JP2000260758A - プラズマエッチング装置 - Google Patents
プラズマエッチング装置Info
- Publication number
- JP2000260758A JP2000260758A JP11064752A JP6475299A JP2000260758A JP 2000260758 A JP2000260758 A JP 2000260758A JP 11064752 A JP11064752 A JP 11064752A JP 6475299 A JP6475299 A JP 6475299A JP 2000260758 A JP2000260758 A JP 2000260758A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma etching
- gas
- treatment
- etching apparatus
- nickel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】従来から問題となっている鉄、クロム、ニッケ
ルの金属汚染を防止し、デバイス劣化を抑制するのに好
適なプラズマエッチング装置を提供することにある。 【解決手段】アルミニウム製接地電極表面の陽極酸化処
理時に使用する酸にクロムを含まない硫酸や蓚酸を、封
孔処理時に使用する処理液にニッケルを含まない水蒸気
やイオン交換脱塩水を使用することにより陽極酸化処理
膜への不純物の混入を防止し、陽極酸化処理膜から発生
する金属による引き起こされるデバイス劣化を抑制す
る。本発明によればエッチング処理室４の接地電極７か
らの金属汚染を防止し、デバイス劣化を抑制することが
できる。
ルの金属汚染を防止し、デバイス劣化を抑制するのに好
適なプラズマエッチング装置を提供することにある。 【解決手段】アルミニウム製接地電極表面の陽極酸化処
理時に使用する酸にクロムを含まない硫酸や蓚酸を、封
孔処理時に使用する処理液にニッケルを含まない水蒸気
やイオン交換脱塩水を使用することにより陽極酸化処理
膜への不純物の混入を防止し、陽極酸化処理膜から発生
する金属による引き起こされるデバイス劣化を抑制す
る。本発明によればエッチング処理室４の接地電極７か
らの金属汚染を防止し、デバイス劣化を抑制することが
できる。
Description
【発明の属する技術分野】本発明は、塩素ガス（Cl2）
あるいは臭化水素ガス（HBr）の単独ガスあるいは塩素
ガス（Cl2）と酸素ガス（O2）の混合ガスあるいは臭化
水素ガス（HBr）と酸素ガス（O2）の混合ガスをエッチ
ングガスとして用い、シリコンのエッチングを行うプラ
ズマエッチング装置において、エッチング処理室の接地
電位にある接地電極からのクロム（Cr）、鉄（Fe）、ニ
ッケル（Ni）の金属汚染を抑制するのに好適なプラズマ
エッチング装置に関する。
あるいは臭化水素ガス（HBr）の単独ガスあるいは塩素
ガス（Cl2）と酸素ガス（O2）の混合ガスあるいは臭化
水素ガス（HBr）と酸素ガス（O2）の混合ガスをエッチ
ングガスとして用い、シリコンのエッチングを行うプラ
ズマエッチング装置において、エッチング処理室の接地
電位にある接地電極からのクロム（Cr）、鉄（Fe）、ニ
ッケル（Ni）の金属汚染を抑制するのに好適なプラズマ
エッチング装置に関する。
【従来の技術】従来、塩素ガス（Cl2）あるいは臭化水
素ガス（HBr）の単独ガスあるいは塩素ガス（Cl2）と酸
素ガス（O2）の混合ガスあるいは臭化水素ガス（HBr）
と酸素（O2）の混合ガスをエッチングガスとして用い、
シリコンのエッチングを行うプラズマエッチング装置例
えばマイクロ波プラズマエッチング装置では接地電位に
ある接地電極の材料に基板への金属（鉄（Fe）、クロム
（Cr）、ニッケル（Ni））汚染を防止するためにアルミ
ニウム（Al）を使用している。また、塩素ガス（Cl2）
プラズマあるいは臭化水素ガス（HBr）プラズマによる
電極の損傷、消耗を防止するためにアルミニウム（Al）
の表面に陽極酸化処理を施工している。
素ガス（HBr）の単独ガスあるいは塩素ガス（Cl2）と酸
素ガス（O2）の混合ガスあるいは臭化水素ガス（HBr）
と酸素（O2）の混合ガスをエッチングガスとして用い、
シリコンのエッチングを行うプラズマエッチング装置例
えばマイクロ波プラズマエッチング装置では接地電位に
ある接地電極の材料に基板への金属（鉄（Fe）、クロム
（Cr）、ニッケル（Ni））汚染を防止するためにアルミ
ニウム（Al）を使用している。また、塩素ガス（Cl2）
プラズマあるいは臭化水素ガス（HBr）プラズマによる
電極の損傷、消耗を防止するためにアルミニウム（Al）
の表面に陽極酸化処理を施工している。
【発明が解決しようとする課題】従来のプラズマエッチ
ング装置では、アルミニウム（Al）表面に陽極酸化処理
を施工した接地電極からの金属汚染を考慮していないた
めに、近年の高集積化が進んだデバイスにおいてエッチ
ングにより基板に金属汚染が発生しデバイス特性が劣化
するという問題があった。本発明の目的は、鉄（Fe）、
クロム（Cr）、ニッケル（Ni）の金属汚染を防止し、デ
バイス劣化を抑制するのに好適なプラズマエッチング装
置を提供することにある。
ング装置では、アルミニウム（Al）表面に陽極酸化処理
を施工した接地電極からの金属汚染を考慮していないた
めに、近年の高集積化が進んだデバイスにおいてエッチ
ングにより基板に金属汚染が発生しデバイス特性が劣化
するという問題があった。本発明の目的は、鉄（Fe）、
クロム（Cr）、ニッケル（Ni）の金属汚染を防止し、デ
バイス劣化を抑制するのに好適なプラズマエッチング装
置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】光電子分光分析装置（ES
CA）による陽極酸化処理膜の評価により陽極酸化処理膜
中にクロム、ニッケルが不純物として混入していること
がわかった。クロムは陽極酸化処理時に使用するクロム
酸から、ニッケルは陽極酸化処理後に行う封孔処理時に
使用する酢酸ニッケルから混入することがわかった。陽
極酸化処理時に使用する酸にクロムを含まない硫酸や蓚
酸を、封孔処理時に使用する処理液にニッケルを含まな
い水蒸気やイオン交換脱塩水を使用することにより不純
物の混入が防止されることをESCAにより確認した。この
ことより上記目的は陽極酸化処理時に使用する酸にクロ
ムを含まない硫酸や蓚酸を、封孔処理時に使用する処理
液にニッケルを含まない水蒸気やイオン交換脱塩水を使
用することにより不純物の混入が防止され、接地電極か
ら発生する金属によるデバイスの劣化を解決できる。
CA）による陽極酸化処理膜の評価により陽極酸化処理膜
中にクロム、ニッケルが不純物として混入していること
がわかった。クロムは陽極酸化処理時に使用するクロム
酸から、ニッケルは陽極酸化処理後に行う封孔処理時に
使用する酢酸ニッケルから混入することがわかった。陽
極酸化処理時に使用する酸にクロムを含まない硫酸や蓚
酸を、封孔処理時に使用する処理液にニッケルを含まな
い水蒸気やイオン交換脱塩水を使用することにより不純
物の混入が防止されることをESCAにより確認した。この
ことより上記目的は陽極酸化処理時に使用する酸にクロ
ムを含まない硫酸や蓚酸を、封孔処理時に使用する処理
液にニッケルを含まない水蒸気やイオン交換脱塩水を使
用することにより不純物の混入が防止され、接地電極か
ら発生する金属によるデバイスの劣化を解決できる。
【発明の実施の形態】本発明の一実施例を図１により説
明する。図１は、マイクロ波プラズマエッチング装置の
概略図を示したものである。マグネトロン１から発振し
たマイクロ波は導波管２を伝播しベルジャー３を介して
エッチング処理室４に導かれる。エッチング処理室４は
石英製ベルジャー３、載置電極５、アルミナ製電極カバ
ー６及び表面に陽極酸化処理を施工したアルミニウム製
接地電極７によって構成されている。該接地電極７の陽
極酸化処理には硫酸を使用し、陽極酸化処理の後の封孔
処理にはイオン交換脱塩水を使用した。磁界発生用直流
電源８からソレノイドコイル９に供給される直流電流に
よって形成される磁界とマイクロ波電界によってガス供
給装置１０から供給されるエッチングガス（Cl2、O2）
はプラズマ化される。塩素ガス（Cl2）と（O2）の混合
ガスにより基板１１のエッチングが行われる。エッチン
グ時の圧力は真空排気装置１２によって制御される。基
板１１に入射するイオンのエネルギは載置電極５に高周
波電源１３から供給される高周波電力によって制御され
る。該接地電極７の陽極酸化処理時に硫酸を使用し、陽
極酸化処理の後の封孔処理時にイオン交換脱塩水を使用
することにより該接地電極７からのクロム（Cr）及びニ
ッケル（Ni）の金属汚染を防止することができる。本発
明によればエッチング処理室の構成部品からの金属（F
e、Cr、Ni）汚染を防止することができる。本実施例で
は陽極酸化処理時に硫酸を使用し、陽極酸化処理の後の
封孔処理時にイオン交換脱塩水を使用した場合の効果を
説明したが、陽極酸化処理時に蓚酸を使用し、陽極酸化
処理の後の封孔処理時に水蒸気を使用しても同様な効果
が得られる。本実施例ではマイクロ波プラズマエッチン
グ装置についてその効果を説明したが、他の放電方式例
えばヘリコン、TCPにおいても同様な効果が得られる。
明する。図１は、マイクロ波プラズマエッチング装置の
概略図を示したものである。マグネトロン１から発振し
たマイクロ波は導波管２を伝播しベルジャー３を介して
エッチング処理室４に導かれる。エッチング処理室４は
石英製ベルジャー３、載置電極５、アルミナ製電極カバ
ー６及び表面に陽極酸化処理を施工したアルミニウム製
接地電極７によって構成されている。該接地電極７の陽
極酸化処理には硫酸を使用し、陽極酸化処理の後の封孔
処理にはイオン交換脱塩水を使用した。磁界発生用直流
電源８からソレノイドコイル９に供給される直流電流に
よって形成される磁界とマイクロ波電界によってガス供
給装置１０から供給されるエッチングガス（Cl2、O2）
はプラズマ化される。塩素ガス（Cl2）と（O2）の混合
ガスにより基板１１のエッチングが行われる。エッチン
グ時の圧力は真空排気装置１２によって制御される。基
板１１に入射するイオンのエネルギは載置電極５に高周
波電源１３から供給される高周波電力によって制御され
る。該接地電極７の陽極酸化処理時に硫酸を使用し、陽
極酸化処理の後の封孔処理時にイオン交換脱塩水を使用
することにより該接地電極７からのクロム（Cr）及びニ
ッケル（Ni）の金属汚染を防止することができる。本発
明によればエッチング処理室の構成部品からの金属（F
e、Cr、Ni）汚染を防止することができる。本実施例で
は陽極酸化処理時に硫酸を使用し、陽極酸化処理の後の
封孔処理時にイオン交換脱塩水を使用した場合の効果を
説明したが、陽極酸化処理時に蓚酸を使用し、陽極酸化
処理の後の封孔処理時に水蒸気を使用しても同様な効果
が得られる。本実施例ではマイクロ波プラズマエッチン
グ装置についてその効果を説明したが、他の放電方式例
えばヘリコン、TCPにおいても同様な効果が得られる。
【発明の効果】本発明によればエッチング処理室の構成
部品からの金属（Fe、Cr、Ni）汚染を防止し、デバイス
劣化を抑制することができる。
部品からの金属（Fe、Cr、Ni）汚染を防止し、デバイス
劣化を抑制することができる。
【図１】マイクロ波プラズマエッチング装置の構成図で
ある。
ある。
７…接地電極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田村 直行 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸工場内 (72)発明者 大本 博秀 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸工場内 (72)発明者 小川 恵太郎 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸工場内 Ｆターム(参考） 4K057 DA20 DB06 DD03 DE01 DE11 DE20 DM01 DM21 DM22 DM23 DM28 DM29 DM40 DN01 5F004 AA00 BA14 BA15 BA20 BB11 BB18 BB29 BB30 DA00 DA04 DA26 DB01 DB02
Claims (6)
- 【請求項１】 プラズマエッチング装置において、接地
電位にある部材をアルミニウムの表面に陽極酸化処理を
施工したものとし、該部材の陽極酸化処理をクロム（C
r）を含まない酸により行い、陽極酸化後に行う封孔処
理をニッケル（Ni）を含まない処理液によって行うこと
を特徴とするプラズマエッチング装置。 - 【請求項２】 塩素ガス（Cl2）の単独ガスあるいは塩
素ガス（Cl2）を含む混合ガスをエッチングガスとして
用いてエッチングを行うプラズマエッチング装置におい
て、接地電位にある部材をアルミニウムの表面に陽極酸
化処理を施工したものとし、該部材の陽極酸化処理をク
ロム（Cr）を含まない酸により行い、陽極酸化後に行う
封孔処理をニッケル（Ni）を含まない処理液によって行
うことを特徴とするプラズマエッチング装置。 - 【請求項３】 臭化水素ガス（HBr）の単独ガスあるい
は臭化水素ガス（HBr）を含む混合ガスをエッチングガ
スとして用いてエッチングを行うプラズマエッチング装
置において、接地電位にある部材をアルミニウムの表面
に陽極酸化処理を施工したものとし、該部材の陽極酸化
処理をクロム（Cr）を含まない酸により行い、陽極酸化
後に行う封孔処理をニッケル（Ni）を含まない処理液に
よって行うことを特徴とするプラズマエッチング装置。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれか１項に記載のプ
ラズマエッチング装置において、ゲート電極材料のエッ
チングを行うことを特徴とするプラズマエッチング装
置。 - 【請求項５】 請求項１〜３のいずれか１項に記載のプ
ラズマエッチング装置において、接地電位にある部材の
表面に陽極酸化処理を施工する時に使用するクロム（C
r）を含まない酸が硫酸あるいは蓚酸であることを特徴
とするプラズマエッチング装置。 - 【請求項６】 請求項１〜３のいずれか１項に記載のプ
ラズマエッチング装置において、接地電位にある部材の
表面に陽極酸化処理を施工した後行う封孔処理に使用す
るニッケル（Ni）を含まない処理液が水蒸気あるいはイ
オン交換脱塩水であることを特徴とするプラズマエッチ
ング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11064752A JP2000260758A (ja) | 1999-03-11 | 1999-03-11 | プラズマエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11064752A JP2000260758A (ja) | 1999-03-11 | 1999-03-11 | プラズマエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000260758A true JP2000260758A (ja) | 2000-09-22 |
Family
ID=13267231
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11064752A Pending JP2000260758A (ja) | 1999-03-11 | 1999-03-11 | プラズマエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000260758A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011507134A (ja) * | 2007-12-06 | 2011-03-03 | インテバック・インコーポレイテッド | 基板を両面スパッタエッチングするシステム及び方法 |
-
1999
- 1999-03-11 JP JP11064752A patent/JP2000260758A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011507134A (ja) * | 2007-12-06 | 2011-03-03 | インテバック・インコーポレイテッド | 基板を両面スパッタエッチングするシステム及び方法 |
| US8784622B2 (en) | 2007-12-06 | 2014-07-22 | Intevac, Inc. | System and method for dual-sided sputter etch of substrates |
| US9165587B2 (en) | 2007-12-06 | 2015-10-20 | Intevac, Inc. | System and method for dual-sided sputter etch of substrates |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5676760A (en) | Method for wet processing of a semiconductor substrate | |
| KR101737378B1 (ko) | 플라즈마 전해질 산화 코팅에서의 구리 또는 미량 금속 오염 물질의 감소 | |
| JPH0629248A (ja) | プラズマエッチ方法及び装置 | |
| US7097716B2 (en) | Method for performing fluorocarbon chamber cleaning to eliminate fluorine memory effect | |
| JP2859081B2 (ja) | ウェット処理方法及び処理装置 | |
| JPH03184335A (ja) | 表面クリーニング装置及びその方法 | |
| JP3199957B2 (ja) | マイクロ波プラズマ処理方法 | |
| KR20180032153A (ko) | 플라스마 처리 방법 | |
| JP2897637B2 (ja) | ウエット処理装置 | |
| JP2000260758A (ja) | プラズマエッチング装置 | |
| KR101874681B1 (ko) | 플라즈마 처리 방법 및 플라즈마 처리 장치 | |
| JP2000173985A (ja) | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 | |
| JP2008071528A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| US6444087B2 (en) | Plasma etching system | |
| JP2004214609A (ja) | プラズマ処理装置の処理方法 | |
| JP3307239B2 (ja) | プラズマクリーニング方法 | |
| KR100241529B1 (ko) | 플라즈마를 이용한 반도체 소자의 금속배선 부식방지방법 | |
| JP2008192838A (ja) | エッチング装置、エッチング方法、および電子装置の製造方法 | |
| JPH10229074A (ja) | マイクロ波プラズマエッチング装置 | |
| JP3235299B2 (ja) | マイクロ波プラズマ処理方法 | |
| JPH06136544A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP2002176037A (ja) | プラズマプロセス用装置 | |
| JP2550368B2 (ja) | 有磁場プラズマエッチング装置 | |
| JPH11111679A (ja) | 反応性イオンエッチング装置および反応性イオンエッチング方法 | |
| JPH10135188A (ja) | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060222 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20060222 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080513 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080520 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080718 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20081028 |