JPH0349130B2 - - Google Patents
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- JPH0349130B2 JPH0349130B2 JP60017623A JP1762385A JPH0349130B2 JP H0349130 B2 JPH0349130 B2 JP H0349130B2 JP 60017623 A JP60017623 A JP 60017623A JP 1762385 A JP1762385 A JP 1762385A JP H0349130 B2 JPH0349130 B2 JP H0349130B2
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- coated
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
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- H01F41/32—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying conductive, insulating or magnetic material on a magnetic film, specially adapted for a thin magnetic film
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
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- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
＜技術分野＞
本発明は高密度記録に優れた薄膜磁気ヘツドの
製造方法に関し、特に導電体コイル形成後に現わ
れる導電体コイル段差の平坦化方法に関するもの
である。
製造方法に関し、特に導電体コイル形成後に現わ
れる導電体コイル段差の平坦化方法に関するもの
である。
＜従来技術＞
第２図は従来法で製造された巻線型薄膜磁気ヘ
ツドの１例を示す側断面概略図である。同図をも
とに、巻線型薄膜磁気ヘツドの加工工程および構
造について説明する。耐磨耗性に優れたアルミ
ナ，フエライト又はガラス等から成る基板１の上
に、Ni−Fe，Fe−Al−Si又はCo系アモルフアス
等の軟磁性薄膜をスパツタ法又は電子ビーム蒸着
法等により積層し、湿式エツチング法，又はイオ
ン・ビーム・エツチング法等により所定形状に加
工形成することにより下部磁気コア２が形成され
る。次にプラズマーCVD法，スパツタ法又は電
子ビーム蒸着法により積層されたSiO2，Si3N4又
はAl2O3等の絶縁層３をはさんで、Cu又はAl等
の導電体層が、電子ビーム蒸着法，スパツタ法等
により積層され、湿式エツチング法，イオン・ビ
ーム・エツチング法により所定形状に加工形成さ
れた導電体コイル４が形成される。次にプラズマ
ーCVD法，スパツタ法，電子ビーム蒸着法等に
よりSiO2，Si3N4等の絶縁層３が積層され、フロ
ント磁気ギヤツプ部およびバツク・コア接続部の
絶縁層３が湿式エツチング法・プラズマ・エツチ
ング法等により所定形状にエツチングされる。続
いて、磁気ギヤツプ層となるSiO2，Al2O3等が電
子ビーム蒸着法，スパツタ法又はプラズマー
CVD法等により積層され、バツク・コア部の
SiO2，Al2O3等が湿式エツチング法，プラズマ
ー・エツチング法等によりエツチングされる。最
後にNi−Fe，Fe−Al−Si又はCo系アモルフアス
等の軟磁性薄膜がスパツタ法、電子ビーム蒸着法
等により積層されてイオン・ビーム・エツチング
法，湿式エツチング法等により所定形状にエツチ
ングされ、上部磁気コア５が形成される。上述の
ように製造された従来の薄膜磁気ヘツドは、導電
体コイルの段差が充分に平坦化されておらず、上
部磁気コアにまでその段差形状を反映され凸凹状
の面を呈している。
ツドの１例を示す側断面概略図である。同図をも
とに、巻線型薄膜磁気ヘツドの加工工程および構
造について説明する。耐磨耗性に優れたアルミ
ナ，フエライト又はガラス等から成る基板１の上
に、Ni−Fe，Fe−Al−Si又はCo系アモルフアス
等の軟磁性薄膜をスパツタ法又は電子ビーム蒸着
法等により積層し、湿式エツチング法，又はイオ
ン・ビーム・エツチング法等により所定形状に加
工形成することにより下部磁気コア２が形成され
る。次にプラズマーCVD法，スパツタ法又は電
子ビーム蒸着法により積層されたSiO2，Si3N4又
