JPH10135188A - プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】クリーンな塩素系プラズマの特性を損なうこと
なく、異方性形状とフォトレジストに対する高選択比を
両立させることができるプラズマ処理方法およびプラズ
マ処理装置を提供する。 【解決手段】(1)塩素ガス、酸素ガスおよび炭化水素系
ガスを含む混合ガスをプラズマ化して、シリコン膜や金
属シリサイド膜をエッチングするプラズマ処理方法。 (2)塩素ガスおよび酸化炭素系ガスを含む混合ガスをプ
ラズマ化して、シリコン膜や金属シリサイド膜をエッチ
ングするプラズマ処理方法。 (3)塩素ガスおよび酸素ガスを含む混合ガスをプラズマ
化し、このプラズマを炭素を主成分とする固体材料に照
射してプラズマ中に炭素を供給しつつ、このプラズマに
よりシリコン膜や金属シリサイド膜をエッチングするプ
ラズマ処理方法およびプラズマ処理装置。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマ処理方
法、特にシリコン膜または金属シリサイド膜をエッチン
グするプラズマ処理方法およびプラズマ処理装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来、ポリシリコン膜や金属シリサイド
膜などのシリコン系膜のエッチングは、フッ素系ガス、
ＨＢｒガス、塩素ガスなどをエッチングガスとしてプラ
ズマを発生させて試料に照射することにより行われてい
る。

【０００３】しかし、フッ素系ガスは、エッチング速度
は大きいものの、垂直なエッチング形状（以下、異方性
形状と呼ぶ。）を得ることが難しいという問題点を有し
ている。

【０００４】また、ＨＢｒガスは、フォトレジストに対
する高選択比が得られ、また垂直なエッチング形状を得
やすいという利点を有しているが、反応容器内の堆積物
が多くその除去に時間がかかるという問題や反応容器や
真空ポンプに対する腐食性が塩素ガスなどに比べて強く
反応容器を加熱するなどの腐食対策をとる必要があると
いう問題がある。

【０００５】一方、塩素ガスは、ＨＢｒガスにくらべて
反応容器内の堆積物が少なくまた腐食の問題も小さく、
またフッ素系ガスにくらべて異方性形状を得やすいとい
う利点を備えている。この異方性形状は、通常、試料に
印加する高周波により制御される。

【０００６】しかしながら、塩素ガス単体では、良好な
異方性形状を得ようとして試料に印加する高周波電力を
大きくすると、下地の酸化膜に対する選択比が小さくな
り、下地酸化膜がエッチングされてしまう。

【０００７】そこで、塩素ガスに酸素ガスを添加するこ
と、すなわち塩素ガスと酸素ガスの混合ガスをエッチン
グガスとして用いることが行われている。酸素ガスを添
加することにより、酸化物系の側壁保護膜が形成され異
方性形状を得やすくなる。また、下地酸化膜のエッチン
グ速度が小さくなるので、試料に印加する高周波電力を
大きくしても、下地の酸化膜に対する選択比を大きくで
きるので、下地酸化膜のエッチング量を少なくできる。

【０００８】すなわち、塩素ガスと酸素ガスの混合ガス
を用いる方法は、塩素プロセス本来の反応堆積物の少な
いクリーンなプロセスという利点に加え、異方性形状と
下地酸化膜選択比を両立させることができるという利点
を有している。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この塩
素と酸素の混合ガスを用いてシリコン系膜をエッチング
するプラズマ処理方法は、有機系材料であるフォトレジ
ストが酸素プラズマによりエッチングされるため、フォ
トレジストに対する選択比が小さくなるという問題があ
った。

【００１０】そのため、ポリシリコン膜の膜厚が厚いキ
ャパシタ部の電極形成プロセス等のエッチング時間の長
いプロセスや、下地が平坦化されていない、すなわち高
段差上のビット線形成プロセス等の長いオーバーエッチ
ングが必要なプロセスなどに適用することが困難であっ
た。

【００１１】特に、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ：
Electron Cyclotron Resonance）プラズマを用いるプラ
ズマ処理方法は、イオンの指向性が高いため、異方性形
状を得やすいという利点を有する一方、そのため逆にフ
ォトレジストに対する高選択比を得ることが難しかっ
た。

