TW311105B - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
TW311105B
TW311105B TW084113505A TW84113505A TW311105B TW 311105 B TW311105 B TW 311105B TW 084113505 A TW084113505 A TW 084113505A TW 84113505 A TW84113505 A TW 84113505A TW 311105 B TW311105 B TW 311105B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
film
carrier
chamber
vacuum
Prior art date
Application number
TW084113505A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Aneruba Kk
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Aneruba Kk filed Critical Aneruba Kk
Application granted granted Critical
Publication of TW311105B publication Critical patent/TW311105B/zh

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/568Transferring the substrates through a series of coating stations
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00Material or article handling
    • Y10S414/135Associated with semiconductor wafer handling
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00Material or article handling
    • Y10S414/135Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/137Associated with semiconductor wafer handling including means for charging or discharging wafer cassette
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00Material or article handling
    • Y10S414/135Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/139Associated with semiconductor wafer handling including wafer charging or discharging means for vacuum chamber

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
  • Tunnel Furnaces (AREA)
  • Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)

Description

311105 a7 B7 五、發明説明(1 ) [產業上之利用領域] 本發明係關於將基板依次運送至沿著基板之搬運路而配 置之複數個真空室而成膜處理之單排式(直列式)成膜裝置 (in-line type film deposition system)者 ° [先前之技術] 從來,係使用沿著寅線之運送路而配置複數個真空室之 單排式(直列式)成膜裝置做為大量生產用成膜裝置。 圖9為先前之單排式成膜裝置之平面概略圖。圖9中所示 之單排式成膜裝置係由沿著基板1之搬運路30而配置之複 數個真空室2,及沿著搬運路30而搬運基板1用之未圖示之 搬運系統所成。為實行成膜處理(film deposition processing),在真空室2内配置處理裝置4。 沿著直線之搬運路30有排列複數個長方形體狀之真空容 器20之真空室2。各真空容器20,係在搬蓮方向之前後之 壁部分設有使基板1通過用之開口。該開口分別設有閘閥 (gate valve)21° 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 又,所定之真空容器20之搬運方向側方之壁上,設有處 理裝置4。該處理裝置4,係用唄濺塗覆法(s p u t t e r ί n g )成 膜時,設具有IE (target)之陰極機構(cathode mechanism) 。該處理裝置4通常配設在複數之真空室2内,對基板1實 行複數之成膜處理。該種複數之成膜處理係適合於形成由 複數之層所成之曼層膜,及基板加熱及基板清潔 (substrate cleaning)等之成膜之事先處理。 沿著搬運路3 0之最前面之真空室2僑當做基板搬入用之 本紙張尺度適用中國國家標隼(CNS ) A4規格(210X297公釐) -4 - 311105 A7 B7 五、發明説明(2 ) 預備室使用ό最後面之真空室2係當做基板搬出用之預備 室而使用。 基板1為由載體3保持而通過閜閥2 1依順序在各真空室2 内搬送。然後,由配置在各真空室2之處理裝置4,在基板 1之表面依I賴序實行所定之成膜處理。 本案之「成朥處理」之概念為,不僅是實行「成膜」之 處理,而更包括「成膜」之前或之後所實行之其他處理者。 上述之單排式成膜裝置,僑當基板1移行至下一真空室 時不會瞜露在空氣中,因此,有可製造品質良好之薄膜之 優點。 [發明所欲解決之問題] 然而,如上述之先前之單排式成膜裝置,係將各真空室 排列在£線上,因此有裝置成為太畏之缺點。因此,裝置 之地板佔有面積成為過大。再者,先前之單排式成膜裝置 ,係基板搬入用之預備室與基板搬出用之預備室相離太遠 。因此,無法在裝置之一個部位實行基板之搬入及搬出作 業。 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 本發明係為解決該問題所成,其S的在於提供一種可在 一個部位實行箍板之搬人及搬出作業之小型(compact)之 單排式成膜裝置者。 [解決問題之手段] 為達成上述Η的,本發明之單排式成膜裝置為,載置埜 板的載體移動之搬運路為呈環狀線(loop line)。沿著環 狀線之該搬蓮路,有排列複數個真空室。沿著搬運路排列 5 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家榡準(CNS ) A4規格(210X297公釐) A7 B7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印裝 五、發明説明 ( 3 ) 之 真 空 室 當 中 9 有 處 理 基 板 之 真 空 室 〇 再 者 9 位 於 該 搬 運 路 之 轉 角 之 真 空 室 内 , 有 配 置 改 變 載 體 方 向 之 迴 轉 機 構 〇 又 t 搬 入 基 板 之 真 空 室 與 搬 出 基 板 之 真 空 室 為 鄰 接 〇 迴 鍵 機 構 係 由 保 持 包 含 與 該 載 體 磁 性 結 合 之 磁 性 結 合 輥 子 之 驅 動 機 構 之 保 持 體 9 及 迴 轉 該 保 持 體 之 馬 達 所 構 成 〇 載 體 係 將 基 板 m 置 成 為 基 板 之 板 面 對 搬 蓮 方 向 成 平 行 〇 再 者 9 載 體 為 至 少 載 置 2枚之基板 ,載體係由磁性結合載 體 之 磁 性 結 合 輥 子 > 及 回 轉 該 磁 性 結 合 輥 子 之 回 轉 機 構 所 成 之 搬 送 系 統 使 之 移 動 Ο 處 理 基 板 之 真 空 室 内 配 置 處 理 裝 置 成 為 對 向 於 所 搬 運 之 基 板 之 板 面 Ο 再 者 處 理 基 板 之 真 空 室 内 將 搬 運 路 位 於 中 間 對 向 而 配 置 兩 個 處 理 裝 置 〇 處 理 裝 置 為 實 行 噴 濺 塗 覆 法 触 刻 法 (e t C hi n g ) 基板之加熱或基板之冷卻等。 搬 入 基 板 之 真 空 室 與 搬 出 基 板 之 真 空 室 内 分 別 配 置 有 真 空 用 搬 運 機 器 人 (r 〇 b 〇 t )C 又 用- -個真空室實行基板 之 搬 入 與 搬 出 亦 可 〇 在 沿 著 搬 運 路 而 排 列 之 真 'Ϊ 室 當 中 在 真 空 室 下 方 形 成 有 能 使 作 業 員 通 過 之 空 間 之 真 空 室 〇 本 發 明 之 單 排 式 成 膜 裝 置 之 搬 運 路 係 Μ 四 角 形 為 最 適 合。 [實施例] Η 本 發 明 之 實 施 例 說 明 如 下 〇 圖 1 ( a ) 為 本 發 明 之 單 排 式 成 膜 裝 置 之 平 面 概 略 圖 0 圖 1(b) 為 該 單 排 式 成 膜 裝 置 之 外 觀 圖 〇 在 圖 1 ( a ) 9 (b)戸/ Ϊ示 之 單 排 式 成 膜 裝 置 主 要 沿 著 搬 運 路 30所 配 置 之 複 數 個 真 空 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 五、發明説明(4 室2,及將載體3沿著四角形之搬蓮路3 0搬運之搬運系統所 構成。載體3僑保持基板成為使基板1之板面平行於搬送方 向。因此,基板1為,其板面横向而在搬運路30上搬運之。 如圖1(a),(b)所示,搬運路30為四角形之環狀線(loop 1 ine)。沿著該搬運路30排列14個之真空容器20。圖.1 (a) ,(b)中未圖示之搬送系統為沿著該搬運路30而搬蓮載體3 除了真空室201以外之各真空容器20,獨立而設有未圖 示之排氣糸統。在各真空室2當中,配置在四角形搬運路 3 0當中之三個邊之部分之W空室2為處理室(p r 〇 c e s s chamber)。又,在本寊施例之裝置中,四角形之搬送路3 0 之轉角部分,有配置回轉室2 5 1,2 5 2,2 5 3,2 5 4。為改變 載體3之進行方向,該回轉室2 5 1,2 5 2,2 5 3,2 5 4設有後 述之回轉機構。 在各真空室之境界,分別設有閘閥2 1。當閘閥2 1開放時 ,載體3為通過各真空室内。閛閥2 1關閉之後,剌分各真 空室成為獨立之真空氛圃氣。 其次,根據圖2及圖3,就閫1 ( a ),( b )之裝置所採用之 載體3之構成說明如下。圖2為圖1(a),(b)之單排式成膜 裝置所採用之載體3及搬運系統之正面概略圖。圖3為載體 3之線A-A之平面剖面概略圖。 本實施例中之載體3同時保持兩枚之基板1。圖2所示之 載體3為由板狀之載體本體3 1所成。保持基板1之部分係挖 穿成為如圖2所示之形狀。在挖穿部分之內緣部有配置固 定基板用之撥號盤32,33,34,35。載體本體31之下邊緣 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4現格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝i 訂 7