はAl2O3等の絶縁層３をはさんで、Cu又はAl等
の導電体層が、電子ビーム蒸着法，スパツタ法等
により積層され、湿式エツチング法，イオン・ビ
ーム・エツチング法により所定形状に加工形成さ
れた導電体コイル４が形成される。次にプラズマ
ーCVD法，スパツタ法，電子ビーム蒸着法等に
よりSiO2，Si3N4等の絶縁層３が積層され、フロ
ント磁気ギヤツプ部およびバツク・コア接続部の
絶縁層３が湿式エツチング法・プラズマ・エツチ
ング法等により所定形状にエツチングされる。続
いて、磁気ギヤツプ層となるSiO2，Al2O3等が電
子ビーム蒸着法，スパツタ法又はプラズマー
CVD法等により積層され、バツク・コア部の
SiO2，Al2O3等が湿式エツチング法，プラズマ
ー・エツチング法等によりエツチングされる。最
後にNi−Fe，Fe−Al−Si又はCo系アモルフアス
等の軟磁性薄膜がスパツタ法、電子ビーム蒸着法
等により積層されてイオン・ビーム・エツチング
法，湿式エツチング法等により所定形状にエツチ
ングされ、上部磁気コア５が形成される。上述の
ように製造された従来の薄膜磁気ヘツドは、導電
体コイルの段差が充分に平坦化されておらず、上
部磁気コアにまでその段差形状を反映され凸凹状
の面を呈している。
しかしながら、近年薄膜磁気ヘツドにおいて、
高密度記録を達成するために、増々狭トラツク化
と狭ギヤツプ化が行なわれてきているが、この狭
トラツク化の要求は薄膜磁気ヘツドの製造方法に
より高精度な微細加工技術を求めるものである。
現在のドライ・プロセス技術を用いれば、かなり
の微細加工も可能であるが、この場合、下地とな
る下層パターンの段差が充分に平坦化されていな
ければ上層の充分な微細加工はできない。薄膜磁
気ヘツド特に多トラツク磁気ヘツドの場合、磁気
ヘツド特性上必要なコイル巻線数を確保するため
には、導電体コイルが多層構造とならざるを得ず
従つて導電体コイル段差の平坦化が充分に行なわ
れていなければ、その後の積層パターン加工が非
常に困難なものとなり、微細加工ができなくな
る。
高密度記録を達成するために、増々狭トラツク化
と狭ギヤツプ化が行なわれてきているが、この狭
トラツク化の要求は薄膜磁気ヘツドの製造方法に
より高精度な微細加工技術を求めるものである。
現在のドライ・プロセス技術を用いれば、かなり
の微細加工も可能であるが、この場合、下地とな
る下層パターンの段差が充分に平坦化されていな
ければ上層の充分な微細加工はできない。薄膜磁
気ヘツド特に多トラツク磁気ヘツドの場合、磁気
ヘツド特性上必要なコイル巻線数を確保するため
には、導電体コイルが多層構造とならざるを得ず
従つて導電体コイル段差の平坦化が充分に行なわ
れていなければ、その後の積層パターン加工が非
常に困難なものとなり、微細加工ができなくな
る。
また、導電体コイル段差の影響はその後の加工
技術のみならず上部磁気コアにも影響を及ぼす。
即ち、導電体コイル段差の凸凹形状が上部磁気コ
アとなる軟磁性薄膜に反映され、そのために軟磁
性薄膜の磁気特性の劣化を招き、透磁率の低下等
を起す等の蔽害をもたらすため特に高周波数領域
において問題が顕著になる。
技術のみならず上部磁気コアにも影響を及ぼす。
即ち、導電体コイル段差の凸凹形状が上部磁気コ
アとなる軟磁性薄膜に反映され、そのために軟磁
性薄膜の磁気特性の劣化を招き、透磁率の低下等
を起す等の蔽害をもたらすため特に高周波数領域
において問題が顕著になる。
このように導電体コイル段差の平坦化は加工技
術および磁気ヘツド特性の両面から要求される重
要な改善課題である。このような平坦化の要求に
対して、従来リフト・オフ法やポリイミド・レジ
スト等の有機性絶縁材を塗布し平坦化する方法が
提案されている。リフト・オフ法は導電体コイル
形成後、導電体コイル形状に加工する時にマスク
材として用いたフオト・レジストをそのまま残し
てSiO2等の絶縁層を積層する方法であるが、こ
の場合絶縁層を積層する際の基板温度を充分に上
げることができず、密着性等に問題が残る。ま
た、ポリイミド等の有機性絶縁材はその耐熱性，
経時変化等の安定性に問題が残つている。一方、
本出願人が以前に提案し出願し塗布型SiO2を塗
布し平坦化を行うという手法は手軽でありかつ、
若干の有機性を含んでいる本質的には無機質であ
るため安定性があり、プラズマ・エツチング等の
ドライ・プロセスを利用することができるという
利点があり大変有用である。しかし、同手法にお
いて塗布回数が１回であれば、導電体コイルが多
層構造の薄膜磁気ヘツドまたは上部磁気コアの磁
気特性に対する要求が厳しいものに対してはその
平坦化度は充分と言い難い面がある。また二回乃
至それ以上の多数回塗布により平坦化度を充分な