【００１２】本発明は、このような課題を解決するため
になされたものであって、クリーンな塩素系プラズマの
特性を損なうことなく、フォトレジストに対する高選択
比が得られるプラズマ処理方法およびプラズマ処理装置
を提供することを目的としている。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明のプラズマ処理方
法は、塩素ガス、酸素ガスおよび炭化水素系ガスを含む
混合ガスをプラズマ化して、シリコン膜または金属シリ
サイド膜をエッチングすることを特徴としている（第１
発明）。

【００１４】本発明のプラズマ処理方法は、塩素ガスお
よび酸化炭素系ガスを含む混合ガスをプラズマ化して、
シリコン膜または金属シリサイド膜をエッチングするこ
とを特徴としている（第２発明）。

【００１５】本発明のプラズマ処理方法は、塩素ガスお
よび酸素ガスを含む混合ガスをプラズマ化し、このプラ
ズマを炭素を主成分とする固体材料に照射してプラズマ
中に炭素を供給しつつ、このプラズマによりシリコン膜
または金属シリサイド膜をエッチングすることを特徴と
している（第３発明）。

【００１６】本発明のプラズマ処理装置は、反応容器内
に炭素を主成分とする固体材料が配設されていることを
特徴としている（第４発明）。

【００１７】本発明のプラズマ処理方法にあっては、エ
ッチングガスとして塩素ガスと酸素ガスまたは酸素を含
むガスの混合ガスを用いているので、下地酸化膜に対す
る選択比を向上し、加えて異方性形状を得ることができ
る。

【００１８】さらに炭化水素系ガス（第１発明）、酸化
炭素系ガス（第２発明）、炭素を主成分とする固体材料
（第３発明）から炭素をプラズマ中に供給することによ
り、炭化水素を主成分とするフォトレジストのエッチン
グが抑制され、その結果フォトレジストに対する選択比
を向上させることができる。

【００１９】また、本発明のプラズマ処理装置（第４発
明）にあっては、反応容器内に炭素を主成分とする固体
材料が配設されているので、第３発明のプラズマ処理方
法を実施することができる。

【００２０】なお、ここでいうシリコン膜には、ポリシ
リコン膜、アモルファスシリコン膜、単結晶シリコン膜
などがある。金属シリサイド膜には、例えばタングステ
ンシリサイド（ＷＳｉ）、チタンシリサイド（ＴｉＳ
ｉ）、モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ）などがある。

【００２１】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について、Ｅ
ＣＲプラズマを用いたエッチングを例にとり、図面に基
づき説明する。

【００２２】（実施の形態１）図８は、ＥＣＲプラズマ
処理装置を示す模式的縦断面図である。この装置は、マ
イクロ波と磁場との相互作用によるＥＣＲを利用してプ
ラズマを生成し、ポリシリコン膜をエッチングする装置
である。

【００２３】反応容器は、プラズマ生成室１０と反応室
１１とからなっている。

【００２４】プラズマ生成室１０の上部には、石英製な
どのマイクロ波導入窓１３が配設され、マイクロ波発振
器（図示せず）からのマイクロ波が、導波管１２を介し
て供給されマイクロ波導入窓１３からプラズマ生成室１
０に導入される構成になっている。プラズマ生成室１０
の周囲にはこれと同心状に磁場発生コイル１４が配設さ
れている。

【００２５】反応室１１の側壁には、ガス導入管１５が
設けられ、反応室１１の下部壁には排気口１９が形成さ
れている。反応室１１の中央には、試料台１８が配設さ
れている。試料台１８は、静電チャック機構と、冷却機
構と、高周波電極とを備えている。静電チャック機構に
より試料Ｓを試料台１８上に静電力により吸着保持し、
冷却機構により試料Ｓを冷却し、また高周波電源２１か
ら高周波電極に高周波を印加することにより、試料Ｓに
入射するイオンのエネルギを制御できる。

【００２６】プラズマ生成室１０および反応室１１の内
壁に沿って、防着板１６ａ、１６ｂ、１６ｃ、１６ｄ、
１６ｅが設けられている。これらの防着板は、プラズマ
生成室１０および反応室１１の内壁がプラズマに直接曝
されることを防ぐことにより、内壁がスパッタされるこ
とにより生じる汚染や、反応堆積物の内壁への付着を防
止する。

【００２７】このプラズマ処理装置を用いて、シリコン
膜や金属シリサイド膜をエッチングする方法について説
明する。試料Ｓは、例えばポリシリコン膜やタングステ
ンポリサイド膜（ＷＳｉ／PolyーＳｉ）が成膜されたシ
リコンウエハである。

【００２８】試料Ｓを、試料台１８上に載置し吸着保
持する。

【００２９】プラズマ生成室１０および反応室１１を
所定の圧力まで排気する。

【００３０】ガス導入管１５からプラズマ生成室１０
および反応室１１にエッチングガスを所定の流量で導入
し、所定の圧力とする。

【００３１】磁場発生コイル１４に直流電流を通流し
て、プラズマ生成室１０内にＥＣＲ励起に必要な磁場を
発生させる。マイクロ波発振器（図示せず）からマイク
ロ波を導波管１２を介してプラズマ生成室１０に導入す
る。マイクロ波と磁場の相互作用によるＥＣＲ励起によ
り、エッチングガスをプラズマ化させる。プラズマ発生
後に、高周波電源２１により試料台１８に高周波電力を
印加する。プラズマ中のイオンやラジカルなどの活性種
が試料Ｓ上に導かれ、試料Ｓ上のポリシリコン膜やタン
グステンポリサイド膜がエッチングされる。

【００３２】（イ）エッチングガスとして、塩素ガス、
酸素ガスおよび炭化水素系ガスを含む混合ガスを用いれ
ば良い。なお、炭化水素系ガスとしては、例えばＣ
Ｈ₄、Ｃ₂Ｈ₆、Ｃ₃Ｈ₈、Ｃ₂Ｈ₄、Ｃ₂Ｈ₂などを用いるこ
とができる。

【００３３】なお、塩素ガスの流量１００に対して、酸
素ガスの流量を２〜３０、炭化水素系ガスの流量を２〜
３０とすることが好ましい。

【００３４】（ロ）エッチングガスとして、塩素ガスお
よび酸化炭素系ガスを含む混合ガスを用いれば良い。な
お、酸化炭素系ガスとしては、例えばＣＯ、ＣＯ₂など
を用いることができる。

【００３５】なお、塩素ガスの流量１００に対して、酸
化炭素系ガスの流量を５〜４０とすることが好ましい。

【００３６】これらの混合ガスを用いることにより、フ
ォトレジストおよび下地酸化膜に対して高選択比のま
ま、シリコン膜または金属シリサイド膜を異方性形状で
エッチングすることができる。

【００３７】なお、エッチングガスとして、塩素ガス、
酸素ガスおよび炭化水素系ガスを含む混合ガスを用いた
場合、さらにフォトレジストに対する選択比と下地酸化
膜に対する選択比を個別にコントロールできるという利
点を有している。すなわち、炭化水素系ガスの流量によ
りフォトレジストに対する選択比を、酸素ガスの流量に
より下地酸化膜に対する選択比をそれぞれ制御すること
ができる。

【００３８】また、エッチングガスとして、塩素ガス、
酸化炭素系ガスを含む混合ガスを用いた場合、ガス系が
２元系で簡便であるという利点を有している。なお、フ
ォトレジストに対する選択比と下地酸化膜に対する選択
比のコントロールは、酸化炭素系ガスのガス種の選択、
例えばＣＯとＣＯ₂の選択などにより行うことができ
る。

【００３９】（実施の形態２）図７は、本発明のＥＣＲ
プラズマ処理装置を示す模式的縦断面図である。この装
置は、防着板１６ｄおよび１６ｅをアモルファスカーボ
ンの薄板などの炭素を主成分とする材料とした点のみ図
８に示す装置と異なっている。その他の部分は、図８に
示す装置と同じであるので、説明を省略する。

【００４０】このプラズマ処理装置を用いて、シリコン
膜や金属シリサイド膜をエッチングする方法について説
明する。試料Ｓは、例えばポリシリコン膜やタングステ
ンポリサイド膜（ＷＳｉ／PolyーＳｉ）が成膜されたシ
リコンウエハである。

【００４１】試料Ｓを、試料台１８上に載置し吸着保
持する。

【００４２】プラズマ生成室１０および反応室１１を
所定の圧力まで排気する。

【００４３】ガス導入管１５からプラズマ生成室１０
および反応室１１にエッチングガスとして塩素ガスと酸
素ガスをそれぞれ所定の流量で導入し、所定の圧力とす
る。

【００４４】磁場発生コイル１４に直流電流を通流し
て、プラズマ生成室１０内にＥＣＲ励起に必要な磁場を
発生させる。マイクロ波発振器（図示せず）からマイク
ロ波を導波管１２を介してプラズマ生成室１０に導入す
る。マイクロ波と磁場の相互作用によるＥＣＲ励起によ
り、エッチングガスをプラズマ化させる。プラズマ発生
後に、高周波電源２１により試料台１８に高周波電力を
印加する。プラズマ中のイオンやラジカルなどの活性種
が試料Ｓ上に導かれ、試料Ｓ上のポリシリコン膜やタン
グステンポリサイド膜がエッチングされる。

【００４５】このとき、防着板１６ｄ、１６ｅがプラズ
マ照射を受けて炭素がプラズマ中に供給され、炭化水素
を主成分とするフォトレジストのエッチングが抑制さ
れ、フォトレジスト選択比を向上させることができる。

【００４６】その結果、フォトレジストおよび下地酸化
膜に対して高選択比のまま、シリコン膜または金属シリ
サイド膜を異方性形状でエッチングすることができる。

【００４７】なお、炭素を主成分とする材料は、この例
の試料台１８の周囲の防着板１６ｄ、１６ｅのように試
料Ｓの近傍に設けることが好ましいが、プラズマ照射を
受ける部分に設けさえすれば効果があることは言うまで
もない。

【００４８】また、炭素を主成分とする材料としては、
アモルファスカーボンやグラファイトカーボンなどを用
いることができる。また、炭素の含有率は９５％以上が
好ましく、９９％以上がより好ましい。

【００４９】なお、本発明のプラズマ処理方法が適用で
きる金属シリサイド膜としては、例えばタングステンシ
リサイド（ＷＳｉ）、チタンシリサイド（ＴｉＳｉ）、
モリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ）などが挙げられる。

【００５０】また、上記の実施の形態１および実施の形
態２のいずれの場合も、ＥＣＲプラズマによるプラズマ
処理方法を例にとり説明したが、本発明のプラズマ処理
方法が例えば平行平板型高周波プラズマなどのＥＣＲプ
ラズマ以外にも適用できる。ただし、イオンの指向性が
高いＥＣＲプラズマにおいて、よりその効果を発揮する
ことは言うまでもない。

【００５１】

【実施例】本発明の実施例について、図面に基づき説明
する。

【００５２】（第１実施例）本発明の第１実施例につい
て説明する。図８に示すＥＣＲプラズマ処理装置を用い
て、ウエハに入射するイオンエネルギを変化させポリシ
リコン膜のフォトレジストに対する選択比（フォトレジ
スト選択比）と下地のシリコン酸化膜に対する選択比
（下地酸化膜選択比）を評価した。また、エッチング形
状の評価も併せて行った。ウエハに入射するイオンエネ
ルギの制御は、試料台の高周波電極に印加する高周波電
力を変化させることにより行った。なお、マイクロ波の
周波数は２．４５ＧＨｚ、高周波電極に印加する高周波
の周波数は１３．５６ＭＨｚとした。

【００５３】（１）塩素ガス、酸素ガスおよび炭化水素
系ガスの混合ガスを用いる場合について、フォトレジス
ト選択比と下地酸化膜選択比を評価した。エッチング条
件は以下の通りである。エッチングガスの流量は、Ｃｌ
₂：４０sccm、Ｏ₂：１０sccm、ＣＨ₄：１０sccmとし、
圧力は１mTorrとした。マイクロ波パワーは１２００Ｗ
とした。高周波パワーは、２０〜８０Ｗで変化させた
（本発明例１）。

【００５４】なお、比較例として、エッチングガスの流
量がＣｌ₂：５０sccmの場合（比較例１）とエッチング
ガスの流量がＣｌ₂：４０sccm、Ｏ₂：１０sccmの場合
（比較例２）について、同じくフォトレジスト選択比と
下地酸化膜選択比を評価した。なお、その他のエッチン
グ条件は、本発明例１の条件と同じである。

【００５５】図１は、フォトレジスト選択比と下地酸化
膜選択比の測定結果を示すグラフである。

【００５６】比較例２（Ｃｌ₂／Ｏ₂）は、比較例１（Ｃ
ｌ₂単体）にくらべて、下地酸化膜選択比は高い値が得
られているものの、フォトレジスト選択比が低くなって
いる。

【００５７】一方、本発明例１（Ｃｌ₂／Ｏ₂／ＣＨ₄）
は、比較例２（Ｃｌ₂／Ｏ₂）にくらべて、フォトレジス
ト選択比が高い値を示した。すなわち、本発明例１（Ｃ
ｌ₂／Ｏ₂／ＣＨ₄）は、下地酸化膜選択比とフォトレジ
スト選択比の双方が高い領域を有することが確認でき
た。なお、本発明例１（Ｃｌ₂／Ｏ₂／ＣＨ₄）の下地酸
化膜選択比が比較例２（Ｃｌ₂／Ｏ₂）にくらべて小さく
なっている理由は、炭素および水素の還元作用による酸
化膜エッチングレート増加のためと考えられる。

【００５８】図２は、エッチング形状を示す模式図であ
る。（ａ）は本発明例１（Ｃｌ₂／Ｏ₂／ＣＨ₄）の場
合、（ｂ）は比較例２（Ｃｌ₂／Ｏ₂）の場合、（ｃ）は
比較例１（Ｃｌ₂）の場合である。それぞれ、図１中の
＊のフォトレジスト選択比と下地酸化膜選択比の場合の
結果である。

【００５９】本発明例１（Ｃｌ₂／Ｏ₂／ＣＨ₄）の場
合、異方性の良好なエッチング形状を得ることができ
た。一方、比較例２（Ｃｌ₂／Ｏ₂）の場合、異方性の良
好なエッチング形状が得られたもののフォトレジストが
過度にエッチングされており、また比較例１（Ｃｌ₂単
体）の場合、下地酸化膜が過度にエッチングされてい
た。

【００６０】（２）塩素ガスおよび酸化炭素系ガスの混
合ガスを用いる場合について、フォトレジスト選択比と
下地酸化膜選択比を評価した。エッチングガスの流量
が、Ｃｌ₂：４０sccm、ＣＯ：１０sccm（本発明例２）
とＣｌ₂：４０sccm、ＣＯ₂：１０sccm（本発明例３）の
２つの条件で評価した。その他のエッチング条件は以下
の通りである。圧力は１mTorrとした。マイクロ波パワ
ーは１２００Ｗとした。高周波パワーは、２０〜８０Ｗ
で変化させた（本発明例１）。

【００６１】図３は、フォトレジスト選択比と下地酸化
膜選択比の測定結果を示すグラフである。なお、比較の
ため、先の比較例１および比較例２の結果を図中に示し
ている。

【００６２】本発明例２（Ｃｌ₂／ＣＯ）および本発明
例３（Ｃｌ₂／ＣＯ₂）は、比較例２（Ｃｌ₂／Ｏ₂）にく
らべて、フォトレジスト選択比が高い値を示した。すな
わち、本発明例２（Ｃｌ₂／ＣＯ）および本発明例３
（Ｃｌ₂／ＣＯ₂）は、下地酸化膜選択比とフォトレジス
ト選択比の双方が高い領域を有することが確認できた。
特に、本発明例２（Ｃｌ₂／ＣＯ）においてその効果は
顕著であった。なお、本発明例２および本発明例３の下
地酸化膜選択比が比較例２にくらべて小さくなっている
理由は、炭素の還元作用による酸化膜エッチングレート
増加のためと考えられる。

【００６３】図４は、エッチング形状を示す模式図であ
る。（ａ）は本発明例２（Ｃｌ₂／ＣＯ）の場合、
（ｂ）は本発明例３（Ｃｌ₂／ＣＯ₂）の場合である。そ
れぞれ、図３中の＊のフォトレジスト選択比と下地酸化
膜選択比の場合の結果である。

【００６４】本発明例２（Ｃｌ₂／ＣＯ）および本発明
例３（Ｃｌ₂／ＣＯ₂）のいずれの場合も、異方性の良好
なエッチング形状を得ることができた。

【００６５】以上の結果より、炭化水素や炭素のフォト
レジスト保護効果と酸素の側壁保護膜保護効果を合わせ
ることにより、異方性形状と高いフォトレジスト選択比
とを両立させることができることが確認できた。

【００６６】（第２実施例）本発明の第２実施例につい
て説明する。図７に示すＥＣＲプラズマ処理装置を用い
て、ウエハに入射するイオンエネルギを変化させポリシ
リコン膜のフォトレジストに対する選択比（フォトレジ
スト選択比）と下地のシリコン酸化膜に対する選択比
（下地酸化膜選択比）を評価した。また、エッチング形
状の評価も併せて行った。ウエハに入射するイオンエネ
ルギの制御は、第１実施例と同様に試料台に印加する高
周波電力を変化させることにより行った。なお、マイク
ロ波の周波数は２．４５ＧＨｚ、試料台に印加する高周
波の周波数は１３．５６ＭＨｚとした。

【００６７】この実施例においては、炭素を主成分とす
る材料としてアモルファスカーボン（炭素含有率：９９
％）を用いた。すなわち、防着板１６ｄおよび１６ｅを
アモルファスカーボンの薄板とした。その他の防着板１
６ａ、１６ｂおよび１６ｃは図８に示す装置と同じく石
英である。

【００６８】エッチング条件は以下の通りである。エッ
チングガスの流量は、Ｃｌ₂：４０sccm、Ｏ₂：１０sccm
とし、圧力は１mTorrとした。マイクロ波パワーは１２
００Ｗとした。高周波パワーは、２０〜８０Ｗで変化さ
せた（本発明例４）。

【００６９】図５は、フォトレジスト選択比と下地酸化
膜選択比の測定結果を示すグラフである。なお、比較の
ため、先の比較例２の結果を図中に示している。

【００７０】本発明例４は、比較例２にくらべて、フォ
トレジスト選択比が高い値を示した。すなわち、本発明
例４は、下地酸化膜選択比とフォトレジスト選択比の双
方が高い領域を有することが確認できた。なお、本発明
例４の下地酸化膜選択比が比較例２にくらべて小さくな
っている理由は、先の実施例と同様の理由のためと考え
られる。

【００７１】図６は、本発明例４のエッチング形状を示
す模式図である。図５中の＊のフォトレジスト選択比と
下地酸化膜選択比の場合の結果である。

【００７２】本発明例４の場合、異方性の良好なエッチ
ング形状を得ることができた。

【００７３】以上の結果より、炭素のフォトレジスト保
護効果と酸素の側壁保護膜保護効果を合わせることによ
り、異方性形状と高いフォトレジスト選択比とを両立さ
せることができることが確認できた。

【００７４】

【発明の効果】本発明のプラズマ処理方法およびプラズ
マ処理装置は、クリーンな塩素系プラズマの特性を損な
うことなく、異方性形状とフォトレジストに対する高選
択比を両立させることができる。その結果、従来適用が
困難であったポリシリコン膜の膜厚が厚いキャパシタ部
の電極形成プロセス等のエッチング時間の長いプロセス
や、下地が平坦化されていない、すなわち高段差上のビ
ット線形成プロセス等の長いオーバーエッチングが必要
なプロセスなどにも適用することが可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】フォトレジスト選択比と下地酸化膜選択比の測
定結果を示すグラフである。

【図２】エッチング形状を示す模式図である。

【図３】フォトレジスト選択比と下地酸化膜選択比の測
定結果を示すグラフである。

【図４】エッチング形状を示す模式図である。

【図５】フォトレジスト選択比と下地酸化膜選択比の関
係を示すグラフである。

【図６】エッチング形状を示す模式図である。

【図７】本発明のプラズマ処理装置の模式的縦断面図で
ある。

【図８】従来のプラズマ処理装置の模式的縦断面図であ
る。

【符号の説明】

１０ プラズマ生成室 １１ 反応室 １２ 導波管 １３ マイクロ波導入窓 １４ 磁場発生コイル １５ ガス導入管 １６ａ、１６ｂ、１６ｃ、１６ｄ、１６ｅ 防着板 １８ 試料台 １９ 排気口 ２１ 高周波電源 ３１ 下地酸化膜（シリコン酸化膜） ３２ ポリシリコン膜 ３３ フォトレジスト膜 Ｓ 試料（シリコンウエハ）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐々木 勝 大阪府大阪市中央区北浜４丁目５番33号住 友金属工業株式会社内 (72)発明者 柴 育成 大阪府大阪市中央区北浜４丁目５番33号住 友金属工業株式会社内

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】塩素ガス、酸素ガスおよび炭化水素系ガス
   を含む混合ガスをプラズマ化して、シリコン膜または金
   属シリサイド膜をエッチングすることを特徴とするプラ
   ズマ処理方法。
2. 【請求項２】塩素ガスおよび酸化炭素系ガスを含む混合
   ガスをプラズマ化して、シリコン膜または金属シリサイ
   ド膜をエッチングすることを特徴とするプラズマ処理方
   法。
3. 【請求項３】塩素ガスおよび酸素ガスを含む混合ガスを
   プラズマ化し、このプラズマを炭素を主成分とする固体
   材料に照射してプラズマ中に炭素を供給しつつ、このプ
   ラズマによりシリコン膜または金属シリサイド膜をエッ
   チングすることを特徴とするプラズマ処理方法。
4. 【請求項４】反応容器内に炭素を主成分とする固体材料
   が配設されていることを特徴とするプラズマ処理装置。