A7 B7_ 五、發明説明(5) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 有配置基板搬送用之載體側磁鐵39。載體本體31為向平行 於(圖2中為紙面垂直方向)基板搬運方向成垂直之姿勢配 置。 4個撥號盤3 2,3 3,3 4,3 5為,保持基板1成為平行於載 體3之板面。撥號盤32,35為在垂直之基板1之下邊緣支持 基板1。其他兩個撥號盤33,34為在基板1之略中間之高度 位置,從左右夾緊基板1。 如圖3所示*在撥號盤32,33,34,35之先端形成有其 剖面呈V字形之溝部。基板1之邊緣部嵌入於該剖面V字形 狀之溝部藉Μ保持基板1。與基板1接觸之撥號盤32,33, 34,35電性接地。因此,若基板1為金羼製造時,基板1亦 載置於戧體3之際接地。又,如後述將基板加熱至約350¾ ,因此,載體3之各構成構件為由可充分耐該溫度之材料 ,例如用不锈鋼等所製成。
其次,使用圖2及圖4就搬運系統說明如下。圖4為載體3 ,搬運系統及處理裝置4之側面槪略圖。 經濟部中央梯準局貝工消費合作社印製 本實施例搬運系統之特徵為,將基板1Μ其板面對搬運 方向成平行而搬運者。換言之,基板1之板面沿著搬運方 向而横向移動。該搬運系統僑由與載體3磁性結合之磁性 έ合輥子5,及回轉該磁性結合輥5回轉而移動載體3之固 轉機構所成。 磁性结合輥子5為沿著搬運方向配置如圖2所示。該磁性 結合輥5,係在其周面形成有螺旋狀之磁掻51,52之圓柱如 圖2所示,該螺旋狀之磁極51,52為如圖2所示之螺旋部分之 83.3.10,000 本紙張尺度適用中園國家標隼(CNS)A4現格U10X297公缝)-8,修正If A7 B7 五、發明説明(6 ) 小區域分別磁化成為同極性而形成。如圖2所示,兩條螺 旋狀之磁極5 1,5 2係分別為S極及N極。 如画2所示,戦體側磁鐵3 9為矩形體之小磁鐵。載體側 磁鐵3 9,與磁極5 1,5 2 Μ同樣間隔設在載體本體3 1之下邊 緣部。載體側磁锁3 9係設置成為其磁極出現在對向於磁極 5 1或5 2之下面。載體側磁鐵3 9係配置於載體本體3 1之下邊 緣部成為其下面之磁極為交互地相異。載體側磁鐵39與磁 性結合輥5之間,有存在如後述之外蓋體5 8,但圖2中省略 其圖示。又,載體側磁鐵3 9之下邊緣部與磁性結合輥子5 之磁極5 1,5 2之上邊緣部之間隔係設定成為約4 m m。 具有上述構成之磁性結合輥子5為有附設如後述之回轉 機構。Μ磁性結合輥子5之中心軸為回轉蚰而使磁性結合 輥子5回轉。回轉機構為,依該冋轉而將載體3向搬蓮方向 移動。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 磁性結合輥子5回轉時,其磁極5 1,5 2之螺紋為回轉而 移動如冏螺桿之螺紋。載體側磁鏹3 9 ί系與磁性結合輥子5 之磁極5 1,5 2磁性結合,因此,磁性结合輥子5之回轉而 使載體3全體向前或向後移動。因此•藉磁性結合輥子5之 回轉,向搬運方向搬運Μ $$體3所保持之基板1。 載體3為如圖4所示,由三個滑輪(ρ u 1 1 y ) 3 6,3 7,3 8支 持而移動。 首先,載體本體3 1為從搬送方向所視時,在下側部分板 厚之略一半為挖空。然後,在該挖空部分配置從下方支持 載體本體3 1之滑輪3 6。該滑輪3 6為由軌條3 6 1保持,同時 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210X 297公釐) 9 經濟部中央標準局貝工消費合作杜印製 A7 B7 五、發明説明(*7 ) 向箭號3 6 2之方向回轉。在載體本體31之挖空部分與滑輪 3 6接觸之表面係形成為其剖面圼倒V字狀。滑輪3 6嵌入於 該倒V字狀之邊緣。 又,載體本體31之下端部,配置左右一對之夾持滑輪37 ,38成為從兩側夾持載體本體31。一對之夾持滑輪37,38 為,由軌條(r a ί 1 ) 3 7 1,3 8】所保持而向箭號3 7 2,3 8 2之方 向回轉。 又,滑輪3 6,3 7及3 8均為從動滑輪。該等滑輪為追随載 體本體3 1之移動而回轉。該等滑輪:? 6,3 7,3 8之回轉機構 部為真空用軸承,Κ遛免在|考室2內發生塵埃。又,載 體本體3 1中與滑輪3 6,3 7,3 8接觸部分為對不銹鋼實行淬 火處理Μ避免在該接觸部分因磨耗而發生塵埃。載體3為 由四組之滑輪3 6,3 7,3 8之組合所支持。 其次,使用國4及阃5更詳細說明上述搬蓮系統如下。圖 5為搬運系統之平面概略圖。 上述之磁性結合輥子5為沿著搬運方向配置兩個如_ 5所 示。兩個磁性結合輥子5為由連結棒5 3所連結。連結棒5 3 之略中央位置,設有維形齒輪5 4。另一方面,對連結棒5 3 垂直交叉地配置驅動棒5 5。設驅動棒5 5之先端設有哨合連 结棒53之維形齒輪54之維形齒輪5t。驅動棒55為由移動用 馬達5 7,Μ驅動棒5 5之中心軸為回轉軸而回轉。 移動用馬達5 7回轉驅動棒5 5,經維形齒輪5 4,5 6之嗜合 部分而傳達回轉驅動,使連結棒5 3冋轉。由於該回轉驅動 而回轉連結棒5 3兩側之磁性結合輥子5,其結果•載體3移 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) _ ί Λ - I-----^---^—!' 袭------ir------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 311105 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 A7 B7五、發明説明(8 ) 動如前述。 又,磁性結合輥子5為配置在圓筒狀之外部蓋體5 8如圖4 及圖5所示。該外部蓋體5 8為將磁性結合輥子5隔開真空室 2内之真空氛圍氣。即,如圖4所示,外部蓋體5 8係貫穿真 空容器20之壁而延伸至真空容器20外面,因此,外部蓋體 5 8之内部為空氣壓氛圃氣。如此配置外部蓋體5 8之理由, 係lii W防止磁性結合棍子5之齒輪喃合(g e a r e n g a g e m e n t ) 所發生之潤滑油等之麋埃污染真空室2 0内者。外部蓋體5 8 係由透磁率較高之材料,例如S I丨S 3 0 1或S U S 3 0 4等之不衫 鋼或鋁所構成Μ遊免妨害載體側磁鐵3 9與磁性結合輥子5 之磁性結合。 在圖1 U ),( b )所示之每一與空室2,配置有兩個磁性結 合輥子5及連結該等之迆結榨53,外部蓋體58,驅動棒55 ,未圖示之連結機構及移動用禺達5 7之組合。在真空室2 内之該等配置為在各真空室中及各輿空室間移動載體3。. 其次,就設置於回轉室之回轉機構說明如下。 圖6為回轉機構之側面概略圖。圖6所示之回轉機構像由 保持磁性結合輥子5之驅動機構(Μ下簡稱為直線移動機構 )之保持體G 1 *及用Μ回轉該保持體6 1而按每一直線移動 機構回轉載體3之回轉用馬達6 2 1所構成。 / 於圖1 U ),( b )所示之回轉室中·有配置兩個磁性結合 輥子5及該等所速結之連結榨5 3。如同圖5所示,有驅動棒 5 5藉維形齒輪5 4,5 6而連結於該連結棒5 3。該驅動棒5 5之 後端設有另一個雒形齒輪5 5 1如圖G所示。設在垂直姿勢之 -Π - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ---I--I L--^ 、裝-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -a
A A7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明 ( 9 ) 1 i I 動 力 傳 達 棒 59先 端 之 維 形 齒 輪 5 9 1喃合於該另- -個維形齒 1 1 1 輪 5f 1 。有移動, 有馬達5 7之輸出軸連結於該動力傳達棒5 9 1 I 之 後 端 〇 請 先 1 1 閲 1 另 一 方 面 9 保 持 體 6 1 係 其 軸 方 向 垂 直 而 配 置 之圓 柱 。保 讀 1 面 I 持 體 6 1 為 如 圖 6所示 具有垂直方Γ Ϊ1之貫穿孔 ,有動力傳 之 注 1 1 達 棒 50 插 通 於 該 貫 穿 孔 〇 貫 穿 孔 之 内 面 與 動 力 傳達 棒 59間 意 事 ! I 再 1 I. 之 間 隙 部 分 有 配 置 軸 承 592 0軸承(b e a r i η g ) 5 9 2為容許動 填 傳 寫 本 袈 力 達 棒 5S 之 回 轉 9 同 時 保 持 動 力 傳 達 棒 59於 貫穿 孔 内。 頁 1 上 述 保 持 體 6 1 為 配 置 在 其 徑 較 其 為 大 之 保 持 體蓋 62 内0 1 1 收 容 保 持 體 6 1 之 保 持 體 蓋 62 係 安 裝 在 回 轉 室 之 底壁 22 。回 1 1 轉 室 之 底 壁 22具 有 其 大 小 適 合 於 保 持 體 蓋 62外 徑之 圓 形開 1 訂 1 I P 將 保 持 體 蓋 6 2 嵌 合 於 該 開 P 而 固 定 之 〇 保 持體 蓋 62與 底 壁 22之 接 觸 面 設 有 例 如 密 封 圈 等 之 密 封 構 件 (seal i n g 1 1 | me mb e r ) 、 1 1 又 1 保 持 體 蓋 62及 其 内 側 之 保 持 體 6 1 間 之 間 隙, 設 有四 1 個 軸 承 63 及 夾 在 其 上 侧 兩 個 軸 承 63間 之 機 械 密封 ( 1 I mech a η ί c a 1 S e a 1 ) 64 〇 機 械 密 封 64 係 容 許 保 持 體61 之 回轉 1 | 9 同 時 真 空 密 封 保 持 體 6 1 與 保 持 體 Μ 62間 之 間 隙。 機 械密 1 1 封 64 係 使 用 磁 性 流 體 之 密 封 機 構 〇 1 1 又 i 另 一 方 面 * 在 保 持 體 6 1 之 下 面 設 有 滑 輪 安裝 具 90 〇 1 1 在 該 滑 輪 安 裝 具 90 之 下 端 有 固 定 滑 m 9 1 〇 滑 輪 9 1係 配 置成 1 I 為 與 保 持 體 6 1 之 中 心 軸 同 心 狀 〇 再 者 9 在 與 滑 輪9 1 同 樣高 1 1 1 度 位 置 有 配 置 滑 旱冊 65 〇 有 回 轉 用 馬 達 62 1之輸出軸連結於 1 1 該 滑 輪 65 〇 有 皮 m 66 m 掛 於 滑 輪 65與 滑 単冊 9 1 0 具體 而 言, 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(2丨0X297公釐) _ ι 2 - A7 B7 五、發明説明(l〇 ) 滑輪91與滑輪65為同步滑輪(timing pull y)_,帶66為同步 皮帶(timing belt)。