CN112458425A - 应用于狭窄空间的三室镀膜机 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种应用于狭窄空间的三室镀膜机,应用于狭窄空间的三室镀膜机包括第一流转平台、第一处理室、镀膜室、第二处理室、第二流转平台、连接平台以及多个承载架,所述镀膜室的两侧分别与所述第一处理室和所述第二处理室连通,所述第一处理室远离所述镀膜室的一侧与所述第一流转平台连通,所述第二处理室远离所述镀膜室的一侧与所述第二流转平台连通,所述连接平台的一端与所述第一流转平台相连通,所述连接平台的另一端与所述第二流转平台相连通,以使所述第一流转平台、连接平台以及第二流转平台呈U型,所述承载架用于承载工件在所述镀膜机内流转。本发明提供了一种适用于狭窄空间使用的三室镀膜机。

Description

应用于狭窄空间的三室镀膜机
技术领域
本发明涉及真空镀膜领域,尤其涉及一种应用于狭窄空间的三室镀膜机。
背景技术
真空镀膜是目前较为前沿的镀膜技术,而真空镀膜中的磁控溅射镀膜法采用通过通电阳极放出电子,并使电子在电场的加速作用下与真空腔内的气体分子碰撞,从而使气体分子电离,而电离的气体分子又在电场的作用下轰击阴极上的金属粒子,使金属粒子电离溅射,并使得电离出来的金属离子沉积于工件表面形成薄膜,其中为了使电子能够更加高效的与气体分子进行碰撞,从而提高气体分子电离率,采用在阴极内部装入磁铁形成磁控阴极,因此电子在电场及磁场的共同作用下,将会在真空腔内形成螺旋式轨迹来增加电子与气体分子的碰撞概率。然而现有的镀膜机普遍尺寸较大,而在厂房面积较小时,会导致镀膜机的上下料不便,而影响工件的流转。
发明内容
本发明的主要目的是提供一种应用于狭窄空间的三室镀膜机,旨在提高在狭窄空间处的镀膜机的工件流转效率。
为实现上述目的,本发明提出的一种应用于狭窄空间的三室镀膜机包括第一流转平台、第一处理室、镀膜室、第二处理室、第二流转平台、连接平台以及多个承载架,所述镀膜室的两侧分别与所述第一处理室和所述第二处理室连通,所述第一处理室远离所述镀膜室的一侧与所述第一流转平台连通,所述第二处理室远离所述镀膜室的一侧与所述第二流转平台连通,所述连接平台的一端与所述第一流转平台相连通,所述连接平台的另一端与所述第二流转平台相连通,以使所述第一流转平台、连接平台以及第二流转平台呈U型,所述承载架用于承载工件在所述镀膜机内流转。
在一实施例中,所述连接平台包括第一对接架、第二对接架以及多个移动棍,所述第一对接架和所述第二对接架平行且间隔设置,所述移动棍的两端分别与所述第一对接架和所述第二对接架的相面对的两内壁抵靠,多个所述移动棍沿所述第一对接架的延伸方向均匀间隔布置。
在一实施例中,所述镀膜室内设置有夹持组件,所述夹持组件用于夹持位于所述镀膜室内的承载架。
在一实施例中,所述夹持组件包括设置于所述镀膜室顶壁的第一抵靠柱、设置于所述镀膜室底壁的第二抵靠柱以及第一驱动电机,所述第一驱动电机与所述第一抵靠柱和所述第二抵靠柱相连接,所述第一驱动电机用于驱动所述第一抵靠柱和所述第二抵靠柱沿相互远离或相互靠近的方向移动,以夹持或松开位于所述镀膜室内的承载架。
在一实施例中,所述镀膜室呈圆形,所述第一抵靠柱和所述第二抵靠柱分设在所述镀膜室的顶壁和底壁的轴心处。
在一实施例中,所述夹持组件还包括第二驱动电机,所述第二驱动电机与所述第一抵靠柱和/或所述第二抵靠柱连接,以驱动所述第一抵靠柱和/或所述第二抵靠柱饶其自身轴线旋转而带动所述承载架旋转。
在一实施例中,所述第一流转平台包括第一工位和第二工位,所述第二流转平台包括第三工位和第四工位,所述第一工位和所述第一处理室相连通,所述第三工位与所述第二处理室相连通,所述第二工位和所述第四工位相对应,所述第一工位和所述第三工位相对应。
在一实施例中,沿所述镀膜室的外圆周间隔设置有多个溅射阴极。
在一实施例中,所述第一处理室和所述第二处理室外部均设置有处理装置,所述处理装置为蒸发器、离子源清洗器以及所述溅射阴极中的任一种。
在一实施例中,所述应用于狭窄空间的三室镀膜机还包括真空抽取机,所述真空抽取机与所述镀膜室的内腔连通以抽取所述镀膜室的内腔内的气体。
本发明的技术方案中,通过将第一流转平台和第二流转平台通过连接平台对接,使得在该镀膜机进行使用时,可通过只在第一流转平台处进行上下料,其中部分承载架承载工件直接在第一流转平台处进入第一处理室后流入镀膜室进行镀膜,剩余部分承载架在第一流转平台处承载工件后可通过连接平台流入第二流转平台上并依次进入第二处理室和镀膜室,因而可以在第二流转平台处因场地或设备干涉时,依然可以实现镀膜室两侧间隔上下料,因此可在壁面场地或设备干涉时保证工件能够高效流转,从而提高工件的镀膜效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