ものとすることはできるが濡れ性の低下、クラツ
クの発生等他の問題が新たに生じるようになり最
適な手法とは言えない面がある。
術および磁気ヘツド特性の両面から要求される重
要な改善課題である。このような平坦化の要求に
対して、従来リフト・オフ法やポリイミド・レジ
スト等の有機性絶縁材を塗布し平坦化する方法が
提案されている。リフト・オフ法は導電体コイル
形成後、導電体コイル形状に加工する時にマスク
材として用いたフオト・レジストをそのまま残し
てSiO2等の絶縁層を積層する方法であるが、こ
の場合絶縁層を積層する際の基板温度を充分に上
げることができず、密着性等に問題が残る。ま
た、ポリイミド等の有機性絶縁材はその耐熱性，
経時変化等の安定性に問題が残つている。一方、
本出願人が以前に提案し出願し塗布型SiO2を塗
布し平坦化を行うという手法は手軽でありかつ、
若干の有機性を含んでいる本質的には無機質であ
るため安定性があり、プラズマ・エツチング等の
ドライ・プロセスを利用することができるという
利点があり大変有用である。しかし、同手法にお
いて塗布回数が１回であれば、導電体コイルが多
層構造の薄膜磁気ヘツドまたは上部磁気コアの磁
気特性に対する要求が厳しいものに対してはその
平坦化度は充分と言い難い面がある。また二回乃
至それ以上の多数回塗布により平坦化度を充分な
ものとすることはできるが濡れ性の低下、クラツ
クの発生等他の問題が新たに生じるようになり最
適な手法とは言えない面がある。
＜目的＞
本発明は上述した従来の問題点に鑑みなされた
もので、導電体コイル上の絶縁層の上面を平坦化
するための新規な手法を具備する薄膜磁気ヘツド
の製造方法を提供することを目的とするものであ
る。
もので、導電体コイル上の絶縁層の上面を平坦化
するための新規な手法を具備する薄膜磁気ヘツド
の製造方法を提供することを目的とするものであ
る。
＜実施例＞
以下、本発明に係る薄膜磁気ヘツドの製造方法
について図面を用いて詳細に説明する。
について図面を用いて詳細に説明する。
第１図Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄは導電体コイル形成か
ら、絶縁層の積層続いて塗布型SiO2の塗布，焼
成の平坦化工程を示す説明図である。同図Ａはガ
ラス基板１にSiO2等の絶縁層３１を１〜2μmプ
ラズマーCVD法，スパツタ法又は電子ビーム蒸
着法等で積層し、Cu等の導電体層を電子ビーム
蒸着法又はスパツタ法等で積層し、フオト・レジ
スト，Ti，Cr等の金属薄膜をマスク材としてイ
オン・ビーム・エツチング法又はスパツタ・エツ
チング法等で所定形状にエツチングして導電体コ
イル４が形成された状態を示している。導電体コ
イル４の厚みとして１〜5μmの厚みが考えられる
が、今仮にこれを2μmとする。従つて、同図の段
差H0は2μmである。同図ＢはプラズマーCVD法，
スパツタ法又は電子ビーム蒸着法でSiO2層３２
を積層したところである。この時の導電体コイル
線間の段差H1はプラズマーCVD法で2μmのSiO2
を積層した時に約2.7μmとなる。初期の段差H0
（2μm）より大きくなつているが、これは段差部
での付き回りが悪いためである。同図Ｃはその
後、塗布型SiO2７をスピン・コートで塗布し、
所定温度で焼成して平坦化を行なつたところであ
る。この時、例えばチツソ(株)製のシリカ−グラ
ス，PMHシリーズの塗布型SiO2で平坦化を行な
えば、その段差H2は約0.5μmと大きく改善され
る。導電体コイル４上に形成するパターンが大き
いときまたは１層導電体コイル構造のきであれ
ば、この程度で充分な平坦度と考えられるが、多
層導電体コイル構造のように微細加工が要求され
る場合や上部磁気コアの軟磁性特性が要求される
場合にはさらに平坦化を進める必要がある。第１
図Ｃに引き続き、塗布型SiO2を更にもう１回塗
布すれば平坦化はもつと進み段差H2は0.1〜
0.2μmとなり充分な平坦度と考えられる塗布型
SiO2７の厚みが厚くなり過ぎてクラツクが発生
し易くなる。また、濡れ性も悪く用いる塗布型
SiO2７の種類によつてはまつたく塗れなくなる。
その他に塗布型SiO2７間の膜の付着強度は、塗
布型SiO2７とプラズマーCVD法で作製したSiO2
との付着強度に比べ若干落ちるという欠点があ
る。
ら、絶縁層の積層続いて塗布型SiO2の塗布，焼
成の平坦化工程を示す説明図である。同図Ａはガ
ラス基板１にSiO2等の絶縁層３１を１〜2μmプ
ラズマーCVD法，スパツタ法又は電子ビーム蒸
着法等で積層し、Cu等の導電体層を電子ビーム
蒸着法又はスパツタ法等で積層し、フオト・レジ