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 又,保持體6 1之上面,固定有如圖6所示之移動機構保 持框6 7。移動機構保持框6 7為用Μ保持前述之載體3及磁 性結合輥子5。在移動機構保持框6 7之下側部分之先端, 有配置兩條支柱6 7 1如圖6所示。由該等支柱6 7 1藉軌條而 保持滑輪3 6,3 7,3 8。又|有收容驅動棒5 5之驅動棒蓋 5 5 2插入於該移動機構保持框6 7。驅動棒5 5與驅動棒蓋5 5 2 間之間隙,保持間隔而配置複數個蚰承5 5 3。在驅動棒蓋 5 5 2與移動機構保持框6 7之間有配置真空密封部6 8。真空 密封部6 8係用Μ隔開移動機構保持框6 7之内部與真空室2 内〇 茲就上述直腺移動機構及回轉機構之動作說明如下。 首先,驅動移動用馬達5 7時,分別藉動力傳達棒5 9,驅 動棒5 5,連結棒5 3而傳達回轉驅動至磁性結合輥5而使磁 性結合輥子5回轉。因此,上方之載體3為直線移動之。 經濟部中央橾準局員工消費合作社印製 當載體3全體載置於回轉室内之磁性結合輥子5上面時, 驅動回轉用馬達621。回轉用馬達(521之動力•為從滑輪65 藉皮帶6 6而傳達至滑輪9 1,使其回轉。上方之保持體6 1為 因滑輪9 1之回轉而回轉。因保持體6 1之回轉而使保持在其 上面之直線移動機構全體回轉。其结果,載置於直線移動 機構之載體3亦回轉。當保持體6 1之回轉角度達到9 0度時 回轉用馬達6 2 1停止回轉。因此,載體3之搬送方向彎曲9 0 度。 本紙張尺度逋用中國國家橾準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) _ ! ·? _ A7 B7 五、發明説明(11 ) 其次,驅動直線移動機構,將改變90度方向之載體3搬 運至下一個真空室2。因此,在改變方向成為90度之搬運 路30中,基板1之板面為對搬運方向成平行而前進。 在上述回轉機構中,回轉之控制為控制回轉用馬達621 而實行亦可。或者,用測出保持體61回轉所定角度之未圖 示之感測器(s e n s 〇 r )機構實行亦可。 在上述回轉機構中之回轉用零件佟未I®露於真空容器2 0内 之真空氛圍氣。因此,該等零件相互間之摩擦所發生之塵 埃不會進人真空室2內。 其次,使用圖4,就處理裝置4之構成說明如下。 圖4中顯示磁控管噴·塗覆用(magnetron sputtering) 之陰極機構做為處理裝置。圖4所示之陰極機構為由藉軛 (yoke)46而安裝有-·對磁趟43,44之圓盤狀之陰極本體41 (cathode body),及設在該等磁鐵前面之圓盤狀之靶( target)42所成。在陰極本體41之外側,設有載置一對磁 鐵43,44之扼46回轉用之馬達47。對機構加電壓用之D C 電源45連接於軛46。 經濟部中央標準局員工消費合作社印梵 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 為了用一個陰極機構同時對由載置體3所保持之兩枚基 板1成膜,對陰極之直徑係設定成為基板1直徑之約兩倍左 右0 磁鐵43為配置於軛40上之中央,在磁鐵43之周圃配置有 環狀之磁锁4 4。磁鐵之形狀與配置為詳细地記載於美國專 利5 , 0 4 7 , 1 3 0號案中。軛4 6中,形成中央之磁鐵4 3與周圍 磁锁44之間之磁路。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210X297公弟) -1 4 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210X297公釐) Λ7 B7 五、發明説明(12 ) 由中央之磁鐵43與周圍之磁锁44,在靶42上設苹拱形狀 (arch)之磁力線。另一方面,由電源45對軛46相加DC電壓 •在接地之基板1與靶42之間設定電埸。該電場為,與上 述一對磁鐵43,44之磁力線垂直交叉而發生磁控管放電。 形成處理室之真空室2内,有附設未圖示之氣體導入系 統而導入氩氣。所導入之氩氣為電離而發生上述磁控管放 電。 其他之處理裝置4之例為,如加熱基板之加熱機構,除 去基板之表面氧化膜用之蝕刻機構•冷卻成膜處理中昇溫 之基板用之冷卻機構等。加熱機構係用幅射熱加熱基板之 紅外線燈(ί n f r a r e d 1 a m p )。蝕刻機構為由導人所定氣體 之氣體導入機構及相加電壓之電極機構所成。再者,冷卻 機構係有配設使冷媒循環之管之冷卻板。該冷卻板與基板 之間流通導熱性良好之氣體,例如氫氣而冷卻基板。 設有處理裝置4之真空容器20之壁為 如圖1(a)所示, Μ —方之側緣為中心迴轉而可開放之構成。處理裝置4之 維修(m a i n t e n a n c e ),或發生故障時,例如欲更換消耗之 靶4 2時 > 打開壁部如圖1 ( a )所示而實行維修作業。再者, 内側之壁部分亦可開閉。 其次,就圖1(a),(b)所示裝置中之裝載室(loading chamber)及回收室(unloading chamber)說明如下。 裝載室23為對載體3載置基板1用之真空室。該填充室23 内有配置真空用搬運機器人231(vaccum transfering robot) 0 -1 5 - n — -- —^ϋ I - - I - - -- i- — χ ^ --- n^i . n (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 311105 Λ7 B7 五、發明説明(13 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 真空用搬運機器人231係在真空中動作時不發生塵埃之 機器人。在本實施例中,使用美克斯公司(MECS C0RP.) 製造之UTV-2000做為該真空用機器人231。用本實施例中 所成膜處理之基板1為,其中央具有圓形開口之磁性記錄 媒體用之硬式磁片。搬運機器人231為如圖10(a)所示,其 臂部2311之上方爪部2312插入於基板1之中央開口 ,另一 方面將下方爪部2313放在基板1之下方。搬運機器人231為 用該等爪部提上兩枚基板1。 如圖10(b)所示,臂部(arm)2311之爪部2312,2313之上 面,縱向形成有兩條溝2 3 1 4。臂部2 3 1 1為將各基板1之逢 緣部嵌在該等之溝2 3 1 4内而保持基板1。因此,真空用搬 運機器人2 3 1回轉而擺動窗部2 3 1 1時,基板1不臂部先端 部分滑落。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 另一方面,裝載室2 3内,藉閘閥2 1而設有裝載用輔助真 空室232(sub-loading chamber)。該裝載用輔肋真空室 2 3 2内收容一批(通常2 5枚)之基板1。如圖1 ( a ) * ( b )所示 ,空氣中用搬運機器人235移動至收容基板1之盒234之前 面。空氣中用機器人2 3 5之臂部2 3 5 1 —批一批地提取收容 於盒234内之基板1。提取基板之空氣中用搬運機器人235 迴轉而朝向閘閥233。打開閘閥233,空氣中用搬蓮機器人 235為將一批(lot)基板1搬入於裝載用輔肋真空室232内。 該盒2 3 4為支持平行姿勢之基板1之下緣部而收容。在裝載 嘈”之外壁並排而設有兩個該裝載用輔助真空室232。 關閉閘閥2 3 3之後,用排氣系統(未圖示)將裝載用輔助 本紙張尺度適用中闽國家標準(CNS ) Λ4規格(210X297公犛) -16- ( <fr/0 A7 B7 五、發明説明(14) 經濟部中央梯準局貝工消費合作社印製 真空室2 3 2予以真空排氣。真空排氣之後,打開裝載用輔 肋真空室232與裝載室23境界部分之閘閥21。 其次,裝載室23内之搬運機器人23 1之臂部2311進入收 容於裝載用輔肋真空室232内之兩枚基板1中央之開口内, 提上兩枚基板1。然後,保持兩枚基板1之臂部2311突出於 裝載用輔肋真空室232之外面。搬運機器人231迴轉而使臂 部2311朝向載體3。臂部2311延伸而使兩枚基板當中之一 枚基板2位於左方之一對撥號盤32,33,34,35之稍微上 方位置。臂部2311使基板1下降,基板1為由撥號盤32,35 所支持之同時,由撥號盤33,34所夾持之。 另一個基板1*係Μ如同上述之搬運機器人231之動作而 由右側一對之撥號盤32,33,34,35保持之。第二枚基板 1載完於載體3之後,即完成裝載動作。保持兩枚基板1之 載體3為由上述之搬運系統所搬運。 又,在一方之裝載用輔肋真空室232之基板1為由搬運機 器人231載置於載體3之期間内,另一方之裝載用輔肋真空 室232為一旦恢復到空氣壓。如上述,用空氣中用搬理機 器人235,從盒234將一批»被1瘢入於另一方之裝載用輔 肋真空室232。然後,將一方之裝轅用輔助真空室232內之 所有基板1載完於載體3之後,開始裝載該另一方裝載用輔 肋真空室232内之基板1於載體3。以該方法交互地實行兩 個裝載用輔肋真空室2 3 2内基板之裝載作業。 圖1(a),(b)所示,鄰接於裝載室23而配置回收室24。 該回收室24係從載體3回收已成膜之基板1用之真空室。該 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 妓! 本紙張尺度適用中國國家梯準(CNS ) Λ4規格(210X297公釐 )-17-修正霣 83. 3. 10,000 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(15) 回收室24内亦有配設如同裝載室23之真空用機器人241。 又,在回收室24内,同樣並排而設有兩個回收用輔助真空 室 242。 由載體3所保持之基板1,為由搬運系統搬運至回收室24 。然後,搬運機器人241之臂部2411進入左側之基板1中央 開口内,從左側之一對撥號盤32,33,34,35拉上基板1。 Μ如同搬運機器人2 4 1同樣之動作,將載體3所保持之右 側之基板1保持於臂部2 4 1 1。保持兩枚基板1之搬運用機器 人2 4 1迴轉,使臂部2 4 1 1朝向已真空排氣之回收用輔肋真 空室2 4 2。回收用輔助真空室2 4 2之閘閥2 1開放,臂部2 4 1 1 進入其内部,料兩枚基板1收容於回收用輔肋真空室242内。 已成膜之基板2達到一批時,將回收用輔助真空室2 4 2内 恢復成為空氣壓之狀態。打開閘閥243,Μ空氣中用搬蓮 機器人235從回收用輔助真空室242取出一批一批之基板, 移裝於盒234内。在該期間内,搬蓮機器人231,將基板1 回收於另一方之回收用輔助真空室242内。因此,回收動 作亦如同上述裝載動作,交互地使用回收用輔肋真空室 2 4 2而可有效實行作業。 ' 又,回收基板1後之載體3,通過閘閥21而從回收室24搬 運到裝載室23,在裝載室23内再度實行上述之裝載動作。 換言之,載體3為沿著四角形之搬運路而作無端狀之循環 。在該循環之過程中,一方面賁行基板之授受之同時,又 在另一方面實行成膜處理。 圖7為圖1所示裝置之側面外觀圖,如圖7所示,除了真 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210Χ297公釐) -18- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· -8 經濟部中央標準局員工消費合作杜印製 A7 B7 五、發明説明(16 ) 空容器201之外,真空容器20之下方配置架台200。真空容 器2 0 1為懸吊於兩側真空容器2 0之間。因此,懸吊之真空 容器2 0 1之下面,可形成使作業員通過之空間。作業員通 過該空間而可進入裝置之内側。作業員因此可容易實行真 空容器20內側之處理裝置之維修。再者,真空容器20之上 面,安裝真空計及閘閥之控制器,質量流動控制器(m a s s -flow cntroller),收容電源之箱子202等。又,架台200 内,配置安裝在真空容器20下方之排氣系統例如低溫抽氣 泵(cryogenic pump) ° 其次,’簡單說明使用本實施例之單排式成膜裝置而實行 高密度記錄用之硬式磁(hard disk)之成膜處理如下。 本實施例之單排式成膜裝置中,硬式磁Η係經蝕刻過程, 加熱過程,多層膜形成過程,冷卻過程而完成成膜處理。 在處理室Α中實行蝕刻過程。處理室Α之處理裝置4為由 高頻(r f )電壓之相加機構與放電氣體(氬氣)之導入系統所 成。在處理室A中蝕刻3 . 5英吋之鋁製磁片作為基板1。在 蝕刻過程中,除去存在於形成在磁片表面之底層膜例如 ΗίΡ膜之氧化膜及水分等。触刻過程為,藉載體3對磁片相 加高頻電壓而發生等離子體*噴濺蝕刻磁片。藉該蝕刻而 洗淨磁片之表面。 其次,在處理室Β中實行加熱過程。處理室Β之處理裝置 4為由紅外線切%對該紅外線燈供電之機構所構成。在處理 室Β中將磁Η加熱至350Ί0左右。為了在以後之薄膜形成過 程中能夠结晶成長良好之薄膜而實行該加熱者。 本紙張尺度適用中國國家榡準(CNS ) Λ4規格(210X2S»7公釐) _】q _ -------^--* Ί------ΐτ------1 4 (請先閱讀背面之注意Ϋ項再填寫本頁) 311105 A7 B7 五、發明説明(Π ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 該加熱之後,在處理室C中實行形成C r膜之過程。處理 室C之處理裝置4,為由使用Cr靶42之陰極機構,放電氣體 (氩氣)之導入系統所成。在磁片之表面形成膜厚約7 0 0埃 之C r薄膜。C r薄膜之形成係使用C r靶4 2以嗔濺塗覆法為之。 其次,在處理室D實行CoCrTa膜之形成過程。處理室D之 處理裝置4係由使用CoCrTa合金靶42之陰極機構,放電氣 體(氬氣)之導入系統所構成。CoCrTa薄膜之形成係使 CoCrTa合金靶42而Μ噴濺塗覆法實行之。在Cr層上形成膜 厚約300埃之CoCrTa薄膜。又,在形成CoCrTa膜之過程中 *對磁片相加約-300V之偏壓(bias voltage)。 在處理室E中宵行冷卻過程。處理室E之處理裝置4為, 由具有冷卻板之冷卻機構所構成。由該冷卻機構,將加熱 過之磁片冷卻至約1 5 (TC。為了在下一個碳膜(c a r b ο η film)形成過程中提高碳膜之緻密性而實行該磁Η之冷卻 者。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 然後,最後在處理室F中實行形成碳膜之過程。處理室F 之處理裝置4係由使用碳靶4 2之陰極機構及反應氣體(甲烷 氣與氫氣)之導入系統及放電氣體(氬氣)之導入系統所構 成。在氬氣(argon gas),甲烧氣(methane gas),及菌氣 之混合氣體中,藉反應性嗔濺塗覆法,在C o C r T a層上堆積 膜厚約200埃(angstrom)之碳薄膜。碳膜為由Cr層,CoCrTa 層所構成之積層膜之保護膜。 在各處理室之處理過程中,在處理室内停止載體3之搬 運,因此,磁片為在靜止之狀態下實行處理。但按薄膜之 本紙張尺度逋用中國國家標率(CNS ) Λ4規格(210X297公釐) _ ο 〇 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(I8 ) 種類及處理條件,亦有使載體3移動之狀態下實行成膜處 理之情形。 又,在成膜處理室内之處理時間,因各處理室而相異。 在該情形時,可在處理室之間設使載體臨時停留之等待室 藉Μ調整成膜處理所需要時間之差異。或者,在各別之處 理室或迴轉室251,2 5 2,253,254内停止所定時間亦可。 如上述,本實施例之單排式成膜裝置中,與直線狀排列 而配置之先前裝置比較,可顯著地締短使裝置之長度。尤 其是最近之成膜處理中成膜過程複雜化,需要對基板1連 缅實行多數之成膜處理。然而,依本實施例之單排式成膜 裝置,雖然增加處理室,但裝置之長度不會如先前般徒然 地變長。 其次,就本發明之其他實胞例說明如下。 圖8為說明本發明其他實胞例構造之平面概略圖。該實 施例之裝置為,沿著三角形之搬運路3 0,藉閘閥而配置有 複數之真空室2。然後,配置在轉角部分之真空室2*為配 置有如同前述之迴轉機構(圖8中未圖示)之迴轉室。在本 實施例中,迴轉機構係使載體3迴轉120度。 又,配置在三角形之兩邊之真空fi,為配置有處理裝置4 之成膜處理室。在本例中,兩個邊各配置兩個總計配置四 涸處理室。然後,配置在另一邊之兩個真空室2分別為裝 載室23與回收室24。在裝載室23與回收室24,分別配置有 如同前述之裝載用輔肋真空室232與回收用輔助真空室242。 • 本實施例之裝置中,載體3為沿著三角形狀之搬蓮路30 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210X297公衆) _ 2 1 ~- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) —裝' 線 Λ7 B7 經濟部中央標準局員工消費合作社印裂 五、發明説明(19 ) 1 1 而 搬 運 之 ijB. 趟 程 中 連 續實行 所 定 之 成 膜 處理 ο 1 1 如 上 述 t 本 發 明 之「多 角 形 狀 之 搬 運路 J 為, 如三角形 1 1 1 四 角 形 t 五 角 形 ,六角 形 等 , 可設 定 任意 之角數。 /-—V 請 先 閱 讀 背 1 | 又 9 搬 運 路 為 正 多 角形以 外 之 形 狀 亦 可。 1 1 又 在 如 圖 1所示之四角形之搬運路30為 裝置全體之 面 之 注 1 1 佔 有 空 間 之 平 面 形 狀為圼 略 四 角 形 〇 四角 形 之裝 置為,有 事 項 1 效 地 佔 有 淨 室 (c 1 e a n roo m ) 之 製 造 地 板面 積 之點 而適合。 再 填 1 又 上 述 實 施 例 裝置為 同 時 保 持 兩枚 基 板1之載體3。 寫 本 頁 裝 1 可 同 時 保 持 兩 枚 Μ 上基板 之 載 體 3即更可提高生產性。 1 1 上 述 之 實 胞 例 中 ,用一 個 真 空 室 2實行對載體3載置基板 1 1 1及回收基板1亦 可 。該時 利 用 一 個搬運機器人231實行 1 1 基 板 1之裝載與回收亦可 1 訂 1 又 上 述 之 實 施 例中, 為 了 在 基 板 1之兩面同時實行# 1 1 膜 處 理 » 在 真 空 容 器20之 外 側 之 壁 部 分與 内 側之 壁部分之 1 1 雙 方 設 有 處 理 裝 置 4。處理裝置4係Μ搬運路3 0為 中間而對 線 向 之 〇 只 在 基 板 1之一面實行成膜處理時 只在一 -方之壁 I 部 分 配 置 處 理 裝 置 4 ° 1 又 9 基 板 1為光碟(ο P t i c a I d ί s k ) 光磁碟(0 P t i c a 1 1 1 m a ε η e t i C d is k )等 之其他 資 訊 記 錄 磁 片用 之 基板 時亦可適 1 1 用 本 發 明 〇 又 9 對 大規模 積 體 電 路 (1 a r g e S c a 1 e i n t e g r 1 I at e d C i r C U it )η 3之基板或液晶顯示器(1 i q u id c r y s t a 1 1 1 I d i s p 1 a y )用 之 基 板 之成膜 處 理 亦 可 適 用本 發 明之 簞排式成 1 ! 膜 裝 置 ο 1 1 [發明之突 ΐ果] 1 1 木紙张尺度嗵爪巾阀阀家梂卒(ΓΝ5; ) Λ4規格(210X297公f ) - 9?- 311105 A7 B7 五、發明説明(20) 多之 較佔 行所 實置 板裝 基, 對此 , 因 置。 裝長 膜變 成然 式徒 排置 單裝 之使 明會 發不 本亦 依時 ’ 程 述過 上理 如處 之 積 面 板 地 之 限 有 内 室 淨 用 利 地 效 有 為 ίι 面 明 說 單 簡 之 式 圖 概 圖概 面 觀面 平 外正 之 之之 置 置統 裝 裝系 膜 膜運 成 成搬 式 式及 排 排體 單 單載 之 之之 例 例置 體 體裝 具 具膜 佳 佳成 較 較式 明 明排 發 發單 本 本之 為 為01 ) 丨圖 a by ( { 為 10 12 0 圖圖 圖圖圖 略 略 之 2 1 圖圖 為為 圖 略 概 面 剖 面 平 之 體 載 之 置 裝 A-膜 線成 之式 體排。 載單圖 之 略 丨概 面 側 圖圖之 置 裝 — 1 TJ 處 及 統 系 遵 搬 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· ,va 画 圖圖 _ 圖 圖 略略 概概 面面 平側 之之 統構 系 機 運 轉 搬迴 之之 置置 裝裝 膜 膜 成成 式式 Lhr kl· 單單 之 之 1 1 圖 圖 為為 圖 觀 外 面 側 之 置 裝 膜 成 式 hl· 0 單 之 略 概 面 平 之 置 裝 膜 成 式 Lhr 衫 單 之 例 施 實 他 其 明 發 圖本 為為 圖 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 〇 圖 圖面。 略剖圖 概面面 面側上 平之之 之爪爪 置 之 之 P B- ftn *0 膜臂臂 成人人 式器器 bh i a 3¾ 樹機 單運運 之搬搬 前為為 fe ) ) 夕ab /IV f\ 為 ο ο 9 11 圖圖圖 室 空 真 TJ » 明 2 說 之 , 號板 編基 件 ·, 元1 路 運 搬 載 3 ’ 置 室裝 践 里 3. TJ 裝處 • </ « «1/ 3 4 室 收 回 本紙張尺度適用中國國家標隼(CNS ) Λ4規格(210Χ 297公犛)

Claims (1)

  1. 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1 . 一種顆排式成膜裝置(ί η - 1 ί n e t y p e f i 1 m d e po-s i t i ο n s y s t, e m ) , 其特 徵為: _置基板的載體(c a r r i e r )移動之搬運路為圼環狀線( 1 ο « P 1 i n e ),沿著環狀線之該搬運路,有排列複數個真空 室,在該等真空室當中,處理基板之真空室及位於該搬運 路之轉角之真空室内,有配置改變載體方向之迴轉機構者。 2 .如申請專利範圍第1项之钳排式成膜裝置,其中,搬 入基板之真空室與搬出基板之真空室為鄱接者。 3 .如申請專利範圍第1項之职排式成膜裝置,其中,迴 轉機構係由保持包含與該載體磁性結合之磁性結合輥?( r ο 1 1 e r )之驅動機構之促持體,及 迴轉該保持體之 馬逵(πι 〇 t 〇 r·)所構成者。 4 .如申請專利範圃Μ 1項之單排式成膜裝置,其中,載 體係將基板載置成為基板之板面對搬運方向成平行者。 5 .如申請專利範圍第4項之頌排式成膜裝置,其中,載 體為至少載置2枚之棊板者。 6 .如申請專利範圃第5項之眾排式成膜裝置,其中,載 體係由磁性結合於該戟體之磁性結合輥子,及冋轉該磁性 結合輥子之回轉機攒所成之搬送系統所移動者。 7 .如申請專利範圃第1項之m排式成膜裝置,其中,處 理基板之真空室内•配置處捭裝置成為對向於所搬蓮之基 板之板面者。 8 .如申請專利範圍第7項之單排式成膜裝置,其中,處 理基板之真空室内,將搬運路夾於中間,對向配置兩個處 理裝置者。 9 .如申請專利範圍第7項之瑣排式成膜裝置,其中,處 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS > Λ4規格(210 X 297公釐) 1 ---------參-------1T------ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 申請專利範圍 A8 B8 C8 D8 法 刻 触 法 覆" 塗者 濺 等 噴 卻 行 冷 實 之 係板 置基 裝或 理熱 加 之 板 基 搬空 , 真 中有 其 置 ’ 配 置別 裝分 膜 ’ 成内 式室 排空 頭真 之 之 項板 I基 Γ 1、 b β\ ο 室(r 空人 真 器 之機 板運 基搬 入用 第 圍 範 利 專 0 Ί rr 如 者 用 中 其 置 · 裝 膜 成 。 式者 排出 單搬 之與 m入 ί搬 之 板 基 行 實 室 空 真 俩 申 如 第 圍 範 Π- ί 專 第 圍 範 利 專 請 申 如 在有 , 成 中形 其方 , 下 置 室 裝空 膜 真 成在 式有 hL— 扫 , 單 中 之當 項室 丨空 真 之 列 hl·, 0 而 路 邊 搬 著 L1 WU 該 中 其 置. 裝 膜 成 。 式 者排 室 0 空 之 輿 項 之 1 ^ Μ 問 。 圍 空i 者 二,形 過 ί 角 3. 專 彳 員 J 呈 作":路 使13運 能 搬 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· Jst 線- 經濟部中央標準局貝工消费合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(2丨0X297公釐) 2
TW084113505A 1995-03-30 1995-12-18 TW311105B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP09964895A JP3732250B2 (ja) 1995-03-30 1995-03-30 インライン式成膜装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TW311105B true TW311105B (zh) 1997-07-21

Family

ID=14252882

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW084113505A TW311105B (zh) 1995-03-30 1995-12-18

Country Status (4)

Country Link
US (2) US5846328A (zh)
JP (1) JP3732250B2 (zh)
KR (1) KR100221259B1 (zh)
TW (1) TW311105B (zh)

Families Citing this family (120)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5779799A (en) * 1996-06-21 1998-07-14 Micron Technology, Inc. Substrate coating apparatus
US6280134B1 (en) 1997-06-17 2001-08-28 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for automated cassette handling
US6053687A (en) * 1997-09-05 2000-04-25 Applied Materials, Inc. Cost effective modular-linear wafer processing
JP4059549B2 (ja) * 1997-09-20 2008-03-12 キヤノンアネルバ株式会社 基板支持装置
US6235634B1 (en) 1997-10-08 2001-05-22 Applied Komatsu Technology, Inc. Modular substrate processing system
DE19753656C1 (de) * 1997-12-03 1998-12-03 Fraunhofer Ges Forschung Einrichtung zur Vakuumbeschichtung von Gleitlagern
US6095160A (en) * 1998-04-06 2000-08-01 Chu; Xi In-situ magnetron assisted DC plasma etching apparatus and method for cleaning magnetic recording disks
US6206176B1 (en) 1998-05-20 2001-03-27 Applied Komatsu Technology, Inc. Substrate transfer shuttle having a magnetic drive
US6517303B1 (en) 1998-05-20 2003-02-11 Applied Komatsu Technology, Inc. Substrate transfer shuttle
US6213704B1 (en) 1998-05-20 2001-04-10 Applied Komatsu Technology, Inc. Method and apparatus for substrate transfer and processing
US6215897B1 (en) 1998-05-20 2001-04-10 Applied Komatsu Technology, Inc. Automated substrate processing system
US6203619B1 (en) * 1998-10-26 2001-03-20 Symetrix Corporation Multiple station apparatus for liquid source fabrication of thin films
TW442891B (en) * 1998-11-17 2001-06-23 Tokyo Electron Ltd Vacuum processing system
TW552306B (en) * 1999-03-26 2003-09-11 Anelva Corp Method of removing accumulated films from the surfaces of substrate holders in film deposition apparatus, and film deposition apparatus
JP4550959B2 (ja) * 1999-11-24 2010-09-22 キヤノンアネルバ株式会社 薄膜作成装置
JP4806146B2 (ja) * 1999-07-13 2011-11-02 エリコン・トレーディング・アクチェンゲゼルシャフト,トリュープバッハ 真空処理ないしは粉末製造のための装置および方法
JP2001043530A (ja) 1999-07-28 2001-02-16 Anelva Corp 情報記録ディスク用保護膜作成方法及び情報記録ディスク用薄膜作成装置
US6298685B1 (en) 1999-11-03 2001-10-09 Applied Materials, Inc. Consecutive deposition system
JP4526151B2 (ja) * 2000-01-28 2010-08-18 キヤノンアネルバ株式会社 基板処理装置の基板移載装置
JP4268303B2 (ja) * 2000-02-01 2009-05-27 キヤノンアネルバ株式会社 インライン型基板処理装置
US6919001B2 (en) 2000-05-01 2005-07-19 Intevac, Inc. Disk coating system
JP4516199B2 (ja) 2000-09-13 2010-08-04 キヤノンアネルバ株式会社 スパッタ装置及び電子デバイス製造方法
DE10054045B4 (de) * 2000-10-31 2004-12-30 Asys Gmbh & Co. Kg Arbeitstisch mit einer Tischplatte
JP4614529B2 (ja) * 2000-12-07 2011-01-19 キヤノンアネルバ株式会社 インライン式基板処理装置
JP4856308B2 (ja) * 2000-12-27 2012-01-18 キヤノンアネルバ株式会社 基板処理装置及び経由チャンバー
JP2002203885A (ja) * 2000-12-27 2002-07-19 Anelva Corp インターバック型基板処理装置
DE10103111A1 (de) * 2001-01-24 2002-08-01 Mattson Wet Products Gmbh Vorrichtung zum Behandeln von Substraten
JP2002260218A (ja) * 2001-03-05 2002-09-13 Anelva Corp 磁気記録ディスク、磁気記録ディスク製造方法及び磁気記録ディスク製造装置
JP2002309372A (ja) * 2001-04-13 2002-10-23 Canon Inc インライン式成膜装置、成膜方法及び液晶素子
US6626997B2 (en) 2001-05-17 2003-09-30 Nathan P. Shapiro Continuous processing chamber
US6808741B1 (en) * 2001-10-26 2004-10-26 Seagate Technology Llc In-line, pass-by method for vapor lubrication
JP2003141719A (ja) 2001-10-30 2003-05-16 Anelva Corp スパッタリング装置及び薄膜形成方法
DE10205168A1 (de) * 2002-02-07 2003-08-21 Ardenne Anlagentech Gmbh Verfahren zur Zwischenbehandlung von Substraten in einer In-Line-Vakuumbeschichtungsanlage
DE10205167C5 (de) * 2002-02-07 2007-01-18 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh In-Line-Vakuumbeschichtungsanlage zur Zwischenbehandlung von Substraten
US6838678B1 (en) 2002-04-10 2005-01-04 Seagate Technology Llc Apparatus for inline continuous and uniform ultraviolet irradiation of recording media
EP1507883A2 (en) * 2002-05-06 2005-02-23 Guardian Industries Corp. Sputter coating apparatus including ion beam source(s), and corresponding method
US7959395B2 (en) * 2002-07-22 2011-06-14 Brooks Automation, Inc. Substrate processing apparatus
EP1535313B1 (en) * 2002-07-22 2018-10-31 Brooks Automation, Inc. Substrate processing apparatus
US8960099B2 (en) * 2002-07-22 2015-02-24 Brooks Automation, Inc Substrate processing apparatus
US7988398B2 (en) 2002-07-22 2011-08-02 Brooks Automation, Inc. Linear substrate transport apparatus
JP4447279B2 (ja) 2003-10-15 2010-04-07 キヤノンアネルバ株式会社 成膜装置
JP4568231B2 (ja) * 2003-12-01 2010-10-27 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
US8007477B2 (en) * 2004-03-22 2011-08-30 Applied Medical Resources Corporation Surgical access port and method of using same
KR20070101232A (ko) * 2004-09-10 2007-10-16 오씨 외를리콘 발처스 악티엔게젤샤프트 기판 공정 시스템
JP2006147130A (ja) * 2004-10-21 2006-06-08 Showa Denko Kk 垂直磁気記録媒体の製造方法及び垂直磁気記録媒体
TWI257959B (en) * 2005-01-20 2006-07-11 Uvat Technology Co Ltd Continuous vacuum film deposition machine with built-in electrostatic dust removal mechanism
EP1698715A1 (de) * 2005-03-03 2006-09-06 Applied Films GmbH & Co. KG Anlage zum Beschichten eines Substrats und Einschubelement
JP2006241567A (ja) * 2005-03-07 2006-09-14 Showa Shinku:Kk 基板搬送機構を備える連続式成膜装置および方法
US8591710B2 (en) * 2005-06-02 2013-11-26 Seagate Tchnology LLC Method and apparatus for formation of oriented magnetic films for magnetic recording media
JP4580860B2 (ja) * 2005-11-02 2010-11-17 大日本印刷株式会社 成膜装置
KR101213849B1 (ko) * 2005-12-16 2012-12-18 엘지디스플레이 주식회사 스퍼터링 장치
SE0601150L (sv) * 2006-05-24 2007-07-03 Goeran Fajerson Metod för tillverkning av fotovoltaiska celler och moduler från kiselskivor
US20080213071A1 (en) * 2007-02-09 2008-09-04 Applied Materials, Inc. Transport device in an installation for the treatment of substrates
ATE555496T1 (de) * 2007-03-13 2012-05-15 Applied Materials Inc Vorrichtung zum bewegen eines carriers in einer vakuumkammer
US8740205B2 (en) 2007-04-16 2014-06-03 Ulvac, Inc. Conveyor and deposition apparatus, and maintenance method thereof
KR100887161B1 (ko) * 2007-08-03 2009-03-09 주식회사 에이디피엔지니어링 플라즈마 처리장치
TWI401331B (zh) * 2007-12-06 2013-07-11 Intevac Inc 雙面濺射蝕刻基板之系統與方法(二)
US20090165714A1 (en) * 2008-01-01 2009-07-02 Dongguan Anwell Digital Machinery Ltd. Method and system for processing substrates in chambers
US20110014363A1 (en) * 2008-02-27 2011-01-20 Showa Denko K.K. Apparatus and method for manufacturing magnetic recording medium
US8208238B1 (en) 2008-03-21 2012-06-26 Seagate Technology, Llc Apparatus for orienting soft-underlayer deposition
JP2009277275A (ja) * 2008-05-13 2009-11-26 Showa Denko Kk 磁気記録媒体の製造方法および製造装置
US20090304907A1 (en) * 2008-06-09 2009-12-10 Applied Materials, Inc. Coating system and method for coating a substrate
US8795466B2 (en) * 2008-06-14 2014-08-05 Intevac, Inc. System and method for processing substrates with detachable mask
JP5150387B2 (ja) * 2008-06-27 2013-02-20 昭和電工株式会社 インライン式成膜装置及び磁気記録媒体の製造方法
US20090324368A1 (en) * 2008-06-27 2009-12-31 Applied Materials, Inc. Processing system and method of operating a processing system
US8992153B2 (en) * 2008-06-30 2015-03-31 Intevac, Inc. System and method for substrate transport
JP2010020841A (ja) * 2008-07-10 2010-01-28 Showa Denko Kk インライン式成膜装置及び磁気記録媒体の製造方法
WO2010014761A1 (en) * 2008-07-29 2010-02-04 Intevac, Inc. Processing tool with combined sputter and evaporation deposition sources
JP5174170B2 (ja) * 2008-07-31 2013-04-03 キヤノンアネルバ株式会社 磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録媒体の製造装置
JP5262406B2 (ja) * 2008-08-05 2013-08-14 凸版印刷株式会社 スパッタリング装置及びそのメンテナンス方法
JP2010077508A (ja) * 2008-09-26 2010-04-08 Tokyo Electron Ltd 成膜装置及び基板処理装置
JP2010113771A (ja) * 2008-11-07 2010-05-20 Showa Denko Kk 磁気記録媒体の製造方法及び製造装置
DE102008064183B4 (de) 2008-12-22 2013-09-05 Fhr Anlagenbau Gmbh In-Line-Vakuumbeschichtungsanlage
JP2010192056A (ja) * 2009-02-19 2010-09-02 Showa Denko Kk インライン式成膜装置及び磁気記録媒体の製造方法
JP2010270367A (ja) * 2009-05-21 2010-12-02 Showa Denko Kk インライン式成膜装置及び磁気記録媒体の製造方法
US8101054B2 (en) * 2009-05-28 2012-01-24 Wd Media, Inc. Magnetic particle trapper for a disk sputtering system
JP5364455B2 (ja) * 2009-06-08 2013-12-11 昭和電工株式会社 マグネトロンスパッタ装置及びインライン式成膜装置
JP5042277B2 (ja) * 2009-06-16 2012-10-03 キヤノンアネルバ株式会社 基板処理装置及び搬送方法、並びに真空処理方法
JP2011047515A (ja) * 2009-07-28 2011-03-10 Canon Anelva Corp 駆動装置及び真空処理装置
US8602706B2 (en) * 2009-08-17 2013-12-10 Brooks Automation, Inc. Substrate processing apparatus
KR20120063494A (ko) * 2009-08-26 2012-06-15 비코 인스트루먼츠 인코포레이티드 자성 기록 매체 상에 패턴을 제조하기 위한 시스템
JP5657948B2 (ja) * 2009-09-02 2015-01-21 キヤノンアネルバ株式会社 真空処理装置及び基板移載方法
JP5566669B2 (ja) 2009-11-19 2014-08-06 昭和電工株式会社 インライン式成膜装置及び磁気記録媒体の製造方法
JP5539019B2 (ja) 2010-05-19 2014-07-02 キヤノンアネルバ株式会社 基板支持装置及び真空処理装置
JP5503006B2 (ja) * 2010-08-06 2014-05-28 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム、搬送モジュール、基板処理方法及び半導体素子の製造方法
DE102011114852A1 (de) 2010-10-06 2012-05-03 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Einschleusvorrichtung für eine Vakuumanlage
KR101806916B1 (ko) * 2011-03-17 2017-12-12 한화테크윈 주식회사 그래핀 필름 제조 장치 및 그래핀 필름 제조 방법
JP5247847B2 (ja) * 2011-03-29 2013-07-24 キヤノンアネルバ株式会社 成膜装置及び成膜装置用ストックチャンバー
JP5832372B2 (ja) * 2011-05-16 2015-12-16 キヤノンアネルバ株式会社 真空処理装置
JP5450562B2 (ja) * 2011-10-20 2014-03-26 株式会社日本製鋼所 薄膜を有する成形品の製造方法および製造装置
JP6205368B2 (ja) * 2011-12-27 2017-09-27 インテヴァック インコーポレイテッド 複合静的及びパスバイ処理用システム構成
EP2650135A1 (en) 2012-04-12 2013-10-16 KBA-NotaSys SA Intaglio printing plate coating apparatus
KR102104688B1 (ko) 2012-04-19 2020-05-29 인테벡, 인코포레이티드 태양 전지 제조를 위한 이중 마스크 장치
KR102072872B1 (ko) * 2012-04-26 2020-02-03 인테벡, 인코포레이티드 진공 처리용 시스템 아키텍처
US10062600B2 (en) 2012-04-26 2018-08-28 Intevac, Inc. System and method for bi-facial processing of substrates
WO2014054587A1 (ja) * 2012-10-01 2014-04-10 日産自動車株式会社 インライン式コーティング装置、インライン式コーティング方法、およびセパレータ
JP2014075166A (ja) 2012-10-04 2014-04-24 Showa Denko Kk 磁気記録媒体の製造方法及び装置
JP6118114B2 (ja) 2013-01-15 2017-04-19 昭和電工株式会社 磁気記録媒体の製造方法及び装置
JP2014146400A (ja) 2013-01-29 2014-08-14 Showa Denko Kk 磁気記録媒体の製造方法
JP2014146401A (ja) 2013-01-29 2014-08-14 Showa Denko Kk 磁気記録媒体の製造方法及び装置
JP6118130B2 (ja) 2013-02-25 2017-04-19 昭和電工株式会社 磁気記録媒体の製造方法及び装置
JP6161149B2 (ja) * 2013-03-12 2017-07-12 スタンレー電気株式会社 金属被覆部材の製造方法およびその真空製造装置
JP6175265B2 (ja) 2013-04-02 2017-08-02 昭和電工株式会社 磁気記録媒体の製造方法
JP6056079B2 (ja) * 2013-05-01 2017-01-11 アキム株式会社 熱処理装置
DE102013105116A1 (de) * 2013-05-17 2014-12-04 Von Ardenne Gmbh Vakuumbeschichtungsanlage und Verfahren zum Betreiben einer Vakuumbeschichtungsanlage
JP6303167B2 (ja) 2013-11-07 2018-04-04 昭和電工株式会社 インライン式成膜装置及びそれを用いた磁気記録媒体の製造方法
CN106460164B (zh) * 2014-02-20 2019-02-22 因特瓦克公司 用于衬底的双面处理的系统及方法
WO2015132830A1 (ja) 2014-03-04 2015-09-11 キヤノンアネルバ株式会社 真空処理装置及び真空処理方法
CN110158038B (zh) 2014-03-18 2022-01-18 佳能安内华股份有限公司 沉积装置
TWI662646B (zh) 2014-08-05 2019-06-11 美商因特瓦克公司 植入用遮罩及其對準
WO2016208094A1 (ja) 2015-06-24 2016-12-29 キヤノンアネルバ株式会社 真空アーク成膜装置および成膜方法
US20190116294A1 (en) * 2016-10-18 2019-04-18 Interdigital Vc Holdings, Inc. Method for detection of saturated pixels in an image
JP2019513291A (ja) * 2017-03-17 2019-05-23 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated 処理システム内のキャリアをルーティングするための装置、キャリア上の基板を処理するためのシステム、及び真空チャンバ内のキャリアをルーティングする方法
US11339464B2 (en) 2017-03-31 2022-05-24 Agm Container Controls, Inc. Plasma nitriding with PECVD coatings using hollow cathode ion immersion technology
CA3058468A1 (en) 2017-03-31 2018-10-04 Duralar Technologies, Llc Systems and methods for coating surfaces
CN109257933A (zh) * 2017-05-16 2019-01-22 应用材料公司 用于处理基板的设备、处理系统和方法
JP6379318B1 (ja) * 2017-06-14 2018-08-22 株式会社アルバック 成膜装置及び成膜方法並びに太陽電池の製造方法
KR101870579B1 (ko) * 2017-07-27 2018-06-22 캐논 톡키 가부시키가이샤 디스플레이 제조장치 및 이를 사용한 디스플레이 제조방법
CN109797373A (zh) * 2019-03-04 2019-05-24 苏州华杨赛斯真空设备有限公司 卫星式真空薄膜沉积系统
CN112458425B (zh) * 2020-10-30 2022-06-28 湘潭宏大真空技术股份有限公司 应用于狭窄空间的三室镀膜机