图1为本发明实施例的应用于狭窄空间的三室镀膜机的结构示意图;
图2为本发明实施例的应用于狭窄空间的三室镀膜机的侧视图。
附图标号说明:10、第一流转平台;11、第一工位;12、第二工位;20、第一处理室;30、镀膜室;40、第二处理室;50、第二流转平台;51、第三工位;52、第四工位;60、连接平台;61、第一对接架;62、第二对接架;63、移动辊;70、承载架;80、夹持组件;81、第一抵靠柱;82、第二抵靠柱;83、第一驱动电机;84、第二驱动电机;90、溅射阴极。
本发明目的的实现、功能特点及优点将结合实施例,参照附图做进一步说明。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
需要说明,本发明实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等,如果该特定姿态发生改变时,则该方向性指示也相应地随之改变。
另外,在本发明中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中,“多个”的含义是至少两个,例如两个,三个等,除非另有明确具体的限定。
并且,本发明各个实施例之间的技术方案可以相互结合,但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础,当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在,也不在本发明要求的保护范围之内。
本发明提供一种应用于狭窄空间的三室镀膜机。
如图1-2所示,本发明实施例提供的应用于狭窄空间的三室镀膜机包括第一流转平台10、第一处理室20、镀膜室30、第二处理室40、第二流转平台50、连接平台60以及多个承载架70,所述镀膜室30的两侧分别与所述第一处理室20和所述第二处理室40连通,所述第一处理室20远离所述镀膜室30的一侧与所述第一流转平台10连通,所述第二处理室40远离所述镀膜室30的一侧与所述第二流转平台50连通,所述连接平台60的一端与所述第一流转平台10相连通,所述连接平台60的另一端与所述第二流转平台50相连通,以使所述第一流转平台10、连接平台60以及第二流转平台50呈U型,所述承载架70用于承载工件在所述镀膜机内流转。
在本实施例中,通过将第一流转平台10和第二流转平台50通过连接平台60对接,使得在该镀膜机进行使用时,可通过只在第一流转平台10处进行上下料,其中部分承载架70承载工件直接在第一流转平台10处进入第一处理室20后流入镀膜室30进行镀膜,剩余部分承载架70在第一流转平台10处承载工件后可通过连接平台60流入第二流转平台50上并依次进入第二处理室40和镀膜室30,因而可以在第二流转平台50处因场地或设备干涉时,依然可以实现镀膜室30两侧间隔上下料,因此可在壁面场地或设备干涉时保证工件能够高效流转,从而提高工件的镀膜效率。
例如,以图1为例,当场地较小或镀膜机周边设备存在干涉时,该镀膜机的左侧、右侧以及上侧只需要有一侧能够正常上下料即可实现三室镀膜机的正常运转,因而不仅能够有效保证镀膜机的工作效率,还可以避免因场地或设备对镀膜机产生干涉。
进一步地,所述连接平台60包括第一对接架61、第二对接架62以及多个移动棍,所述第一对接架61和所述第二对接架62平行且间隔设置,所述移动棍的两端分别与所述第一对接架61和所述第二对接架62的相面对的两内壁抵靠,多个所述移动棍沿所述第一对接架61的延伸方向均匀间隔布置。在本实施例中,承载架70在移动辊63上沿第一对接架61的延伸方向滑动从而达到将第一流转平台10和第二流转平台50对接的目的。
另外,在一实施例中,所述镀膜室30内设置有夹持组件80,所述夹持组件80用于夹持位于所述镀膜室30内的承载架70,在本实施例中,通过夹持组件80可以将位于镀膜室30内的承载架70进行夹持。
具体地,所述夹持组件80包括设置于所述镀膜室30顶壁的第一抵靠柱81、设置于所述镀膜室30底壁的第二抵靠柱82以及第一驱动电机83,所述第一驱动电机83与所述第一抵靠柱81和所述第二抵靠柱82相连接,所述第一驱动电机83用于驱动所述第一抵靠柱81和所述第二抵靠柱82沿相互远离或相互靠近的方向移动,以夹持或松开位于所述镀膜室30内的承载架70。当承载架70进入镀膜室30后,承载架70位于第一抵靠柱81和第二抵靠住之间,随后第一驱动电机83驱动第一抵靠柱81和第二抵靠柱82沿相互靠近的方向运动,从而通过第一抵靠柱81和第二抵靠柱82对承载架70的上下两侧进行固定,并且由于所述夹持组件80还包括第二驱动电机84,所述第二驱动电机84与所述第一抵靠柱81和/或所述第二抵靠柱82连接,以驱动所述第一抵靠柱81和/或所述第二抵靠柱82饶其自身轴线旋转而带动所述承载架70旋转,从而在第一抵靠柱81和第二抵靠柱82与承载架70连接时,保证承载架70能够进行旋转以实现镀膜。
其中,所述镀膜室30呈圆形,所述第一抵靠柱81和所述第二抵靠柱82分设在所述镀膜室30的顶壁和底壁的轴心处,因此在本实施例中,位于轴心处的第一抵靠柱81和第二抵靠柱82能够更为稳固地对承载架70进行举升。
请再次参考图1,所述第一流转平台10包括第一工位11和第二工位12,所述第二流转平台50包括第三工位51和第四工位52,所述第一工位11和所述第一处理室20相连通,所述第三工位51与所述第二处理室40相连通,所述第二工位12和所述第四工位52相对应,所述第一工位11和所述第三工位51相对应。在本实施例中,通过在第一流转平台10和第二流转平台50上对应设置第一工位11、第二工位12、第三工位51以及第四工位52,而在只能通过第一工位11和第二工位12进行上下料时,可在第二工位12处上料然后通过连接平台60流转至第三工位51,能够分别通过第一工位11和第三工位51将工件输入至第一处理室20或第二处理室40内,或从第一处理室20和第二处理室40内接受镀膜完成的工件。
另外,沿所述镀膜室30的外圆周间隔设置有多个溅射阴极90,因而可以根据工件的不同,对溅射阴极90110的数量进行增加或减少。
当工件需要进行前处理才可镀膜时,处理装置可为蒸发器或者离子源清洗器,而当工件不需要前处理,直接可镀膜时,可选择关闭蒸发装置直接流转至镀膜室30内进行镀膜,也可选择将处理装置设置为溅射阴极90,使工件可直接在第一处理室20或第二处理室40内进行镀膜,进而提升该镀膜机的兼容性,当然在第一处理室20或第二处理室40用于镀膜时,也可在第一处理室20或第二处理室40内增设夹持组件80以对承载架70进行举升和旋转。
可以理解的是,在上述实施例中,镀膜机还包括真空抽取机,所述真空抽取机与所述镀膜室30的内腔连通以抽取所述镀膜室30的内腔内的气体。在本实施例中,通过真空抽取系统可对应抽取第一处理室20、第二处理室40以及镀膜室30内的气体,使第一处理室20、第二处理室40以及镀膜室30的内腔能够形成真空环境。
以上所述仅为本发明的优选实施例,并非因此限制本发明的专利范围,凡是在本发明的构思下,利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构变换,或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (10)

1.一种应用于狭窄空间的三室镀膜机,其特征在于,所述应用于狭窄空间的三室镀膜机包括第一流转平台、第一处理室、镀膜室、第二处理室、第二流转平台、连接平台以及多个承载架,所述镀膜室的两侧分别与所述第一处理室和所述第二处理室连通,所述第一处理室远离所述镀膜室的一侧与所述第一流转平台连通,所述第二处理室远离所述镀膜室的一侧与所述第二流转平台连通,所述连接平台的一端与所述第一流转平台相连通,所述连接平台的另一端与所述第二流转平台相连通,以使所述第一流转平台、连接平台以及第二流转平台呈U型,所述承载架用于承载工件在所述镀膜机内流转。
2.根据权利要求1所述的应用于狭窄空间的三室镀膜机,其特征在于,所述连接平台包括第一对接架、第二对接架以及多个移动棍,所述第一对接架和所述第二对接架平行且间隔设置,所述移动棍的两端分别与所述第一对接架和所述第二对接架的相面对的两内壁抵靠,多个所述移动棍沿所述第一对接架的延伸方向均匀间隔布置。
3.根据权利要求2所述的应用于狭窄空间的三室镀膜机,其特征在于,所述镀膜室内设置有夹持组件,所述夹持组件用于夹持位于所述镀膜室内的承载架。
4.根据权利要求3所述的应用于狭窄空间的三室镀膜机,其特征在于,所述夹持组件包括设置于所述镀膜室顶壁的第一抵靠柱、设置于所述镀膜室底壁的第二抵靠柱以及第一驱动电机,所述第一驱动电机与所述第一抵靠柱和所述第二抵靠柱相连接,所述第一驱动电机用于驱动所述第一抵靠柱和所述第二抵靠柱沿相互远离或相互靠近的方向移动,以夹持或松开位于所述镀膜室内的承载架。
5.根据权利要求4所述的应用于狭窄空间的三室镀膜机,其特征在于,所述镀膜室呈圆形,所述第一抵靠柱和所述第二抵靠柱分设在所述镀膜室的顶壁和底壁的轴心处。
6.根据权利要求5所述的应用于狭窄空间的三室镀膜机,其特征在于,所述夹持组件还包括第二驱动电机,所述第二驱动电机与所述第一抵靠柱和/或所述第二抵靠柱连接,以驱动所述第一抵靠柱和/或所述第二抵靠柱饶其自身轴线旋转而带动所述承载架旋转。
7.根据权利要求6所述的应用于狭窄空间的三室镀膜机,其特征在于,所述第一流转平台包括第一工位和第二工位,所述第二流转平台包括第三工位和第四工位,所述第一工位和所述第一处理室相连通,所述第三工位与所述第二处理室相连通,所述第二工位和所述第四工位相对应,所述第一工位和所述第三工位相对应。
8.根据权利要求7所述的应用于狭窄空间的三室镀膜机,其特征在于,沿所述镀膜室的外圆周间隔设置有多个溅射阴极。
9.根据权利要求8所述的应用于狭窄空间的三室镀膜机,其特征在于,所述第一处理室和所述第二处理室外部均设置有处理装置,所述处理装置为蒸发器、离子源清洗器以及所述溅射阴极中的任一种。
10.根据权利要求1-9中任一项所述的应用于狭窄空间的三室镀膜机,其特征在于,所述应用于狭窄空间的三室镀膜机还包括真空抽取机,所述真空抽取机与所述镀膜室的内腔连通以抽取所述镀膜室的内腔内的气体。
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Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5474410A (en) * 1993-03-14 1995-12-12 Tel-Varian Limited Multi-chamber system provided with carrier units
DE19606463A1 (de) * 1995-02-28 1996-08-29 Hitachi Ltd Mehrkammer-Kathodenzerstäubungsvorrichtung
JPH08274142A (ja) * 1995-03-30 1996-10-18 Anelva Corp インライン式成膜装置
WO1997028290A1 (en) * 1996-01-31 1997-08-07 Optical Coating Laboratory, Inc. Multi-chamber continuous sputter coating system
CN203270025U (zh) * 2012-12-25 2013-11-06 黄玉春 真空镀膜机
CN108588669A (zh) * 2018-05-15 2018-09-28 佛山市南海区晶鼎泰机械设备有限公司 一种连体镀膜机生产线
US20190252165A1 (en) * 2018-02-13 2019-08-15 Tokyo Electron Limited Film forming system and method for forming film on substrate
CN209493624U (zh) * 2018-12-06 2019-10-15 北京华业阳光新能源有限公司 双室三工位多靶共溅磁控溅射镀膜设备
CN111286705A (zh) * 2018-12-06 2020-06-16 北京华业阳光新能源有限公司 双室三工位多靶共溅磁控溅射镀膜设备

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5474410A (en) * 1993-03-14 1995-12-12 Tel-Varian Limited Multi-chamber system provided with carrier units
DE19606463A1 (de) * 1995-02-28 1996-08-29 Hitachi Ltd Mehrkammer-Kathodenzerstäubungsvorrichtung
JPH08274142A (ja) * 1995-03-30 1996-10-18 Anelva Corp インライン式成膜装置
WO1997028290A1 (en) * 1996-01-31 1997-08-07 Optical Coating Laboratory, Inc. Multi-chamber continuous sputter coating system
CN203270025U (zh) * 2012-12-25 2013-11-06 黄玉春 真空镀膜机
US20190252165A1 (en) * 2018-02-13 2019-08-15 Tokyo Electron Limited Film forming system and method for forming film on substrate
CN108588669A (zh) * 2018-05-15 2018-09-28 佛山市南海区晶鼎泰机械设备有限公司 一种连体镀膜机生产线
CN209493624U (zh) * 2018-12-06 2019-10-15 北京华业阳光新能源有限公司 双室三工位多靶共溅磁控溅射镀膜设备
CN111286705A (zh) * 2018-12-06 2020-06-16 北京华业阳光新能源有限公司 双室三工位多靶共溅磁控溅射镀膜设备

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