スト，Ti，Cr等の金属薄膜をマスク材としてイ
オン・ビーム・エツチング法又はスパツタ・エツ
チング法等で所定形状にエツチングして導電体コ
イル４が形成された状態を示している。導電体コ
イル４の厚みとして１〜5μmの厚みが考えられる
が、今仮にこれを2μmとする。従つて、同図の段
差H0は2μmである。同図ＢはプラズマーCVD法，
スパツタ法又は電子ビーム蒸着法でSiO2層３２
を積層したところである。この時の導電体コイル
線間の段差H1はプラズマーCVD法で2μmのSiO2
を積層した時に約2.7μmとなる。初期の段差H0
（2μm）より大きくなつているが、これは段差部
での付き回りが悪いためである。同図Ｃはその
後、塗布型SiO2７をスピン・コートで塗布し、
所定温度で焼成して平坦化を行なつたところであ
る。この時、例えばチツソ(株)製のシリカ−グラ
ス，PMHシリーズの塗布型SiO2で平坦化を行な
えば、その段差H2は約0.5μmと大きく改善され
る。導電体コイル４上に形成するパターンが大き
いときまたは１層導電体コイル構造のきであれ
ば、この程度で充分な平坦度と考えられるが、多
層導電体コイル構造のように微細加工が要求され
る場合や上部磁気コアの軟磁性特性が要求される
場合にはさらに平坦化を進める必要がある。第１
図Ｃに引き続き、塗布型SiO2を更にもう１回塗
布すれば平坦化はもつと進み段差H2は0.1〜
0.2μmとなり充分な平坦度と考えられる塗布型
SiO2７の厚みが厚くなり過ぎてクラツクが発生
し易くなる。また、濡れ性も悪く用いる塗布型
SiO2７の種類によつてはまつたく塗れなくなる。
その他に塗布型SiO2７間の膜の付着強度は、塗
布型SiO2７とプラズマーCVD法で作製したSiO2
との付着強度に比べ若干落ちるという欠点があ
る。
そこで我々は、塗布型SiO2７と通常のスパツ
タ法，プラズマーCVD法又は電子ビーム蒸着法
等で作製したSiO2層３２のドライ・エツチン
グ・レートの差に着目し、このエツチング・レー
ト差を積極的に利用する平坦化方法を開発した。
すなわち本願第１の発明は、コイル上に第１の
SiO2層をスパツタ法，プラズマーCVD法または
電子ビーム蒸着法により形成し、該第１のSiO2
層上に塗布型SiO2層を塗布後加熱焼成して形成
する工程と、フレオン系のガスを用いて上記２種
類のSiO2層を同時にドライエツチングする工程
とを備えたことを特徴とする方法である。以下こ
れについて詳説する。
タ法，プラズマーCVD法又は電子ビーム蒸着法
等で作製したSiO2層３２のドライ・エツチン
グ・レートの差に着目し、このエツチング・レー
ト差を積極的に利用する平坦化方法を開発した。
すなわち本願第１の発明は、コイル上に第１の
SiO2層をスパツタ法，プラズマーCVD法または
電子ビーム蒸着法により形成し、該第１のSiO2
層上に塗布型SiO2層を塗布後加熱焼成して形成
する工程と、フレオン系のガスを用いて上記２種
類のSiO2層を同時にドライエツチングする工程
とを備えたことを特徴とする方法である。以下こ
れについて詳説する。
第１図Ｄは第１図Ｃの塗布型SiO2層７を強調
して描いたものである。同図において、前述の
PMHシリーズの塗布型SiO2７を用いた時の導電
体コイル４上の塗布型SiO2７の厚みｈは約0.1μm
である。ウエハー全面で塗布型SiO2７を約0.1μm
エツチングしてやれば導電体コイル４上ではプラ
ズマーCVD法で作製したSiO2が表面に出てくる
が、導電体コイル線間では依然として塗布型
SiO2である。プラズマーCVD法で作製したSiO2
膜の方が塗布型SiO2より速くエツチングされれ
ばそのエツチングレート差分だけ平坦化されてゆ
くことになる。例えば、CHF3ガスを用いて、平
行平板型ドライ・エツチング装置で反応性イオ
ン・エツチングを行なうと、ガス圧30mTorr，
パワー175Wとした時のエツチング・レートはプ
ラズマーCVD法で作製したSiO2膜が約500Å／
minであり、350℃で焼成した塗布型SiO2膜では
約250Å／minであるので１分間に250Åずつ上記
段差H2が解消されてゆく。そして、第１図Ｄに
示した破線ｌまでエツチングする。また、エツチ
ング・レートは各々独立に変えられる。すなわち
プラズマーCVD法によるSiO2は、その成膜条件
で可変である。また塗布型SiO2は焼成条件でも
ある程度可変であるが、特にその成分を変えるこ
とにより大幅に変えることが可能であり任意な値
を得ることができる。例えばチツソ(株)製PMシリ
ーズを用いれば上記エツチング条件で700〜800
Å／minという値が得られ、プラズマーCVD法
で作製した膜より相当に大きくすることも可能で
ある。また、使用する反応ガス，ガス圧等のエツ
チング条件により選択比が変えられることは明ら
かである。
して描いたものである。同図において、前述の
PMHシリーズの塗布型SiO2７を用いた時の導電
体コイル４上の塗布型SiO2７の厚みｈは約0.1μm
である。ウエハー全面で塗布型SiO2７を約0.1μm
エツチングしてやれば導電体コイル４上ではプラ
ズマーCVD法で作製したSiO2が表面に出てくる
が、導電体コイル線間では依然として塗布型
SiO2である。プラズマーCVD法で作製したSiO2
膜の方が塗布型SiO2より速くエツチングされれ
ばそのエツチングレート差分だけ平坦化されてゆ
くことになる。例えば、CHF3ガスを用いて、平
行平板型ドライ・エツチング装置で反応性イオ
ン・エツチングを行なうと、ガス圧30mTorr，
パワー175Wとした時のエツチング・レートはプ
ラズマーCVD法で作製したSiO2膜が約500Å／
minであり、350℃で焼成した塗布型SiO2膜では
約250Å／minであるので１分間に250Åずつ上記
段差H2が解消されてゆく。そして、第１図Ｄに
示した破線ｌまでエツチングする。また、エツチ
ング・レートは各々独立に変えられる。すなわち
プラズマーCVD法によるSiO2は、その成膜条件
で可変である。また塗布型SiO2は焼成条件でも
ある程度可変であるが、特にその成分を変えるこ
とにより大幅に変えることが可能であり任意な値
を得ることができる。例えばチツソ(株)製PMシリ
ーズを用いれば上記エツチング条件で700〜800
Å／minという値が得られ、プラズマーCVD法
で作製した膜より相当に大きくすることも可能で
ある。また、使用する反応ガス，ガス圧等のエツ
チング条件により選択比が変えられることは明ら
かである。
上述のプラズマーCVD法で作製したSiO2層と
塗布型SiO2膜のエツチング・レート差を利用し
て平坦化を行なうという手法は塗布型SiO2膜の
エツチング・レートがプラズマーCVD法等の通
常の方法で作製したSiO2膜より遅い場合にのみ
有効であるが、塗布型SiO2を焼成後エツチング
バツクを行なう工程を有する本願第２の発明に係
る実施例では、以下に述べるように塗布型SiO2
のエツチング・レートに依存せず、有用な平坦化
方法となり得るものである。即ち本願第２の発明
は、コイル上に第１のSiO2層をスパツタ法，プ
ラズマーCVD法または電子ビーム蒸着法により
形成し、該第１のSiO2層上に塗布型SiO2層を塗
布後加熱焼成して形成し、該塗布型SiO2層をド
ライエツチングし、ドライエツチングされた面上
に再度塗布型SiO2層を形成する事を特徴とする
方法であり、これにより前述した塗布型SiO2の
連続２回塗布という平坦化工程に於て生ずる問題
点具体的には、濡れ性，付着力の低下およびクラ
ツクの発生を解消し得る。これは以下の理由によ
る。濡れ性，付着力の低下はウエハー内全面に塗
布型SiO2が積層されているためであり、クラツ
ク発生については、塗布型SiO2の厚みが厚くな
り過ぎるために生ずるものであるのでエツチバツ
クにより導電体コイル線間等の平坦化を必要とす
る所以外の余分な塗布型SiO2を除去してやれば
良いのである。又、この時、導電体コイル線間等
平坦化を必要とするパターンには、塗布型SiO2
は厚くたまつているため、全面のエツチ・バツク
を行なつても極端なオーバ・エツチングを行なわ
ない限り、一回塗布で行なわれた平坦化度を大き
く損うことはない。そしてその後にもう一回塗布
型SiO2により平坦化を行なえば、連続二回塗布
時の平坦化度と同等の0.1〜0.2μmの段差にするこ
とができる。
塗布型SiO2膜のエツチング・レート差を利用し
て平坦化を行なうという手法は塗布型SiO2膜の
エツチング・レートがプラズマーCVD法等の通
常の方法で作製したSiO2膜より遅い場合にのみ
有効であるが、塗布型SiO2を焼成後エツチング
バツクを行なう工程を有する本願第２の発明に係
る実施例では、以下に述べるように塗布型SiO2
のエツチング・レートに依存せず、有用な平坦化
方法となり得るものである。即ち本願第２の発明
は、コイル上に第１のSiO2層をスパツタ法，プ
ラズマーCVD法または電子ビーム蒸着法により
形成し、該第１のSiO2層上に塗布型SiO2層を塗
布後加熱焼成して形成し、該塗布型SiO2層をド
ライエツチングし、ドライエツチングされた面上
に再度塗布型SiO2層を形成する事を特徴とする
方法であり、これにより前述した塗布型SiO2の
連続２回塗布という平坦化工程に於て生ずる問題
点具体的には、濡れ性，付着力の低下およびクラ
ツクの発生を解消し得る。これは以下の理由によ
る。濡れ性，付着力の低下はウエハー内全面に塗
