JP2009299156A - スパッタリング装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】互いに隣り合うRFカソード3とDCカソード4の搬送路部に、鉛直方向に遮蔽板7a7bが配置され、2枚の遮蔽板7a7b間の距離を基板保持体5(保持体)の走行方向の巾よりも長く設置する。遮蔽板7a7bは、保持体の移動方向前後に回動可能であり、保持体の移動時には、保持体移動方向の直前にある遮蔽板7a7bが回動し、保持体の移動後、カソード上部に到達すると、遮蔽板7a7bは元位置に回動して、カソードでスパッタリングを行い基板上に薄膜を形成する。その後、保持体移動方向の直前にある遮蔽板が回動し、保持体が移動して、カソード上部あるいは保持体の待機領域に到達すると、遮蔽板は元位置に回動する機構とする。
【選択図】図1
Description
該RFカソードの、隣り合うDCカソード側の搬送路部と、該RFカソードと隣り合う該DCカソードの該RFカソード側の搬送路部に、鉛直方向に遮蔽板が配置され、2枚の該遮蔽板間の距離は基板保持体の走行方向の巾よりも大きく、該遮蔽板は、基板保持体の移動方向と直交し真空容器壁部で支持された軸部に固定され基板保持体の移動方向前後に回動可能であり、該基板保持体が移動するときには、該基板保持体移動方向の直前にある遮蔽板が回動し、該基板保持体が移動して、カソード上部に到達すると、前記遮蔽板は元位置に回動して、該カソードでスパッタリングを行い基板上に薄膜を形成し、その後、該基板保持体移動方向の直前にある遮蔽板が回動し、該基板保持体が移動して、カソード上部あるいは基板保持体の待機領域に到達すると、前記遮蔽板は元位置に回動する機構とすることで、上記課題は解決することを見出し、本発明に至った。
該RFカソードの、隣り合うDCカソード側の搬送路部と、該RFカソードと隣り合う該DCカソードの該RFカソード側の搬送路部に、鉛直方向に遮蔽板が配置され、2枚の該遮蔽板間の距離は基板保持体の走行方向の巾よりも大きく、該遮蔽板は、基板保持体の移動方向と直交し真空容器壁部で支持された軸部に固定され基板保持体の移動方向前後に回動可能であり、該基板保持体が移動するときには、該基板保持体移動方向の直前にある遮蔽板が回動し、該基板保持体が移動して、カソード上部に到達すると、前記遮蔽板は元位置に回動して、該カソードでスパッタリングを行い基板上に薄膜を形成できることを特徴とするスパッタリング装置である。
該RFカソードの、隣り合うDCカソード側の搬送路部と、該RFカソードと隣り合う該DCカソードの該RFカソード側の搬送路部に、鉛直方向に遮蔽板が配置され、2枚の該遮蔽板間の距離は基板保持体の走行方向の巾よりも大きく、該遮蔽板は、基板保持体の移動方向と直交し真空容器壁部で支持された軸部に固定され基板保持体の移動方向前後に回動可能であり、該基板保持体が移動するときには、該基板保持体移動方向の直前にある遮蔽板が回動し、該基板保持体が移動して、カソード上部に到達すると、前記遮蔽板は元位置に回動して、該カソードでスパッタリングを行い基板上に薄膜を形成し、その後、該基板保持体移動方向の直前にある遮蔽板が回動し、該基板保持体が移動して、カソード上部あるいは基板保持体の待機領域に到達すると、前記遮蔽板は元位置に回動する機構とすることを特徴とする。
該RFカソードの、隣り合うDCカソード側の搬送路部と、該RFカソードと隣り合う該DCカソードの該RFカソード側の搬送路部に、鉛直方向に遮蔽板が配置され、2枚の該遮蔽板間の距離は基板保持体の走行方向の巾よりも大きく、該遮蔽板は、基板保持体の移動方向と直交し真空容器壁部で支持された軸部に固定され基板保持体の移動方向前後に回動可能であり、該基板保持体が移動するときには、該基板保持体移動方向の直前にある遮蔽板が回動し、該基板保持体が移動して、カソード上部に到達すると、前記遮蔽板は元位置に回動して、該カソードでスパッタリングを行い基板上に薄膜を形成できることを特徴としている。
[実施例1]
図1は、実施例1に係わるスパッタリング装置の基本的な構成を示す概略断面図である。
スパッタリング装置を構成する真空容器10の内部には、ターゲット1、2を配置した2基のカソード3、4を直線的に配置し、前記真空容器10内の上方に、被処理面を前記ターゲットに対向させた基板8を保持してカソード上方を直線的に移動可能な基板保持体5とが配置されている。また、真空容器10の長手方向に沿って基板保持体5を水平に移動させるための搬送路6が設けられている。2基のカソードの内、1つが、高周波電源に接続されるカソード(RFカソード)3で、他は直流電源に接続されるカソード(DCカソード)4となっている。また、カソードが配置された領域の少なくとも一方の側に基板保持体5の待機領域12を有している。
[実施例2]
図1に示すスパッタリング装置のDCカソードに、Niターゲットを設置し、RFカソードにSiターゲットを設置して、PETフィルム基板上に以下の構造の積層膜を形成させた。
(1層目)Ni膜(膜厚7.5nm)
スパッタリングガス:Ar(50sccm)
ガス圧:0.3Pa
スパッタリング電力:DC50W
搬送速度:70mm/min
(2層目)SiO2膜(膜厚70nm)
スパッタリングガス:1.5%O2/Ar(100sccm)
ガス圧: 0.6Pa
スパッタリング電力:RF500W
搬送速度: 18mm/min
(3層目)Ni膜(膜厚7.5nm)
スパッタリングガス:Ar(50sccm)
ガス圧: 0.3Pa
スパッタリング電力:DC50W
搬送速度: 70mm/min
(4層目)SiO2膜(膜厚70nm)
スパッタリングガス:1.5%O2/Ar(100sccm)
ガス圧: 0.6Pa
スパッタリング電力:RF500W
搬送速度: 18mm/min
(1層目)スパッタリングガスとしてArガスを導入し、ガス圧を0.3Paに調整した後、DC50Wの電力でスパッタリングを開始した。スパッタリング中の電圧、および電流値が安定するまで数分間プリスパッタを行った後、PETフィルム基板を設置した基板保持体を、待機領域からターゲット方向へ、搬送速度70mm/minで搬送を開始した。基板は、スパッタリング中のターゲット上を移動しながら、表面にNi膜が形成され、基板保持体がターゲット上を完全に通過したら、スパッタリングを停止して、基板保持体を待機領域に戻した。
(2層目)スパッタリングガスとして1.5%O2/Arを導入し、ガス圧を0.6Paに調整した後、RF500Wの電力でスパッタリングを開始した。スパッタリング中の電圧、および電流値が安定するまで数分間プリスパッタを行った後、1層目のNi膜が形成されたPETフィルム基板を設置した基板保持体を、待機領域からターゲット方向へ、搬送速度18mm/minで搬送を開始した。基板は、スパッタリング中のターゲット上を移動しながら、表面にSiO2膜が形成され、基板保持体がターゲット上を完全に通過したら、スパッタリングを停止して、基板保持体を待機領域に戻した。
(3層目)スパッタリングガスとしてArを導入し、ガス圧を0.3Paに調整した後、DC50Wの電力でスパッタリングを開始した。スパッタリング中の電圧、および電流値が安定するまで数分間プリスパッタを行った後、2層目までの膜が形成されたPETフィルム基板を設置した基板保持体を、待機領域からターゲット方向へ、搬送速度70mm/minで搬送を開始した。基板は、スパッタリング中のターゲット上を移動しながら、表面にNi膜が形成され、基板保持体がターゲット上を完全に通過したら、スパッタリングを停止して、基板保持体を待機領域に戻した。
(4層目)スパッタリングガスとして1.5%O2/Arを導入し、ガス圧を0.6Paに調整した後、RF500Wの電力でスパッタリングを開始した。スパッタリング中の電圧、および電流値が安定するまで数分間プリスパッタを行った後、3層目までの膜が形成されたPETフィルム基板を設置した基板保持体を、待機領域からターゲット方向へ、搬送速度18mm/minで搬送を開始した。基板は、スパッタリング中のターゲット上を移動しながら、表面にSiO2膜が形成され、基板保持体がターゲット上を完全に通過したら、スパッタリングを停止して、成膜基板を回収した。
2 ターゲット
3 RFカソード
4 DCカソード
5 基板保持体
6 搬送路部
7a、7b 遮蔽板
8 基板
9a、9b ガス導入口
10 真空容器
11 ガス排出口
12 待機領域
Claims (2)
- 真空容器内に、ターゲットを配置した、複数のカソードのうちの少なくとも1つが、高周波電源に接続されるカソード(RFカソード)で、他は直流電源に接続されるカソード(DCカソード)が直線的に配置され、前記ターゲットに被処理面を対向させた基板を保持して、ターゲット上方を搬送路に沿って直線的に移動可能な基板保持体を具備し、カソードが配置された領域の少なくとも一方の側に基板保持体の待機領域を有しており、上記ターゲットのうちの1種の上に上記基板保持体を移動させ、該基板を対向させて、該ターゲットをスパッタリング法でスパッタリングして上記基板上に薄膜を形成するスパッタリング装置であって、
該RFカソードの、隣り合うDCカソード側の搬送路部と、該RFカソードと隣り合う該DCカソードの該RFカソード側の搬送路部に、鉛直方向に遮蔽板が配置され、2枚の該遮蔽板間の距離は基板保持体の走行方向の巾よりも大きく、該遮蔽板は、基板保持体の移動方向と直交し真空容器壁部で支持された軸部に固定され基板保持体の移動方向前後に回動可能であり、該基板保持体が移動するときには、該基板保持体移動方向の直前にある遮蔽板が回動し、該基板保持体が移動して、カソード上部に到達すると、前記遮蔽板は元位置に回動して、該カソードでスパッタリングを行い基板上に薄膜を形成できることを特徴とするスパッタリング装置。 - 真空容器の内部を、前記基板保持体が配置される上室と前記カソードが配置される下室にそれぞれ分割し、かつ前記カソードに配置されたターゲット表面と平面的に略一致する位置に前記ターゲット形状に対応した開口部が形成されたシールド部材を備えていることを特徴とする請求項1記載のスパッタリング装置。
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