JPH04216310A - 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法Info
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- JPH04216310A JPH04216310A JP3065295A JP6529591A JPH04216310A JP H04216310 A JPH04216310 A JP H04216310A JP 3065295 A JP3065295 A JP 3065295A JP 6529591 A JP6529591 A JP 6529591A JP H04216310 A JPH04216310 A JP H04216310A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
-
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- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
- G11B5/3919—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path
- G11B5/3922—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure
- G11B5/3925—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure the two parts being thin films
-
- G—PHYSICS
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Landscapes
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、その上に第１の磁気絶
縁層が存し、その上に磁束導体と少なくとも該磁束導体
の間に配された第２の磁気絶縁層とが位置する磁性支持
と、電気絶縁層とを有し、この電気絶縁層の上には、磁
気抵抗素子が、前記の磁束導体および第２の磁気絶縁層
の上に位置して少なくとも第２の磁気絶縁層に対向して
存する薄膜磁気ヘッドに関するものである。本発明はま
た、支持体より始まり、その上に第１の磁気絶縁層がデ
ポジットされ、その上に、磁束導体と少なくともこの磁
束導体の間に第２の磁気絶縁層とがデポジットされ、し
かる後、前記の磁束導体と第２の磁気絶縁層の上に電気
絶縁層がデポジットされ、その上に磁気抵抗素子が設け
られるようにした、前記の薄膜磁気ヘッドの製造方法に
関するものである。
縁層が存し、その上に磁束導体と少なくとも該磁束導体
の間に配された第２の磁気絶縁層とが位置する磁性支持
と、電気絶縁層とを有し、この電気絶縁層の上には、磁
気抵抗素子が、前記の磁束導体および第２の磁気絶縁層
の上に位置して少なくとも第２の磁気絶縁層に対向して
存する薄膜磁気ヘッドに関するものである。本発明はま
た、支持体より始まり、その上に第１の磁気絶縁層がデ
ポジットされ、その上に、磁束導体と少なくともこの磁
束導体の間に第２の磁気絶縁層とがデポジットされ、し
かる後、前記の磁束導体と第２の磁気絶縁層の上に電気
絶縁層がデポジットされ、その上に磁気抵抗素子が設け
られるようにした、前記の薄膜磁気ヘッドの製造方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】前記の薄膜磁気ヘッドおよびその製造方
法は特開昭６２−２４６１１５号公報に開示さている。 この従来技術の磁気ヘッドでは、前縁（ｌｅａｄｉｎｇ
） および後縁（ｔｒａｉｌｉｎｇ）の磁束導体を磁気
抵抗素子が橋絡し、この磁気抵抗素子は、磁束導体と支
持体で構成れた磁性ヨークの外側に位置している。この
磁気ヘッドは、磁気抵抗素子が支持体と磁束導体間でヨ
ークの内側に位置する磁気ヘッドにくらべると、薄膜磁
気ヘッドの効率を著しく改良する。従来の方法では、磁
束導体はスパッタリングでデポジットされ、イオンエッ
チング法で形成される。このような方法では、磁性層が
先ずデポジットされ、この磁性層は、しゃへい層例えば
フォトレジストで被覆される。 このしゃへい層は、例えば該層を部分的に露光すること
によって構成される。このようにすることにより、フォ
トレジストが現像され、その後露光部分が除去される。 その後で、磁性層をイオンエッチン法によって構成する
ことができる。この従来の方法は、磁束導体の形成のた
めに比較的多数の製造工程を行わねばならず、このため
時間がかかり、したがって高くつくという欠点を有する
。
法は特開昭６２−２４６１１５号公報に開示さている。 この従来技術の磁気ヘッドでは、前縁（ｌｅａｄｉｎｇ
） および後縁（ｔｒａｉｌｉｎｇ）の磁束導体を磁気
抵抗素子が橋絡し、この磁気抵抗素子は、磁束導体と支
持体で構成れた磁性ヨークの外側に位置している。この
磁気ヘッドは、磁気抵抗素子が支持体と磁束導体間でヨ
ークの内側に位置する磁気ヘッドにくらべると、薄膜磁
気ヘッドの効率を著しく改良する。従来の方法では、磁
束導体はスパッタリングでデポジットされ、イオンエッ
チング法で形成される。このような方法では、磁性層が
先ずデポジットされ、この磁性層は、しゃへい層例えば
フォトレジストで被覆される。 このしゃへい層は、例えば該層を部分的に露光すること
によって構成される。このようにすることにより、フォ
トレジストが現像され、その後露光部分が除去される。 その後で、磁性層をイオンエッチン法によって構成する
ことができる。この従来の方法は、磁束導体の形成のた
めに比較的多数の製造工程を行わねばならず、このため
時間がかかり、したがって高くつくという欠点を有する
。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、良好な磁気
特性と極めて簡単なヘッド構造を有する薄膜磁気ヘッド
およびこの磁気ヘッドを簡単且つ迅速に得ることのでき
る方法を供することをとりわけその目的とするものであ
る。
特性と極めて簡単なヘッド構造を有する薄膜磁気ヘッド
およびこの磁気ヘッドを簡単且つ迅速に得ることのでき
る方法を供することをとりわけその目的とするものであ
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は、第１の磁気絶縁層が、導電性のめっき
ベースを支持上にデポジットすることによって形成され
ることを特徴とするものである。このことは、以後の工
程の間、電気めっきによって磁束導体を設けることを可
能にし、このため、必要な工程が従来の方法よりも少な
くなる。めっきベースはギャップ層も構成するので、こ
のめっきベースは比較低厚くすることができ、このこと
は電気めっき工程にとって有利で、ギャップ長の選択に
制限がない。この点で、本願発明は、電気めっき工程に
対するベースとして役立つ導電性非磁性材料層が第１の
磁気絶縁層上にデポジットされるためにギャップ長が大
きくされる従来の電気めっきつき工程と異なる。電気的
ならびに磁気的導体層を第１の磁気絶縁層上にデポジッ
トすることも公知である。この方法はギャップ長の選択
に何等の制限を課さないが、このような層は、磁束導体
の磁気特性に悪影響を与えるおそれがある。本発明の方
法の付加的な利点は、めっきベースが、磁気抵抗素子を
駆動するためのバイアス巻線としても機能することがで
きることである。本発明方法の一実施例では、磁束導体
は電気めっきを経てめっきベース上にデポジットされる
。電気めっきによる磁束導体のデポジットは時間が短か
くてすみ、したがってスパッタリングおよびストラクチ
ャリング （ｓｔｒｕｃｔｕｒｉｎｇ）によって磁束導
体を形成するもより安くつく。磁束導体を電気めっきに
より成長させるのに適した本発明方法の一実施例ではフ
ォトラッカーレジスト層が磁束導体がデポジットされる
前にめっきベース上にデポジットされ、しかる後、少な
くともフォトラッカーレジスト層の壁の間に、少なくと
も磁束導体を形成すする層部分がめっきベース上に電気
めっきされ、しかる後前記のフォトラッカー層が除去さ
れる。磁気抵抗素子がヨークの外側に位置する構造に対
しては前縁および後縁磁束導体間のスペースが平らにさ
れることが必要である。これは、例えば、過剰の絶縁材
料を、スパッタリング、蒸着或いは化学気相堆積法（Ｃ
ＶＤ）によってデポジットし、かしる後過剰の材料をエ
ッチングで除去することにより達成される。従来の方法
に用いられた別の方法は、磁束導体間のスペースをスピ
ンコーティング法（ｓｐｉｎ−ｃｏａｔｉｎｇ ｐｒｏ
ｃｅｄｕｒｅ） で満たし、この同じ方法で磁束導体上
に電気絶縁層をデポジットすることである。電気絶縁層
のデポジットのためにこれ等の技術は時間がかかり、し
たがって高くつく。前記の不利が生じない本発明の方法
の一実施例では、第２の磁気絶縁層は、導電性非路性層
を電気めっきにより少なくとも磁束導体の間でめっきベ
ース上にデポジットすることにより形成される。この実
施例は、電気めっき工程の間一定の厚さを有する平らな
層が成長するという利点を与える。付加的な利点は、電
気めっき工程の速度である。更に別の利点は、従来の磁
気ヘッドの電気的に浮動（ｆｌｏａｔｉｎｇ）している
磁束導体がこの場合電気的に互に連結され、この結果、