布型SiO2が積層されているためであり、クラツ
ク発生については、塗布型SiO2の厚みが厚くな
り過ぎるために生ずるものであるのでエツチバツ
クにより導電体コイル線間等の平坦化を必要とす
る所以外の余分な塗布型SiO2を除去してやれば
良いのである。又、この時、導電体コイル線間等
平坦化を必要とするパターンには、塗布型SiO2
は厚くたまつているため、全面のエツチ・バツク
を行なつても極端なオーバ・エツチングを行なわ
ない限り、一回塗布で行なわれた平坦化度を大き
く損うことはない。そしてその後にもう一回塗布
型SiO2により平坦化を行なえば、連続二回塗布
時の平坦化度と同等の0.1〜0.2μmの段差にするこ
とができる。
またエツチ・バツク工程の後に塗布型SiO2を
塗布・焼成するという工程を備えることは、前述
のエツチング・レートの遅い種類の塗布型SiO2
を用いる場合にも有用である。つまりエツチ・バ
ツクにより平坦化を進めても、微小な段差は残つ
ているわけであり、再度、塗布型SiO2を塗布，
焼成する工程により、より滑らかな平坦な面が得
られるのである。
塗布・焼成するという工程を備えることは、前述
のエツチング・レートの遅い種類の塗布型SiO2
を用いる場合にも有用である。つまりエツチ・バ
ツクにより平坦化を進めても、微小な段差は残つ
ているわけであり、再度、塗布型SiO2を塗布，
焼成する工程により、より滑らかな平坦な面が得
られるのである。
第３図にエツチ・バツク工程の後に再度塗布型
SiO2により平坦化を行つた導体コイルが二槽構
造の薄膜磁気ヘツドの側断面図を示す。図中の符
号は第２図に対応している。同図において二槽目
の導電体コイル段差平坦化も同様にエツチ・バツ
ク工程の後塗布型SiO2で平坦化を行なつている。
これは前述したように上部磁気コアの磁気特性の
ためである。
SiO2により平坦化を行つた導体コイルが二槽構
造の薄膜磁気ヘツドの側断面図を示す。図中の符
号は第２図に対応している。同図において二槽目
の導電体コイル段差平坦化も同様にエツチ・バツ
ク工程の後塗布型SiO2で平坦化を行なつている。
これは前述したように上部磁気コアの磁気特性の
ためである。
＜効果＞
本発明によれば、導電体コイル上で充分な平坦
化ができようになり、それにより微細加工も容易
に行なえるようになり、かつ、上部磁気コアに与
える悪影響も大幅に改善され、記録効率の良好な
構造安定な薄膜磁気ヘツドを得ることができる。
化ができようになり、それにより微細加工も容易
に行なえるようになり、かつ、上部磁気コアに与
える悪影響も大幅に改善され、記録効率の良好な
構造安定な薄膜磁気ヘツドを得ることができる。
第１図は本発明の１実施例の説明に供する薄膜
磁気ヘツドの製造工程図である。第２図は、従来
の充分な平坦化がなされていない。薄膜磁気ヘツ
ドの側断面概略図である。第３図は本発明によつ
て得られた薄膜磁気ヘツドの１例を示す側断面概
略図である。 １：下部基板、２：下部磁気コア、３，３１，
３２…絶縁層、４：導電体コイル、５：上部磁気
コア、６：薄膜ギヤツプ、７：塗布型SiO2。
磁気ヘツドの製造工程図である。第２図は、従来
の充分な平坦化がなされていない。薄膜磁気ヘツ
ドの側断面概略図である。第３図は本発明によつ
て得られた薄膜磁気ヘツドの１例を示す側断面概
略図である。 １：下部基板、２：下部磁気コア、３，３１，
３２…絶縁層、４：導電体コイル、５：上部磁気
コア、６：薄膜ギヤツプ、７：塗布型SiO2。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 軟磁性薄膜よりなる上部磁気コアおよび下部
磁気コアの間に導電体材料よりなるコイルを挟設
してなる巻線型薄膜磁気ヘツドの製造方法におい
て、 前記コイル上に第１のSiO2層をスパツタ法、
プラズマーCVC法または電子ビーム蒸着法によ
り形成し、該第１のSiO2層上に塗布型SiO2層を
塗布後加熱焼成して形成する工程と、 フレオン系のガスを用いて上記２種類のSiO2
層を同時にドライエツチングする工程と を備えたことを特徴とする薄膜磁気ヘツドの製造
方法。 ２ 軟磁性薄膜よりなる上部磁気コアおよび下部
磁気コアの間に導電体材料よりなるコイルを挟設
してなる巻線型薄膜磁気ヘツドの製造方法におい
て、 前記コイル上に第１のSiO2層をスパツタ法、
プラズマーCVD法または電子ビーム蒸着法によ
り形成し、該第１のSiO2層上に塗布型SiO2層を
塗布後加熱焼成して形成し、該塗布型SiO2層を
ドライエツチングし、ドライエツチングされた面
上に再度塗布型SiO2層を形成する事を特徴とす
る薄膜磁気ヘツドの製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60017623A JPS61175919A (ja) | 1985-01-29 | 1985-01-29 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| GB8602002A GB2186110B (en) | 1985-01-29 | 1986-01-28 | Production of thin film magnetic head |
| US06/823,941 US4677036A (en) | 1985-01-29 | 1986-01-29 | Method of production of thin film magnetic head and magnetic head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60017623A JPS61175919A (ja) | 1985-01-29 | 1985-01-29 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61175919A JPS61175919A (ja) | 1986-08-07 |
| JPH0349130B2 true JPH0349130B2 (ja) | 1991-07-26 |
Family
ID=11948992
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60017623A Granted JPS61175919A (ja) | 1985-01-29 | 1985-01-29 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4677036A (ja) |
| JP (1) | JPS61175919A (ja) |
| GB (1) | GB2186110B (ja) |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62219217A (ja) * | 1986-03-19 | 1987-09-26 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気ヘツド |
| JP2533860B2 (ja) * | 1986-09-24 | 1996-09-11 | 株式会社日立製作所 | 磁性超格子膜およびそれを用いた磁気ヘツド |
| JPH07113774B2 (ja) * | 1987-05-29 | 1995-12-06 | 株式会社日立製作所 | パタ−ンの形成方法 |
| US5108837A (en) * | 1987-12-04 | 1992-04-28 | Digital Equipment Corporation | Laminated poles for recording heads |
| JPH025217A (ja) * | 1988-06-23 | 1990-01-10 | Sharp Corp | 薄膜磁気ヘッドチップ |
| JP2597396B2 (ja) * | 1988-12-21 | 1997-04-02 | ローム株式会社 | シリコーンゴム膜のパターン形成方法 |
| US5236735A (en) * | 1989-05-27 | 1993-08-17 | Tdk Corporation | Method of producing a thin film magnetic head |
| US5016342A (en) * | 1989-06-30 | 1991-05-21 | Ampex Corporation | Method of manufacturing ultra small track width thin film transducers |
| US5729887A (en) * | 1994-05-09 | 1998-03-24 | Daidotokushuko Kabushikikaisha | Method of manufacturing a thin-film coil |
| US6204999B1 (en) * | 1998-12-23 | 2001-03-20 | Read-Rite Corporation | Method and system for providing a write head having a conforming pole structure |
| US6178070B1 (en) | 1999-02-11 | 2001-01-23 | Read-Rite Corporation | Magnetic write head and method for making same |
| US6417998B1 (en) | 1999-03-23 | 2002-07-09 | Read-Rite Corporation | Ultra small advanced write transducer and method for making same |
| JP2001229512A (ja) * | 2000-02-10 | 2001-08-24 | Tdk Corp | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
| US6689234B2 (en) * | 2000-11-09 | 2004-02-10 | Bechtel Bwxt Idaho, Llc | Method of producing metallic materials |
| US7025659B2 (en) * | 2002-01-14 | 2006-04-11 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Simultaneous planarization of pole piece and coil materials for write head applications |
| US7341765B2 (en) * | 2004-01-27 | 2008-03-11 | Battelle Energy Alliance, Llc | Metallic coatings on silicon substrates, and methods of forming metallic coatings on silicon substrates |
| US10097054B2 (en) | 2015-01-30 | 2018-10-09 | Honeywell International Inc. | Methods for manufacturing high temperature laminated stator cores |
| US11437188B2 (en) | 2018-09-25 | 2022-09-06 | Honeywell International Inc. | Low porosity glass coatings formed on coiled wires, high temperature devices containing the same, and methods for the fabrication thereof |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5828838A (ja) * | 1981-08-14 | 1983-02-19 | Comput Basic Mach Technol Res Assoc | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| JPS5877016A (ja) * | 1981-10-28 | 1983-05-10 | Sharp Corp | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
| JPS5998316A (ja) * | 1982-11-26 | 1984-06-06 | Sharp Corp | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
-
1985
- 1985-01-29 JP JP60017623A patent/JPS61175919A/ja active Granted
-
1986
- 1986-01-28 GB GB8602002A patent/GB2186110B/en not_active Expired
- 1986-01-29 US US06/823,941 patent/US4677036A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2186110B (en) | 1988-09-07 |
| GB8602002D0 (en) | 1986-03-05 |
| US4677036A (en) | 1987-06-30 |
| JPS61175919A (ja) | 1986-08-07 |
| GB2186110A (en) | 1987-08-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |