JPH08274142A - インライン式成膜装置 - Google Patents
インライン式成膜装置Info
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- JPH08274142A JPH08274142A JP7099648A JP9964895A JPH08274142A JP H08274142 A JPH08274142 A JP H08274142A JP 7099648 A JP7099648 A JP 7099648A JP 9964895 A JP9964895 A JP 9964895A JP H08274142 A JPH08274142 A JP H08274142A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/568—Transferring the substrates through a series of coating stations
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
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- Y10S414/00—Material or article handling
- Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
-
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- Y10S414/137—Associated with semiconductor wafer handling including means for charging or discharging wafer cassette
-
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- Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
- Y10S414/139—Associated with semiconductor wafer handling including wafer charging or discharging means for vacuum chamber
Abstract
(57)【要約】
【目的】 多くの成膜処理を経て成膜が完成するような
場合であっても、装置がいたずらに長くなることのない
ようにする。 【構成】 二枚の基板１の板面を搬送方向の側方に向け
て基板１を保持するキャリア３は、多角形状の搬送路３
０に沿って配置された複数の真空室２に搬送系によって
順次搬送され、成膜処理室を構成する真空室２に配置さ
れた処理手段４によって連続的に成膜処理が施される。
多角形状の搬送路３０の角の部分の真空室は回転室２５
１，２５２，２５３，２５４であり、ここにはキャリア
３を所定角度回転させて基板１の板面が搬送方向の側方
に向くようにする回転機構が配置されている。
場合であっても、装置がいたずらに長くなることのない
ようにする。 【構成】 二枚の基板１の板面を搬送方向の側方に向け
て基板１を保持するキャリア３は、多角形状の搬送路３
０に沿って配置された複数の真空室２に搬送系によって
順次搬送され、成膜処理室を構成する真空室２に配置さ
れた処理手段４によって連続的に成膜処理が施される。
多角形状の搬送路３０の角の部分の真空室は回転室２５
１，２５２，２５３，２５４であり、ここにはキャリア
３を所定角度回転させて基板１の板面が搬送方向の側方
に向くようにする回転機構が配置されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本願の発明は、基板の搬送路に沿
って配置された複数の真空室に基板を順次搬送して成膜
処理するインライン式成膜装置に関する。
って配置された複数の真空室に基板を順次搬送して成膜
処理するインライン式成膜装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】基板表面に薄膜を作成する成膜装置は、
各種のタイプのものが知られている。このうち、磁気デ
ィスクや光ディスク等の情報記録用の基板に対する成膜
処理などでは、基板の搬送路に沿って配置された複数の
真空室に基板を順次搬送して成膜処理するインライン式
成膜装置が多用されている。図９は、従来のインライン
式成膜装置を説明する平面概略図である。図９に示すイ
ンライン式成膜装置は、基板１の搬送路３０に沿って配
置された複数の真空室２と、搬送路３０に沿って基板１
を搬送するための不図示の搬送系と、所定の真空室２に
おいて所定の成膜処理を行うために当該真空室２に配置
された処理手段４とから主に構成されている。
各種のタイプのものが知られている。このうち、磁気デ
ィスクや光ディスク等の情報記録用の基板に対する成膜
処理などでは、基板の搬送路に沿って配置された複数の
真空室に基板を順次搬送して成膜処理するインライン式
成膜装置が多用されている。図９は、従来のインライン
式成膜装置を説明する平面概略図である。図９に示すイ
ンライン式成膜装置は、基板１の搬送路３０に沿って配
置された複数の真空室２と、搬送路３０に沿って基板１
を搬送するための不図示の搬送系と、所定の真空室２に
おいて所定の成膜処理を行うために当該真空室２に配置
された処理手段４とから主に構成されている。
【０００３】複数の真空室２は、直方体状の真空容器２
０を搬送路３０に沿って並べて設けることにより形成さ
れている。各々の真空容器２０は、搬送方向の前後の器
壁部分に基板１の通過のための開口を有し、この開口に
はそれぞれゲートバルブ２１が配設されている。また、
所定の真空容器２０の搬送方向側方の器壁部分には、処
理手段４が設けられている。この処理手段４の構成は、
成膜処理の内容によって決まる。例えばスパッタリング
によって成膜する場合には、ターゲットを有したカソー
ド機構が処理手段４として配設される。このような処理
手段４は、通常複数の真空室２に配設され、基板１に対
して複数の成膜処理を行えるよう構成されている。この
ような複数の成膜処理は、複数の薄膜を積層して形成し
たりする場合や、成膜の前に加熱やエッチング等の処理
を行ったりする場合に好適に採用される。
０を搬送路３０に沿って並べて設けることにより形成さ
れている。各々の真空容器２０は、搬送方向の前後の器
壁部分に基板１の通過のための開口を有し、この開口に
はそれぞれゲートバルブ２１が配設されている。また、
所定の真空容器２０の搬送方向側方の器壁部分には、処
理手段４が設けられている。この処理手段４の構成は、
成膜処理の内容によって決まる。例えばスパッタリング
によって成膜する場合には、ターゲットを有したカソー
ド機構が処理手段４として配設される。このような処理
手段４は、通常複数の真空室２に配設され、基板１に対
して複数の成膜処理を行えるよう構成されている。この
ような複数の成膜処理は、複数の薄膜を積層して形成し
たりする場合や、成膜の前に加熱やエッチング等の処理
を行ったりする場合に好適に採用される。
【０００４】尚、搬送路３０に沿って最も手前の真空室
２は基板搬入用の予備室として用いられ、最も後方の真
空室２は基板搬出用の予備室として用いられる。多くの
場合基板１はキャリア３に保持されて搬送され、ゲート
バルブ２１を通過しながら各真空室２に順次搬送され
る。そして各真空室２に必要に応じて配置された処理手
段４により、基板１の表面に所定の成膜処理が順次行わ
れ、これらの成膜処理を経て所定の薄膜が基板１の表面
に作成される。
２は基板搬入用の予備室として用いられ、最も後方の真
空室２は基板搬出用の予備室として用いられる。多くの
場合基板１はキャリア３に保持されて搬送され、ゲート
バルブ２１を通過しながら各真空室２に順次搬送され
る。そして各真空室２に必要に応じて配置された処理手
段４により、基板１の表面に所定の成膜処理が順次行わ
れ、これらの成膜処理を経て所定の薄膜が基板１の表面
に作成される。
【０００５】尚、上記の説明から明かな通り、本願に
「成膜処理」とは、文字通り「成膜」が行われる処理の
みならず、「成膜」の前又は後に行われる他の処理も含
んだ概念である。上記のようなインライン式成膜装置で
は、キャリア３に保持された基板１は、大気に晒される
ことなく真空中で順次成膜処理を行うことができるた
め、品質の良い薄膜を作成できる長所がある。
「成膜処理」とは、文字通り「成膜」が行われる処理の
みならず、「成膜」の前又は後に行われる他の処理も含
んだ概念である。上記のようなインライン式成膜装置で
は、キャリア３に保持された基板１は、大気に晒される
ことなく真空中で順次成膜処理を行うことができるた
め、品質の良い薄膜を作成できる長所がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような従来のインライン式成膜装置では、各真空室を搬
送路に沿って直線的に並べて配置しているため、多くの
成膜処理を経て成膜が完成するような装置では、多数の
真空室を並べなければならないため、装置がいたずらに
長くなってしまうという欠点がある。本発明は、かかる
課題を解決するためになされたものであり、多くの成膜
処理を経て成膜が完成するような場合であっても、装置
がいたずらに長くなることのないインライン式成膜装置
の提供を目的とする。
ような従来のインライン式成膜装置では、各真空室を搬
送路に沿って直線的に並べて配置しているため、多くの
成膜処理を経て成膜が完成するような装置では、多数の
真空室を並べなければならないため、装置がいたずらに
長くなってしまうという欠点がある。本発明は、かかる
課題を解決するためになされたものであり、多くの成膜
処理を経て成膜が完成するような場合であっても、装置
がいたずらに長くなることのないインライン式成膜装置
の提供を目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本願の請求項１記載の発明は、基板の板面を搬送方
向の側方に向けて基板を保持することが可能なキャリア
と、このキャリアを多角形状の搬送路に沿って周状に搬
送する搬送系と、基板に対して真空中で連続的に成膜処
理が施されるよう搬送路に沿って配置された複数の真空
室とから構成されたインライン式成膜装置であって、前
記複数の真空室は、前記多角形状の搬送路の少なくとも
二つの辺に配置された複数の成膜処理室を含み、前記搬
送系は、多角形状の搬送路の角の部分においてキャリア
を所定角度を回転させて基板の板面が搬送方向の側方に
向くようにする回転機構を複数含んでいるという構成を
有する。同様に上記目的を達成するため、請求項２記載
の発明は、上記請求項１の構成において、前記複数の真
空室は、多角形状の搬送路の角の部分に配置された回転
室を含み、回転機構は、この回転室においてキャリアを
回転させるものであるという構成を有する。同様に上記
目的を達成するため、請求項３記載の発明は、上記請求
項２の構成において、搬送系は、回転室においてキャリ
アを一時的に待機させることが可能に構成されている。
同様に上記目的を達成するため、請求項４記載の発明
は、上記請求項１，２又は３の構成において、複数の真
空室は、基板をキャリアに搭載するための仕込室と、成
膜済みの基板をキャリアから回収するための回収室とを
含んでいるという構成を有する。同様に上記目的を達成
するため、請求項５記載の発明は、上記請求項４の構成
において、仕込室と回収室とは、一つの真空室で兼用さ
れているという構成を有する。同様に上記目的を達成す
るため、請求項６記載の発明は、上記請求項１，２，
３，４又は５の構成において、多角形状の搬送路は、方
形の搬送路であるという構成を有する。同様に上記目的
を達成するため、請求項７記載の発明は、上記請求項６
の構成において、複数の成膜処理室は方形の搬送路のう
ちの三つの辺に配置されており、残りの一辺に仕込室及
び回収室が配置され、方形の搬送路の四つの角の部分に
は、キャリアを９０度回転させることが可能な回転機構
を備えた回転室がそれぞれ配置されているという構成を
有する。同様に上記目的を達成するため、請求項８記載
の発明は、上記請求項１，２，３，４，５，６及び７の
構成において、キャリアは、複数の基板を同時に保持す
るよう構成されているという構成を有する。
め、本願の請求項１記載の発明は、基板の板面を搬送方
向の側方に向けて基板を保持することが可能なキャリア
と、このキャリアを多角形状の搬送路に沿って周状に搬
送する搬送系と、基板に対して真空中で連続的に成膜処
理が施されるよう搬送路に沿って配置された複数の真空
室とから構成されたインライン式成膜装置であって、前
記複数の真空室は、前記多角形状の搬送路の少なくとも
二つの辺に配置された複数の成膜処理室を含み、前記搬
送系は、多角形状の搬送路の角の部分においてキャリア
を所定角度を回転させて基板の板面が搬送方向の側方に
向くようにする回転機構を複数含んでいるという構成を
有する。同様に上記目的を達成するため、請求項２記載
の発明は、上記請求項１の構成において、前記複数の真
空室は、多角形状の搬送路の角の部分に配置された回転
室を含み、回転機構は、この回転室においてキャリアを
回転させるものであるという構成を有する。同様に上記
目的を達成するため、請求項３記載の発明は、上記請求
項２の構成において、搬送系は、回転室においてキャリ
アを一時的に待機させることが可能に構成されている。
同様に上記目的を達成するため、請求項４記載の発明
は、上記請求項１，２又は３の構成において、複数の真
空室は、基板をキャリアに搭載するための仕込室と、成
膜済みの基板をキャリアから回収するための回収室とを
含んでいるという構成を有する。同様に上記目的を達成
するため、請求項５記載の発明は、上記請求項４の構成
において、仕込室と回収室とは、一つの真空室で兼用さ
れているという構成を有する。同様に上記目的を達成す
るため、請求項６記載の発明は、上記請求項１，２，
３，４又は５の構成において、多角形状の搬送路は、方
形の搬送路であるという構成を有する。同様に上記目的
を達成するため、請求項７記載の発明は、上記請求項６
の構成において、複数の成膜処理室は方形の搬送路のう
ちの三つの辺に配置されており、残りの一辺に仕込室及
び回収室が配置され、方形の搬送路の四つの角の部分に
は、キャリアを９０度回転させることが可能な回転機構
を備えた回転室がそれぞれ配置されているという構成を
有する。同様に上記目的を達成するため、請求項８記載
の発明は、上記請求項１，２，３，４，５，６及び７の
構成において、キャリアは、複数の基板を同時に保持す
るよう構成されているという構成を有する。
【０００８】
【実施例】以下、本願の発明の実施例を説明する。図１
は、本願の発明のインライン式成膜装置の実施例につい
て説明する平面概略図である。図１に示すインライン式
成膜装置は、基板の板面を搬送方向の側方に向けて基板
を保持することが可能なキャリア３と、このキャリア３
を多角形状の搬送路３０に沿って周状に搬送する搬送系
と、基板に対して真空中で連続的に成膜処理が施される
よう搬送路３０に沿って配置された複数の真空室２とか
ら主に構成されている。
は、本願の発明のインライン式成膜装置の実施例につい
て説明する平面概略図である。図１に示すインライン式
成膜装置は、基板の板面を搬送方向の側方に向けて基板
を保持することが可能なキャリア３と、このキャリア３
を多角形状の搬送路３０に沿って周状に搬送する搬送系
と、基板に対して真空中で連続的に成膜処理が施される
よう搬送路３０に沿って配置された複数の真空室２とか
ら主に構成されている。
【０００９】図１に示すように、本実施例の装置では、
方形の搬送路３０が設定され、図１中不図示の搬送系
は、この方形な搬送路３０に沿ってキャリア３を搬送す
るよう構成されている。そして、その方形な搬送路３０
に沿って複数の真空容器２０が並べて配置され、方形な
搬送路３０に沿って複数の真空室２が連続して設けられ
た状態となっている。各々の真空容器２０には、不図示
の排気系が設けられている。各々の排気系は、各々の真
空容器２０に独立して設けられる場合もあるし、幾つか
の真空容器２０について一つの排気系が併用される場合
もある。
方形の搬送路３０が設定され、図１中不図示の搬送系
は、この方形な搬送路３０に沿ってキャリア３を搬送す
るよう構成されている。そして、その方形な搬送路３０
に沿って複数の真空容器２０が並べて配置され、方形な
搬送路３０に沿って複数の真空室２が連続して設けられ
た状態となっている。各々の真空容器２０には、不図示
の排気系が設けられている。各々の排気系は、各々の真
空容器２０に独立して設けられる場合もあるし、幾つか
の真空容器２０について一つの排気系が併用される場合
もある。
【００１０】そして、各々の真空室２のうち、方形な搬
送路３０のうちの三つの辺の部分に配置された真空室２
が成膜処理室となっている。また、本実施例の装置で
は、方形の搬送路３０の角の部分には、キャリア３の回
転のための真空室即ち回転室２５１，２５２，２５３，
２５４が配置されている。この回転室２５１，２５２，
２５３，２５４に後述する回転機構が設けられている。
尚、各々の真空室の境界部分には、それぞれゲートバル
ブ２１が設けられており、キャリア３を通過を許容しつ
つ各々の真空室を区画して独立の真空雰囲気とすること
を可能にしている。
送路３０のうちの三つの辺の部分に配置された真空室２
が成膜処理室となっている。また、本実施例の装置で
は、方形の搬送路３０の角の部分には、キャリア３の回
転のための真空室即ち回転室２５１，２５２，２５３，
２５４が配置されている。この回転室２５１，２５２，
２５３，２５４に後述する回転機構が設けられている。
尚、各々の真空室の境界部分には、それぞれゲートバル
ブ２１が設けられており、キャリア３を通過を許容しつ
つ各々の真空室を区画して独立の真空雰囲気とすること
を可能にしている。
【００１１】次に、図２及び図３を使用して、図１の装
置に採用されたキャリア３の構成について説明する。図
２は、図１のインライン式成膜装置に採用されたキャリ
ア３及び搬送系の構成を説明する正面概略図である。図
３は、図２のキャリア３の構成をさらに詳しく説明する
ための図であり、図２のキャリア３のＡ−Ａでの平面断
面概略図になっている。本実施例におけるキャリア３
は、二枚の基板１を同時に保持可能に構成されたもので
あり、図２に示すような外観を有している。図２に示す
キャリア３は、板状の部材を図２に示すような形状にく
り貫いたような外形のキャリア本体３１と、キャリア本
体３１に固定されたフィンガ板３２，３３，３４と、キ
ャリア３の下縁に形成した基板搬送用のキャリア側磁石
３５とから主に構成されている。
置に採用されたキャリア３の構成について説明する。図
２は、図１のインライン式成膜装置に採用されたキャリ
ア３及び搬送系の構成を説明する正面概略図である。図
３は、図２のキャリア３の構成をさらに詳しく説明する
ための図であり、図２のキャリア３のＡ−Ａでの平面断
面概略図になっている。本実施例におけるキャリア３
は、二枚の基板１を同時に保持可能に構成されたもので
あり、図２に示すような外観を有している。図２に示す
キャリア３は、板状の部材を図２に示すような形状にく
り貫いたような外形のキャリア本体３１と、キャリア本
体３１に固定されたフィンガ板３２，３３，３４と、キ
ャリア３の下縁に形成した基板搬送用のキャリア側磁石
３５とから主に構成されている。
【００１２】キャリア本体３１は、板面を基板搬送方向
の側方（図２では紙面垂直方向）に向けて鉛直な姿勢で
配置されている。このキャリア本体３１は、基板１の搬
送方向に沿って二つのほぼ方形なくり貫き部分を上縁か
ら設けたような外形であり、その各々のくり貫き部分の
内縁にそれぞれ三つのフィンガ板３２，３３，３４が固
定されている。三つのフィンガ板３２，３３，３４は、
鉛直即ちキャリア３の板面に平行な姿勢で基板１を保持
するよう構成されている。一つのフィンガ板３２は、鉛
直な基板１の下縁の部分で基板１を支えるよう構成され
ており、他の二つのフィンガ板３３，３４は、基板１の
側縁の部分でかつ基板１のほぼ真ん中の高さの位置で基
板１を左右から挟み込むよう構成されている。
の側方（図２では紙面垂直方向）に向けて鉛直な姿勢で
配置されている。このキャリア本体３１は、基板１の搬
送方向に沿って二つのほぼ方形なくり貫き部分を上縁か
ら設けたような外形であり、その各々のくり貫き部分の
内縁にそれぞれ三つのフィンガ板３２，３３，３４が固
定されている。三つのフィンガ板３２，３３，３４は、
鉛直即ちキャリア３の板面に平行な姿勢で基板１を保持
するよう構成されている。一つのフィンガ板３２は、鉛
直な基板１の下縁の部分で基板１を支えるよう構成され
ており、他の二つのフィンガ板３３，３４は、基板１の
側縁の部分でかつ基板１のほぼ真ん中の高さの位置で基
板１を左右から挟み込むよう構成されている。
【００１３】図３に示すように、フィンガ板３２，３
３，３４の先端には断面Ｖ字状の溝が形成されており、
その断面Ｖ字状の溝に基板１の縁を落とし込むようにし
て基板１を保持している。図３には左右のフィンガ板３
３，３４が示されているが、下側のフィンガ板３２の先
端も同様であり、断面Ｖ字状の溝に基板１の下縁を落と
し込んでいる。上述した三つのフィンガ板３２，３３，
３４の構成は、二つのくり貫き部分に同じように設けら
れており、これによって二枚の基板１を同時に保持する
ことができるようになっている。尚、本実施例では、ハ
ードディスク用等の金属、ガラス又はシリコン等よりな
る基板１に対して成膜を行っている。そして、基板１に
接触するフィンガ板３２，３３，３４は、電気的には接
地されており、従って基板１も、金属よりなる場合、キ
ャリア３に保持された際には接地された状態となる。ま
た、本実施例の装置では基板１を後述のように３５０℃
程度まで加熱するので、キャリア３の各構成部材は、こ
の加熱温度まで充分耐えられるステンレス等の材料で構
成されている。
３，３４の先端には断面Ｖ字状の溝が形成されており、
その断面Ｖ字状の溝に基板１の縁を落とし込むようにし
て基板１を保持している。図３には左右のフィンガ板３
３，３４が示されているが、下側のフィンガ板３２の先
端も同様であり、断面Ｖ字状の溝に基板１の下縁を落と
し込んでいる。上述した三つのフィンガ板３２，３３，
３４の構成は、二つのくり貫き部分に同じように設けら
れており、これによって二枚の基板１を同時に保持する
ことができるようになっている。尚、本実施例では、ハ
ードディスク用等の金属、ガラス又はシリコン等よりな
る基板１に対して成膜を行っている。そして、基板１に
接触するフィンガ板３２，３３，３４は、電気的には接
地されており、従って基板１も、金属よりなる場合、キ
ャリア３に保持された際には接地された状態となる。ま
た、本実施例の装置では基板１を後述のように３５０℃
程度まで加熱するので、キャリア３の各構成部材は、こ
の加熱温度まで充分耐えられるステンレス等の材料で構
成されている。
【００１４】次に、図２及び図４を使用して、図１の装
置に採用された搬送系の構成について説明する。図４
は、図１の装置におけるキャリア３、搬送系及び処理手
段４の構成について説明する側面概略図である。本実施
例の搬送系の特徴は、上述のようにキャリア３に保持さ
れた基板１を、その板面が搬送方向の側方に向くように
して搬送させることである。この搬送系は、上述したキ
ャリア３に磁気的に結合する磁気結合ローラ５と、この
磁気結合ローラ５を回転させてキャリア３を移動させる
回転機構とから主に構成されている。
置に採用された搬送系の構成について説明する。図４
は、図１の装置におけるキャリア３、搬送系及び処理手
段４の構成について説明する側面概略図である。本実施
例の搬送系の特徴は、上述のようにキャリア３に保持さ
れた基板１を、その板面が搬送方向の側方に向くように
して搬送させることである。この搬送系は、上述したキ
ャリア３に磁気的に結合する磁気結合ローラ５と、この
磁気結合ローラ５を回転させてキャリア３を移動させる
回転機構とから主に構成されている。
【００１５】基板搬送に中心的な役割を果たす磁気結合
ローラ５は、図２に示すように搬送方向に沿って配置さ
れている。この磁気結合ローラ５は、円柱状又は円筒状
の部材であり、図２に示すようにその周面に螺旋状の磁
極５１，５２が形成されている。この螺旋状の磁極５
１，５２は、磁気結合ローラ５の周面に形成された螺旋
状の部分を図２に示すような小さな部分に区画しながら
それぞれ同極性に磁化することで構成されたものであ
る。そして、図２に示すように、螺旋状の磁極５１，５
２は前後にずらして二本設けられている。二本の螺旋状
の磁極５１，５２のうちの一方がＳ極５１を形成し、他
方がＮ極５２を形成している。
ローラ５は、図２に示すように搬送方向に沿って配置さ
れている。この磁気結合ローラ５は、円柱状又は円筒状
の部材であり、図２に示すようにその周面に螺旋状の磁
極５１，５２が形成されている。この螺旋状の磁極５
１，５２は、磁気結合ローラ５の周面に形成された螺旋
状の部分を図２に示すような小さな部分に区画しながら
それぞれ同極性に磁化することで構成されたものであ
る。そして、図２に示すように、螺旋状の磁極５１，５
２は前後にずらして二本設けられている。二本の螺旋状
の磁極５１，５２のうちの一方がＳ極５１を形成し、他
方がＮ極５２を形成している。
【００１６】一方、前述したようにキャリア本体３１の
下縁には、キャリア側磁石３５が設けられている。この
キャリア側磁石３５は小さな直方体状の磁石であり、搬
送方向に沿ってキャリア本体３１の下縁に所定間隔で多
数設けられている。この多数のキャリア側磁石３５は上
下面に磁極が現れるようになっているが、交互に磁極が
異なるように配置されている。各々のキャリア側磁石３
５の配置間隔は、下方の磁気結合ローラ５の二つの螺旋
状の磁極の間隔に相当している。尚、キャリア側磁石３
５と磁気結合ローラ５との間には、後述のような外カバ
ー５８が存在するが、図２では図示が省略されている。
また、キャリア側磁石３５の下縁と磁気結合ローラ５の
磁極５１，５２の上縁との間隔は、４ｍｍ程度の小さな
ものに設定されている。
下縁には、キャリア側磁石３５が設けられている。この
キャリア側磁石３５は小さな直方体状の磁石であり、搬
送方向に沿ってキャリア本体３１の下縁に所定間隔で多
数設けられている。この多数のキャリア側磁石３５は上
下面に磁極が現れるようになっているが、交互に磁極が
異なるように配置されている。各々のキャリア側磁石３
５の配置間隔は、下方の磁気結合ローラ５の二つの螺旋
状の磁極の間隔に相当している。尚、キャリア側磁石３
５と磁気結合ローラ５との間には、後述のような外カバ
ー５８が存在するが、図２では図示が省略されている。
また、キャリア側磁石３５の下縁と磁気結合ローラ５の
磁極５１，５２の上縁との間隔は、４ｍｍ程度の小さな
ものに設定されている。
【００１７】上述のような構成の磁気結合ローラ５に
は、後述する回転機構が付設されている。回転機構は、
磁気結合ローラ５の中心軸を回転軸として磁気結合ロー
ラ５を回転させるものであり、この回転によってキャリ
ア３が搬送方向に移動するよう構成されている。即ち、
上述の通り、キャリア本体３１の下縁には多数のキャリ
ア側磁石３５が配置され、それに対応するようにして磁
気結合ローラ５の周面に二つの螺旋状の磁極５１，５２
が形成されている。各々のキャリア側磁石３５は、下方
の磁気結合ローラ５の磁極に磁気的に結合している。即
ち、Ｎ極のキャリア側磁石３５は磁気結合ローラ５のＳ
極５１に結合し、Ｓ極のキャリア側磁石３５は磁気結合
ローラ５のＮ極５２に結合している。この状態で磁気結
合ローラ５が回転すると、磁気結合ローラ５の周面の磁
極５１，５２は螺旋状なので、その磁極５１，５２は回
転の方向に従って前又は後ろに動いていくような状態と
なる。上方のキャリア側磁石３５は磁気結合ローラ５の
磁極５１，５２に磁気的に結合しているので、磁気結合
ローラ５の回転に従ってキャリア３全体が前又は後ろに
移動することになる。従って、磁気結合ローラ５の回転
の方向を適宜選択することにより、キャリア３を搬送方
向に移動させて基板１を搬送することが可能となる。
は、後述する回転機構が付設されている。回転機構は、
磁気結合ローラ５の中心軸を回転軸として磁気結合ロー
ラ５を回転させるものであり、この回転によってキャリ
ア３が搬送方向に移動するよう構成されている。即ち、
上述の通り、キャリア本体３１の下縁には多数のキャリ
ア側磁石３５が配置され、それに対応するようにして磁
気結合ローラ５の周面に二つの螺旋状の磁極５１，５２
が形成されている。各々のキャリア側磁石３５は、下方
の磁気結合ローラ５の磁極に磁気的に結合している。即
ち、Ｎ極のキャリア側磁石３５は磁気結合ローラ５のＳ
極５１に結合し、Ｓ極のキャリア側磁石３５は磁気結合
ローラ５のＮ極５２に結合している。この状態で磁気結
合ローラ５が回転すると、磁気結合ローラ５の周面の磁
極５１，５２は螺旋状なので、その磁極５１，５２は回
転の方向に従って前又は後ろに動いていくような状態と
なる。上方のキャリア側磁石３５は磁気結合ローラ５の
磁極５１，５２に磁気的に結合しているので、磁気結合
ローラ５の回転に従ってキャリア３全体が前又は後ろに
移動することになる。従って、磁気結合ローラ５の回転
の方向を適宜選択することにより、キャリア３を搬送方
向に移動させて基板１を搬送することが可能となる。
【００１８】一方、上述のように搬送されるキャリア３
は、図４に示すように三つのプーリ３６，３７，３８に
支持されながら搬送されるようになっている。まず、キ
ャリア本体３１は、搬送方向に直角な鉛直面で見ると、
下側部分において板の厚さのほぼ半分程度がえぐられた
ような形状である。そして、そのえぐられた部分におい
てキャリア本体３１を下方から支持するようにして支持
プーリ３６が配置されている。この支持プーリ３６は、
水平な保持棒に保持されて水平な回転軸の周りに回転可
能となっている。キャリア本体３１のえぐられた部分の
上縁は断面逆Ｖ字状に形成されており、その逆Ｖ字状の
縁にはまり込むようにして支持プーリ３６が位置してい
る。また、キャリア本体３１の下端部分には、両側から
キャリア本体３１を挟むようにして左右一対の挟持プー
リ３７，３８が配置されている。一対の挟持プーリ３
７，３８は垂直な保持棒に保持されて垂直な回転軸の周
りに回転可能に配置されている。
は、図４に示すように三つのプーリ３６，３７，３８に
支持されながら搬送されるようになっている。まず、キ
ャリア本体３１は、搬送方向に直角な鉛直面で見ると、
下側部分において板の厚さのほぼ半分程度がえぐられた
ような形状である。そして、そのえぐられた部分におい
てキャリア本体３１を下方から支持するようにして支持
プーリ３６が配置されている。この支持プーリ３６は、
水平な保持棒に保持されて水平な回転軸の周りに回転可
能となっている。キャリア本体３１のえぐられた部分の
上縁は断面逆Ｖ字状に形成されており、その逆Ｖ字状の
縁にはまり込むようにして支持プーリ３６が位置してい
る。また、キャリア本体３１の下端部分には、両側から
キャリア本体３１を挟むようにして左右一対の挟持プー
リ３７，３８が配置されている。一対の挟持プーリ３
７，３８は垂直な保持棒に保持されて垂直な回転軸の周
りに回転可能に配置されている。
【００１９】尚、支持プーリ３６及び一対の挟持プーリ
３７，３８はいずれも従動プーリであり、キャリア本体
３１の移動に従って従動して回転する。また、これらプ
ーリ３６，３７，３８は、真空室２内の雰囲気に配置さ
れるので、塵埃等を発生させないよう、その回転機構部
に真空用ベアリングを採用している。また、キャリア本
体３１のプーリ３６，３７，３８との接触部分は、ステ
ンレス鋼に焼き入れ処理を行った構成とされており、同
様にプーリ３６，３７，３８のキャリア本体３１との接
触部分も、ステンレス鋼に焼き入れ処理を行った構成と
している。このような構成によって、摩擦等による塵埃
等の発生を抑えている。キャリア本体３１は、上述のよ
うに三つのプーリ３６，３７，３８によって支持されて
おり、この状態で前述の如く搬送される。尚、三つのプ
ーリ３６，３７，３８の組は、搬送方向に沿って所定間
隔で複数配置されており、一つのキャリア３は四組程度
のプーリ３６，３７，３８の組で支持されて搬送される
よう構成されている。
３７，３８はいずれも従動プーリであり、キャリア本体
３１の移動に従って従動して回転する。また、これらプ
ーリ３６，３７，３８は、真空室２内の雰囲気に配置さ
れるので、塵埃等を発生させないよう、その回転機構部
に真空用ベアリングを採用している。また、キャリア本
体３１のプーリ３６，３７，３８との接触部分は、ステ
ンレス鋼に焼き入れ処理を行った構成とされており、同
様にプーリ３６，３７，３８のキャリア本体３１との接
触部分も、ステンレス鋼に焼き入れ処理を行った構成と
している。このような構成によって、摩擦等による塵埃
等の発生を抑えている。キャリア本体３１は、上述のよ
うに三つのプーリ３６，３７，３８によって支持されて
おり、この状態で前述の如く搬送される。尚、三つのプ
ーリ３６，３７，３８の組は、搬送方向に沿って所定間
隔で複数配置されており、一つのキャリア３は四組程度
のプーリ３６，３７，３８の組で支持されて搬送される
よう構成されている。
【００２０】次に、図４及び図５を使用して、上記搬送
系の構成をさらに詳しく説明する。図５は、図１の装置
に採用された搬送系の構成をさらに詳しく説明するため
の平面概略図である。上述した磁気結合ローラ５は、図
５に示すように、搬送方向に沿って二つ配置されてお
り、二つの磁気結合ローラ５は連結棒５３によって連結
されている。そして、連結棒５３のほぼ中央の位置に
は、傘歯車５４が設けられている。一方、連結棒５３に
直角に交差する駆動棒５５が配置され、その駆動棒５５
の先端には連結棒５３の傘歯車５４に螺合する傘歯車５
６が設けられている。駆動棒５５は、不図示の連結機構
を介して移動用モータ５７に連結されており、移動用モ
ータ５７によって棒の中心軸を回転軸として回転するよ
う構成されている。
系の構成をさらに詳しく説明する。図５は、図１の装置
に採用された搬送系の構成をさらに詳しく説明するため
の平面概略図である。上述した磁気結合ローラ５は、図
５に示すように、搬送方向に沿って二つ配置されてお
り、二つの磁気結合ローラ５は連結棒５３によって連結
されている。そして、連結棒５３のほぼ中央の位置に
は、傘歯車５４が設けられている。一方、連結棒５３に
直角に交差する駆動棒５５が配置され、その駆動棒５５
の先端には連結棒５３の傘歯車５４に螺合する傘歯車５
６が設けられている。駆動棒５５は、不図示の連結機構
を介して移動用モータ５７に連結されており、移動用モ
ータ５７によって棒の中心軸を回転軸として回転するよ
う構成されている。
【００２１】移動用モータ５７が駆動棒５５を駆動して
回転させると、傘歯車５４，５６の螺合部分を経由して
回転駆動が伝達され、連結棒５３が回転する。これによ
って連結棒５３の両側の磁気結合ローラ５が回転し、そ
の結果、前述の通りキャリア３が移動する。また、磁気
結合ローラ５は、図４及び図５に示すように実際には円
筒状の外カバー５８の内部に配置されている。この外カ
バー５８は磁気結合ローラ５の配置空間を真空室２内の
真空雰囲気から区画するためのものである。即ち、図４
に示すように、外カバー５８は真空容器２０の器壁を貫
通して真空容器２０外にまで延びており、従って外カバ
ー５８の内部は大気圧雰囲気となっている。このように
外カバー５８を配置するのは、上述のような磁気結合ロ
ーラ５の駆動機構はギヤ結合等を含んでおり、グリース
等の塵埃を発生させる部材を使用することになるからで
ある。尚、外カバー５８は、ＳＵＳ・３０１やＳＵＳ・
３０４等のステンレス又はアルミニウム等の透磁率の高
い材料で形成され、前述したキャリア側磁石３５と磁気
結合ローラ５との磁気結合に支障が無いようにしてい
る。
回転させると、傘歯車５４，５６の螺合部分を経由して
回転駆動が伝達され、連結棒５３が回転する。これによ
って連結棒５３の両側の磁気結合ローラ５が回転し、そ
の結果、前述の通りキャリア３が移動する。また、磁気
結合ローラ５は、図４及び図５に示すように実際には円
筒状の外カバー５８の内部に配置されている。この外カ
バー５８は磁気結合ローラ５の配置空間を真空室２内の
真空雰囲気から区画するためのものである。即ち、図４
に示すように、外カバー５８は真空容器２０の器壁を貫
通して真空容器２０外にまで延びており、従って外カバ
ー５８の内部は大気圧雰囲気となっている。このように
外カバー５８を配置するのは、上述のような磁気結合ロ
ーラ５の駆動機構はギヤ結合等を含んでおり、グリース
等の塵埃を発生させる部材を使用することになるからで
ある。尚、外カバー５８は、ＳＵＳ・３０１やＳＵＳ・
３０４等のステンレス又はアルミニウム等の透磁率の高
い材料で形成され、前述したキャリア側磁石３５と磁気
結合ローラ５との磁気結合に支障が無いようにしてい
る。
【００２２】尚、上述のような二つの磁気結合ローラ５
とそれらを連結する連結棒５３、外カバー５８、駆動棒
５５、不図示の連結機構及び移動用モータ５７の組が、
図１に示す一つ一つの真空室２ごとに配置されている。
これによって、方形な搬送路３０に沿ってキャリア３を
周状に搬送することができるようになっている。上述の
通り、磁気結合ローラ５の駆動機構はすべて大気圧中に
配置されており、摩擦などを伴う部分から発生する塵埃
が真空室２内に進入しないようになっている。
とそれらを連結する連結棒５３、外カバー５８、駆動棒
５５、不図示の連結機構及び移動用モータ５７の組が、
図１に示す一つ一つの真空室２ごとに配置されている。
これによって、方形な搬送路３０に沿ってキャリア３を
周状に搬送することができるようになっている。上述の
通り、磁気結合ローラ５の駆動機構はすべて大気圧中に
配置されており、摩擦などを伴う部分から発生する塵埃
が真空室２内に進入しないようになっている。
【００２３】次に、図１の装置に採用された回転機構の
構成について説明する。図６は、図１に示す装置に採用
された回転機構の構成を説明する側面概略図である。図
６に示す回転機構は、上述した構成と同様の磁気結合ロ
ーラ５の駆動機構（以下、直線移動機構）を保持した保
持体６１と、この保持体６１を回転させて移動機構ごと
キャリア３を回転させる回転用モータ６２とから主に構
成されている。
構成について説明する。図６は、図１に示す装置に採用
された回転機構の構成を説明する側面概略図である。図
６に示す回転機構は、上述した構成と同様の磁気結合ロ
ーラ５の駆動機構（以下、直線移動機構）を保持した保
持体６１と、この保持体６１を回転させて移動機構ごと
キャリア３を回転させる回転用モータ６２とから主に構
成されている。
【００２４】まず、図１に示す回転室においても、図
２，図３及び図５に示す構成と同様な二つの磁気結合ロ
ーラ５及びそれらの連結する連結棒５３が配置されてい
る。この連結棒５３には、図５に示すのと同様に駆動棒
５５が傘歯車５４，５６を介して連結している。この駆
動棒５５の後端には、図６に示すように別の傘歯車５５
１が設けられている。この別の傘歯車５５１には、鉛直
な姿勢の動力伝達棒５９が連結されている。即ち、動力
伝達棒５９の先端には傘歯車５９１が設けられて駆動棒
５５の後端の傘歯車５５１に螺合している。動力伝達棒
５９の後端は、移動用モータ５７の出力軸が連結されて
いる。
２，図３及び図５に示す構成と同様な二つの磁気結合ロ
ーラ５及びそれらの連結する連結棒５３が配置されてい
る。この連結棒５３には、図５に示すのと同様に駆動棒
５５が傘歯車５４，５６を介して連結している。この駆
動棒５５の後端には、図６に示すように別の傘歯車５５
１が設けられている。この別の傘歯車５５１には、鉛直
な姿勢の動力伝達棒５９が連結されている。即ち、動力
伝達棒５９の先端には傘歯車５９１が設けられて駆動棒
５５の後端の傘歯車５５１に螺合している。動力伝達棒
５９の後端は、移動用モータ５７の出力軸が連結されて
いる。
【００２５】一方、回転機構を構成する保持体６１は、
円柱状又は円筒状の部材であり、その軸方向を鉛直にし
て配置されている。保持体６１は、図６に示すように、
鉛直方向に長い貫通孔を有し、この貫通孔に挿通された
状態で上記動力伝達棒５９が配置されている。貫通孔の
内面と動力伝達棒５９との間の間隙部分には、ベアリン
グ５９２が配置され、動力伝達棒５９の回転を許容しつ
つ貫通孔の部分に動力伝達棒５９を保持している。
円柱状又は円筒状の部材であり、その軸方向を鉛直にし
て配置されている。保持体６１は、図６に示すように、
鉛直方向に長い貫通孔を有し、この貫通孔に挿通された
状態で上記動力伝達棒５９が配置されている。貫通孔の
内面と動力伝達棒５９との間の間隙部分には、ベアリン
グ５９２が配置され、動力伝達棒５９の回転を許容しつ
つ貫通孔の部分に動力伝達棒５９を保持している。
【００２６】上記保持体６１は、より大きな径のほぼ円
筒状の保持体カバー６２の内側に配置されている。この
保持体カバー６２は、内側に保持体６１を収納して保持
するとともに回転機構が配置された回転室の底板部分２
２に取り付けられている。即ち、回転室の底板部分２２
には、保持体カバー６２の外径に適合する大きさの円形
の開口を有し、この開口に保持体カバー６２をはめ込ん
で固定している。保持体カバー６２と底板部分２２との
接触面にはＯリング等のシール材が設けられている。
筒状の保持体カバー６２の内側に配置されている。この
保持体カバー６２は、内側に保持体６１を収納して保持
するとともに回転機構が配置された回転室の底板部分２
２に取り付けられている。即ち、回転室の底板部分２２
には、保持体カバー６２の外径に適合する大きさの円形
の開口を有し、この開口に保持体カバー６２をはめ込ん
で固定している。保持体カバー６２と底板部分２２との
接触面にはＯリング等のシール材が設けられている。
【００２７】また、保持体カバー６２とその内側の保持
体６１との間の間隙には、上下に並べて設けた四つのベ
アリング６３と、上側の二つのベアリング６３の間に挟
み込むようにして設けたメカニカルシール６４とが設け
られている。メカニカルシール６４は、保持体６１の回
転を許容しつつ保持体６１と保持体カバー６２との間の
間隙を真空シールするためのものであり、磁性流体を使
用したシール機構等が好適に使用できる。
体６１との間の間隙には、上下に並べて設けた四つのベ
アリング６３と、上側の二つのベアリング６３の間に挟
み込むようにして設けたメカニカルシール６４とが設け
られている。メカニカルシール６４は、保持体６１の回
転を許容しつつ保持体６１と保持体カバー６２との間の
間隙を真空シールするためのものであり、磁性流体を使
用したシール機構等が好適に使用できる。
【００２８】また一方、保持体６１の下面にはプーリ取
付具６３が設けられており、このプーリ取付具６３の下
端に保持体側プーリ６４が固定されている。保持体側プ
ーリ６４は、保持体６１の中心軸と同心状に配置された
ものである。さらに、保持体側プーリ６４と同じ高さの
位置には、モータ側プーリ６５が配置されている。この
モータ側プーリ６５には、上方に突出させた回転用モー
タ６２の出力軸が連結されている。また、モータ側プー
リ６５と保持体側プーリ６４とを連結するようにして、
ベルト６６が張架されている。具体的には、保持体側プ
ーリ６４及びモータ側プーリ６５はタイミングプーリか
ら構成され、ベルトはタイミングベルトから構成されて
いる。
付具６３が設けられており、このプーリ取付具６３の下
端に保持体側プーリ６４が固定されている。保持体側プ
ーリ６４は、保持体６１の中心軸と同心状に配置された
ものである。さらに、保持体側プーリ６４と同じ高さの
位置には、モータ側プーリ６５が配置されている。この
モータ側プーリ６５には、上方に突出させた回転用モー
タ６２の出力軸が連結されている。また、モータ側プー
リ６５と保持体側プーリ６４とを連結するようにして、
ベルト６６が張架されている。具体的には、保持体側プ
ーリ６４及びモータ側プーリ６５はタイミングプーリか
ら構成され、ベルトはタイミングベルトから構成されて
いる。
【００２９】また、保持体６１の上面には、図６に示す
ような移動機構保持枠６７が固定されている。移動機構
保持枠６７は、前述したキャリア３や磁気結合ローラ５
等を全体に保持するためのものである。移動機構保持枠
６７の下側部分の先端には、図６に示すように支柱６７
１が数本配置されており、この支柱６７１によって前述
した支持プーリ３６や一対の挟持プーリ３７，３８が保
持されている。また、この移動機構保持枠６７の下側部
分の上には、磁気結合ローラ５を駆動する駆動棒５５を
収容した駆動棒カバー５５２が載置固定されている。駆
動棒５５と駆動棒カバー５５２との間の間隙には、ベア
リング５５３が数個間隔をおいて配置されている。ま
た、移動機構保持枠６７の上側部分は、駆動棒５５を覆
うようにして配置され、駆動棒５５が配置された空間を
真空容器２０内の真空雰囲気から隔絶するよう構成され
ている。また、移動機構保持枠６７の上側部分の先端
は、上記駆動棒カバー５５２の上面を覆っている。尚、
駆動棒カバー５５２の移動機構保持枠６７との間に真空
シール部６８が配置されており、移動機構保持枠６７の
内部からの真空室２内へのリークを防止している。
ような移動機構保持枠６７が固定されている。移動機構
保持枠６７は、前述したキャリア３や磁気結合ローラ５
等を全体に保持するためのものである。移動機構保持枠
６７の下側部分の先端には、図６に示すように支柱６７
１が数本配置されており、この支柱６７１によって前述
した支持プーリ３６や一対の挟持プーリ３７，３８が保
持されている。また、この移動機構保持枠６７の下側部
分の上には、磁気結合ローラ５を駆動する駆動棒５５を
収容した駆動棒カバー５５２が載置固定されている。駆
動棒５５と駆動棒カバー５５２との間の間隙には、ベア
リング５５３が数個間隔をおいて配置されている。ま
た、移動機構保持枠６７の上側部分は、駆動棒５５を覆
うようにして配置され、駆動棒５５が配置された空間を
真空容器２０内の真空雰囲気から隔絶するよう構成され
ている。また、移動機構保持枠６７の上側部分の先端
は、上記駆動棒カバー５５２の上面を覆っている。尚、
駆動棒カバー５５２の移動機構保持枠６７との間に真空
シール部６８が配置されており、移動機構保持枠６７の
内部からの真空室２内へのリークを防止している。
【００３０】このような回転室の直線移動機構及び回転
機構の動作について説明する。まず、直線移動機構は、
上述した成膜処理室の直線移動機構とほぼ同様に動作す
る。即ち、移動用モータ５７が駆動されると、動力伝達
棒５９、駆動棒５５、連結棒５３をそれぞれ介して磁気
結合ローラ５に回転駆動が伝達されて磁気結合ローラ５
が回転する。これによって、上方のキャリア３が直線移
動する。キャリア３が移動して回転室内の所定位置に達
すると、回転用モータ６２が駆動される。回転用モータ
６２の動力は、モータ側プーリ６５からベルト６６によ
って保持体側プーリ６４に伝えられ、保持体側プーリ６
４を回転させる。これによって、上方の保持体６１が回
転し、保持体６１上に保持されていた直線移動機構が全
体に回転する。この結果、キャリア３も回転する。回転
角度が９０度に達すると回転用モータ６２は駆動を停止
し、キャリア３の回転も停止する。これによって、キャ
リア３の搬送の向きが９０度曲げられる。次に、所定の
制御信号を受けた後さらに直線移動機構が駆動され、９
０度曲げられた搬送路３０に沿ってキャリア３を移動さ
せ、次の真空室２までキャリア３を搬送させる。従っ
て、曲げられた後の搬送路３０においても、基板１の板
面は搬送方向の側方に向くようになっている。
機構の動作について説明する。まず、直線移動機構は、
上述した成膜処理室の直線移動機構とほぼ同様に動作す
る。即ち、移動用モータ５７が駆動されると、動力伝達
棒５９、駆動棒５５、連結棒５３をそれぞれ介して磁気
結合ローラ５に回転駆動が伝達されて磁気結合ローラ５
が回転する。これによって、上方のキャリア３が直線移
動する。キャリア３が移動して回転室内の所定位置に達
すると、回転用モータ６２が駆動される。回転用モータ
６２の動力は、モータ側プーリ６５からベルト６６によ
って保持体側プーリ６４に伝えられ、保持体側プーリ６
４を回転させる。これによって、上方の保持体６１が回
転し、保持体６１上に保持されていた直線移動機構が全
体に回転する。この結果、キャリア３も回転する。回転
角度が９０度に達すると回転用モータ６２は駆動を停止
し、キャリア３の回転も停止する。これによって、キャ
リア３の搬送の向きが９０度曲げられる。次に、所定の
制御信号を受けた後さらに直線移動機構が駆動され、９
０度曲げられた搬送路３０に沿ってキャリア３を移動さ
せ、次の真空室２までキャリア３を搬送させる。従っ
て、曲げられた後の搬送路３０においても、基板１の板
面は搬送方向の側方に向くようになっている。
【００３１】上記構成に係る回転機構の構成において、
９０度等の所定角度の回転の制御は、回転用モータ６２
の制御によって行っても良いし、保持体６１が所定角度
回転したのを検出する不図示のセンサ機構等によって行
ってもよい。上記構成に係る回転機構の構成では、回転
のための機構がすべて大気圧中に配置されており、真空
容器２０内の真空雰囲気に露出しないようになってい
る。このため、摩擦等を伴う部分からの塵埃が真空室２
内に進入することが防止されている。
９０度等の所定角度の回転の制御は、回転用モータ６２
の制御によって行っても良いし、保持体６１が所定角度
回転したのを検出する不図示のセンサ機構等によって行
ってもよい。上記構成に係る回転機構の構成では、回転
のための機構がすべて大気圧中に配置されており、真空
容器２０内の真空雰囲気に露出しないようになってい
る。このため、摩擦等を伴う部分からの塵埃が真空室２
内に進入することが防止されている。
【００３２】次に、図４を使用して、処理手段４の構成
について説明する。処理手段４は、成膜処理室として機
能させるべき真空室２に配置されるものであり、成膜処
理の内容によってその構成が決定される。本実施例の装
置では、スパッタリングによって成膜を行っており、図
４にはマグネトロンスパッタリング用のカソード機構の
例が示されている。図４に示す処理手段４は、厚い円盤
状のカソード４１と、このカソード４１の前面に設けた
ターゲット４２と、ターゲット４２の裏側であってカソ
ード４１の内部に設けた一対の磁石４３，４４と、カソ
ード４１に所定の電位を与えるための電源４５とから主
に構成されている。
について説明する。処理手段４は、成膜処理室として機
能させるべき真空室２に配置されるものであり、成膜処
理の内容によってその構成が決定される。本実施例の装
置では、スパッタリングによって成膜を行っており、図
４にはマグネトロンスパッタリング用のカソード機構の
例が示されている。図４に示す処理手段４は、厚い円盤
状のカソード４１と、このカソード４１の前面に設けた
ターゲット４２と、ターゲット４２の裏側であってカソ
ード４１の内部に設けた一対の磁石４３，４４と、カソ
ード４１に所定の電位を与えるための電源４５とから主
に構成されている。
【００３３】ターゲット４２は、成膜する材料によって
形成された円板状の部材であり、交換可能にカソード４
１の前面に取り付けられている。本実施例の装置では、
一つの処理手段４で二枚の基板１に同時に成膜する例で
あり、従ってターゲット４２の直径は、基板１の直径の
およそ二倍程度に設定されている。一対の磁石４３，４
４は、中央に配置された円柱状の磁石４３と、その周囲
に所定の間隙を有して配置したリング状の磁石４４とか
ら構成されており、ターゲット４２側の表面の磁極が相
異なるように磁化されている。磁石の裏側には、ヨーク
４６が配置されており、中央の磁石４３と周囲の磁石４
４との間の磁路を形成するよう構成されている。
形成された円板状の部材であり、交換可能にカソード４
１の前面に取り付けられている。本実施例の装置では、
一つの処理手段４で二枚の基板１に同時に成膜する例で
あり、従ってターゲット４２の直径は、基板１の直径の
およそ二倍程度に設定されている。一対の磁石４３，４
４は、中央に配置された円柱状の磁石４３と、その周囲
に所定の間隙を有して配置したリング状の磁石４４とか
ら構成されており、ターゲット４２側の表面の磁極が相
異なるように磁化されている。磁石の裏側には、ヨーク
４６が配置されており、中央の磁石４３と周囲の磁石４
４との間の磁路を形成するよう構成されている。
【００３４】上記カソード機構においては、中央の磁石
４３と周囲の磁石４４とをつなぐようにしてアーチ状の
磁力線が設定される。一方、電源４５によってカソード
４１に所定の電位が印加され、前述の通り接地される基
板１との間に所定の電界が設定される。この電界は、上
記一対の磁石４３，４４による磁力線と直交し、この直
交電磁界によってマグネトロン放電が達成されてスパッ
タが行われる。尚、成膜処理室を形成する真空室２に
は、不図示のガス導入系が付設されて所定のガスが導入
されるようになっている。上述したカソード機構が処理
手段４として採用されている成膜処理室には、アルゴン
等の不活性ガスを導入するガス導入系が採用されてお
り、導入された不活性ガスは電離して上記マグネトロン
放電を生ずる。
４３と周囲の磁石４４とをつなぐようにしてアーチ状の
磁力線が設定される。一方、電源４５によってカソード
４１に所定の電位が印加され、前述の通り接地される基
板１との間に所定の電界が設定される。この電界は、上
記一対の磁石４３，４４による磁力線と直交し、この直
交電磁界によってマグネトロン放電が達成されてスパッ
タが行われる。尚、成膜処理室を形成する真空室２に
は、不図示のガス導入系が付設されて所定のガスが導入
されるようになっている。上述したカソード機構が処理
手段４として採用されている成膜処理室には、アルゴン
等の不活性ガスを導入するガス導入系が採用されてお
り、導入された不活性ガスは電離して上記マグネトロン
放電を生ずる。
【００３５】他の処理手段４の例としては、基板を加熱
する加熱機構、基板の表面酸化膜等を除去するためのエ
ッチングを行うエッチング機構、成膜処理中に昇温した
基板を冷却する冷却機構等が挙げられる。加熱機構とし
ては、真空雰囲気中であるため赤外線ランプのような輻
射加熱によるものが好適に採用される。エッチング機構
としては、所定のガスを導入するガス導入機構及び所定
の電圧が印加される電極機構等が処理手段４として採用
される。さらに、冷却機構は、冷媒を循環させるパイプ
が配設された冷却パネルを基板に対向させて配設し、こ
の冷却パネルと基板との間に水素等の熱伝導性の良いガ
スを流す構成等が採用し得る。
する加熱機構、基板の表面酸化膜等を除去するためのエ
ッチングを行うエッチング機構、成膜処理中に昇温した
基板を冷却する冷却機構等が挙げられる。加熱機構とし
ては、真空雰囲気中であるため赤外線ランプのような輻
射加熱によるものが好適に採用される。エッチング機構
としては、所定のガスを導入するガス導入機構及び所定
の電圧が印加される電極機構等が処理手段４として採用
される。さらに、冷却機構は、冷媒を循環させるパイプ
が配設された冷却パネルを基板に対向させて配設し、こ
の冷却パネルと基板との間に水素等の熱伝導性の良いガ
スを流す構成等が採用し得る。
【００３６】尚、処理手段４を設けた真空容器２０の器
壁部分は、図１に示したように一方の側縁を中心にして
回転して開くようになっている。この構造は処理手段４
のメンテナンス等のためのものであり、例えばカソード
機構のターゲット４２が消耗したので新品と交換する場
合等に、図１のように器壁部分を開けてメンテナンス等
の作業を行う。尚、内側に配置された処理手段４に対し
てもメンテナンスが必要であるが、外側の器壁部分を開
ければ内側の処理手段４にも手が届くような場合には、
内側の器壁部分は開閉可能とする必要はない。但し、必
要に応じて内側の器壁部分も開閉可能としてもよい。
壁部分は、図１に示したように一方の側縁を中心にして
回転して開くようになっている。この構造は処理手段４
のメンテナンス等のためのものであり、例えばカソード
機構のターゲット４２が消耗したので新品と交換する場
合等に、図１のように器壁部分を開けてメンテナンス等
の作業を行う。尚、内側に配置された処理手段４に対し
てもメンテナンスが必要であるが、外側の器壁部分を開
ければ内側の処理手段４にも手が届くような場合には、
内側の器壁部分は開閉可能とする必要はない。但し、必
要に応じて内側の器壁部分も開閉可能としてもよい。
【００３７】次に、図１の装置における仕込室２３およ
び回収室２４の構成について説明する。本実施例の装置
の特徴の一つは、上述の通りキャリア３が基板１を搬送
方向の側方に板面を向けた状態で基板１を保持すること
である。仕込室２３は、このような姿勢でキャリア３に
基板１を搭載するための真空室であり、その内部には、
真空用ロボット２３１が配置されている。
び回収室２４の構成について説明する。本実施例の装置
の特徴の一つは、上述の通りキャリア３が基板１を搬送
方向の側方に板面を向けた状態で基板１を保持すること
である。仕込室２３は、このような姿勢でキャリア３に
基板１を搭載するための真空室であり、その内部には、
真空用ロボット２３１が配置されている。
【００３８】真空用ロボット２３１は、真空中において
動作することを想定されたロボットであり、塵埃等を発
生させないクリーンな構造となっている。このような真
空用ロボット２３１としては、（株）メックス社製のＵ
ＴＶ−２０００等の市販のものを適宜選択して採用する
ことができる。本実施例の装置で成膜処理される基板１
は、ハードディスク用の基板１等のような中央に円形の
開口を有した円盤状のものであり、真空用ロボット２３
１は、そのアームの先端部分を基板１の中央の開口に挿
入してその先端部分で基板１を保持するようになってい
る。アームの先端部分の上面には、アームの幅方向に延
びる溝が形成され、その溝に基板１の中央の開口の縁を
落とし込んだ状態でアームは基板１を保持するようにな
っている。従って、真空用ロボット２３１が動作してア
ームが振られた際でも、基板１がアームの先端部分から
ずり落ちないようになっている。
動作することを想定されたロボットであり、塵埃等を発
生させないクリーンな構造となっている。このような真
空用ロボット２３１としては、（株）メックス社製のＵ
ＴＶ−２０００等の市販のものを適宜選択して採用する
ことができる。本実施例の装置で成膜処理される基板１
は、ハードディスク用の基板１等のような中央に円形の
開口を有した円盤状のものであり、真空用ロボット２３
１は、そのアームの先端部分を基板１の中央の開口に挿
入してその先端部分で基板１を保持するようになってい
る。アームの先端部分の上面には、アームの幅方向に延
びる溝が形成され、その溝に基板１の中央の開口の縁を
落とし込んだ状態でアームは基板１を保持するようにな
っている。従って、真空用ロボット２３１が動作してア
ームが振られた際でも、基板１がアームの先端部分から
ずり落ちないようになっている。
【００３９】また一方、上記のような真空用ロボット２
３１が配設された仕込室２３の外壁には、ゲートバルブ
２１を介して仕込用補助真空室２３２が設けられてい
る。この仕込用補助真空室２３２は、成膜処理すべき基
板１をオペレーターが搬入するためのものであり、オペ
レーターが位置する手前側に搬入用扉２３３を有してい
る。オペレーターは、処理すべき基板１を基板カセット
に多数収容し、搬入用扉２３３を開けて基板カセットを
仕込用補助真空室２３２内に搬入するようになってい
る。基板カセットは、通常２５枚の基板１を収納可能と
なっており、真空用ロボット２３１の動作を阻害しない
よう、垂直な姿勢の基板１の下縁を支持して収納するも
のである。尚、このような仕込用補助真空室２３２は、
仕込室２３の外壁に二つ並んで設けられている。
３１が配設された仕込室２３の外壁には、ゲートバルブ
２１を介して仕込用補助真空室２３２が設けられてい
る。この仕込用補助真空室２３２は、成膜処理すべき基
板１をオペレーターが搬入するためのものであり、オペ
レーターが位置する手前側に搬入用扉２３３を有してい
る。オペレーターは、処理すべき基板１を基板カセット
に多数収容し、搬入用扉２３３を開けて基板カセットを
仕込用補助真空室２３２内に搬入するようになってい
る。基板カセットは、通常２５枚の基板１を収納可能と
なっており、真空用ロボット２３１の動作を阻害しない
よう、垂直な姿勢の基板１の下縁を支持して収納するも
のである。尚、このような仕込用補助真空室２３２は、
仕込室２３の外壁に二つ並んで設けられている。
【００４０】基板１の仕込動作について説明すると、オ
ペレーターは、一方の仕込用補助真空室２３２の搬入用
扉２３３を開け、上述のように多数の基板１を収納した
基板カセットを仕込用補助真空室２３２に搬入する。搬
入用扉２３３を閉じると、当該仕込用補助真空室２３２
の排気系（不図示）が動作し、所定の真空圧力に達する
と仕込用補助真空室２３２と仕込室２３との境界部分の
ゲートバルブ２１が開く。次に、仕込室２３内の真空用
ロボット２３１が動作し、基板カセット内で最も先端側
に保持されていた基板１の中央の開口に真空用ロボット
２３１のアームが進入してこの基板１を保持する。そし
て、真空用ロボット２３１が所定の動きを行ってアーム
の先端部分が図２に示すキャリア３の上方位置に達す
る。この状態で真空用ロボット２３１はアームを下降さ
せるよう動作し、これによって基板１は下降し、対向す
る左右一対のフィンガ板３３，３４の間に位置に達す
る。基板１が所定位置まで下降するとアームの下降は停
止し、基板１は下側のフィンガ板３２に支持されるとと
もに左右一対のフィンガ板３３，３４により側縁を挟持
された状態となる。これにより、キャリア３への基板１
の搭載動作が完了する。
ペレーターは、一方の仕込用補助真空室２３２の搬入用
扉２３３を開け、上述のように多数の基板１を収納した
基板カセットを仕込用補助真空室２３２に搬入する。搬
入用扉２３３を閉じると、当該仕込用補助真空室２３２
の排気系（不図示）が動作し、所定の真空圧力に達する
と仕込用補助真空室２３２と仕込室２３との境界部分の
ゲートバルブ２１が開く。次に、仕込室２３内の真空用
ロボット２３１が動作し、基板カセット内で最も先端側
に保持されていた基板１の中央の開口に真空用ロボット
２３１のアームが進入してこの基板１を保持する。そし
て、真空用ロボット２３１が所定の動きを行ってアーム
の先端部分が図２に示すキャリア３の上方位置に達す
る。この状態で真空用ロボット２３１はアームを下降さ
せるよう動作し、これによって基板１は下降し、対向す
る左右一対のフィンガ板３３，３４の間に位置に達す
る。基板１が所定位置まで下降するとアームの下降は停
止し、基板１は下側のフィンガ板３２に支持されるとと
もに左右一対のフィンガ板３３，３４により側縁を挟持
された状態となる。これにより、キャリア３への基板１
の搭載動作が完了する。
【００４１】真空用ロボット２３１は、上記とほぼ同様
な動きをもう一度行う。即ち、上記基板１のすぐ後ろの
位置で基板カセット内に収納されていた基板１をアーム
が取り出し、キャリア３に設けられたもう一方の三つの
フィンガ板３２，３３，３４の組によって保持される位
置に、この基板１を移動させる。二枚めの基板１のキャ
リア３への搭載が完了すると、仕込動作が完了する。こ
のようにして二枚の基板１を保持したキャリア３は、上
述した搬送系によって搬送されるとともに上述した回転
機構によって所定場所で回転し、方形な搬送路３０に沿
って搬送されることになる。
な動きをもう一度行う。即ち、上記基板１のすぐ後ろの
位置で基板カセット内に収納されていた基板１をアーム
が取り出し、キャリア３に設けられたもう一方の三つの
フィンガ板３２，３３，３４の組によって保持される位
置に、この基板１を移動させる。二枚めの基板１のキャ
リア３への搭載が完了すると、仕込動作が完了する。こ
のようにして二枚の基板１を保持したキャリア３は、上
述した搬送系によって搬送されるとともに上述した回転
機構によって所定場所で回転し、方形な搬送路３０に沿
って搬送されることになる。
【００４２】尚、他方の仕込用補助真空室２３２は、一
方の仕込用補助真空室２３２から真空用ロボット２３１
により基板１の仕込動作を行っている間に一旦大気圧に
戻され、上述のような基板カセットの搬入動作をオペレ
ーターが行う。そして、一方の仕込用補助真空室２３２
からの仕込動作がすべて終了した後、この他方の仕込用
補助真空室２３２からの仕込動作を同様に行う。このよ
うに、二つの仕込用補助真空室２３２からの仕込動作を
交互に行うようになっている。このため、効率の良い仕
込動作が可能となっている。
方の仕込用補助真空室２３２から真空用ロボット２３１
により基板１の仕込動作を行っている間に一旦大気圧に
戻され、上述のような基板カセットの搬入動作をオペレ
ーターが行う。そして、一方の仕込用補助真空室２３２
からの仕込動作がすべて終了した後、この他方の仕込用
補助真空室２３２からの仕込動作を同様に行う。このよ
うに、二つの仕込用補助真空室２３２からの仕込動作を
交互に行うようになっている。このため、効率の良い仕
込動作が可能となっている。
【００４３】図１に示すように、仕込室２３の隣りには
回収室２４が配置されている。この回収室２４は、成膜
が済んだ基板１をキャリア３から回収するための真空室
である。この回収室２４にも、仕込室２３のものと同様
な真空用ロボット２４１が配設されている。また、回収
室２４の外壁には、回収用補助真空室２４２が同様に二
つ並んで設けられている。この回収用補助真空室２４２
には、空の基板カセットが予め配置されている。成膜処
理がすべて完了した基板１は、キャリア３に保持されな
がら搬送系によって回収室２４に搬送される。そして、
回収室２４の真空用ロボット２４１が動作して、アーム
がその先端部分を前述のように保持する。アームは垂直
に上昇しながらキャリア３の左右一対のフィンガ板３
３，３４の間から基板１を引き抜き、所定の動作を経て
基板カセットのところまで基板１を移動させる。そし
て、基板１を基板カセットに渡して支持させる。
回収室２４が配置されている。この回収室２４は、成膜
が済んだ基板１をキャリア３から回収するための真空室
である。この回収室２４にも、仕込室２３のものと同様
な真空用ロボット２４１が配設されている。また、回収
室２４の外壁には、回収用補助真空室２４２が同様に二
つ並んで設けられている。この回収用補助真空室２４２
には、空の基板カセットが予め配置されている。成膜処
理がすべて完了した基板１は、キャリア３に保持されな
がら搬送系によって回収室２４に搬送される。そして、
回収室２４の真空用ロボット２４１が動作して、アーム
がその先端部分を前述のように保持する。アームは垂直
に上昇しながらキャリア３の左右一対のフィンガ板３
３，３４の間から基板１を引き抜き、所定の動作を経て
基板カセットのところまで基板１を移動させる。そし
て、基板１を基板カセットに渡して支持させる。
【００４４】真空用ロボット２４１は、キャリア３に保
持されていたもう一方の基板１についても同様の動作を
行い、基板１を基板カセットに収容する。このようにし
て順次搬送されるキャリア３から基板１を引き抜きて基
板カセット内に収容し、所定の枚数の収容が完了する
と、回収用補助真空室２４２内を大気圧に戻してからオ
ペレーターが搬出用扉２４３を開け、内部の基板カセッ
トを搬出する。その間、真空用ロボット２３１は、もう
一方の回収用補助真空室２４２内の基板カセットに対し
て、上述した基板回収動作を繰り返す。従って、回収動
作についても、上記仕込動作と同様、回収用補助真空室
２４２を交互に使用して効率のよい動作が行えるように
なっている。尚、基板１が回収されたキャリア３は、ゲ
ートバルブ２１を通って回収室２４から仕込室２３に搬
送され、仕込室２３で再び上述の仕込動作を行う。つま
り、キャリア３は方形な搬送路に沿って無終端状に循環
し、その循環の過程で基板の受け渡しを行いながら成膜
処理が行われるようになっている。
持されていたもう一方の基板１についても同様の動作を
行い、基板１を基板カセットに収容する。このようにし
て順次搬送されるキャリア３から基板１を引き抜きて基
板カセット内に収容し、所定の枚数の収容が完了する
と、回収用補助真空室２４２内を大気圧に戻してからオ
ペレーターが搬出用扉２４３を開け、内部の基板カセッ
トを搬出する。その間、真空用ロボット２３１は、もう
一方の回収用補助真空室２４２内の基板カセットに対し
て、上述した基板回収動作を繰り返す。従って、回収動
作についても、上記仕込動作と同様、回収用補助真空室
２４２を交互に使用して効率のよい動作が行えるように
なっている。尚、基板１が回収されたキャリア３は、ゲ
ートバルブ２１を通って回収室２４から仕込室２３に搬
送され、仕込室２３で再び上述の仕込動作を行う。つま
り、キャリア３は方形な搬送路に沿って無終端状に循環
し、その循環の過程で基板の受け渡しを行いながら成膜
処理が行われるようになっている。
【００４５】次に、メンテナンス作業を考慮した本実施
例の装置の構成について、図７を使用しながら補足的に
説明する。図７は、図１に示す装置の側面外観図であ
る。図７に示すように、本実施例における真空容器２０
は殆どが架台２００の上に載っているが、少なくとも一
つの真空容器２０１は架台２００の上には配置されず、
両側の真空容器２０の間に中吊りされた状態で配置され
ている。従って、中吊りされた真空容器２０１の下には
一定のスペースがあり、ここを通り人間が内側に入れる
ようになっている。図１に示す通り、本実施例の装置は
真空容器２０の内側の器壁部分も処理手段４が取り付け
られており、メンテナンス等のためには、方形に連続し
て設けられた真空容器２０の内側に入る必要があるが、
すべての真空容器２０を架台２００上に配置してしまう
と、人間が内側に入ることが困難となる。そこで、本実
施例では、図７に示すごとく、少なくとも一つの真空容
器２０１を中吊り状態で配置し、人間が内側に入れるよ
うにしている。
例の装置の構成について、図７を使用しながら補足的に
説明する。図７は、図１に示す装置の側面外観図であ
る。図７に示すように、本実施例における真空容器２０
は殆どが架台２００の上に載っているが、少なくとも一
つの真空容器２０１は架台２００の上には配置されず、
両側の真空容器２０の間に中吊りされた状態で配置され
ている。従って、中吊りされた真空容器２０１の下には
一定のスペースがあり、ここを通り人間が内側に入れる
ようになっている。図１に示す通り、本実施例の装置は
真空容器２０の内側の器壁部分も処理手段４が取り付け
られており、メンテナンス等のためには、方形に連続し
て設けられた真空容器２０の内側に入る必要があるが、
すべての真空容器２０を架台２００上に配置してしまう
と、人間が内側に入ることが困難となる。そこで、本実
施例では、図７に示すごとく、少なくとも一つの真空容
器２０１を中吊り状態で配置し、人間が内側に入れるよ
うにしている。
【００４６】次に、図１のような装置を使用する成膜処
理の例について説明しながら、本実施例のインライン式
成膜装置の全体の動作を簡単に説明する。例えば高密度
記録用のハードディスクを作成する場合を例に取って説
明すると、エッチング、加熱、多層薄膜形成、冷却等の
処理を経て基板に対する成膜処理が完了する。
理の例について説明しながら、本実施例のインライン式
成膜装置の全体の動作を簡単に説明する。例えば高密度
記録用のハードディスクを作成する場合を例に取って説
明すると、エッチング、加熱、多層薄膜形成、冷却等の
処理を経て基板に対する成膜処理が完了する。
【００４７】まず、基板１としてはアルミ等の金属が使
用され、その表面はＮｉＰメッキ等の下地膜が形成され
ている。このような基板１は、まずエッチングを行って
下地膜の表面に存在する酸化膜や水分等を除去する。エ
ッチングは、例えば高周波によってプラズマを形成する
とともにキャリア３を介して基板１に高周波電圧を印加
して高周波スパッタを行い、この高周波スパッタによっ
てイオンを基板１の表面に衝突させる。これによって下
地膜表面の酸化膜や水分等をスパッタエッチングして除
去する。
用され、その表面はＮｉＰメッキ等の下地膜が形成され
ている。このような基板１は、まずエッチングを行って
下地膜の表面に存在する酸化膜や水分等を除去する。エ
ッチングは、例えば高周波によってプラズマを形成する
とともにキャリア３を介して基板１に高周波電圧を印加
して高周波スパッタを行い、この高周波スパッタによっ
てイオンを基板１の表面に衝突させる。これによって下
地膜表面の酸化膜や水分等をスパッタエッチングして除
去する。
【００４８】次に、基板１を３５０℃程度まで加熱す
る。加熱は、後の成膜処理において結晶成長等が良好に
行われるようにするために行うものである。このような
加熱の後、基板１の表面にまず下地としてＣｒの薄膜を
例えば７００オングストローム程度形成する。即ち、Ｃ
ｒよりなるターゲット４２を使用してスパッタリングを
行い、Ｃｒ薄膜を形成する。次に、磁気記録の主たる役
割を果たすＣｏＣｒＴａ等の薄膜を形成する。即ち、Ｃ
ｏＣｒＴａ等よりなるターゲット４２（合金または焼結
体）を使用してスパッタリングを行い、ＣｏＣｒＴａ等
の薄膜を形成する。このＣｏＣｒＴａ等の薄膜は、例え
ば３００オングストローム程度形成される。尚、ＣｏＣ
ｒＴａ等の薄膜を形成するに際し、結晶性を良くするた
め基板１にバイアス電圧を−３００Ｖ程度印加する場合
もある。
る。加熱は、後の成膜処理において結晶成長等が良好に
行われるようにするために行うものである。このような
加熱の後、基板１の表面にまず下地としてＣｒの薄膜を
例えば７００オングストローム程度形成する。即ち、Ｃ
ｒよりなるターゲット４２を使用してスパッタリングを
行い、Ｃｒ薄膜を形成する。次に、磁気記録の主たる役
割を果たすＣｏＣｒＴａ等の薄膜を形成する。即ち、Ｃ
ｏＣｒＴａ等よりなるターゲット４２（合金または焼結
体）を使用してスパッタリングを行い、ＣｏＣｒＴａ等
の薄膜を形成する。このＣｏＣｒＴａ等の薄膜は、例え
ば３００オングストローム程度形成される。尚、ＣｏＣ
ｒＴａ等の薄膜を形成するに際し、結晶性を良くするた
め基板１にバイアス電圧を−３００Ｖ程度印加する場合
もある。
【００４９】次に、基板１を一旦１５０℃程度まで冷却
する。そして、最後にカーボンの薄膜を保護膜として形
成し、これによって成膜処理が終了する。基板１を冷却
してからカーボンの成膜を行うのは、基板１の温度が低
い方がカーボン膜の緻密性が良いためである。
する。そして、最後にカーボンの薄膜を保護膜として形
成し、これによって成膜処理が終了する。基板１を冷却
してからカーボンの成膜を行うのは、基板１の温度が低
い方がカーボン膜の緻密性が良いためである。
【００５０】上記のような一連を図１の装置で行う場
合、各真空室２は例えば以下のように構成される。以下
の説明では、図１に示す方形な搬送路３０の四つの角の
部分に配置された真空室２を、搬送の順に第一回転室２
５１、第二回転室２５２、第三回転室２５３、第四回転
室２５４と呼ぶ。
合、各真空室２は例えば以下のように構成される。以下
の説明では、図１に示す方形な搬送路３０の四つの角の
部分に配置された真空室２を、搬送の順に第一回転室２
５１、第二回転室２５２、第三回転室２５３、第四回転
室２５４と呼ぶ。
【００５１】まず、第一回転室２５１と第二回転室２５
２との間の辺に配置された三つの真空室２のうちの第一
回転室２５１に隣接する真空室２が、上記エッチングを
行う第一成膜処理室となる。従って、この真空室２に配
置された処理手段４は、高周波電圧の印加機構や放電ガ
スの導入系等によって構成される。次に、第一回転室２
５１と第二回転室２５２との間の辺の真ん中に配置され
た真空室２は、上記加熱処理を行う第二成膜処理室とな
る。従って、この真空室２に配置された処理手段４は、
赤外線ランプおよびその赤外線ランプへの給電機構等に
よって構成される。そして、第一回転室２５１と第二回
転室２５２との間の辺に配置された第二回転室２５２よ
り真空室２も、同様に加熱処理を行う第三成膜処理室と
なる。つまり、第二成膜処理室に引き続いて第三成膜処
理室でも同様な加熱が行われる。
２との間の辺に配置された三つの真空室２のうちの第一
回転室２５１に隣接する真空室２が、上記エッチングを
行う第一成膜処理室となる。従って、この真空室２に配
置された処理手段４は、高周波電圧の印加機構や放電ガ
スの導入系等によって構成される。次に、第一回転室２
５１と第二回転室２５２との間の辺の真ん中に配置され
た真空室２は、上記加熱処理を行う第二成膜処理室とな
る。従って、この真空室２に配置された処理手段４は、
赤外線ランプおよびその赤外線ランプへの給電機構等に
よって構成される。そして、第一回転室２５１と第二回
転室２５２との間の辺に配置された第二回転室２５２よ
り真空室２も、同様に加熱処理を行う第三成膜処理室と
なる。つまり、第二成膜処理室に引き続いて第三成膜処
理室でも同様な加熱が行われる。
【００５２】次に、第二回転室２５２と第三回転室２５
３との間の辺に配置された二つの真空室２のうちの第二
回転室２５２より真空室２が、Ｃｒの薄膜を作成する第
四成膜処理室となる。従って、この真空室２に配置され
た処理手段４は、Ｃｒよりなるターゲット４２を使用し
たカソード機構等によって構成される。さらに、この第
三成膜処理室の隣りに配置された真空室２が、ＣｏＣｒ
Ｔａの薄膜を作成する第五成膜処理室となる。従って、
この真空室２に配置された処理手段４は、ＣｏＣｒＴａ
よりなるターゲット４２を使用したカソード機構等で構
成される。
３との間の辺に配置された二つの真空室２のうちの第二
回転室２５２より真空室２が、Ｃｒの薄膜を作成する第
四成膜処理室となる。従って、この真空室２に配置され
た処理手段４は、Ｃｒよりなるターゲット４２を使用し
たカソード機構等によって構成される。さらに、この第
三成膜処理室の隣りに配置された真空室２が、ＣｏＣｒ
Ｔａの薄膜を作成する第五成膜処理室となる。従って、
この真空室２に配置された処理手段４は、ＣｏＣｒＴａ
よりなるターゲット４２を使用したカソード機構等で構
成される。
【００５３】そして、第三回転室２５３と第四回転室２
５４との間の辺に配置された三つの真空室２のうちの第
三回転室２５３より配置された真空室２が、冷却を行う
第六成膜処理室となる。従って、この真空室２に配置さ
れた処理手段４は、冷却パネル等を備えた冷却機構によ
り構成される。最後に、第三回転室２５３と第四回転室
２５４の間の辺の真ん中に配置された真空室２が、保護
膜としてのカーボン薄膜を形成する第七成膜処理室であ
る。従って、この真空室２に配置された処理手段４は、
カーボンよりなるターゲット４２を使用したカソード機
構等で構成される。また、メタンガス及び水素ガスをア
ルゴンなどの不活性ガスに混合したガスを導入して反応
性スパッタを行い、基板１の表面上に所定のカーボン薄
膜を堆積させる場合もある。そして、第三回転室２５３
と第四回転室２５４との間に配置された真空室２のうち
の第四回転室２５４よりの真空室２も、同様にカーボン
薄膜を作成する第八成膜処理室であり、第七成膜処理室
におけるのと同様な処理手段４が配置される。
５４との間の辺に配置された三つの真空室２のうちの第
三回転室２５３より配置された真空室２が、冷却を行う
第六成膜処理室となる。従って、この真空室２に配置さ
れた処理手段４は、冷却パネル等を備えた冷却機構によ
り構成される。最後に、第三回転室２５３と第四回転室
２５４の間の辺の真ん中に配置された真空室２が、保護
膜としてのカーボン薄膜を形成する第七成膜処理室であ
る。従って、この真空室２に配置された処理手段４は、
カーボンよりなるターゲット４２を使用したカソード機
構等で構成される。また、メタンガス及び水素ガスをア
ルゴンなどの不活性ガスに混合したガスを導入して反応
性スパッタを行い、基板１の表面上に所定のカーボン薄
膜を堆積させる場合もある。そして、第三回転室２５３
と第四回転室２５４との間に配置された真空室２のうち
の第四回転室２５４よりの真空室２も、同様にカーボン
薄膜を作成する第八成膜処理室であり、第七成膜処理室
におけるのと同様な処理手段４が配置される。
【００５４】上記のように、方形な搬送路３０に沿って
配置された複数の真空室２に対し、要求される成膜処理
のステップに応じて成膜処理室の割り当てを行っている
ので、方形な搬送路３０に搬送される過程で基板１に所
望の成膜処理が連続して行われる。各真空室２での成膜
処理の際にはキャリア３の搬送は停止され、基板１が静
止した状態で処理が行われる。但し、薄膜や成膜処理の
内容によってはキャリア３を移動させながら成膜処理を
行うようにする場合もある。尚、成膜処理室における処
理時間は、各々の成膜処理室で異なる場合がある。この
ような成膜処理に要する時間の相違を調整するため、キ
ャリア３はそれぞれの真空室２又は回転室２５１，２５
２，２５３，２５４で所定時間停止する場合もある。
配置された複数の真空室２に対し、要求される成膜処理
のステップに応じて成膜処理室の割り当てを行っている
ので、方形な搬送路３０に搬送される過程で基板１に所
望の成膜処理が連続して行われる。各真空室２での成膜
処理の際にはキャリア３の搬送は停止され、基板１が静
止した状態で処理が行われる。但し、薄膜や成膜処理の
内容によってはキャリア３を移動させながら成膜処理を
行うようにする場合もある。尚、成膜処理室における処
理時間は、各々の成膜処理室で異なる場合がある。この
ような成膜処理に要する時間の相違を調整するため、キ
ャリア３はそれぞれの真空室２又は回転室２５１，２５
２，２５３，２５４で所定時間停止する場合もある。
【００５５】上述のように、本実施例の装置では、方形
の搬送路３０に沿って成膜処理室を配置して成膜処理を
行うよう構成されているので、真空室２の直線的に並べ
て配置した従来の装置に比べ、装置の長さが格段に短く
できる。特に、最近の成膜処理では成膜工程が複雑化
し、多数の成膜処理を基板１に連続して行う必要がある
が、本実施例の装置によれば、成膜処理室を多くしても
装置の長さは従来のようにいたずらに長くなることはな
い。
の搬送路３０に沿って成膜処理室を配置して成膜処理を
行うよう構成されているので、真空室２の直線的に並べ
て配置した従来の装置に比べ、装置の長さが格段に短く
できる。特に、最近の成膜処理では成膜工程が複雑化
し、多数の成膜処理を基板１に連続して行う必要がある
が、本実施例の装置によれば、成膜処理室を多くしても
装置の長さは従来のようにいたずらに長くなることはな
い。
【００５６】次に、本願発明の他の実施例について説明
する。図８は、本願発明の他の実施例の構成について説
明する平面概略図である。この実施例の装置では、三角
形状の搬送路３０が設定され、この搬送路３０に沿って
複数の真空室２がゲートバルブ２１を介して隣接して配
置されている。そして、角の部分に配置された真空室２
は、前述と同様な回転機構（図８中不図示）が配置され
た回転室になっている。尚、前述の例では、回転機構は
キャリア３を９０度回転させるものであったが、この例
では１２０度回転させる機構である。
する。図８は、本願発明の他の実施例の構成について説
明する平面概略図である。この実施例の装置では、三角
形状の搬送路３０が設定され、この搬送路３０に沿って
複数の真空室２がゲートバルブ２１を介して隣接して配
置されている。そして、角の部分に配置された真空室２
は、前述と同様な回転機構（図８中不図示）が配置され
た回転室になっている。尚、前述の例では、回転機構は
キャリア３を９０度回転させるものであったが、この例
では１２０度回転させる機構である。
【００５７】また、三角形の二つの辺に配置された真空
室２は、所定の処理手段４を配置した成膜処理室になっ
ている。この例では、二つの辺に二つずつ計四つの成膜
処理室を配置している。そして、他の一辺に配置された
二つの真空室２が、仕込室２３と回収室２４とになって
いる。仕込室２３と回収室２４には、前述と同様の仕込
用補助真空室２３２と回収用補助真空室２４２とがそれ
ぞれ隣接して配置されている。この実施例の装置では、
キャリア３が三角形状の搬送路３０に沿って搬送される
過程で所定の成膜処理が連続して施される。この装置の
動作は、前述した実施例の装置と搬送路３０の形状等が
異なるのみで、他の部分では本質的に同様である。
室２は、所定の処理手段４を配置した成膜処理室になっ
ている。この例では、二つの辺に二つずつ計四つの成膜
処理室を配置している。そして、他の一辺に配置された
二つの真空室２が、仕込室２３と回収室２４とになって
いる。仕込室２３と回収室２４には、前述と同様の仕込
用補助真空室２３２と回収用補助真空室２４２とがそれ
ぞれ隣接して配置されている。この実施例の装置では、
キャリア３が三角形状の搬送路３０に沿って搬送される
過程で所定の成膜処理が連続して施される。この装置の
動作は、前述した実施例の装置と搬送路３０の形状等が
異なるのみで、他の部分では本質的に同様である。
【００５８】このように、本願発明における「多角形状
の搬送路」は、三角形、四角形（方形）、五角形、六角
形……のように、任意の角数を設定することができる。
また、図１や図８に示された例のように正多角形の形状
でなくともよく、特定の目的のために正多角形以外の形
状を選択する場合もある。なお、図１に示すような方形
の搬送路３０を採用すると、装置全体の占有スペースの
平面形状がほぼ方形となる。既存の生産設備の多くが同
様に方形の占有スペースを有しているので、このような
装置は、既存の生産設備に交換して導入したり割り込ま
せて導入したりする際に、無駄になるスペースが少なく
できるという点で好適である。
の搬送路」は、三角形、四角形（方形）、五角形、六角
形……のように、任意の角数を設定することができる。
また、図１や図８に示された例のように正多角形の形状
でなくともよく、特定の目的のために正多角形以外の形
状を選択する場合もある。なお、図１に示すような方形
の搬送路３０を採用すると、装置全体の占有スペースの
平面形状がほぼ方形となる。既存の生産設備の多くが同
様に方形の占有スペースを有しているので、このような
装置は、既存の生産設備に交換して導入したり割り込ま
せて導入したりする際に、無駄になるスペースが少なく
できるという点で好適である。
【００５９】また、上述した実施例の装置では、二枚の
基板１を同時に保持するキャリア３を採用して二枚の基
板１を同時に処理しているので、一枚の基板の場合に比
べ生産性が倍増している。このような観点から、二枚、
三枚、四枚……の基板を同時に保持するキャリア３を採
用すれば、さらに生産性の向上が期待できる。
基板１を同時に保持するキャリア３を採用して二枚の基
板１を同時に処理しているので、一枚の基板の場合に比
べ生産性が倍増している。このような観点から、二枚、
三枚、四枚……の基板を同時に保持するキャリア３を採
用すれば、さらに生産性の向上が期待できる。
【００６０】尚、上述した各実施例では、回転機構を配
置した専用の真空室即ち回転室が設けられているが、こ
れは必須の条件ではなく、成膜処理室等に連続した空間
内に回転機構を配置してもよい。但し、搬送路３０の角
の部分の両側に成膜処理室が配置されている場合、その
角の部分に専用の回転室を形成しておくと、両側の成膜
処理室を区画して両者の雰囲気の相互汚染を防止する機
能が得られる。また、上述したように、成膜処理室と区
画された回転室を備えることによって、前後の成膜処理
室における処理時間を相違を調整するための基板静止動
作を付加することができる。
置した専用の真空室即ち回転室が設けられているが、こ
れは必須の条件ではなく、成膜処理室等に連続した空間
内に回転機構を配置してもよい。但し、搬送路３０の角
の部分の両側に成膜処理室が配置されている場合、その
角の部分に専用の回転室を形成しておくと、両側の成膜
処理室を区画して両者の雰囲気の相互汚染を防止する機
能が得られる。また、上述したように、成膜処理室と区
画された回転室を備えることによって、前後の成膜処理
室における処理時間を相違を調整するための基板静止動
作を付加することができる。
【００６１】さらに、上述した実施例では、仕込室２３
と回収室２４と別々の真空室２としたが、これを一つの
真空室２として省スペース化を図ることも可能である。
この場合、真空用ロボット２３１等の基板着脱機構を二
つ配置してもよいし、両者を兼務する一つの機構で着脱
を行うようにしてもよい。なお、仕込室２３や回収室２
４を真空室とすることによって、基板１の着脱動作が真
空中で行えることとなり、基板１の着脱の際の基板１へ
の異物の付着などの問題が防止されて良質な成膜が可能
となる。
と回収室２４と別々の真空室２としたが、これを一つの
真空室２として省スペース化を図ることも可能である。
この場合、真空用ロボット２３１等の基板着脱機構を二
つ配置してもよいし、両者を兼務する一つの機構で着脱
を行うようにしてもよい。なお、仕込室２３や回収室２
４を真空室とすることによって、基板１の着脱動作が真
空中で行えることとなり、基板１の着脱の際の基板１へ
の異物の付着などの問題が防止されて良質な成膜が可能
となる。
【００６２】また、上述した実施例では、基板１の両面
に同時に成膜処理するため、真空容器２０の外側の器壁
部分と内側の器壁部分の両方に処理手段４を設け、処理
手段４が搬送路３０を挟んで対向するように構成した
が、片方ずつに成膜処理を行う場合や基板１の片面のみ
に成膜処理を行う場合などでは、一方の側の器壁部分の
みに処理手段４を配置する場合もある。
に同時に成膜処理するため、真空容器２０の外側の器壁
部分と内側の器壁部分の両方に処理手段４を設け、処理
手段４が搬送路３０を挟んで対向するように構成した
が、片方ずつに成膜処理を行う場合や基板１の片面のみ
に成膜処理を行う場合などでは、一方の側の器壁部分の
みに処理手段４を配置する場合もある。
【００６３】尚、前述した例ではハードディスクの例が
取り上げられたが、光ディスク、光磁気ディスク等の他
の情報記録ディスク用の基板についても本願発明は実施
可能である。またＬＳＩ（大規模集積回路）用の基板や
ＬＣＤ（液晶ディスプレイ）用の基板等に対する成膜処
理についても、本願発明の装置は適用可能である。
取り上げられたが、光ディスク、光磁気ディスク等の他
の情報記録ディスク用の基板についても本願発明は実施
可能である。またＬＳＩ（大規模集積回路）用の基板や
ＬＣＤ（液晶ディスプレイ）用の基板等に対する成膜処
理についても、本願発明の装置は適用可能である。
【００６４】
【発明の効果】以上説明したように、本願の請求項１記
載のインライン式成膜装置によれば、方形の搬送路に沿
って成膜処理室を配置して成膜処理を行うよう構成され
ているので、多くの成膜処理を経て成膜が完成するよう
な場合であっても装置がいたずらに長くなることがな
い。このため、装置の占有面積が大きくならず、クリー
ンルーム等の限られたスペースに配置する際に好適な装
置となる。また、請求項２の発明によれば、上記請求項
１の効果において、回転機構が専用の回転室に配置され
ているので、前後の成膜処理室の相互汚染を防止するこ
とが可能となる。また、請求項３の発明によれば、上記
請求項２の効果において、前後の成膜処理室における処
理時間の相違を調整することが可能となり、処理時間の
相違する成膜処理を容易に行うことができる。また、請
求項４の発明によれば、上記請求項１，２又は３の効果
において、仕込室と回収室が真空室で構成されているの
で、基板の着脱動作が真空中で行えることとなり、基板
着脱の際の異物の付着などの問題が防止されて良質な成
膜が可能となる。また、請求項５の発明によれば、上記
請求項４の効果において、仕込室と回収室とが一つの真
空室で兼用されているので、真空室を少なくして省スペ
ース化を図ることが可能となる。また、請求項６又は７
の発明によれば、上記請求項１，２，３，４又は５の効
果において、方形の搬送路に沿って複数の真空容器が配
設されるので、装置全体の占有スペースの平面形状がほ
ぼ方形となり、既存の生産ラインへの導入に際し無駄に
なるスペースが少なくできるという効果が得られる。ま
た、請求項８の発明によれば、上記請求項１，２，３，
４，５，６又は７の効果において、成膜処理の効率が向
上し、生産性の点で優れた装置となる。
載のインライン式成膜装置によれば、方形の搬送路に沿
って成膜処理室を配置して成膜処理を行うよう構成され
ているので、多くの成膜処理を経て成膜が完成するよう
な場合であっても装置がいたずらに長くなることがな
い。このため、装置の占有面積が大きくならず、クリー
ンルーム等の限られたスペースに配置する際に好適な装
置となる。また、請求項２の発明によれば、上記請求項
１の効果において、回転機構が専用の回転室に配置され
ているので、前後の成膜処理室の相互汚染を防止するこ
とが可能となる。また、請求項３の発明によれば、上記
請求項２の効果において、前後の成膜処理室における処
理時間の相違を調整することが可能となり、処理時間の
相違する成膜処理を容易に行うことができる。また、請
求項４の発明によれば、上記請求項１，２又は３の効果
において、仕込室と回収室が真空室で構成されているの
で、基板の着脱動作が真空中で行えることとなり、基板
着脱の際の異物の付着などの問題が防止されて良質な成
膜が可能となる。また、請求項５の発明によれば、上記
請求項４の効果において、仕込室と回収室とが一つの真
空室で兼用されているので、真空室を少なくして省スペ
ース化を図ることが可能となる。また、請求項６又は７
の発明によれば、上記請求項１，２，３，４又は５の効
果において、方形の搬送路に沿って複数の真空容器が配
設されるので、装置全体の占有スペースの平面形状がほ
ぼ方形となり、既存の生産ラインへの導入に際し無駄に
なるスペースが少なくできるという効果が得られる。ま
た、請求項８の発明によれば、上記請求項１，２，３，
４，５，６又は７の効果において、成膜処理の効率が向
上し、生産性の点で優れた装置となる。
【図１】本願の発明のインライン式成膜装置の実施例に
ついて説明する平面概略図である。
ついて説明する平面概略図である。
【図２】図１のインライン式成膜装置に採用されたキャ
リア及び搬送系の構成を説明する正面概略図である。
リア及び搬送系の構成を説明する正面概略図である。
【図３】図２のキャリアの構成をさらに詳しく説明する
ための図であり、図２のキャリアのＡ−Ａでの平面断面
概略図になっている。
ための図であり、図２のキャリアのＡ−Ａでの平面断面
概略図になっている。
【図４】図１の装置におけるキャリア、搬送系及び処理
手段の構成について説明する側面概略図である。
手段の構成について説明する側面概略図である。
【図５】図１の装置に採用された搬送系の構成をさらに
詳しく説明するための平面概略図である。
詳しく説明するための平面概略図である。
【図６】図１の装置に採用された回転機構の構成を説明
する側面概略図である。
する側面概略図である。
【図７】図１に示す装置の側面外観図である。
【図８】本願発明の他の実施例の構成について説明する
平面概略図である。
平面概略図である。
【図９】従来のインライン式成膜装置を説明する平面概
略図である。
略図である。
１ 基板 ２ 真空室 ２３ 仕込室 ２４ 回収室 ３０ 搬送路 ３ キャリア ４ 処理手段
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成７年９月２０日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００２】
【従来の技術】基板表面に薄膜を作成する成膜装置は、
各種のタイプのものが知られている。このうち、磁気デ
ィスクや光ディスク等の情報記録用の基板に対する成膜
処理などでは、基板の搬送路に沿って配置された複数の
真空室に基板を順次搬送して成膜処理するインライン式
成膜装置が多用されている。図９は、従来のインライン
式成膜装置を説明する平面概略図である。図９に示すイ
ンライン式成膜装置は、基板の搬送路３０に沿って配置
された複数の真空室２と、搬送路３０に沿って基板を搬
送するための不図示の搬送系と、所定の真空室２におい
て所定の成膜処理を行うために当該真空室２に配置され
た処理手段４とから主に構成されている。
各種のタイプのものが知られている。このうち、磁気デ
ィスクや光ディスク等の情報記録用の基板に対する成膜
処理などでは、基板の搬送路に沿って配置された複数の
真空室に基板を順次搬送して成膜処理するインライン式
成膜装置が多用されている。図９は、従来のインライン
式成膜装置を説明する平面概略図である。図９に示すイ
ンライン式成膜装置は、基板の搬送路３０に沿って配置
された複数の真空室２と、搬送路３０に沿って基板を搬
送するための不図示の搬送系と、所定の真空室２におい
て所定の成膜処理を行うために当該真空室２に配置され
た処理手段４とから主に構成されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００３】複数の真空室２は、直方体状の真空容器２
０を搬送路３０に沿って並べて設けることにより形成さ
れている。各々の真空容器２０は、搬送方向の前後の器
壁部分に基板の通過のための開口を有し、この開口には
それぞれゲートバルブ２１が配設されている。また、所
定の真空容器２０の搬送方向側方の器壁部分には、処理
手段４が設けられている。この処理手段４の構成は、成
膜処理の内容によって決まる。例えばスパッタリングに
よって成膜する場合には、ターゲットを有したカソード
機構が処理手段４として配設される。このような処理手
段４は、通常複数の真空室２に配設され、基板に対して
複数の成膜処理を行えるよう構成されている。このよう
な複数の成膜処理は、複数の薄膜を積層して形成したり
する場合や、成膜の前に加熱やエッチング等の処理を行
ったりする場合に好適に採用される。
０を搬送路３０に沿って並べて設けることにより形成さ
れている。各々の真空容器２０は、搬送方向の前後の器
壁部分に基板の通過のための開口を有し、この開口には
それぞれゲートバルブ２１が配設されている。また、所
定の真空容器２０の搬送方向側方の器壁部分には、処理
手段４が設けられている。この処理手段４の構成は、成
膜処理の内容によって決まる。例えばスパッタリングに
よって成膜する場合には、ターゲットを有したカソード
機構が処理手段４として配設される。このような処理手
段４は、通常複数の真空室２に配設され、基板に対して
複数の成膜処理を行えるよう構成されている。このよう
な複数の成膜処理は、複数の薄膜を積層して形成したり
する場合や、成膜の前に加熱やエッチング等の処理を行
ったりする場合に好適に採用される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００４】尚、搬送路３０に沿って最も手前の真空室
２は基板搬入用の予備室として用いられ、最も後方の真
空室２は基板搬出用の予備室として用いられる。多くの
場合基板はキャリア３に保持されて搬送され、ゲートバ
ルブ２１を通過しながら各真空室２に順次搬送される。
そして各真空室２に必要に応じて配置された処理手段４
により、基板の表面に所定の成膜処理が順次行われ、こ
れらの成膜処理を経て所定の薄膜が基板の表面に作成さ
れる。
２は基板搬入用の予備室として用いられ、最も後方の真
空室２は基板搬出用の予備室として用いられる。多くの
場合基板はキャリア３に保持されて搬送され、ゲートバ
ルブ２１を通過しながら各真空室２に順次搬送される。
そして各真空室２に必要に応じて配置された処理手段４
により、基板の表面に所定の成膜処理が順次行われ、こ
れらの成膜処理を経て所定の薄膜が基板の表面に作成さ
れる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００５】尚、上記の説明から明かな通り、本願にお
ける「成膜処理」とは、文字通り「成膜」が行われる処
理のみならず、「成膜」の前又は後に行われる他の処理
も含んだ概念である。上記のようなインライン式成膜装
置では、キャリア３に保持された基板は、大気に晒され
ることなく真空中で順次成膜処理を行うことができるた
め、品質の良い薄膜を作成できる長所がある。
ける「成膜処理」とは、文字通り「成膜」が行われる処
理のみならず、「成膜」の前又は後に行われる他の処理
も含んだ概念である。上記のようなインライン式成膜装
置では、キャリア３に保持された基板は、大気に晒され
ることなく真空中で順次成膜処理を行うことができるた
め、品質の良い薄膜を作成できる長所がある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００５１】まず、第一回転室２５１と第二回転室２５
２との間の辺に配置された三つの真空室２のうちの第一
回転室２５１に隣接する真空室２が、上記エッチングを
行う第一成膜処理室となる。従って、この真空室２に配
置された処理手段４は、高周波電圧の印加機構や放電ガ
スの導入系等によって構成される。次に、第一回転室２
５１と第二回転室２５２との間の辺の真ん中に配置され
た真空室２は、上記加熱処理を行う第二成膜処理室とな
る。従って、この真空室２に配置された処理手段４は、
赤外線ランプおよびその赤外線ランプへの給電機構等に
よって構成される。そして、第一回転室２５１と第二回
転室２５２との間の辺に配置された第二回転室２５２よ
りの真空室２も、同様に加熱処理を行う第三成膜処理室
となる。つまり、第二成膜処理室に引き続いて第三成膜
処理室でも同様な加熱が行われる。
２との間の辺に配置された三つの真空室２のうちの第一
回転室２５１に隣接する真空室２が、上記エッチングを
行う第一成膜処理室となる。従って、この真空室２に配
置された処理手段４は、高周波電圧の印加機構や放電ガ
スの導入系等によって構成される。次に、第一回転室２
５１と第二回転室２５２との間の辺の真ん中に配置され
た真空室２は、上記加熱処理を行う第二成膜処理室とな
る。従って、この真空室２に配置された処理手段４は、
赤外線ランプおよびその赤外線ランプへの給電機構等に
よって構成される。そして、第一回転室２５１と第二回
転室２５２との間の辺に配置された第二回転室２５２よ
りの真空室２も、同様に加熱処理を行う第三成膜処理室
となる。つまり、第二成膜処理室に引き続いて第三成膜
処理室でも同様な加熱が行われる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００５２】次に、第二回転室２５２と第三回転室２５
３との間の辺に配置された二つの真空室２のうちの第二
回転室２５２よりの真空室２が、Ｃｒの薄膜を作成する
第四成膜処理室となる。従って、この真空室２に配置さ
れた処理手段４は、Ｃｒよりなるターゲット４２を使用
したカソード機構等によって構成される。さらに、この
第三成膜処理室の隣りに配置された真空室２が、ＣｏＣ
ｒＴａの薄膜を作成する第五成膜処理室となる。従っ
て、この真空室２に配置された処理手段４は、ＣｏＣｒ
Ｔａよりなるターゲット４２を使用したカソード機構等
で構成される。
３との間の辺に配置された二つの真空室２のうちの第二
回転室２５２よりの真空室２が、Ｃｒの薄膜を作成する
第四成膜処理室となる。従って、この真空室２に配置さ
れた処理手段４は、Ｃｒよりなるターゲット４２を使用
したカソード機構等によって構成される。さらに、この
第三成膜処理室の隣りに配置された真空室２が、ＣｏＣ
ｒＴａの薄膜を作成する第五成膜処理室となる。従っ
て、この真空室２に配置された処理手段４は、ＣｏＣｒ
Ｔａよりなるターゲット４２を使用したカソード機構等
で構成される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００５３】そして、第三回転室２５３と第四回転室２
５４との間の辺に配置された三つの真空室２のうちの第
三回転室２５３よりの配置された真空室２が、冷却を行
う第六成膜処理室となる。従って、この真空室２に配置
された処理手段４は、冷却パネル等を備えた冷却機構に
より構成される。最後に、第三回転室２５３と第四回転
室２５４の間の辺の真ん中に配置された真空室２が、保
護膜としてのカーボン薄膜を形成する第七成膜処理室で
ある。従って、この真空室２に配置された処理手段４
は、カーボンよりなるターゲット４２を使用したカソー
ド機構等で構成される。また、メタンガス及び水素ガス
をアルゴンなどの不活性ガスに混合したガスを導入して
反応性スパッタを行い、基板１の表面上に所定のカーボ
ン薄膜を堆積させる場合もある。そして、第三回転室２
５３と第四回転室２５４との間に配置された真空室２の
うちの第四回転室２５４よりの真空室２も、同様にカー
ボン薄膜を作成する第八成膜処理室であり、第七成膜処
理室におけるのと同様な処理手段４が配置される。
５４との間の辺に配置された三つの真空室２のうちの第
三回転室２５３よりの配置された真空室２が、冷却を行
う第六成膜処理室となる。従って、この真空室２に配置
された処理手段４は、冷却パネル等を備えた冷却機構に
より構成される。最後に、第三回転室２５３と第四回転
室２５４の間の辺の真ん中に配置された真空室２が、保
護膜としてのカーボン薄膜を形成する第七成膜処理室で
ある。従って、この真空室２に配置された処理手段４
は、カーボンよりなるターゲット４２を使用したカソー
ド機構等で構成される。また、メタンガス及び水素ガス
をアルゴンなどの不活性ガスに混合したガスを導入して
反応性スパッタを行い、基板１の表面上に所定のカーボ
ン薄膜を堆積させる場合もある。そして、第三回転室２
５３と第四回転室２５４との間に配置された真空室２の
うちの第四回転室２５４よりの真空室２も、同様にカー
ボン薄膜を作成する第八成膜処理室であり、第七成膜処
理室におけるのと同様な処理手段４が配置される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【図３】
【図７】
【図１】
【図２】
【図４】
【図６】
【図５】
【図８】
【図９】
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ１１Ｂ 7/26 ５３１ 8721−5Ｄ Ｇ１１Ｂ 7/26 ５３１ Ｈ０１Ｌ 21/203 Ｈ０１Ｌ 21/203 Ｚ
Claims (8)
- 【請求項１】 基板の板面を搬送方向の側方に向けて基
板を保持することが可能なキャリアと、このキャリアを
多角形状の搬送路に沿って周状に搬送する搬送系と、基
板に対して真空中で連続的に成膜処理が施されるよう搬
送路に沿って配置された複数の真空室とから構成された
インライン式成膜装置であって、 前記複数の真空室は、前記多角形状の搬送路の少なくと
も二つの辺に配置された複数の成膜処理室を含み、前記
搬送系は、多角形状の搬送路の角の部分においてキャリ
アを所定角度を回転させて基板の板面が搬送方向の側方
に向くようにする回転機構を複数含んでいることを特徴
とするインライン式成膜装置。 - 【請求項２】 前記複数の真空室は、多角形状の搬送路
の角の部分に配置された回転室を含み、前記回転機構
は、この回転室においてキャリアを回転させるものであ
ることを特徴とする請求項１に記載のインライン式成膜
装置。 - 【請求項３】 前記搬送系は、前記回転室においてキャ
リアを一時的に待機させることが可能に構成されている
ことを特徴とする請求項２に記載のインライン式成膜装
置。 - 【請求項４】 前記複数の真空室は、基板をキャリアに
搭載するための仕込室と、成膜済みの基板をキャリアか
ら回収するための回収室とを含んでいることを特徴とす
る請求項１，２又は３に記載のインライン式成膜装置。 - 【請求項５】 前記仕込室と前記回収室とは、一つの真
空室で兼用されていることを特徴とする請求項４に記載
のインライン式成膜装置。 - 【請求項６】 前記多角形状の搬送路は、方形の搬送路
であることを特徴とする請求項１，２，３，４又は５に
記載のインライン式成膜装置。 - 【請求項７】 前記複数の成膜処理室は前記方形の搬送
路のうちの三つの辺に配置されており、残りの一辺に仕
込室及び回収室が配置され、方形の搬送路の四つの角の
部分には、キャリアを９０度回転させることが可能な前
記回転機構を備えた回転室がそれぞれ配置されているこ
とを特徴とする請求項６に記載のインライン式成膜装
置。 - 【請求項８】 前記キャリアは、複数の基板を同時に保
持するよう構成されていることを特徴とする請求項１，
２，３，４，５，６及び７に記載のインライン式成膜装
置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09964895A JP3732250B2 (ja) | 1995-03-30 | 1995-03-30 | インライン式成膜装置 |
| TW084113505A TW311105B (ja) | 1995-03-30 | 1995-12-18 | |
| US08/606,038 US5846328A (en) | 1995-03-30 | 1996-02-22 | In-line film deposition system |
| KR1019960008513A KR100221259B1 (ko) | 1995-03-30 | 1996-03-27 | 인라인식 성막장치 |
| US08/957,767 US6027618A (en) | 1995-03-30 | 1997-10-24 | Compact in-line film deposition system |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09964895A JP3732250B2 (ja) | 1995-03-30 | 1995-03-30 | インライン式成膜装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08274142A true JPH08274142A (ja) | 1996-10-18 |
| JP3732250B2 JP3732250B2 (ja) | 2006-01-05 |
Family
ID=14252882
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09964895A Expired - Lifetime JP3732250B2 (ja) | 1995-03-30 | 1995-03-30 | インライン式成膜装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5846328A (ja) |
| JP (1) | JP3732250B2 (ja) |
| KR (1) | KR100221259B1 (ja) |
| TW (1) | TW311105B (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US6213704B1 (en) | 1998-05-20 | 2001-04-10 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Method and apparatus for substrate transfer and processing |
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| US6298685B1 (en) | 1999-11-03 | 2001-10-09 | Applied Materials, Inc. | Consecutive deposition system |
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| JPWO2005055314A1 (ja) * | 2003-12-01 | 2007-06-28 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置 |
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