磁性媒体との摩擦による静電充電（ｅｌｅｃｔｒｏｓｔ
ａｔｉｃ ｃｈａｒｇｉｎｇ）により生じる電気雑音が
低減され、静電放電（ｅｌｅｃｔｒｏ−ｓｔａｒｉｃ
ｄｉｓｃｈａｒｇｅ ： ＥＳＤ）の危険が低減される
。 電気めっきを経て第２の磁気絶縁体を成長させるのに適
した本発明の実際的な実施例では、フォトラッカーレジ
スト層が除去される前に、電気しャへい層が少なくとも
磁束導体上にデポジットされ、しかる後、磁性層部分、
しゃへい層およびフォトラッカーレジスト層のアセンブ
リが、上にしゃへい層の部分を有する磁束導体だけが残
るように形成され、しかる後、別のフォトラッカーレジ
スト層がめっきベース上にデポジットされ、次いで、少
なくとも磁束導体と別のフォトラッカーレジスト層の壁
の間に、第２の磁気絶縁層の形成のために導電磁気絶縁
層が電気めっきでデポジットされ、しかる後、前記のし
ゃへい層と別のフォトラッカーレジスト層が除去される
。本発明の別の実際的な実施例では、めっきベース上へ
の磁性層部分のデポジットの間、磁束導体のほかに別の
補助磁性層が電気めっきにより成長され、しかる後、磁
性層部分とフォトラッカーレジスト層上にしゃへい層が
デポジットされ、その上に、少なくとも磁束導体の領域
にフォトラッカーレジスト層がデポジットされ、しかる
後、該フォトラッカーレジスト層も除去される。この後
者の方法は、磁性層部分が、前述し実施例におけるより
も大きな表面積にわたって電気めっきにより成長すると
いう利点を有する。したがって、電流は工程中表面にわ
たってより均一に分布され、成長をより均一にしかも制
御の巾を拡げて達成することができる。本発明の薄膜磁
気ヘッドは、第１の磁気絶縁層が導電性めっきベースで
あることを特徴とする。変換ギャップは唯一つの層で形
成されるので、良く規定されたギャップ長が得られる。 適当な導電性のめっきベースは、例えばＡｕ層である。 本発明の薄膜磁気ヘッドの別の実施例では第２の磁気絶
縁層は導電材料より成る。したがって、第２の磁気絶縁
層を電気めっきされた層として形成することが可能であ
る。第２の磁気絶縁層の厚さを磁束導体の厚さに等しく
することによって平らな層が得られるが、この平らな層
は、製造時に磁気抵抗素子のデポジションに対して有利
である。第２の磁気絶縁層に適当な材料はＣｕである。
めに、本発明は、第１の磁気絶縁層が、導電性のめっき
ベースを支持上にデポジットすることによって形成され
ることを特徴とするものである。このことは、以後の工
程の間、電気めっきによって磁束導体を設けることを可
能にし、このため、必要な工程が従来の方法よりも少な
くなる。めっきベースはギャップ層も構成するので、こ
のめっきベースは比較低厚くすることができ、このこと
は電気めっき工程にとって有利で、ギャップ長の選択に
制限がない。この点で、本願発明は、電気めっき工程に
対するベースとして役立つ導電性非磁性材料層が第１の
磁気絶縁層上にデポジットされるためにギャップ長が大
きくされる従来の電気めっきつき工程と異なる。電気的
ならびに磁気的導体層を第１の磁気絶縁層上にデポジッ
トすることも公知である。この方法はギャップ長の選択
に何等の制限を課さないが、このような層は、磁束導体
の磁気特性に悪影響を与えるおそれがある。本発明の方
法の付加的な利点は、めっきベースが、磁気抵抗素子を
駆動するためのバイアス巻線としても機能することがで
きることである。本発明方法の一実施例では、磁束導体
は電気めっきを経てめっきベース上にデポジットされる
。電気めっきによる磁束導体のデポジットは時間が短か
くてすみ、したがってスパッタリングおよびストラクチ
ャリング （ｓｔｒｕｃｔｕｒｉｎｇ）によって磁束導
体を形成するもより安くつく。磁束導体を電気めっきに
より成長させるのに適した本発明方法の一実施例ではフ
ォトラッカーレジスト層が磁束導体がデポジットされる
前にめっきベース上にデポジットされ、しかる後、少な
くともフォトラッカーレジスト層の壁の間に、少なくと
も磁束導体を形成すする層部分がめっきベース上に電気
めっきされ、しかる後前記のフォトラッカー層が除去さ
れる。磁気抵抗素子がヨークの外側に位置する構造に対
しては前縁および後縁磁束導体間のスペースが平らにさ
れることが必要である。これは、例えば、過剰の絶縁材
料を、スパッタリング、蒸着或いは化学気相堆積法（Ｃ
ＶＤ）によってデポジットし、かしる後過剰の材料をエ
ッチングで除去することにより達成される。従来の方法
に用いられた別の方法は、磁束導体間のスペースをスピ
ンコーティング法（ｓｐｉｎ−ｃｏａｔｉｎｇ ｐｒｏ
ｃｅｄｕｒｅ） で満たし、この同じ方法で磁束導体上
に電気絶縁層をデポジットすることである。電気絶縁層
のデポジットのためにこれ等の技術は時間がかかり、し
たがって高くつく。前記の不利が生じない本発明の方法
の一実施例では、第２の磁気絶縁層は、導電性非路性層
を電気めっきにより少なくとも磁束導体の間でめっきベ
ース上にデポジットすることにより形成される。この実
施例は、電気めっき工程の間一定の厚さを有する平らな
層が成長するという利点を与える。付加的な利点は、電
気めっき工程の速度である。更に別の利点は、従来の磁
気ヘッドの電気的に浮動（ｆｌｏａｔｉｎｇ）している
磁束導体がこの場合電気的に互に連結され、この結果、
磁性媒体との摩擦による静電充電（ｅｌｅｃｔｒｏｓｔ
ａｔｉｃ ｃｈａｒｇｉｎｇ）により生じる電気雑音が
低減され、静電放電（ｅｌｅｃｔｒｏ−ｓｔａｒｉｃ
ｄｉｓｃｈａｒｇｅ ： ＥＳＤ）の危険が低減される
。 電気めっきを経て第２の磁気絶縁体を成長させるのに適
した本発明の実際的な実施例では、フォトラッカーレジ
スト層が除去される前に、電気しャへい層が少なくとも
磁束導体上にデポジットされ、しかる後、磁性層部分、
しゃへい層およびフォトラッカーレジスト層のアセンブ
リが、上にしゃへい層の部分を有する磁束導体だけが残
るように形成され、しかる後、別のフォトラッカーレジ
スト層がめっきベース上にデポジットされ、次いで、少
なくとも磁束導体と別のフォトラッカーレジスト層の壁
の間に、第２の磁気絶縁層の形成のために導電磁気絶縁
層が電気めっきでデポジットされ、しかる後、前記のし
ゃへい層と別のフォトラッカーレジスト層が除去される
。本発明の別の実際的な実施例では、めっきベース上へ
の磁性層部分のデポジットの間、磁束導体のほかに別の
補助磁性層が電気めっきにより成長され、しかる後、磁
性層部分とフォトラッカーレジスト層上にしゃへい層が
デポジットされ、その上に、少なくとも磁束導体の領域
にフォトラッカーレジスト層がデポジットされ、しかる
後、該フォトラッカーレジスト層も除去される。この後
者の方法は、磁性層部分が、前述し実施例におけるより
も大きな表面積にわたって電気めっきにより成長すると
いう利点を有する。したがって、電流は工程中表面にわ
たってより均一に分布され、成長をより均一にしかも制
御の巾を拡げて達成することができる。本発明の薄膜磁
気ヘッドは、第１の磁気絶縁層が導電性めっきベースで
あることを特徴とする。変換ギャップは唯一つの層で形
成されるので、良く規定されたギャップ長が得られる。 適当な導電性のめっきベースは、例えばＡｕ層である。 本発明の薄膜磁気ヘッドの別の実施例では第２の磁気絶
縁層は導電材料より成る。したがって、第２の磁気絶縁
層を電気めっきされた層として形成することが可能であ
る。第２の磁気絶縁層の厚さを磁束導体の厚さに等しく
することによって平らな層が得られるが、この平らな層
は、製造時に磁気抵抗素子のデポジションに対して有利
である。第２の磁気絶縁層に適当な材料はＣｕである。
【０００５】
【実施例】以下本発明を添付の図面を参照して更に詳し
く説明する。本発明方法の一実施例では、磁性支持体１
、の例では磁束も導くフェライト基板を基にする。この
支持体１上に、導電性非磁性材料のめっきベース２例え
ばＡｕベースがデポジットされる。このめっきベース２
上にフォトラッカーレジスト層３がデポジットされ、し
かる後、磁性層部分４，４ａおよび４ｂ例えばＮｉＦｅ
が前記のめっきベース２上に電気めっきによって成長さ
れる。図１は、かくして得られた中間製品の、支持体１
に直角な断面図である。この磁性層部分は、磁束導体４
ａおよび４ｂのほかに、大きな表面積を得るために補助
磁性層４をも有し、このため、成長操作の間めっきベー
ス２内の電流分布が改良され、成長がよりすぐれた制御
で達成される。しゃへい層５例えば石英層またはフォト
ラッカーレジスト層が前記の中間製品上に設けられ、こ
の層は、本方法の後の段階において磁束導体４ａおよび
４ｂの電気絶縁として機能する。複合層の製造中バリヤ
として働くフォトラッカーレジスト層６が、磁性層部分
４，４ａ， ４ｂ、フォトラッカーレジスト層３および
しゃへい層５のアセンブリ上に設けられる。図２はこの
段階における中間製品の状態を示し、図３は後の階段に
おる状態を示す。この構成は例えば湿式化学エッチング
法（ｗｅｔ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｅｔｃｈｉｎｇ ｐｒ
ｏｃｅｓｓ） によって行うことができる。構成中に、
フォトラッカーレジスト層３、補助磁性層４およびしゃ
へい層５が部分的に除去される。このしゃへい層５は、
本方法の以後の工程において不所望な層が次の電気めっ
き操作中に磁束導体上に形成されるのを防ぐために、磁
束導体４ａと４ｂの上に残らねばならない。この後者の
