JP2513124B2 - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JP2513124B2 JP2513124B2 JP14831593A JP14831593A JP2513124B2 JP 2513124 B2 JP2513124 B2 JP 2513124B2 JP 14831593 A JP14831593 A JP 14831593A JP 14831593 A JP14831593 A JP 14831593A JP 2513124 B2 JP2513124 B2 JP 2513124B2
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- Japan
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- film
- lower magnetic
- magnetic film
- magnetic head
- thin film
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気テープ、ディスク
等の磁気記録媒体の高密度記録に使用する薄膜磁気ヘッ
ドに関する。
等の磁気記録媒体の高密度記録に使用する薄膜磁気ヘッ
ドに関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜磁気ヘッドは、蒸着やエッチングな
どの薄膜形成技術を用い、リング形ヘッドのコアや巻線
に相当するパターンを、磁性体（パーマロイなど）およ
び導体で基板上に形成して製作する。この方法は小形で
精度よく製作できるとともに、特性の揃ったものを同一
基板上に多数製作できる利点がある。
どの薄膜形成技術を用い、リング形ヘッドのコアや巻線
に相当するパターンを、磁性体（パーマロイなど）およ
び導体で基板上に形成して製作する。この方法は小形で
精度よく製作できるとともに、特性の揃ったものを同一
基板上に多数製作できる利点がある。
【０００３】図３は薄膜磁気ヘッドの一例の構造を示
す。以下この薄膜磁気ヘッドの製作方法について説明す
る。アルミ・チタンカーバイト（Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ）
等からなる基板上に、めっき導通用下地膜を約１０００
Åの厚さに形成し（このまでの部分は図示してない）、
この下地膜上に電気めっき等によりパーマロイからなる
下部磁性膜１を形成し、下部磁性膜１上にアルミナをス
パッタ、パターニングして、０．４μｍ程度の厚さのギ
ャップ膜２を形成する。次に表面にギャップ膜パターン
２が形成された下部磁性膜１上に、ＳｉＯ2 絶縁膜３を
介して導電金属からなる導体コイル４を形成し、その上
に有機絶縁剤（フォトレジスト剤）を塗布し、パターニ
ング後２００℃以上でベーキングし、厚さ３μｍ程度の
有機絶縁膜５を形成し、この有機絶縁膜５上にスパッタ
により厚さ５μｍ程度の上部磁性膜６を形成する。導体
コイル４を覆う絶縁膜に無機絶縁膜でなく有機絶縁膜を
使用するのは、導体コイル４による表面の凹凸に対し、
カバレイジ（coverage）のよい平坦な表面を得るためで
ある。
す。以下この薄膜磁気ヘッドの製作方法について説明す
る。アルミ・チタンカーバイト（Ａｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ）
等からなる基板上に、めっき導通用下地膜を約１０００
Åの厚さに形成し（このまでの部分は図示してない）、
この下地膜上に電気めっき等によりパーマロイからなる
下部磁性膜１を形成し、下部磁性膜１上にアルミナをス
パッタ、パターニングして、０．４μｍ程度の厚さのギ
ャップ膜２を形成する。次に表面にギャップ膜パターン
２が形成された下部磁性膜１上に、ＳｉＯ2 絶縁膜３を
介して導電金属からなる導体コイル４を形成し、その上
に有機絶縁剤（フォトレジスト剤）を塗布し、パターニ
ング後２００℃以上でベーキングし、厚さ３μｍ程度の
有機絶縁膜５を形成し、この有機絶縁膜５上にスパッタ
により厚さ５μｍ程度の上部磁性膜６を形成する。導体
コイル４を覆う絶縁膜に無機絶縁膜でなく有機絶縁膜を
使用するのは、導体コイル４による表面の凹凸に対し、
カバレイジ（coverage）のよい平坦な表面を得るためで
ある。
【０００４】図４は従来のこの種の薄膜磁気ヘッドの下
部磁性膜と上部磁性膜の形状を示す図である。図におい
て、図３と同一の符号は同一部分を示し、Ｃ−Ｃ’は図
３の断面図の断面位置を示す。なお、図４では下部磁性
膜１と上部磁性膜６の寸法及び位置は、相互関係を無視
して単に夫々の形状がわかり易いように図示している。
以上のような従来の薄膜磁気ヘッドの構造では、有機絶
縁膜の硬化のため高温でのベーキングを行うと有機絶縁
膜５に下部磁性膜１に沿って、たれ部分７ができるとい
う問題がある。すなわち、この種の薄膜磁気ヘッドで
は、浮上面から絶縁膜３の端部、すなわち図のＤで示す
部分までの距離は、ポールハイトと呼ばれており、薄膜
磁気ヘッドの効率を左右する重要なパラメータである。
