をシステムにローディ
ングするためのローディングステーション４２、及び処理に続けて基板をシステ
ムからアンローディングするためのアンローディングステーション４４を含む。
基板は、典型的に、磁気ディスク又は光ディスクに用いられる基板であり、中央
開口を含む。基板処理システムは、さらに、真空ポンプ、電源及びコントローラ
を含み得る（図示せず）。処理ステーション３４と処理ステーション３８を通じ
る処理ユニット１０の断面を図２に示す。処理ステーション３４、３８の各々は
、基板処理ロケーション５４の反対の側にあって、それぞれが対面する関係で配
置した処理デバイス５０、５２を含む。処理デバイス５０、５２は、ハウジング
５６内に配置される。処理デバイス５０、５２は、スパッタ蒸着コーティングソ
ース、加熱デバイス又は他の任意の所望の処理デバイスであり得る。別々の処理
ステーション（符号３０、３２、３４他で示す）にある処理デバイスは、要求さ
れる処理に従って、同一であってもよいし、また異なってもよい。図１の例では
、システムは、１２個の処理ステーション、ローディングステーション４２及び
アンローディングステーション４４を有し、これらは、それぞれ、等角に間隔が
あけられている。
素は、同一の符号にして示される。基板処理システムは、多数の処理チャンバを
有するスパッタ蒸着コーティングシステムとして実施される。図１に示すように
、システムは、処理ユニット１０、及び基板ハンドリングシステム２０を含む。
処理ユニット１０は、メインチャンバ４０に取り付けた複数の処理ステーション
（符号３０、３２、３４他で示す）を含む。処理ステーション（符号３０、３２
、３４他で示す）は、円形のメインチャンバ４０に関して円形状に取り付けられ
る。処理ユニット１０は、さらに、処理を行うために基板をシステムにローディ
ングするためのローディングステーション４２、及び処理に続けて基板をシステ
ムからアンローディングするためのアンローディングステーション４４を含む。
基板は、典型的に、磁気ディスク又は光ディスクに用いられる基板であり、中央
開口を含む。基板処理システムは、さらに、真空ポンプ、電源及びコントローラ
を含み得る（図示せず）。処理ステーション３４と処理ステーション３８を通じ
る処理ユニット１０の断面を図２に示す。処理ステーション３４、３８の各々は
、基板処理ロケーション５４の反対の側にあって、それぞれが対面する関係で配
置した処理デバイス５０、５２を含む。処理デバイス５０、５２は、ハウジング
５６内に配置される。処理デバイス５０、５２は、スパッタ蒸着コーティングソ
ース、加熱デバイス又は他の任意の所望の処理デバイスであり得る。別々の処理
ステーション（符号３０、３２、３４他で示す）にある処理デバイスは、要求さ
れる処理に従って、同一であってもよいし、また異なってもよい。図１の例では
、システムは、１２個の処理ステーション、ローディングステーション４２及び
アンローディングステーション４４を有し、これらは、それぞれ、等角に間隔が
あけられている。
【００１１】
メインチャンバ４０内にある円形コンベヤー組立体６２が、円形状に配列され
た複数の基板グリッパー（又はディスクグリッパー）７０を含む。ディスクグリ
ッパー７０は、等角に間隔があけられ、これらが、それぞれの処理チャンバへと
上昇し得るように配置される。ディスクグリッパー７０は、中央ハブ７４に連結
される円形コンベヤー７２上に取り付けられる。ディスクグリッパー７０が、そ
れぞれの処理ステーション（符号３０、３２、３４他で示す）、ローディングス
テーション４２及びアンローディングステーション４４と整列するように、円形
コンベヤー組立体６２は、インデックスモータ８０によって、軸７６に関して回
転され得る。また、円形コンベヤー組立体６２は、駆動モータ８２によって、図
２に示す下方位置と上方位置（図２に示されない）との間で昇降され得る。下方
位置では、円形コンベヤー組立体６２は、軸７６に関して回転され、選択される
処理ステーションと整列する。上方位置では、基板は、それぞれの処理ステーシ
ョン（符号３０、３２、３４他で示す）、ローディングステーション４２及びア
ンローディングステーション４４に配置される。ディスクグリッパー７０の構成
及び茶道については、後述する。
た複数の基板グリッパー（又はディスクグリッパー）７０を含む。ディスクグリ
ッパー７０は、等角に間隔があけられ、これらが、それぞれの処理チャンバへと
上昇し得るように配置される。ディスクグリッパー７０は、中央ハブ７４に連結
される円形コンベヤー７２上に取り付けられる。ディスクグリッパー７０が、そ
れぞれの処理ステーション（符号３０、３２、３４他で示す）、ローディングス
テーション４２及びアンローディングステーション４４と整列するように、円形
コンベヤー組立体６２は、インデックスモータ８０によって、軸７６に関して回
転され得る。また、円形コンベヤー組立体６２は、駆動モータ８２によって、図
２に示す下方位置と上方位置（図２に示されない）との間で昇降され得る。下方
位置では、円形コンベヤー組立体６２は、軸７６に関して回転され、選択される
処理ステーションと整列する。上方位置では、基板は、それぞれの処理ステーシ
ョン（符号３０、３２、３４他で示す）、ローディングステーション４２及びア
ンローディングステーション４４に配置される。ディスクグリッパー７０の構成
及び茶道については、後述する。
【００１２】
図１を参照する。基板ハンドリングシステム２０は、バッファチャンバ９０、
ロードロック９２、入口コンベヤー９４、アンロードロック９６及び出口コンベ
ヤー９８を含む。処理のため、基板を担持したカセット１００ａ、１００ｂ、１
００ｃ、１００ｄが、ロードロック９２を通じてバッファチャンバ９０内に入り
、アンロードロック９６を通じてバッファチャンバ９０から出る。ロードアーム
１０２が、カセット１００ｂから、ローディングステーション４２にあるディス
クグリッパー７０へ基板を輸送する。アンロードアーム１０４が、アンローディ
ングステーション４４にあるディスクグリッパー７０から、カセット１００ｃへ
基板を輸送する。基板ハンドリングシステム２０は、上記した米国特許第５１２
５４２０号に詳細に説明される。この文献は、参照文献としてここに組み入れら
れる。
ロードロック９２、入口コンベヤー９４、アンロードロック９６及び出口コンベ
ヤー９８を含む。処理のため、基板を担持したカセット１００ａ、１００ｂ、１
００ｃ、１００ｄが、ロードロック９２を通じてバッファチャンバ９０内に入り
、アンロードロック９６を通じてバッファチャンバ９０から出る。ロードアーム
１０２が、カセット１００ｂから、ローディングステーション４２にあるディス
クグリッパー７０へ基板を輸送する。アンロードアーム１０４が、アンローディ
ングステーション４４にあるディスクグリッパー７０から、カセット１００ｃへ
基板を輸送する。基板ハンドリングシステム２０は、上記した米国特許第５１２
５４２０号に詳細に説明される。この文献は、参照文献としてここに組み入れら
れる。
【００１３】
本発明の第一の実施例に従って引込み可能接触ピンを有するディスクグリッパ
ーが図３及び４に示される。図３及び４の同様の構成要素は同一の符号にて示さ
れる。ディスクグリッパー７０は、台座１１２によって支持されるグリッパー本
体１１０を含む。台座１１２は、円形コンベヤー７２に取り付けられる（図２を
参照）。サイドウィング１２０、１２２が、グリッパー本体１１０と相対的に、
枢軸ピン１２６、１２８に関して外向きにそれぞれ枢動し、ディスク基板のロー
ディングとアンローディングを行う。ディスク基板１２４のエッジに物理的に接
触するグリッパーフィンガー１３０、１３２が、サイドウィング１２０、１２２
のエンドにそれぞれ取り付けられる。グリッパーフィンガー１４０が、基板１２
４の下方側のグリッパー本体１１０に取り付けられる。好適に、グリッパーフィ
ンガー１３０、１３２、１４０は、ディスク基板１２４の周囲に１２０°の間隔
をあけて配置される。
ーが図３及び４に示される。図３及び４の同様の構成要素は同一の符号にて示さ
れる。ディスクグリッパー７０は、台座１１２によって支持されるグリッパー本
体１１０を含む。台座１１２は、円形コンベヤー７２に取り付けられる（図２を
参照）。サイドウィング１２０、１２２が、グリッパー本体１１０と相対的に、
枢軸ピン１２６、１２８に関して外向きにそれぞれ枢動し、ディスク基板のロー
ディングとアンローディングを行う。ディスク基板１２４のエッジに物理的に接
触するグリッパーフィンガー１３０、１３２が、サイドウィング１２０、１２２
のエンドにそれぞれ取り付けられる。グリッパーフィンガー１４０が、基板１２
４の下方側のグリッパー本体１１０に取り付けられる。好適に、グリッパーフィ
ンガー１３０、１３２、１４０は、ディスク基板１２４の周囲に１２０°の間隔
をあけて配置される。
【００１４】
ディスク基板１２４は、ローディングステーション４２の基板ハンドリングシ
ステム２０によって、ディスクグリッパー７０へ輸送される（図１を参照）。次
に、ディスク基板１２４は、アンローディングステーション４４でディスクグリ
ッパー７０から外れるまで、基板処理システム１０での全ての処理を通じてディ
スクグリッパー７０に取り付けられたままである。特に、基板を取り付けたディ
スクグリッパーは、処理のため、円形コンベヤー組立体６２によって、所望の処
理ステーション（符号３０、３２、３４他で示す）へ輸送される。例えば、基板
１２４が第一の処理ステーションで加熱され、第二の処理ステーションでクロー
ム下地層が形成され、他の処理ステーションで一つ又はそれ以上の磁性層が形成
され、処理システム１０のその他の処理ステーションでカーボンオーバーコート
層が形成され得る。
ステム２０によって、ディスクグリッパー７０へ輸送される（図１を参照）。次
に、ディスク基板１２４は、アンローディングステーション４４でディスクグリ
ッパー７０から外れるまで、基板処理システム１０での全ての処理を通じてディ
スクグリッパー７０に取り付けられたままである。特に、基板を取り付けたディ
スクグリッパーは、処理のため、円形コンベヤー組立体６２によって、所望の処
理ステーション（符号３０、３２、３４他で示す）へ輸送される。例えば、基板
１２４が第一の処理ステーションで加熱され、第二の処理ステーションでクロー
ム下地層が形成され、他の処理ステーションで一つ又はそれ以上の磁性層が形成
され、処理システム１０のその他の処理ステーションでカーボンオーバーコート
層が形成され得る。
【００１５】
図３及び４を参照する。ディスクグリッパー７０は、さらに、グリッパー本体
１１０に移動可能に取り付けた接触ピン１６０、１６２を含む。接触ピン１６０
、１６２は、接触ロッド１７０、１７２にそれぞれ剛に連結される。接触ロッド
１７０、１７２は、グリッパー本体１１０のチューブ状のボア又はスリーブで軸
方向に移動可能である。接触ロッド１７０、１７２は、接触ロッド１７０、１７
２の下方エンドにあるバネ１８０、１８２によってそれぞれ上向きにバイアスさ
れ、基板１２４に接触する。引込みピン１９０、１９２が、グリッパー本体１１
０の伸長開口１９４、１９６を通じて、接触ロッド１７０、１７２から横方向に
それぞれ突き出す。図３に示すように、接触ピン１６０、１６２は、通常、バネ
１８０、１８２によって、上向きにバイアスされ、基板１２４のエッジに接触し
ている。接触ピン１６０、１６２は、引込みピン１９０、１９２に下向きの力を
適用することによって、引き込まれ、基板１２４から離れる。よって、接触ピン
１６０、１６２は、図４に示す接触位置と、引込み位置との間で移動可能である
。
１１０に移動可能に取り付けた接触ピン１６０、１６２を含む。接触ピン１６０
、１６２は、接触ロッド１７０、１７２にそれぞれ剛に連結される。接触ロッド
１７０、１７２は、グリッパー本体１１０のチューブ状のボア又はスリーブで軸
方向に移動可能である。接触ロッド１７０、１７２は、接触ロッド１７０、１７
２の下方エンドにあるバネ１８０、１８２によってそれぞれ上向きにバイアスさ
れ、基板１２４に接触する。引込みピン１９０、１９２が、グリッパー本体１１
０の伸長開口１９４、１９６を通じて、接触ロッド１７０、１７２から横方向に
それぞれ突き出す。図３に示すように、接触ピン１６０、１６２は、通常、バネ
１８０、１８２によって、上向きにバイアスされ、基板１２４のエッジに接触し
ている。接触ピン１６０、１６２は、引込みピン１９０、１９２に下向きの力を
適用することによって、引き込まれ、基板１２４から離れる。よって、接触ピン
１６０、１６２は、図４に示す接触位置と、引込み位置との間で移動可能である
。
【００１６】
接触ピン１６０、接触ロッド１７０、バネ１８０及び引込みピン１９０は、第
一の接触ピン組立体を構成し、接触ピン１６２、接触ロッド１７２、バネ１８２
及び引込みピン１９２は、第二の接触ピン組立体を構成する。接触ピン１６０、
１６２は、独立して引込み可能である。
一の接触ピン組立体を構成し、接触ピン１６２、接触ロッド１７２、バネ１８２
及び引込みピン１９２は、第二の接触ピン組立体を構成する。接触ピン１６０、
１６２は、独立して引込み可能である。
【００１７】
接触ピン１６０、１６２は、後述するように、選択される処理ステージで、基
板にバイアス電圧を印加するために使用される。基板１２４のバイアスを必要と
するステーションでは、接触ピン１６０、１６２は、基板に接触し、バイアス電
源に接続される。基板１２４のバイアスを必要としないステーションでは、接触
ピン１６０、１６２は、引き込まれ、基板１２４から離れる。
板にバイアス電圧を印加するために使用される。基板１２４のバイアスを必要と
するステーションでは、接触ピン１６０、１６２は、基板に接触し、バイアス電
源に接続される。基板１２４のバイアスを必要としないステーションでは、接触
ピン１６０、１６２は、引き込まれ、基板１２４から離れる。
【００１８】
図３及び４の実施例では、接触ピン１６０、１６２は、基板１２４のエッジに
接線的に接触する平坦な先端を有する。接触ピン１６０、１６２は、平坦な先端
、V字形の先端、又は基板１２４に高信頼の電気的接触を与える他の任意の形状
を有し得る。図３及び４の実施例では、過多で信頼のある電気的接触を与えるた
め、二つの接触ピン１６０、１６２が使用される。接触ピン１６０、１６２は、
バネ１８０、１８２によって、それぞれ独立して接触位置にバイアスされること
が理解される。よって、一方の接触ピン組立体が動けなくなったり、また壊れて
も、他方のものが正常に作動する。単一の接触ピン又は二つ以上の接触ピンが、
本発明の範囲内で使用され得ることが理解される。
接線的に接触する平坦な先端を有する。接触ピン１６０、１６２は、平坦な先端
、V字形の先端、又は基板１２４に高信頼の電気的接触を与える他の任意の形状
を有し得る。図３及び４の実施例では、過多で信頼のある電気的接触を与えるた
め、二つの接触ピン１６０、１６２が使用される。接触ピン１６０、１６２は、
バネ１８０、１８２によって、それぞれ独立して接触位置にバイアスされること
が理解される。よって、一方の接触ピン組立体が動けなくなったり、また壊れて
も、他方のものが正常に作動する。単一の接触ピン又は二つ以上の接触ピンが、
本発明の範囲内で使用され得ることが理解される。
【００１９】
引込み可能の接触ピンを有するディスクグリッパーの作動例が図５に示される
。処理ステーション３０、３２が図示される。処理ステーション３０は、基板１
２４を担持するディスクグリッパー７０を収容し、処理ステーション３２は、基
板１２４ａを担持するディスクグリッパー７０ａを収容する。ここで、処理ステ
ーション３０は、基板１２４ａ上に磁性層を形成するために使用されるものと仮
定する。処理ステーション３０は、引込みブロック２１０を含む。引込みブロッ
ク２１０は、ディスクグリッパー７０が円形コンベヤー組立体６２（図２を参照
）によって処理ステーション３０へと上昇に移動されると、引込みピン１９０、
１９２に係合するように配置される。ブロック２１０は、位置固定され、ディス
クグリッパー７０が処理ステーション３０へと上昇に移動されると、接触ピン１
６０、１６２が、ブロック２１０によって、基板１２４に関して引き込められる
。よって、セッションピン１６０、１６２は、基板１２４上に導電性クローム下
地層を形成している間、処理ステーション３０に示される引込み位置にある。
。処理ステーション３０、３２が図示される。処理ステーション３０は、基板１
２４を担持するディスクグリッパー７０を収容し、処理ステーション３２は、基
板１２４ａを担持するディスクグリッパー７０ａを収容する。ここで、処理ステ
ーション３０は、基板１２４ａ上に磁性層を形成するために使用されるものと仮
定する。処理ステーション３０は、引込みブロック２１０を含む。引込みブロッ
ク２１０は、ディスクグリッパー７０が円形コンベヤー組立体６２（図２を参照
）によって処理ステーション３０へと上昇に移動されると、引込みピン１９０、
１９２に係合するように配置される。ブロック２１０は、位置固定され、ディス
クグリッパー７０が処理ステーション３０へと上昇に移動されると、接触ピン１
６０、１６２が、ブロック２１０によって、基板１２４に関して引き込められる
。よって、セッションピン１６０、１６２は、基板１２４上に導電性クローム下
地層を形成している間、処理ステーション３０に示される引込み位置にある。
【００２０】
処理ステーション３０でのクローム下地層の形成に続いて、ディスクグリッパ
ー７０と基板１２４は、ディスクグリッパー７０ａ及び基板１２４ａで表される
ように、処理ステーション３２へ移動される。処理ステーションは、基板１２４
ａの各側にイオンソース２１２を含む。各イオンソース２１２は、基板１２４ａ
の表面付近のプラズマにイオンを生成する。処理ステーション３２は、処理ステ
ーション３０の場合のような引込みブロックを含まない。従って、バネ１８０、
１８２は、処理ステーション３２に示される接触位置へと接触ピン１６０、１６
２をバイアスし、ディスク１２４ａのエッジに接触させる。接触ピン１６０、１
６２は、導電性の経路２１８を介してバイアス電源２２０と電気的に接続される
。バイアス電源２２０は、接触ピン１６０、１６２を通じて、基板１２４ａ上の
導電塗料にバイアス電圧を印加する。導電塗料に印加されたバイアス電圧は、基
板１２４ａに向けて各イオンソース２１２によって生成されたプラズマからイオ
ンを加速する。導電塗料上へのイオンの衝突によって生じた電流は、接触ピン１
６０、１６２、接触ロッド１７０、１７２及びバイアス電源２２０を通過してア
ースされる。バイアス電源は、典型的に、約１００〜３００ボルトの範囲にある
（ただし、この範囲に限定されない）。基板１２４ａに向かうイオンの加速が、
磁性層の形成を促進し、基板表面上の他の所望の効果を発生し得る。バイアス電
圧は、このようなバイアス電圧が利点的であるところの任意の処理ステーション
で基板に印加され得る。処理ステーション３０、３２がシステムの最初の二つの
処理ステーションであるように図１に示されるが、図５に示される上述した処理
ステーションが処理システムの任意の二つの処理ステーションであり、相互に隣
り合う必要がないことが理解できる。
ー７０と基板１２４は、ディスクグリッパー７０ａ及び基板１２４ａで表される
ように、処理ステーション３２へ移動される。処理ステーションは、基板１２４
ａの各側にイオンソース２１２を含む。各イオンソース２１２は、基板１２４ａ
の表面付近のプラズマにイオンを生成する。処理ステーション３２は、処理ステ
ーション３０の場合のような引込みブロックを含まない。従って、バネ１８０、
１８２は、処理ステーション３２に示される接触位置へと接触ピン１６０、１６
２をバイアスし、ディスク１２４ａのエッジに接触させる。接触ピン１６０、１
６２は、導電性の経路２１８を介してバイアス電源２２０と電気的に接続される
。バイアス電源２２０は、接触ピン１６０、１６２を通じて、基板１２４ａ上の
導電塗料にバイアス電圧を印加する。導電塗料に印加されたバイアス電圧は、基
板１２４ａに向けて各イオンソース２１２によって生成されたプラズマからイオ
ンを加速する。導電塗料上へのイオンの衝突によって生じた電流は、接触ピン１
６０、１６２、接触ロッド１７０、１７２及びバイアス電源２２０を通過してア
ースされる。バイアス電源は、典型的に、約１００〜３００ボルトの範囲にある
（ただし、この範囲に限定されない）。基板１２４ａに向かうイオンの加速が、
磁性層の形成を促進し、基板表面上の他の所望の効果を発生し得る。バイアス電
圧は、このようなバイアス電圧が利点的であるところの任意の処理ステーション
で基板に印加され得る。処理ステーション３０、３２がシステムの最初の二つの
処理ステーションであるように図１に示されるが、図５に示される上述した処理
ステーションが処理システムの任意の二つの処理ステーションであり、相互に隣
り合う必要がないことが理解できる。
【００２１】
図６のプロセスは、図６のフローチャートに概説される。工程２４０では、接
触ピン１６０、１６２が、処理ステーション３０の引込みブロック２１０によっ
て引込められる。工程２４２では、接触ピン１６０、１６２が引き込まれた状態
で、処理ステーション３０で、基板１２４が、クロームのような導電性材料でコ
ーティングされる。次に、ディスクグリッパー７０と基板１２４が、典型的に、
次の層を形成するための第二の処理ステーションへ移動される。しかし、適当な
環境下で、次の層は、同一の処理ステーションで形成され得ることが理解できる
。どちらの場合においても、接触ピン１６０、１６２は、工程２４４で基板上に
形成された導電塗料と接触した状態にされる。工程２４６では、バイアス電圧が
、接触ピン１６０、１６２を通じて、基板上の導電塗料に印加される。工程２５
０では、イオンが、基板１２４の表面付近のプラズマに生成される。イオンは、
バイアス電圧によって、プラズマから基板表面へ加速され、膜成形速度を高くす
る。イオンは、スパッタ蒸着プロセスの一部のように存在する。上述したように
、バイアス電圧は、このようなバイアス電圧が処理に関して利点的であるところ
の任意の処理ステーションで、ガラス基板上の導電塗料に印加され得る。上述し
たように、図６のプロセスは、処理システムの任意の二つの処理ステーションで
行われてもようし、また変形的に、処理システムの任意の一つの処理ステーショ
ンで行われてもよい。
触ピン１６０、１６２が、処理ステーション３０の引込みブロック２１０によっ
て引込められる。工程２４２では、接触ピン１６０、１６２が引き込まれた状態
で、処理ステーション３０で、基板１２４が、クロームのような導電性材料でコ
ーティングされる。次に、ディスクグリッパー７０と基板１２４が、典型的に、
次の層を形成するための第二の処理ステーションへ移動される。しかし、適当な
環境下で、次の層は、同一の処理ステーションで形成され得ることが理解できる
。どちらの場合においても、接触ピン１６０、１６２は、工程２４４で基板上に
形成された導電塗料と接触した状態にされる。工程２４６では、バイアス電圧が
、接触ピン１６０、１６２を通じて、基板上の導電塗料に印加される。工程２５
０では、イオンが、基板１２４の表面付近のプラズマに生成される。イオンは、
バイアス電圧によって、プラズマから基板表面へ加速され、膜成形速度を高くす
る。イオンは、スパッタ蒸着プロセスの一部のように存在する。上述したように
、バイアス電圧は、このようなバイアス電圧が処理に関して利点的であるところ
の任意の処理ステーションで、ガラス基板上の導電塗料に印加され得る。上述し
たように、図６のプロセスは、処理システムの任意の二つの処理ステーションで
行われてもようし、また変形的に、処理システムの任意の一つの処理ステーショ
ンで行われてもよい。
【００２２】
本発明に従ったディスクグリッパーの第二の実施例が、図７に示される。ディ
スクグリッパー３１０は、台座３２２によって支持されるグリッパー本体３２０
を含む。図７の実施例では、グリッパー本体３２０は、基板３３０のための円形
の開口３２４を有する。グリッパーフィンガー３４０、３４２、３４４が、グリ
ッパー本体３２０に取り付けられ、１２０°ずつ間隔をあけた３点で基板３３０
を支持する。グリッパーフィンガー３４４は、基板３３０のローディングとアン
ローディングのため、引き込められる。
スクグリッパー３１０は、台座３２２によって支持されるグリッパー本体３２０
を含む。図７の実施例では、グリッパー本体３２０は、基板３３０のための円形
の開口３２４を有する。グリッパーフィンガー３４０、３４２、３４４が、グリ
ッパー本体３２０に取り付けられ、１２０°ずつ間隔をあけた３点で基板３３０
を支持する。グリッパーフィンガー３４４は、基板３３０のローディングとアン
ローディングのため、引き込められる。
【００２３】
グリッパー組立体３１０は、さらに、板バネの形態にある接触ピン３５０、３
５２を含む。板バネ状の接触ピン３５０、３５２は、基板３３０のエッジと接触
する接触位置と、基板３３０と接触しない引込み位置の間で枢軸移動するように
取り付けられる。接触ピン３５０、３５２は、それぞれ、引込みピン３６０、３
６２に連結される。引込みピン３６０、３６２は、それぞれの処理ステーション
の接触ピン３５０、３５２の位置を確立するための処理ステーションの構成要素
に係合する。接触ピン３５０、３５２を引き込めた状態の第一の処理ステーショ
ンで、基板３３０に、導電塗料がコーティングされる。次に、基板３３０を担持
しているディスクグリッパー３１０は、第二の処理ステーションへ移動され、接
触ピン３５０、３５２が、作動して、基板３３０のエッジに接触する。バイアス
電圧が、第二の処理ステーションの基板３３０に印加され、イオンが、基板表面
に向けて加速される。
５２を含む。板バネ状の接触ピン３５０、３５２は、基板３３０のエッジと接触
する接触位置と、基板３３０と接触しない引込み位置の間で枢軸移動するように
取り付けられる。接触ピン３５０、３５２は、それぞれ、引込みピン３６０、３
６２に連結される。引込みピン３６０、３６２は、それぞれの処理ステーション
の接触ピン３５０、３５２の位置を確立するための処理ステーションの構成要素
に係合する。接触ピン３５０、３５２を引き込めた状態の第一の処理ステーショ
ンで、基板３３０に、導電塗料がコーティングされる。次に、基板３３０を担持
しているディスクグリッパー３１０は、第二の処理ステーションへ移動され、接
触ピン３５０、３５２が、作動して、基板３３０のエッジに接触する。バイアス
電圧が、第二の処理ステーションの基板３３０に印加され、イオンが、基板表面
に向けて加速される。
【００２４】
よって、本発明は、次の層を形成する間、導電塗料を付けた絶縁基板を信頼的
にバイアスするための方法及び装置を提供する。本発明は、磁気ディスク及び光
ディスクに用いられるガラス基板の処理に使用され得る（ただし、このような用
途に限定されない）。
にバイアスするための方法及び装置を提供する。本発明は、磁気ディスク及び光
ディスクに用いられるガラス基板の処理に使用され得る（ただし、このような用
途に限定されない）。
【００２５】
本発明の好適な実施例について図説したが、添付の特許請求の範囲で定義され
るような本発明の範囲から逸脱せずに、様々な変化物および変更物がなされ得る
ことが、当業者には明らかである。
るような本発明の範囲から逸脱せずに、様々な変化物および変更物がなされ得る
ことが、当業者には明らかである。
【図１】
図１は、本発明に従った基板処理システムの例の平面図である。
【図２】
図２は、図１の基板処理システムの一部断面側面図である。
【図３】
図３は、本発明の実施例に従ったディスクグリッパーの斜視図である。
【図４】
図４は、図３のディスクグリッパーの一部断面斜視図であり、接触ピン組立体
を示す。
を示す。
【図５】
図５は、処理システムの簡単な部分ブロック図であり、引込み可能接触ピンの
作動を示す。
作動を示す。
【図６】
図６は、図５の処理システムの作動を示すフローチャートである。
【図７】
図７は、本発明に従ったディスクグリッパーの第二の実施例の正面図である。
【手続補正書】特許協力条約第３４条補正の翻訳文提出書
【提出日】平成１３年８月１３日（２００１．８．１３）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】処理ステーション３０でのクローム下地層の形成に続いて、デ
ィスクグリッパー７０と基板１２４は、ディスクグリッパー７０ａ及び基板１２
４ａで表されるように、処理ステーション３２へ移動される。処理ステーション
は、基板１２４ａの各側に、図２に示される処理デバイス５０、５２のようなイ
オンソースを含む。各イオンソースは、基板１２４ａの表面付近のプラズマにイ
オンを生成する。処理ステーション３２は、処理ステーション３０の場合のよう
な引込みブロックを含まない。従って、バネ１８０、１８２は、処理ステーショ
ン３２に示される接触位置へと接触ピン１６０、１６２をバイアスし、ディスク
１２４ａのエッジに接触させる。接触ピン１６０、１６２は、導電性の経路２１
８を介してバイアス電源２２０と電気的に接続される。バイアス電源２２０は、
接触ピン１６０、１６２を通じて、基板１２４ａ上の導電塗料にバイアス電圧を
印加する。導電塗料に印加されたバイアス電圧は、基板１２４ａに向けて各イオ
ンソースによって生成されたプラズマからイオンを加速する。導電塗料上へのイ
オンの衝突によって生じた電流は、接触ピン１６０、１６２、接触ロッド１７０
、１７２及びバイアス電源２２０を通過してアースされる。バイアス電源は、典
型的に、約１００〜３００ボルトの範囲にある（ただし、この範囲に限定されな
い）。基板１２４ａに向かうイオンの加速が、磁性層の形成を促進し、基板表面
上の他の所望の効果を発生し得る。バイアス電圧は、このようなバイアス電圧が
利点的であるところの任意の処理ステーションで基板に印加され得る。処理ステ
ーション３０、３２がシステムの最初の二つの処理ステーションであるように図
１に示されるが、図５に示される上述した処理ステーションが処理システムの任
意の二つの処理ステーションであり、相互に隣り合う必要がないことが理解でき
る。
ィスクグリッパー７０と基板１２４は、ディスクグリッパー７０ａ及び基板１２
４ａで表されるように、処理ステーション３２へ移動される。処理ステーション
は、基板１２４ａの各側に、図２に示される処理デバイス５０、５２のようなイ
オンソースを含む。各イオンソースは、基板１２４ａの表面付近のプラズマにイ
オンを生成する。処理ステーション３２は、処理ステーション３０の場合のよう
な引込みブロックを含まない。従って、バネ１８０、１８２は、処理ステーショ
ン３２に示される接触位置へと接触ピン１６０、１６２をバイアスし、ディスク
１２４ａのエッジに接触させる。接触ピン１６０、１６２は、導電性の経路２１
８を介してバイアス電源２２０と電気的に接続される。バイアス電源２２０は、
接触ピン１６０、１６２を通じて、基板１２４ａ上の導電塗料にバイアス電圧を
印加する。導電塗料に印加されたバイアス電圧は、基板１２４ａに向けて各イオ
ンソースによって生成されたプラズマからイオンを加速する。導電塗料上へのイ
オンの衝突によって生じた電流は、接触ピン１６０、１６２、接触ロッド１７０
、１７２及びバイアス電源２２０を通過してアースされる。バイアス電源は、典
型的に、約１００〜３００ボルトの範囲にある（ただし、この範囲に限定されな
い）。基板１２４ａに向かうイオンの加速が、磁性層の形成を促進し、基板表面
上の他の所望の効果を発生し得る。バイアス電圧は、このようなバイアス電圧が
利点的であるところの任意の処理ステーションで基板に印加され得る。処理ステ
ーション３０、３２がシステムの最初の二つの処理ステーションであるように図
１に示されるが、図５に示される上述した処理ステーションが処理システムの任
意の二つの処理ステーションであり、相互に隣り合う必要がないことが理解でき
る。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ，
ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ
Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ，ＴＲ)，ＯＡ(ＢＦ
，ＢＪ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，
ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，Ｇ
Ｍ，ＫＥ，ＬＳ，ＭＷ，ＭＺ，ＳＤ，ＳＬ，ＳＺ，ＴＺ
，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，
ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ)，ＡＥ，ＡＧ，ＡＬ，ＡＭ，
ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，Ｂ
Ｚ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＲ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ
，ＤＭ，ＤＺ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，
ＧＨ，ＧＭ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，Ｊ
Ｐ，ＫＥ，ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ
，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＡ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，
ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＭＺ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，Ｒ
Ｏ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ
，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＴＺ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＺ，ＶＮ，
ＹＵ，ＺＡ，ＺＷ
(72)発明者 キシイ、ジュン
アメリカ合衆国カリフォルニア州95148、
サン・ノゼ、ビネヤード・パーク・プレイ
ス2784
(72)発明者 ローソン、エリック・シー
アメリカ合衆国カリフォルニア州94087、
サニーベール、ハンプトン・ドライブ1430
Ｆターム(参考） 4D075 BB81Z CA22 CA47 DA08
DB13 DB14 DC22 DC24 DC28
5D112 FA04 FB25
5D121 AA01 AA04 AA05 EE03 EE19
EE28 GG30 JJ02 JJ03 JJ04
JJ09 JJ10
Claims (22)
- 【請求項１】 絶縁基板を処理するための方法であって、 処理のため、絶縁基板を把持する工程、 前記絶縁基板に導電塗料をコーティングする工程、 前記絶縁基板のエッジにある前記導電塗料に電気的に接触する接触デバイスを
通じて前記導電塗料にバイアス電圧を印加する工程、及び 前記基板の表面付近のプラズマにイオンを生成する工程であって、前記イオン
が、前記導電塗料に印加した前記バイアス電圧によって、前記基板の表面に向け
て、前記プラズマから加速される、ところの工程、 を含む方法。 - 【請求項２】 請求項１の方法であって、 前記基板が、ディスクを含み、 バイアス電圧を印加する前記工程が、前記ディスクのエッジに接線的に接触さ
せる工程を含む、 ところの方法。 - 【請求項３】 請求項１の方法であって、 接触デバイスを通じてバイアス電圧を印加する前記工程が、前記導電塗料に一
つ又はそれ以上の接触ピンを接触させる工程を含む、 ところの方法。 - 【請求項４】 請求項１の方法であって、 バイアス電圧を印加する前記工程が、前記絶縁基板に向けて前記接触ピンをバ
ネでローディングする工程を含む、 ところの方法。 - 【請求項５】 請求項１の方法であって、 前記絶縁基板をコーティングする前記工程が、ガラスディスクをコーティング
する工程を含む、 ところの方法。 - 【請求項６】 請求項１の方法であって、 前記絶縁基板に前記導電塗料をコーティングする前記工程中に、前記接触デバ
イスを引き込めて、前記絶縁基板との接触を解除する工程、 をさらに含む方法。 - 【請求項７】 絶縁基板を処理するための装置であって、 処理のため、絶縁基板を把持するための手段、 前記絶縁基板に導電塗料をコーティングするための手段、 前記絶縁基板のエッジにある前記導電塗料に電気的に接触する接触デバイスを
通じて前記導電塗料にバイアス電圧を印加するための手段、及び 前記基板の表面付近のプラズマにイオンを生成するための手段であって、前記
イオンが、前記導電塗料に印加された前記バイアス電圧によって、前記プラズマ
から前記基板の表面に向けて加速される、ところの手段、 を含む装置。 - 【請求項８】 請求項７の装置であって、 前記基板が、ディスクを含み、 前記接触デバイスが、前記絶縁ディスクのエッジに接線的に接触する形状を有
する、 ところの装置。 - 【請求項９】 請求項７の装置であって、 前記接触デバイスに連結されるバネ組立体、 をさらに含む装置。
- 【請求項１０】 請求項７の装置であって、 前記接触デバイスが、二つ又はそれ以上の独立して移動できる接触ピンを含む
、 ところの装置。 - 【請求項１１】 請求項７の装置であって、 前記導電塗料を前記絶縁基板にコーティングしている間、前記接触デバイスを
引っ込めて、前記絶縁基板との接触を解除する手段、 をさらに含む装置。 - 【請求項１２】 絶縁ディスクを処理するための装置であって、 処理ステーション、 前記処理ステーション内に配置され、導電塗料を付けた絶縁ディスクを把持す
るためのディスクグリッパーであって、前記ディスクグリッパーが、前記絶縁デ
ィスクのエッジで前記導電塗料に電気的に接触する接触組立体をさらに含む、デ
ィスクグリッパー、 前記接触組立体を通じて、前記絶縁ディスクの前記導電塗料にバイアス電圧を
印加するための電圧ソース、及び 前記ディスクの表面付近のプラズマにイオンを生成するためのソースであって
、前記イオンが、前記導電塗料に印加された前記バイアス電圧によって、前記デ
ィスクの表面に向けて前記プラズマから加速される、ところのソース、 を含む装置。 - 【請求項１３】 請求項１２の装置であって、 前記接触組立体が、 接触デバイス、及び 前記導電塗料に接触した状態にある接触位置と、引込み位置との間で、前記接
触デバイスを移動させるための機構、 を含む、 ところの装置。 - 【請求項１４】 請求項１２の装置であって、 前記接触組立体が、 接触ピン、 前記接触ピンに係合する接触ロッド、 前記接触ピンを前記絶縁ディスクの前記導電塗料に接触させるようにバイアス
するバネ、及び 接触位置と引込み位置との間で前記接触ピンを移動させるための引込みピン、
を含む、 ところの装置。 - 【請求項１５】 請求項１２の装置であって、 前記接触組立体が、 前記導電塗料に接触させるための第一の接触ピン、 接触位置と引込み位置との間で前記第一の接触ピンを移動させるための第一の
機構、 前記導電塗料に接触させるための第二の接触ピン、及び 接触位置と引込み位置との間で前記第二の接触ピンを移動させるための第二の
機構、 を含む、 ところの装置。 - 【請求項１６】 処理中にディスクを把持するためのグリッパー組立体で
あって、 グリッパーハウジング、 前記ハウジングに取り付けられ、そのエッジでディスクを把持するための複数
のグリッパー構成要素、 前記ハウジングに取り付けられ、前記ディスクの前記エッジに電気的に接触さ
せるための接触デバイス、 前記ディスクの前記エッジと接触した状態にある接触位置と、引込み位置との
間で前記接触デバイスを移動させるための機構、及び 前記接触デバイスを電源に接続するための導電性の経路、 を含むグリッパー組立体。 - 【請求項１７】 請求項１６のグリッパー組立体であって、 前記接触デバイスが、前記ディスクの前記エッジに接線的に接触する形状を有
する接触ピンを含む、ところの装置。 - 【請求項１８】 請求項１６のグリッパー組立体であって、 前記機構が、 前記接触デバイスを前記接触位置へバイアスするためのバネ、及び 前記接触ピンを前記引込み位置へ移動させるための引込みピン、 を含む、 ところのグリッパー組立体。
- 【請求項１９】 ディスク処理システムであって、 処理中にそのエッジで絶縁ディスクを把持するためのグリッパーであって、前
記グリッパーが、前記絶縁ディスクの前記エッジに接触させるための接触デバイ
スと、前記ディスクのエッジに接触した状態にある接触位置と、引込み位置との
間で前記接触デバイスを移動させるための機構とを含む、グリッパー、 前記接触デバイスが前記引込み位置にある前記グリッパーで保持したディスク
に導電塗料を適用するための第一の処理ステーション、 前記接触デバイスが前記導電塗料に接触した状態にあり、前記接触デバイスに
バイアス電圧が印加される前記グリッパーで保持した前記ディスクの表面付近の
プラズマにイオンを生成するための第二の処理ステーションであって、前記イオ
ンが、前記導電塗料に印加された前記バイアス電圧によって前記ディスクに向け
て前記プラズマから加速される、ところの第二の処理ステーション、及び 前記第一の処理ステーションから前記第二の処理ステーションへ前記ディスク
グリッパーを移動させるための輸送デバイス、 を含むディスク処理システム。 - 【請求項２０】 請求項１９のディスク処理システムであって、 前記機構が、 前記接触デバイスを前記接触位置へバイアスするためのバネ、及び 前記接触ピンを前記引込み位置へ移動させるための引込みピン、 を含む、 ところのディスク処理システム。
- 【請求項２１】 請求項２０のディスク処理システムであって、 前記第一の処理ステーションが、前記引込みピンに係合し、前記接触デバイス
を前記引込み位置へ移動させるための引込み構成要素を含む、ところのディスク
処理システム。 - 【請求項２２】 請求項２１のディスク処理システムであって、 前記第二の処理ステーションが、前記バイアス電圧を前記接触デバイスに印加
するためのバイアス電源を含む、ところのディスク処理システム。
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050317 |
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