電気めっき工程の間に第２の磁気絶縁層８がデポジット
される。この層８は、磁束導体４ａと４ｂの間にデポジ
ットするので既に十分である。電流のより均一な分布し
たがってりよ良く制御することのできる工程を得るため
に、前記の層８は、より大きな表面積にわたって成長さ
れるのが好ましい。別のフォトラッカーレジスト層７が
先ずめっきベース２上にデポジットされ、前記の第２の
磁気絶縁層がデポジットされる表面を規定する。しかる
後、図４に示すように、磁気絶縁層８が、支持体１に直
角方向に、磁束導体の寸法に等しい寸法ｔを得る迄デポ
ジットされる。しゃへい層５と別のフォトラッカーレジ
スト層７の除去後、図５に示すように平らにされた構造
が残る。この構造の上に、電気絶縁層９と磁気抵抗素子
１０が順次にデポジットされる。図５の破線１１は、形
成されるヘッド面の位置を示す。このヘッド面１４（図
７参照）は、図５に示した中間製品の研削後に得られる
。この研削に先立って、例えばＳｉＯ２の充填層１２が
磁気ヘッド構造上にデポジットされる。図７は、前述し
た方法によって得られた磁気ヘッドを示し、ヘッド面１
４は、双矢印Ａで示した方向に可動な略図で示した磁気
情報支持体１３と共働する。図８は、前述の方法と少し
異なる別の方法による磁気ヘッドの実施例を示す。この
方法では、磁束導体２０と２１だけが電気めっきで成長
される。この目的で、めっき層２３が磁性支持体２２上
にデポジットされる。第２の磁気絶縁層と電気絶縁層と
は、共に磁気的および電気的に絶縁されかつ例えばＳｉ
Ｏ２より成る絶縁層２４より形成される。この平らにさ
れた絶縁層２４は例えばスパッタリングまたは化学気相
堆積法でデポジットされ、しかる後、余分な材料はエッ
チングにより除去される。磁気抵抗素子２５、別の絶縁
層２６および充填層２７が前記の絶縁層２４上に順々に
配される。本発明は以上説明した実施例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲においてそ
の他の実施例も可能である。したがって、支持体は全体
が磁性材料よりなる必要はない。代りに、その上にデポ
ジットされた磁性層を有する非磁性基板より組立てられ
た支持体も可能である。支持体の支持面が磁性でない実
施例もまた可能性である。支持体は、例えば、その上に
配設された、磁気絶縁層で被覆された書込み点を有し、
次いでこの上にめっきベースがデポジットされた磁性基
板を有することもできる。互に相隣る幾つかのギャップ
を有する磁気ヘッドも可能であり、図６ はその中間製
品の平面図を示す。
く説明する。本発明方法の一実施例では、磁性支持体１
、の例では磁束も導くフェライト基板を基にする。この
支持体１上に、導電性非磁性材料のめっきベース２例え
ばＡｕベースがデポジットされる。このめっきベース２
上にフォトラッカーレジスト層３がデポジットされ、し
かる後、磁性層部分４，４ａおよび４ｂ例えばＮｉＦｅ
が前記のめっきベース２上に電気めっきによって成長さ
れる。図１は、かくして得られた中間製品の、支持体１
に直角な断面図である。この磁性層部分は、磁束導体４
ａおよび４ｂのほかに、大きな表面積を得るために補助
磁性層４をも有し、このため、成長操作の間めっきベー
ス２内の電流分布が改良され、成長がよりすぐれた制御
で達成される。しゃへい層５例えば石英層またはフォト
ラッカーレジスト層が前記の中間製品上に設けられ、こ
の層は、本方法の後の段階において磁束導体４ａおよび
４ｂの電気絶縁として機能する。複合層の製造中バリヤ
として働くフォトラッカーレジスト層６が、磁性層部分
４，４ａ， ４ｂ、フォトラッカーレジスト層３および
しゃへい層５のアセンブリ上に設けられる。図２はこの
段階における中間製品の状態を示し、図３は後の階段に
おる状態を示す。この構成は例えば湿式化学エッチング
法（ｗｅｔ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｅｔｃｈｉｎｇ ｐｒ
ｏｃｅｓｓ） によって行うことができる。構成中に、
フォトラッカーレジスト層３、補助磁性層４およびしゃ
へい層５が部分的に除去される。このしゃへい層５は、
本方法の以後の工程において不所望な層が次の電気めっ
き操作中に磁束導体上に形成されるのを防ぐために、磁
束導体４ａと４ｂの上に残らねばならない。この後者の
電気めっき工程の間に第２の磁気絶縁層８がデポジット
される。この層８は、磁束導体４ａと４ｂの間にデポジ
ットするので既に十分である。電流のより均一な分布し
たがってりよ良く制御することのできる工程を得るため
に、前記の層８は、より大きな表面積にわたって成長さ
れるのが好ましい。別のフォトラッカーレジスト層７が
先ずめっきベース２上にデポジットされ、前記の第２の
磁気絶縁層がデポジットされる表面を規定する。しかる
後、図４に示すように、磁気絶縁層８が、支持体１に直
角方向に、磁束導体の寸法に等しい寸法ｔを得る迄デポ
ジットされる。しゃへい層５と別のフォトラッカーレジ
スト層７の除去後、図５に示すように平らにされた構造
が残る。この構造の上に、電気絶縁層９と磁気抵抗素子
１０が順次にデポジットされる。図５の破線１１は、形
成されるヘッド面の位置を示す。このヘッド面１４（図
７参照）は、図５に示した中間製品の研削後に得られる
。この研削に先立って、例えばＳｉＯ２の充填層１２が
磁気ヘッド構造上にデポジットされる。図７は、前述し
た方法によって得られた磁気ヘッドを示し、ヘッド面１
４は、双矢印Ａで示した方向に可動な略図で示した磁気
情報支持体１３と共働する。図８は、前述の方法と少し
異なる別の方法による磁気ヘッドの実施例を示す。この
方法では、磁束導体２０と２１だけが電気めっきで成長
される。この目的で、めっき層２３が磁性支持体２２上
にデポジットされる。第２の磁気絶縁層と電気絶縁層と
は、共に磁気的および電気的に絶縁されかつ例えばＳｉ
Ｏ２より成る絶縁層２４より形成される。この平らにさ
れた絶縁層２４は例えばスパッタリングまたは化学気相
堆積法でデポジットされ、しかる後、余分な材料はエッ
チングにより除去される。磁気抵抗素子２５、別の絶縁
層２６および充填層２７が前記の絶縁層２４上に順々に
配される。本発明は以上説明した実施例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲においてそ
の他の実施例も可能である。したがって、支持体は全体
が磁性材料よりなる必要はない。代りに、その上にデポ
ジットされた磁性層を有する非磁性基板より組立てられ
た支持体も可能である。支持体の支持面が磁性でない実
施例もまた可能性である。支持体は、例えば、その上に
配設された、磁気絶縁層で被覆された書込み点を有し、
次いでこの上にめっきベースがデポジットされた磁性基
板を有することもできる。互に相隣る幾つかのギャップ
を有する磁気ヘッドも可能であり、図６ はその中間製
品の平面図を示す。
【図１】本発明の方法の一工程における薄膜磁気ヘッド
の状態を示す断面図である。
の状態を示す断面図である。
【図２】本発明の方法の別の工程における薄膜磁気ヘッ
ドの状態を示す断面図である。
ドの状態を示す断面図である。
【図３】本発明の方法の別の工程における薄膜磁気ヘッ
ドの状態を示す断面図である。
ドの状態を示す断面図である。
【図４】本発明の方法の別の工程における薄膜磁気ヘッ
ドの状態を示す断面図である。
ドの状態を示す断面図である。
【図５】本発明の方法の別の工程における薄膜磁気ヘッ
ドの状態を示す断面図である。
ドの状態を示す断面図である。
【図６】中間製品の磁束導体と磁気絶縁層の平らにされ
た構造の平面図である。
た構造の平面図である。
【図７】本発明の薄膜磁気ヘッドの一実施例の断面図で
ある。
ある。
【図８】本発明の薄膜磁気ヘッドの別の実施例の断面図
である。
である。
１，２２ 支持体
２，２３ めっきベース（第１の磁気絶縁層）３，６
，７ フォトラッカーレジスト層４ａ， ４ｂ， ２
０， ２１ 磁束導体４ 補助磁性層 ５ しゃへい層（フォトラッカーレジスト層）８
第２の磁気絶縁層 ９ 電気絶縁層 １０， ２５ 磁気抵抗層 １２， ２７ 充填層
，７ フォトラッカーレジスト層４ａ， ４ｂ， ２
０， ２１ 磁束導体４ 補助磁性層 ５ しゃへい層（フォトラッカーレジスト層）８
第２の磁気絶縁層 ９ 電気絶縁層 １０， ２５ 磁気抵抗層 １２， ２７ 充填層
Claims (12)
- 【請求項１】 支持体より始まり、その上に第１の磁
気絶縁層がデポジットされ、その上に、磁束導体と少な
くともこの磁束導体の間に第２の磁気絶縁層とがデポジ
ットされ、しかる後、前記の磁束導体と第２の磁気絶縁
層の上に電気絶縁層がデポジットされ、その上に磁気抵
抗素子が設けられるようにした薄膜磁気ヘッドの製造方
法において、第１の磁気絶縁層は、導電性のめっきベー
スを支持体上にデポジットすることにより形成されるこ
とを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項２】 磁束導体は電気めっきを経てめっきベ
ース上にデポジットされる請求項１の薄膜磁気ヘッドの
製造方法。 - 【請求項３】 フォトラッカーレジスト層が磁束導体
がデポジットされる前にめっきベース上にデポジットさ
れ、しかる後、少なくともフォトラッカーレジスト層の
壁の間に、少なくとも磁束導体を形成すする層部分がめ
っきベース上に電気めっきされ、しかる後前記のフォト
ラッカー層が除去される請求項１または２の薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法。 - 【請求項４】 第２の磁気絶縁層は、導電性磁気絶縁
層を少なくとも磁束導体間でめっきベース上に電気めっ
きでデポジットすることにより形成される請求項１乃至
３の何れか１項の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項５】 フォトラッカーレジスト層が除去され
る前に、電気しゃへい層が少なくとも磁束導体上にデポ
ジットされ、しかる後、磁性層部分、しゃへい層および
フォトラッカーレジスト層のアセンブリが、上にしゃへ
い層の部分を有する磁束導体だけが残るように形成され
、しかる後、別のフォトラッカーレジスト層がめっきベ
ース上にデポジットされ、次いで、少なくとも磁束導体
と別のフォトラッカーレジスト層の壁の間に、第２の磁
気絶縁層の形成のために導電性磁気絶縁層が電気めっき
でデポジットされ、しかる後、前記のしゃへい層と別の
フォトラッカーレジスト層が除去される請求項４の薄膜
磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項６】 めっきベース上への磁性層部分のデポ
ジションの間、磁束導体のほかに別の補助磁性層が電気
めっきにより成長され、しかる後、磁性層部分とフォト
ラッカーレジスト層上にしゃへい層がデポジットされ、
その上に、少なくとも磁束導体の領域にフォトラッカー
レジスト層がデポジットされ、しかる後、該フォトラッ
カーレジスト層も除去される請求項５の薄膜磁気ヘッド
の製造方法。 - 【請求項７】 その上に第１の磁気絶縁層が存し、そ
の上に磁束導体と少なくとも該磁束導体の間に配された
第２の磁気絶縁層とが位置する磁性支持体と、電気絶縁
層とを有し、この電気絶縁層の上には、磁気抵抗素子が
、前記の磁束導体および第２の磁気絶縁層の上に位置し
て少なくとも第２の磁気絶縁層に対向して存する薄膜磁
気ヘッドにおいて、第１の磁気絶縁層は導電性のめっき
ベースであることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項８】 めっきベースはＡｕより成る請求項７
の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項９】 第２の磁気絶縁層は導電性材料より成
る請求項７または８の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項１０】 第２の磁気絶縁層は、電気めっきで
得られた層である請求項９の薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項１１】 第２の磁気絶縁層の寸法は、めっき
ベースに対して直角な方向にみて、磁束導体の寸法に少
なくとも実質的に等しい請求項９または１０の薄膜磁気
ヘッド。 - 【請求項１２】 第２の磁気絶縁層はＣｕより成る請
求項９乃至１０の何れか１項の薄膜磁気ヘッド。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL9000546A NL9000546A (nl) | 1990-03-09 | 1990-03-09 | Werkwijze voor het vervaardigen van een dunnefilm magneetkop alsmede een dunnefilm magneetkop vervaardigbaar volgens de werkwijze. |
| NL9000546 | 1990-03-09 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04216310A true JPH04216310A (ja) | 1992-08-06 |
Family
ID=19856721
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3065295A Pending JPH04216310A (ja) | 1990-03-09 | 1991-03-07 | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
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| EP (1) | EP0445883B1 (ja) |
| JP (1) | JPH04216310A (ja) |
| KR (1) | KR100247877B1 (ja) |
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| NL (1) | NL9000546A (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| BE1007992A3 (nl) * | 1993-12-17 | 1995-12-05 | Philips Electronics Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een dunnefilmmagneetkop en magneetkop vervaardigd volgens de werkwijze. |
| WO1996030898A2 (en) * | 1995-03-24 | 1996-10-03 | Philips Electronics N.V. | System comprising a magnetic head, a measuring device and a current device |
| US5982177A (en) * | 1997-08-08 | 1999-11-09 | Florida State University | Magnetoresistive sensor magnetically biased in a region spaced from a sensing region |
| EP1125288A1 (en) * | 1998-09-24 | 2001-08-22 | Materials Innovation Inc. | Magnetoresistive devices, giant magnetoresistive devices and methods for making same |
| US6329687B1 (en) * | 2000-01-27 | 2001-12-11 | Advanced Micro Devices, Inc. | Two bit flash cell with two floating gate regions |
| US7704614B2 (en) * | 2006-10-20 | 2010-04-27 | Seagate Technology Llc | Process for fabricating patterned magnetic recording media |
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| US4436593A (en) * | 1981-07-13 | 1984-03-13 | Memorex Corporation | Self-aligned pole tips |
| JPS5823316A (ja) * | 1981-08-04 | 1983-02-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| JPH07105006B2 (ja) * | 1985-11-05 | 1995-11-13 | ソニー株式会社 | 磁気抵抗効果型磁気ヘツド |
| DE3644388A1 (de) * | 1985-12-27 | 1987-07-02 | Sharp Kk | Duennfilm-joch-magnetkopf |
| NL8701663A (nl) * | 1987-07-15 | 1989-02-01 | Philips Nv | Dunne film magneetkop met een magnetoweerstandselement. |
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-
1991
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- 1991-03-04 EP EP91200453A patent/EP0445883B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-03-04 US US07/664,164 patent/US5284572A/en not_active Expired - Fee Related
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- 1995-03-22 US US08/408,451 patent/US5473490A/en not_active Expired - Fee Related
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