ポールハイトが過度に大きいと上部磁性膜６と下部磁性
膜１との間で漏洩する磁場が増加してしまい、記録再生
効率が低下するからである。このため、ポールハイトは
極力小さい寸法に設定することが好ましいが、従来の薄
膜磁気ヘッドでは、ポールハイトを限りなく「０」に近
づけると下部磁性膜１に沿って形成された有機絶縁膜の
たれ部分７が浮上面に露出してしまう。
部磁性膜と上部磁性膜の形状を示す図である。図におい
て、図３と同一の符号は同一部分を示し、Ｃ−Ｃ’は図
３の断面図の断面位置を示す。なお、図４では下部磁性
膜１と上部磁性膜６の寸法及び位置は、相互関係を無視
して単に夫々の形状がわかり易いように図示している。
以上のような従来の薄膜磁気ヘッドの構造では、有機絶
縁膜の硬化のため高温でのベーキングを行うと有機絶縁
膜５に下部磁性膜１に沿って、たれ部分７ができるとい
う問題がある。すなわち、この種の薄膜磁気ヘッドで
は、浮上面から絶縁膜３の端部、すなわち図のＤで示す
部分までの距離は、ポールハイトと呼ばれており、薄膜
磁気ヘッドの効率を左右する重要なパラメータである。
ポールハイトが過度に大きいと上部磁性膜６と下部磁性
膜１との間で漏洩する磁場が増加してしまい、記録再生
効率が低下するからである。このため、ポールハイトは
極力小さい寸法に設定することが好ましいが、従来の薄
膜磁気ヘッドでは、ポールハイトを限りなく「０」に近
づけると下部磁性膜１に沿って形成された有機絶縁膜の
たれ部分７が浮上面に露出してしまう。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】以上のように従来の薄
膜磁気ヘッドでは、高温でのベーキングによって有機絶
縁膜５に下部磁性膜１に沿ってたれ部分７ができ、ポー
ルハイトを「０」に近づけると、このたれ部分７が浮上
面に露出するという問題点があった。本発明の目的はた
れ部分を無くし、ポールハイトを極力小さくすることを
目的とする。
膜磁気ヘッドでは、高温でのベーキングによって有機絶
縁膜５に下部磁性膜１に沿ってたれ部分７ができ、ポー
ルハイトを「０」に近づけると、このたれ部分７が浮上
面に露出するという問題点があった。本発明の目的はた
れ部分を無くし、ポールハイトを極力小さくすることを
目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜磁気ヘッド
は、下部磁性膜のポールハイト「０」の位置よりも後退
した位置に段差を設けて該位置からヨーク幅を上部磁性
膜のヨーク幅より狭くならない範囲で狭くし、下部磁性
膜と導体コイルを覆う有機絶縁膜のベーキング時の下部
磁性膜に沿って生じるたれを、この段差部分で塞き止め
る構造としたものである。
は、下部磁性膜のポールハイト「０」の位置よりも後退
した位置に段差を設けて該位置からヨーク幅を上部磁性
膜のヨーク幅より狭くならない範囲で狭くし、下部磁性
膜と導体コイルを覆う有機絶縁膜のベーキング時の下部
磁性膜に沿って生じるたれを、この段差部分で塞き止め
る構造としたものである。
【０００７】
【作用】上記のような構造にすると、ポールハイトを限
りなく「０」に近づけても、浮上面に有機絶縁膜が露出
することがなくなる。
りなく「０」に近づけても、浮上面に有機絶縁膜が露出
することがなくなる。
【０００８】
【実施例】図１は本発明の一実施例における下部磁性膜
と上部磁性膜の形状を示し、図２は本発明の一実施例の
主要部の構造を立体的に示す斜視図である。これらの図
において、図３，図４と同一符号は同一または相当する
部分を示し、１ａは本実施例における下部磁性膜であ
り、ポールハイト「０」より後退した位置に、段差８を
設けて該位置からヨーク幅を上部磁性膜６のヨーク幅よ
り狭くならない範囲で、狭くしている。このような下部
磁性膜１ａは、基板上に形成するめっき導通用下地膜
を、この下部磁性膜１ａの形状に合わせてパターニング
し、この下地膜上に電気めっき等によりパーマロイから
なる磁性体をめっきすることで容易に得ることができ
る。下部磁性膜１ａの形状以外は、形状、構造とも従来
の薄膜磁気ヘッドと同様であり、従来と同じ方法で製作
できる。
と上部磁性膜の形状を示し、図２は本発明の一実施例の
主要部の構造を立体的に示す斜視図である。これらの図
において、図３，図４と同一符号は同一または相当する
部分を示し、１ａは本実施例における下部磁性膜であ
り、ポールハイト「０」より後退した位置に、段差８を
設けて該位置からヨーク幅を上部磁性膜６のヨーク幅よ
り狭くならない範囲で、狭くしている。このような下部
磁性膜１ａは、基板上に形成するめっき導通用下地膜
を、この下部磁性膜１ａの形状に合わせてパターニング
し、この下地膜上に電気めっき等によりパーマロイから
なる磁性体をめっきすることで容易に得ることができ
る。下部磁性膜１ａの形状以外は、形状、構造とも従来
の薄膜磁気ヘッドと同様であり、従来と同じ方法で製作
できる。
【０００９】下部磁性膜１ａを上記のような形状に形成
した後、下部磁性膜１ａ上にギャップ膜２を形成し、そ
の上に絶縁膜３を介して導体コイル４を形成し、更にそ
の上に塗布、パターニングした有機絶縁剤をベーキング
する際、有機絶縁膜５の下部磁性膜１ａに沿って生じる
たれが段差８によって塞き止められる。従って、その後
ラップ加工によりポールハイト「０」近傍までラッピン
グしても、有機絶縁膜５が浮上面に露出することがな
く、品質のよい薄膜磁気ヘッドが得られる。
した後、下部磁性膜１ａ上にギャップ膜２を形成し、そ
の上に絶縁膜３を介して導体コイル４を形成し、更にそ
の上に塗布、パターニングした有機絶縁剤をベーキング
する際、有機絶縁膜５の下部磁性膜１ａに沿って生じる
たれが段差８によって塞き止められる。従って、その後
ラップ加工によりポールハイト「０」近傍までラッピン
グしても、有機絶縁膜５が浮上面に露出することがな
く、品質のよい薄膜磁気ヘッドが得られる。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように本発明による薄膜磁
気ヘッドは、有機絶縁膜ベーキング時に、下部磁性膜に
沿って生じるたれが、下部磁性膜のポールハイト「０」
より後退した位置に設けた段差部分で塞き止められるた
め、ラップ加工で限りなくポールハイト「０」近くまで
ラッピングしても、有機絶縁膜が浮上面に露出すること
がなくなる。
気ヘッドは、有機絶縁膜ベーキング時に、下部磁性膜に
沿って生じるたれが、下部磁性膜のポールハイト「０」
より後退した位置に設けた段差部分で塞き止められるた
め、ラップ加工で限りなくポールハイト「０」近くまで
ラッピングしても、有機絶縁膜が浮上面に露出すること
がなくなる。
【図１】本発明の一実施例における下部磁性膜と上部磁
性膜の形状を示す図である。
性膜の形状を示す図である。
【図２】本発明の一実施例の主要部の構造を立体的に示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図３】薄膜磁気ヘッドの構造の一例を示す断面図であ
る。
る。
【図４】従来の薄膜磁気ヘッドの下部磁性膜と上部磁性
膜の形状を示す図である。
膜の形状を示す図である。
１，１ａ 下部磁性膜 ２ ギャップ膜 ３ 絶縁膜 ４ 導体コイル ５ 有機絶縁膜 ６ 上部磁性膜 ７ 絶縁膜のたれ部分 ８ 段差
Claims (2)
- 【請求項１】 セラミック基板上に下部磁性膜、ギャッ
プ膜、絶縁膜、導体コイル、上部磁性膜を順次積層して
なる薄膜磁気ヘッドにおいて、 下部磁性膜のポールハイト「０」より後退した位置に段
差を設けて該位置からヨーク幅を狭くし、下部磁性膜と
導体コイルを覆う有機絶縁膜のベーキング時に下部磁性
膜に沿って生じるたれ（垂れ）をこの段差で塞き止め、
有機絶縁膜が浮上面に露出しない構造としたことを特徴
とする薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項２】 下部磁性膜の段差を設けた位置からのヨ
ーク幅を上部磁性膜のヨーク幅と同じかもしくは上部磁
性膜のヨーク幅より広くしたことを特徴とする請求項第
１項記載の薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14831593A JP2513124B2 (ja) | 1993-05-28 | 1993-05-28 | 薄膜磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14831593A JP2513124B2 (ja) | 1993-05-28 | 1993-05-28 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06338032A JPH06338032A (ja) | 1994-12-06 |
| JP2513124B2 true JP2513124B2 (ja) | 1996-07-03 |
Family
ID=15450047
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14831593A Expired - Fee Related JP2513124B2 (ja) | 1993-05-28 | 1993-05-28 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2513124B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7508628B2 (en) * | 2004-10-29 | 2009-03-24 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Winged pole and shield structure for reducing stray field in a perpendicular write head |
-
1993
- 1993-05-28 JP JP14831593A patent/JP2513124B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06338032A (ja) | 1994-12-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |