JP3083008B2 - 被膜形成装置および被膜形成方法 - Google Patents
被膜形成装置および被膜形成方法Info
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Description
【０００１】
【発明の利用分野】本発明は基板上に被膜を高速かつ均
一に成膜する被膜形成装置に関するものである。
一に成膜する被膜形成装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般的に良く知られた被膜形成装置とし
ては、１３．５６ＭＨz の高周波を用いた平行平板型の
プラズマ気相反応装置がある。この装置は気体を排気す
る系、気体を供給する系（原料ガス）、圧力を測定する
系、圧力を所望の値に制御する系、基板を加熱する系を
もつ減圧状態に保持可能な反応容器に付随して、高周波
発生電源（１３．５６ＭＨz ）系が整合器を介して接続
された平板状の給電電極（カソード電極）と上記電極と
平行に配置され、接地電位に接続された平板状の対向電
極（アノード電極）とを有するものである。
ては、１３．５６ＭＨz の高周波を用いた平行平板型の
プラズマ気相反応装置がある。この装置は気体を排気す
る系、気体を供給する系（原料ガス）、圧力を測定する
系、圧力を所望の値に制御する系、基板を加熱する系を
もつ減圧状態に保持可能な反応容器に付随して、高周波
発生電源（１３．５６ＭＨz ）系が整合器を介して接続
された平板状の給電電極（カソード電極）と上記電極と
平行に配置され、接地電位に接続された平板状の対向電
極（アノード電極）とを有するものである。
【０００３】このような装置を利用して、被膜を形成す
る場合通常堆積時は接地電極側に基板を置き、プラズマ
気相反応を起こして所望の被膜を堆積するものである。
また、特定の種類の被膜あるいは特定の性能を持つ被膜
を成膜する場合、例えば、硬質の炭素系被膜を形成する
場合、高周波給電電極側に基板を設置することがある。
る場合通常堆積時は接地電極側に基板を置き、プラズマ
気相反応を起こして所望の被膜を堆積するものである。
また、特定の種類の被膜あるいは特定の性能を持つ被膜
を成膜する場合、例えば、硬質の炭素系被膜を形成する
場合、高周波給電電極側に基板を設置することがある。
【０００４】被膜形成面上にダイヤモンド類似の硬さを
有する炭素系被膜を形成する場合、被形成面を有する基
板を設けた高周波給電電極の近傍において、プラズマ中
の分子、原子、正負イオン、電子、ラジカル等の内、移
動度，質量等の差から電子が高周波給電電極に蓄積され
ることによって生じる自己バイアスとプラズマ電位（プ
ラズマポテンシャル）との間に生成する電界により、加
速された正イオンを形成中の炭素系被膜に衝突させるこ
とができ、Ｃ＝Ｃのような二重結合を有する炭素の割合
を減らして、Ｃ−Ｃ結合を有する炭素の割合を増やすこ
とで形成する。
有する炭素系被膜を形成する場合、被形成面を有する基
板を設けた高周波給電電極の近傍において、プラズマ中
の分子、原子、正負イオン、電子、ラジカル等の内、移
動度，質量等の差から電子が高周波給電電極に蓄積され
ることによって生じる自己バイアスとプラズマ電位（プ
ラズマポテンシャル）との間に生成する電界により、加
速された正イオンを形成中の炭素系被膜に衝突させるこ
とができ、Ｃ＝Ｃのような二重結合を有する炭素の割合
を減らして、Ｃ−Ｃ結合を有する炭素の割合を増やすこ
とで形成する。
【０００５】あるいは、炭素原子に結合している水素原
子を減らすことにより、ｓｐ2 混成軌道を持つ、いわゆ
る三方炭素やｓｐ混成軌道を持つ、いわゆる二方炭素を
極力無くし、ｓｐ3 混成軌道を持つ、いわゆる四方炭素
の割合が支配的なダイヤモンド類似の硬さを有する炭素
系被膜を形成するものである。
子を減らすことにより、ｓｐ2 混成軌道を持つ、いわゆ
る三方炭素やｓｐ混成軌道を持つ、いわゆる二方炭素を
極力無くし、ｓｐ3 混成軌道を持つ、いわゆる四方炭素
の割合が支配的なダイヤモンド類似の硬さを有する炭素
系被膜を形成するものである。
【０００６】従って、より硬度の高い炭素系被膜を得よ
うとするときは、上述の自己バイアスをいかにして増加
させるかが重要課題であり、その方法としては、反応圧
力を低圧領域にする、高周波給電電力を増大する等が簡
便な方法として広く一般的に行われている。然しなが
ら、これらの方法では本発明が解決しようとしている高
速堆積及び、成膜後の被膜における低残留内部応力化の
両方に対し、逆行する対処法である。
うとするときは、上述の自己バイアスをいかにして増加
させるかが重要課題であり、その方法としては、反応圧
力を低圧領域にする、高周波給電電力を増大する等が簡
便な方法として広く一般的に行われている。然しなが
ら、これらの方法では本発明が解決しようとしている高
速堆積及び、成膜後の被膜における低残留内部応力化の
両方に対し、逆行する対処法である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】プラズマ気相反応を利
用した炭素系被膜の形成においては、堆積速度が遅く、
さらに膜の残留内部応力が高いことが工業的に応用する
上で障害となっている。例えば、堆積速度については膜
質を無視すれば数μｍ／ｍｉｎ以上を得ることも可能で
あるが、プラズマプロセスパラメータを最適化し、膜質
を考慮した上で従来の装置では０．２〜０．３μｍ／ｍ
ｉｎ程度の成膜速度を実現することが装置上、ハードウ
ェアー上の限界である。さらに、使用する原料ガスを変
えたところで１．５倍程度の成膜速度の向上しか期待で
きない。
用した炭素系被膜の形成においては、堆積速度が遅く、
さらに膜の残留内部応力が高いことが工業的に応用する
上で障害となっている。例えば、堆積速度については膜
質を無視すれば数μｍ／ｍｉｎ以上を得ることも可能で
あるが、プラズマプロセスパラメータを最適化し、膜質
を考慮した上で従来の装置では０．２〜０．３μｍ／ｍ
ｉｎ程度の成膜速度を実現することが装置上、ハードウ
ェアー上の限界である。さらに、使用する原料ガスを変
えたところで１．５倍程度の成膜速度の向上しか期待で
きない。
【０００８】従来の装置の簡略な断面図を図１に示す。
図１に示すように従来の装置においては、対向する電極
の間隔９が２０〜５０ｍｍと広いことである。これは装
置の作製上の問題あるいは放電の安定性、被膜の有効処
理面積内での均一性等を考慮したことにより、この間隔
が採用されている。そのため、このような装置を使用し
た場合の堆積速度の向上は、高周波給電電力の増加、あ
るいは高い反応圧力範囲での気相反応による膜形成等が
行われている。ただし、給電する高周波電力を増加させ
るためには、通常の配線経路，電極構造等では、電源か
らの出力を効率良く放電のための電力にすることができ
ず、電力損失が相当存在する。また、電力が多く供給さ
れても、特定の条件領域では膜形成作用よりエッチング
作用が支配的になり、逆に基板上での堆積速度が減少す
る現象が現れる。
図１に示すように従来の装置においては、対向する電極
の間隔９が２０〜５０ｍｍと広いことである。これは装
置の作製上の問題あるいは放電の安定性、被膜の有効処
理面積内での均一性等を考慮したことにより、この間隔
が採用されている。そのため、このような装置を使用し
た場合の堆積速度の向上は、高周波給電電力の増加、あ
るいは高い反応圧力範囲での気相反応による膜形成等が
行われている。ただし、給電する高周波電力を増加させ
るためには、通常の配線経路，電極構造等では、電源か
らの出力を効率良く放電のための電力にすることができ
ず、電力損失が相当存在する。また、電力が多く供給さ
れても、特定の条件領域では膜形成作用よりエッチング
作用が支配的になり、逆に基板上での堆積速度が減少す
る現象が現れる。
【０００９】また、膜の残留内部応力については、膜の
硬質化とはトレードオフの関係にある。すなわち、膜を
硬質化すると膜の残留応力が増加する。 工業的には硬
質膜の応用が期待されているため、膜の硬度を優先して
膜形成をおこなうと応用上薄い膜厚の被膜が適用できる
ものは支障はないが、膜厚が数μｍ必要なものについて
は厚膜化の過程で残留内部応力は大きな障害となり、膜
の剥がれ、ピーリングおよび長期間の密着性等が問題と
なり、低残留内部応力の被膜を形成する技術が望まれて
いた。
硬質化とはトレードオフの関係にある。すなわち、膜を
硬質化すると膜の残留応力が増加する。 工業的には硬
質膜の応用が期待されているため、膜の硬度を優先して
膜形成をおこなうと応用上薄い膜厚の被膜が適用できる
ものは支障はないが、膜厚が数μｍ必要なものについて
は厚膜化の過程で残留内部応力は大きな障害となり、膜
の剥がれ、ピーリングおよび長期間の密着性等が問題と
なり、低残留内部応力の被膜を形成する技術が望まれて
いた。
【００１０】これらのような問題を抱え、現状は、低圧
領域で高い高周波電力を投入することで、硬質化された
炭素系被膜を得ているが、堆積速度及び膜の残留内部応
力の点で低速，高残留内部応力等の問題が生じている。
領域で高い高周波電力を投入することで、硬質化された
炭素系被膜を得ているが、堆積速度及び膜の残留内部応
力の点で低速，高残留内部応力等の問題が生じている。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述の問題を
同時に解決すべく技術すなわち高速堆積，低残留内部応
力を達成し、さらに被膜の膜厚及び膜質の均一性を満足
することにある。本発明の技術のポイントとしては、高
い反応圧力領域で高い自己バイアス電圧を実現すること
である。
同時に解決すべく技術すなわち高速堆積，低残留内部応
力を達成し、さらに被膜の膜厚及び膜質の均一性を満足
することにある。本発明の技術のポイントとしては、高
い反応圧力領域で高い自己バイアス電圧を実現すること
である。
【００１２】〔第１の発明〕減圧状態に保持可能な反応
容器と、一対の相対する電極とを有する被膜形成装置で
あって、前記一対の電極間隔は１０ｍｍ以下の間隔を有
し、前記一対の電極のうちカソード側（電力供給側）の
電極に比べアノード側（接地側）の電極面積が大きいこ
とを特徴とする被膜形成装置。
容器と、一対の相対する電極とを有する被膜形成装置で
あって、前記一対の電極間隔は１０ｍｍ以下の間隔を有
し、前記一対の電極のうちカソード側（電力供給側）の
電極に比べアノード側（接地側）の電極面積が大きいこ
とを特徴とする被膜形成装置。
【００１３】〔第２の発明〕請求項１記載の被膜形成装
置であって、前記アノード側電極を中空構造とし、電極
面上に線状の細長い気体吹き出し口を設けたことを特徴
とする被膜形成装置
置であって、前記アノード側電極を中空構造とし、電極
面上に線状の細長い気体吹き出し口を設けたことを特徴
とする被膜形成装置
【００１４】〔第３の発明〕請求項１記載の被膜形成装
置であって、前記アノード側電極を中空構造とし、電極
面上に複数の気体吹き出し口を概略線状に設けたことを
特徴とする被膜形成装置。
置であって、前記アノード側電極を中空構造とし、電極
面上に複数の気体吹き出し口を概略線状に設けたことを
特徴とする被膜形成装置。
【００１５】〔第４の発明〕減圧状態に保持可能な反応
容器と、一対の相対する電極とを有する被膜形成装置で
あって、前記一対の電極間隔は１０ｍｍ以下の間隔を有
し、前記一対の電極によって生成された線状の局部高輝
度発光プラズマ放電領域と被処理基板が相対的に移動し
て被膜形成を行うことを特徴とする被膜形成装置。
容器と、一対の相対する電極とを有する被膜形成装置で
あって、前記一対の電極間隔は１０ｍｍ以下の間隔を有
し、前記一対の電極によって生成された線状の局部高輝
度発光プラズマ放電領域と被処理基板が相対的に移動し
て被膜形成を行うことを特徴とする被膜形成装置。
【００１６】
【作用】すなわち、前述のポイントを達成するには放電
電極の間隔を通常より狭くしてゆくことで、プラズマに
よる自己バイアス電界をより強く発生させる。電極間隔
が狭くなることで発生する被膜形成処理の不均一性を点
状あるいは線状の高密度高輝度プラズマ領域を発生さ
せ、被処理基板をそのプラズマ領域に対して、相対的に
移動させることにより、大面積に対するプラズマ処理を
均一化するものであります。これらの知見を得る為に、
本発明者らは以下のような実験を行い、本発明に到った
ものである。
電極の間隔を通常より狭くしてゆくことで、プラズマに
よる自己バイアス電界をより強く発生させる。電極間隔
が狭くなることで発生する被膜形成処理の不均一性を点
状あるいは線状の高密度高輝度プラズマ領域を発生さ
せ、被処理基板をそのプラズマ領域に対して、相対的に
移動させることにより、大面積に対するプラズマ処理を
均一化するものであります。これらの知見を得る為に、
本発明者らは以下のような実験を行い、本発明に到った
ものである。
【００１７】図２に示したような平行平板型のプラズマ
ＣＶＤ装置において、まず水素ガスを２００ＳＣＣＭの
量で導入し、高周波電力を２００Ｗ投入した。この時、
対向した一対の電極の間隔を５，１０，１５，２５ｍｍ
と変化させ、その時の反応圧力と対向する電極間の自己
バイアス電圧との関係をまとめた結果を図３に示す。
ＣＶＤ装置において、まず水素ガスを２００ＳＣＣＭの
量で導入し、高周波電力を２００Ｗ投入した。この時、
対向した一対の電極の間隔を５，１０，１５，２５ｍｍ
と変化させ、その時の反応圧力と対向する電極間の自己
バイアス電圧との関係をまとめた結果を図３に示す。
【００１８】図３より明らかなように、電極間隔９が狭
くなるほど、または反応圧力の低圧領域ほど、高い自己
バイアス電圧が得られることが判明した。また、電極間
隔９が５，１０ｍｍと狭く高い反応圧力領域において
は、接地電極（アノード電極）の原料ガス供給用の開口
部近傍に局部的に高輝度発光を有するプラズマ領域１０
が形成されることが判明した。
くなるほど、または反応圧力の低圧領域ほど、高い自己
バイアス電圧が得られることが判明した。また、電極間
隔９が５，１０ｍｍと狭く高い反応圧力領域において
は、接地電極（アノード電極）の原料ガス供給用の開口
部近傍に局部的に高輝度発光を有するプラズマ領域１０
が形成されることが判明した。
【００１９】そこでエチレンガスを２００ＳＣＣＭの流
量で導入し、炭素系被膜の堆積を試みたところ接地電極
８の反応性気体供給用開口部の形状によって被形成面に
堆積する被膜に大きな膜厚分布差が生じることが判明し
た。この原料供給部が穴の場合（この時は直径１ｍｍ
φ）は図４（ａ）のように斜線部の膜厚がそれ以外の領
域より、明らかに厚く堆積することが判明した。
量で導入し、炭素系被膜の堆積を試みたところ接地電極
８の反応性気体供給用開口部の形状によって被形成面に
堆積する被膜に大きな膜厚分布差が生じることが判明し
た。この原料供給部が穴の場合（この時は直径１ｍｍ
φ）は図４（ａ）のように斜線部の膜厚がそれ以外の領
域より、明らかに厚く堆積することが判明した。
【００２０】このような反応系に対し、高周波電力を５
００Ｗ投入し、１００Ｐａの反応圧力で被膜の堆積をし
たところ反応時間１分で図４における斜線部には２μｍ
厚さの被膜が形成できた。ちなみに斜線部以外の領域は
平均すると０．２〜０．４μｍの厚さであった。堆積条
件を変化させてローディング効果の存在を確認したとこ
ろ無視できる範囲内にあった。また、この形成された膜
のビッカース硬度を測定したところ３０００〜４０００
ｋｇ／ｍｍ2 が得られた。また形成された膜と基板との
密着性についても特に問題はなく、ピーリングや膜剥が
れのない内部応力の少ない膜を実現することができた。
００Ｗ投入し、１００Ｐａの反応圧力で被膜の堆積をし
たところ反応時間１分で図４における斜線部には２μｍ
厚さの被膜が形成できた。ちなみに斜線部以外の領域は
平均すると０．２〜０．４μｍの厚さであった。堆積条
件を変化させてローディング効果の存在を確認したとこ
ろ無視できる範囲内にあった。また、この形成された膜
のビッカース硬度を測定したところ３０００〜４０００
ｋｇ／ｍｍ2 が得られた。また形成された膜と基板との
密着性についても特に問題はなく、ピーリングや膜剥が
れのない内部応力の少ない膜を実現することができた。
【００２１】次に、接地側電極の原料供給部の形状を１
ｍｍ幅の長さ１５ｃｍのスリット（線状）にして堆積を
試みたところ、図４（ｂ）のようになり、やはり、斜線
部２０が他の領域より５〜１０倍厚く堆積することが確
認できた。
ｍｍ幅の長さ１５ｃｍのスリット（線状）にして堆積を
試みたところ、図４（ｂ）のようになり、やはり、斜線
部２０が他の領域より５〜１０倍厚く堆積することが確
認できた。
【００２２】この様な実験事実より、放電電極間隔が１
０ｍｍ以下のにすると、基板に対するバイアス電圧を高
くでき、特に好ましくは５ｍｍ以下としたときで、この
時は従来の間隔の場合に比べ２倍以上のバイアス電圧を
実現することができ、膜形成条件をより広く設定できる
ようになる。
０ｍｍ以下のにすると、基板に対するバイアス電圧を高
くでき、特に好ましくは５ｍｍ以下としたときで、この
時は従来の間隔の場合に比べ２倍以上のバイアス電圧を
実現することができ、膜形成条件をより広く設定できる
ようになる。
【００２３】また、この局部的な高輝度放電領域は対向
する電極間で電界集中が発生している部分にて引き起こ
されていることが予想される。この電界集中は前述のよ
うに穴が設けられた部分や、凸状に飛び出した部分等で
起こる。そのため、この気体供給部の形状を凸状、針
状、あるいは凹状とすることも可能である。
する電極間で電界集中が発生している部分にて引き起こ
されていることが予想される。この電界集中は前述のよ
うに穴が設けられた部分や、凸状に飛び出した部分等で
起こる。そのため、この気体供給部の形状を凸状、針
状、あるいは凹状とすることも可能である。
【００２４】そのため、アノード（接地側）の電極を棒
状の中空管とし、この中空管に設けられた穴より反応性
気体を供給し、局部高輝度プラズマを発生させることも
可能である。ただし、この場合には、プラズマ放電によ
るセルフバイアスを発生させなければならないので、接
地電極以外に反応容器自身をも接地電位とする必要があ
る。
状の中空管とし、この中空管に設けられた穴より反応性
気体を供給し、局部高輝度プラズマを発生させることも
可能である。ただし、この場合には、プラズマ放電によ
るセルフバイアスを発生させなければならないので、接
地電極以外に反応容器自身をも接地電位とする必要があ
る。
【００２５】また、この局部的な高輝度プラズマ領域は
特に一か所である必要はなく、複数箇所存在していても
よい。特に大面積基板上に被膜を形成する際には複数箇
所存在したほうが、有効であった。
特に一か所である必要はなく、複数箇所存在していても
よい。特に大面積基板上に被膜を形成する際には複数箇
所存在したほうが、有効であった。
【００２６】さらにまた、被膜形成速度を高めるために
は通常は反応圧力を高くすることが良く行われる。然し
ながら、従来の場合では図３より明らかなように、反応
時の圧力を高めると、プラズマ放電による自己バイアス
電圧の量が少なくなる傾向があり、これにより形成され
た被膜は緻密性がなく、硬度の低い膜となってしまう傾
向があるため行うことができなかった。しかしながら、
電極間隔を１０ｍｍ以下に設定した場合、従来よりはる
かに大きなバイアスを得ることができるため、反応圧力
を高めても、十分なバイアス電圧を得ることができる。
これによって、高速成膜を行うことが可能となった。
は通常は反応圧力を高くすることが良く行われる。然し
ながら、従来の場合では図３より明らかなように、反応
時の圧力を高めると、プラズマ放電による自己バイアス
電圧の量が少なくなる傾向があり、これにより形成され
た被膜は緻密性がなく、硬度の低い膜となってしまう傾
向があるため行うことができなかった。しかしながら、
電極間隔を１０ｍｍ以下に設定した場合、従来よりはる
かに大きなバイアスを得ることができるため、反応圧力
を高めても、十分なバイアス電圧を得ることができる。
これによって、高速成膜を行うことが可能となった。
【００２７】
『実施例１』前述の図２に関する実験事実より、図５に
示すような差動排気型のロールツーロール方式（デポジ
ションアップタイプ）の装置を試作した。差動排気シス
テム及びロールツーロールの搬送方式は公知の技術を用
いた。本発明ではロール状のフィルム基板２を毎分５０
ｍの速度で通過（送り）しながら、シート状のプラズマ
領域１０を３ヶ所設け、２００Åの厚さに被膜を基板上
に堆積した。
示すような差動排気型のロールツーロール方式（デポジ
ションアップタイプ）の装置を試作した。差動排気シス
テム及びロールツーロールの搬送方式は公知の技術を用
いた。本発明ではロール状のフィルム基板２を毎分５０
ｍの速度で通過（送り）しながら、シート状のプラズマ
領域１０を３ヶ所設け、２００Åの厚さに被膜を基板上
に堆積した。
【００２８】本実施例のメリットは、原料ガス供給部の
中空構造の接地電極８の内部を２重構造にして、中心付
近は気体供給系６により炭素系ソースガスを流し、周囲
には他の気体供給系１３により水素ガスが流れるように
工夫したことにより、仕込室１１から出発したフィルム
基板２は、まず放電電極の端部付近で水素プラズマが支
配的な環境にさらされる。その結果、基板の表面が水素
ラジカルあるいは水素イオンにより、適度にクリーニン
グされ清浄な表面が現れる。
中空構造の接地電極８の内部を２重構造にして、中心付
近は気体供給系６により炭素系ソースガスを流し、周囲
には他の気体供給系１３により水素ガスが流れるように
工夫したことにより、仕込室１１から出発したフィルム
基板２は、まず放電電極の端部付近で水素プラズマが支
配的な環境にさらされる。その結果、基板の表面が水素
ラジカルあるいは水素イオンにより、適度にクリーニン
グされ清浄な表面が現れる。
【００２９】次に堆積領域に導かれ所望の膜厚が堆積さ
れると、取出室１２に入る直前に堆積された膜が、再び
放電電極の端部付近で水素プラズマが支配的な環境にさ
らされる。今回は適度な水素イオンでボンバードメント
されることで膜はさらに緻密化（デンシファイ）され、
良質な被膜が形成されて取出室１２へ導かれるという特
徴がある。
れると、取出室１２に入る直前に堆積された膜が、再び
放電電極の端部付近で水素プラズマが支配的な環境にさ
らされる。今回は適度な水素イオンでボンバードメント
されることで膜はさらに緻密化（デンシファイ）され、
良質な被膜が形成されて取出室１２へ導かれるという特
徴がある。
【００３０】この水素処理の効果を確認するために確認
実験をして水素を導入しないで、同様の条件で被膜形成
したところ、被膜の密着性が水素処理を行ったものと比
較して悪いことが判明した。
実験をして水素を導入しないで、同様の条件で被膜形成
したところ、被膜の密着性が水素処理を行ったものと比
較して悪いことが判明した。
【００３１】また、本実施例においては、プラズマ放電
が局部的に集中している領域をロール状基板２の移動方
向とは垂直方向となるように、線状に基板の幅以上に渡
ってもうけている。このように基板をこのプラズマ領域
に対して相対的に移動することで、大面積の被膜作成を
行えることができ、かつこの線状方向のプラズマの均一
性を確保できれば、大面積においても均一な被膜作成を
実現することができる。
が局部的に集中している領域をロール状基板２の移動方
向とは垂直方向となるように、線状に基板の幅以上に渡
ってもうけている。このように基板をこのプラズマ領域
に対して相対的に移動することで、大面積の被膜作成を
行えることができ、かつこの線状方向のプラズマの均一
性を確保できれば、大面積においても均一な被膜作成を
実現することができる。
【００３２】当然ながら、基板を移動させる代わりに、
電極を移動させることも同様の効果を期待することがで
き、さらには局部放電の領域を電極面内で移動させるこ
とでも同様の効果を期待できる。
電極を移動させることも同様の効果を期待することがで
き、さらには局部放電の領域を電極面内で移動させるこ
とでも同様の効果を期待できる。
【００３３】『実施例２』図６は、公知の技術であるイ
ンライン型のプラズマＣＶＤ装置、あるいはスパッタリ
ング装置の一部を本発明による技術に置き換え改造付加
したものの概略図である。一般に公知のプラズマＣＶＤ
あるいはスパッタリング装置は、被膜形成基板が接地電
極側に配置される為、構成上簡単であるが、本発明によ
る炭素系被膜の堆積は高周波給電電極３側となる為、搬
送方法，高周波の給電方法等に特殊な工夫を施さなけれ
ばならなかった。
ンライン型のプラズマＣＶＤ装置、あるいはスパッタリ
ング装置の一部を本発明による技術に置き換え改造付加
したものの概略図である。一般に公知のプラズマＣＶＤ
あるいはスパッタリング装置は、被膜形成基板が接地電
極側に配置される為、構成上簡単であるが、本発明によ
る炭素系被膜の堆積は高周波給電電極３側となる為、搬
送方法，高周波の給電方法等に特殊な工夫を施さなけれ
ばならなかった。
【００３４】高周波給電電極３は基板ホルダーも兼ねて
おり、搬送系のレール，ラック，マント，ピニオン等は
全て絶縁性の材料が構成することによって直流的には絶
縁し、フローティング構造をとっており、高周波の給電
に関しては真空ギャップによる間接的なカップリング１
４を介して電源５より給電している。本実施例では、
３．５インチの磁気ディスクを片面に１２枚両面で２４
枚配置し、硬質の炭素系被膜を２００Åの厚さで堆積さ
せることを試み、大型化，大面積の処理化にも特に支障
がないことが裏づけられた。
おり、搬送系のレール，ラック，マント，ピニオン等は
全て絶縁性の材料が構成することによって直流的には絶
縁し、フローティング構造をとっており、高周波の給電
に関しては真空ギャップによる間接的なカップリング１
４を介して電源５より給電している。本実施例では、
３．５インチの磁気ディスクを片面に１２枚両面で２４
枚配置し、硬質の炭素系被膜を２００Åの厚さで堆積さ
せることを試み、大型化，大面積の処理化にも特に支障
がないことが裏づけられた。
【００３５】このように、電極間隔を狭くすることによ
って高い反応圧力領域においても、高い自己バイアスが
得られるため、形成された被膜は緻密であり、高い硬度
を持つ被膜を容易に作製することが出来た。さらに、電
極間隔が狭いため、プラズマ放電空間の容積を減らすこ
とができるために、真空容器自体も薄型化でき、低容積
にて、大面積の被膜形成面を処理できる。被膜形成領域
は従来の電極間全域に広がったプラズマ領域ではなく、
接地電極の原料ガス供給用の開口部近傍に生ずる局部的
に高輝度発光を有するプラズマ領域である。
って高い反応圧力領域においても、高い自己バイアスが
得られるため、形成された被膜は緻密であり、高い硬度
を持つ被膜を容易に作製することが出来た。さらに、電
極間隔が狭いため、プラズマ放電空間の容積を減らすこ
とができるために、真空容器自体も薄型化でき、低容積
にて、大面積の被膜形成面を処理できる。被膜形成領域
は従来の電極間全域に広がったプラズマ領域ではなく、
接地電極の原料ガス供給用の開口部近傍に生ずる局部的
に高輝度発光を有するプラズマ領域である。
【００３６】
【発明の効果】電極間隔を狭くすることによって、高い
反応圧力領域でも硬質な炭素系被膜を得るのに必要な自
己バイアスが容易に得られるようになった。さらに高い
反応圧力領域でかつ、局部的な高輝度発光プラズマ領域
を有効に被膜形成により利用ができるようになったこと
により、堆積速度が飛躍的に向上した。
反応圧力領域でも硬質な炭素系被膜を得るのに必要な自
己バイアスが容易に得られるようになった。さらに高い
反応圧力領域でかつ、局部的な高輝度発光プラズマ領域
を有効に被膜形成により利用ができるようになったこと
により、堆積速度が飛躍的に向上した。
【００３７】従来、膜質を犠牲にしない範囲では、０．
２〜０．３μｍ／ｍｉｎを得るのが限界であったが、本
発明によれば容易に１桁以上高い値が得られた。又、同
時に残留内部応力についても、約１桁低減できることが
判明した。以上の如く本発明の装置により被膜した炭素
系被膜は、磁気テープ、磁気ディスク、光ディスク等の
記録媒体の表面に保護すべく、優れた耐摩耗性、高平滑
性、高硬度性等の特性を有するものであった。
２〜０．３μｍ／ｍｉｎを得るのが限界であったが、本
発明によれば容易に１桁以上高い値が得られた。又、同
時に残留内部応力についても、約１桁低減できることが
判明した。以上の如く本発明の装置により被膜した炭素
系被膜は、磁気テープ、磁気ディスク、光ディスク等の
記録媒体の表面に保護すべく、優れた耐摩耗性、高平滑
性、高硬度性等の特性を有するものであった。
【図１】 従来型装置の部分概念図
【図２】 本発明による被膜形成装置の部分概略図
【図３】 上記装置において電極間隔を可変した時の圧
力と自己バイアスの関係を示したグラフ
力と自己バイアスの関係を示したグラフ
【図４】 上記装置においてＳｉウェハー基板に被膜を
形成したときの膜厚分布様子を示す。
形成したときの膜厚分布様子を示す。
【図５】 フィルム等の基板対応の差動排気型ロールツ
ーロール方式（デポジションアップ）の部分概念図
ーロール方式（デポジションアップ）の部分概念図
【図６】 インライン型サイドデポジション方式の部分
概念図
概念図
１・・・反応容器 ２・・・被処理基板 ３・・・給電電極（カソード） ５・・・電源 ６・・・反応気体供給系 ７・・・排気系 ８・・・接地側電極（アノード） ９・・・電極間隔 １０・・局部プラズマ領域 １１・・仕込み室 １２・・取り出し室 １３・・気体供給手段
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 16/00 - 16/56 C30B 29/04 H01L 21/205 H01L 21/3065 H05H 1/46
Claims (9)
- 【請求項１】 減圧状態に保持可能な反応容器と、一対
の電極と、前記一対の電極間に配置された基板ホルダー
を有する被膜形成装置であって、前記基板ホルダーは高
周波給電電極であり、前記基板ホルダーと前記一対の電
極により局部プラズマ放電領域が形成されることを特徴
とする被膜形成装置。 - 【請求項２】 減圧状態に保持可能な反応容器と、一対
の電極とを有する被膜形成装置であって、前記一対の電
極により形成された局部プラズマ放電領域に対して被処
理基板が相対的に移動して被膜を形成することを特徴と
する被膜形成装置。 - 【請求項３】 請求項２において、前記一対の電極のう
ちのアノード電極を中空構造とし、前記アノード電極面
上に気体吹き出し口を設けたことを特徴とする被膜形成
装置。 - 【請求項４】 請求項２において、前記一対の電極のう
ちのアノード電極を中空構造とし、前記アノード電極面
上に気体吹き出し口を線状に設けたことを特徴とする被
膜形成装置。 - 【請求項５】 請求項２において、前記前記局部プラズ
マ領域は、前記非処理基板の移動方向とは垂直方向にな
るように線状に設けられていることを特徴とする被膜形
成装置。 - 【請求項６】 プラズマＣＶＤ法により基板上に被膜を
形成する方法であって、 反応容器中に気体を供給する工程と、 前記気体に高周波電力を供給し、一つの方向を有した線
状の局部プラズマ領域を発生させる工程と、 前記反応容器内に基板を配置し、前記局部プラズマ領域
に前記基板の表面をさらす工程と、 前記局部プラズマ領域の方向に対して垂直な方向に基板
を相対的に移動させる工程とを有することを特徴とする
被膜形成方法。 - 【請求項７】 一対の電極を有し、前記一対の電極のう
ちの一つには気体吹き 出し口が設けられている反応容器
内で、基板上に被膜を形成するプラズマＣＶＤ法におい
て、 前記反応容器内に前記気体吹き出し口より気体を供給
し、前記一対の電極間に前記気体を導入する工程と、 前記一対の電極に高周波電力を供給し、一つの方向を有
した線状の局部プラズマ領域を発生させる工程と、 前記反応容器内に基板を配置し、前記局部プラズマ領域
に前記基板の表面をさらす工程と、 前記局部プラズマ領域の方向に対して垂直な方向に基板
を相対的に移動させる工程とを有することを特徴とする
被膜形成方法。 - 【請求項８】 請求項６または請求項７において、前記
被膜は炭素系被膜であることを特徴とする被膜形成方
法。 - 【請求項９】 請求項６または請求項７において、前記
反応容器は接地されていることを特徴とする被膜形成方
法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04333606A JP3083008B2 (ja) | 1992-11-19 | 1992-11-19 | 被膜形成装置および被膜形成方法 |
| US08/911,914 US6001432A (en) | 1992-11-19 | 1997-08-15 | Apparatus for forming films on a substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04333606A JP3083008B2 (ja) | 1992-11-19 | 1992-11-19 | 被膜形成装置および被膜形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06158331A JPH06158331A (ja) | 1994-06-07 |
| JP3083008B2 true JP3083008B2 (ja) | 2000-09-04 |
Family
ID=18267931
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04333606A Expired - Fee Related JP3083008B2 (ja) | 1992-11-19 | 1992-11-19 | 被膜形成装置および被膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3083008B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW269743B (ja) * | 1994-04-26 | 1996-02-01 | Toshiba Eng Co | |
| EP1198610A4 (en) * | 1999-05-14 | 2004-04-07 | Univ California | PLASMA POWER GENERATING DEVICE WITH A LARGE PRESSURE RANGE AT LOW TEMPERATURES |
| US7091605B2 (en) | 2001-09-21 | 2006-08-15 | Eastman Kodak Company | Highly moisture-sensitive electronic device element and method for fabrication |
| US20110104381A1 (en) * | 2004-01-15 | 2011-05-05 | Stefan Laure | Plasma Treatment of Large-Scale Components |
| US7713432B2 (en) | 2004-10-04 | 2010-05-11 | David Johnson | Method and apparatus to improve plasma etch uniformity |
| JP5211332B2 (ja) * | 2008-07-01 | 2013-06-12 | 株式会社ユーテック | プラズマｃｖｄ装置、ｄｌｃ膜及び薄膜の製造方法 |
-
1992
- 1992-11-19 JP JP04333606A patent/JP3083008B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06158331A (ja) | 1994-06-07 |
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