Family Cites Families (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2730987A (en) * 1954-03-25 1956-01-17 James L Entwistle Company Apparatus for automatically vacuum coating of interior of glass tubes with metal
DE2844491C2 (de) * 1978-10-12 1983-04-14 Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln Vakuum-Beschichtungsanlage mit einer Einrichtung zum kontinuierlichen Substrattransport
DE2900724C2 (de) * 1979-01-10 1986-05-28 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten im Vakuum
JPH067547B2 (ja) * 1983-06-09 1994-01-26 富士通株式会社 気相成長装置
US4500407A (en) * 1983-07-19 1985-02-19 Varian Associates, Inc. Disk or wafer handling and coating system
JPS61105853A (ja) * 1984-10-30 1986-05-23 Anelva Corp オ−トロ−ダ−
JPS61106768A (ja) * 1984-10-31 1986-05-24 Anelva Corp 基体処理装置
JPS61170568A (ja) * 1985-01-24 1986-08-01 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 連続真空処理装置
JPS6220347A (ja) * 1985-07-19 1987-01-28 Hitachi Ltd 処理装置
JPS62230977A (ja) * 1986-04-01 1987-10-09 Seiko Epson Corp 薄膜製造装置
US4722298A (en) * 1986-05-19 1988-02-02 Machine Technology, Inc. Modular processing apparatus for processing semiconductor wafers
JPS63157870A (ja) * 1986-12-19 1988-06-30 Anelva Corp 基板処理装置
JPS63161636A (ja) * 1986-12-25 1988-07-05 Toshiba Corp プラズマ気相成長システム
US4795299A (en) * 1987-04-15 1989-01-03 Genus, Inc. Dial deposition and processing apparatus
JPS63303062A (ja) * 1987-06-02 1988-12-09 Nec Corp 半導体集積回路の製造装置
JPH01230250A (ja) * 1988-03-09 1989-09-13 Mitsubishi Electric Corp Cvd装置
US5024570A (en) * 1988-09-14 1991-06-18 Fujitsu Limited Continuous semiconductor substrate processing system
JP2627651B2 (ja) * 1988-10-17 1997-07-09 アネルバ株式会社 マグネトロンスパッタリング装置
US5076205A (en) * 1989-01-06 1991-12-31 General Signal Corporation Modular vapor processor system
JPH0382121A (ja) * 1989-08-25 1991-04-08 Nec Corp ドライエッチングの後処理方法
JP2948842B2 (ja) * 1989-11-24 1999-09-13 日本真空技術株式会社 インライン型cvd装置
US4981408A (en) * 1989-12-18 1991-01-01 Varian Associates, Inc. Dual track handling and processing system
US5379212A (en) * 1990-01-29 1995-01-03 United States Voting Machines, Inc. Locking memory device
JPH03274746A (ja) * 1990-03-24 1991-12-05 Sony Corp マルチチャンバ装置
JPH04115513A (ja) * 1990-09-05 1992-04-16 Hitachi Ltd 半導体製造ラインの構成方法
JPH04275449A (ja) * 1991-03-04 1992-10-01 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 磁気搬送装置
JPH04271139A (ja) * 1991-02-27 1992-09-28 Fuji Electric Co Ltd 半導体製造装置
DE4123274C2 (de) * 1991-07-13 1996-12-19 Leybold Ag Vorrichtung zum Beschichten von Bauteilen bzw. Formteilen durch Kathodenzerstäubung
KR100230697B1 (ko) * 1992-02-18 1999-11-15 이노우에 쥰이치 감압 처리 장치
US5482607A (en) * 1992-09-21 1996-01-09 Nissin Electric Co., Ltd. Film forming apparatus
US5377816A (en) * 1993-07-15 1995-01-03 Materials Research Corp. Spiral magnetic linear translating mechanism
TW295677B (zh) * 1994-08-19 1997-01-11 Tokyo Electron Co Ltd
US5651868A (en) * 1994-10-26 1997-07-29 International Business Machines Corporation Method and apparatus for coating thin film data storage disks

Also Published As

Publication number Publication date
JPH08274142A (ja) 1996-10-18
US5846328A (en) 1998-12-08
JP3732250B2 (ja) 2006-01-05
KR960035782A (ko) 1996-10-28
KR100221259B1 (ko) 1999-09-15
US6027618A (en) 2000-02-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW311105B (zh)
JP4856308B2 (ja) 基板処理装置及び経由チャンバー
TW495827B (en) A cylindrical carriage sputtering system
TW442891B (en) Vacuum processing system
TW527669B (en) Consecutive deposition system
TWI457265B (zh) 輸送機總成及輸送基材的方法
TW575515B (en) Substrate processing apparatus
US20080178796A1 (en) Film forming apparatus
US8534975B2 (en) Substrate transport apparatus and method for manufacturing magnetic recording medium
CN106460164A (zh) 用于衬底的双面处理的系统及方法
JP2002203885A (ja) インターバック型基板処理装置
JP5984036B2 (ja) z運動し、多関節アームを備える直線真空ロボット
JP2011149100A (ja) 冷却装置
JP4614529B2 (ja) インライン式基板処理装置
JP5582895B2 (ja) 基板ホルダーストッカ装置及び基板処理装置並びに該基板ホルダーストッカ装置を用いた基板ホルダー移動方法
US20200373133A1 (en) Stage device and processing apparatus
TWI734305B (zh) 用於沉積薄膜的複合系統架構
JPH05160035A (ja) Cvd装置
US11694913B2 (en) Hybrid system architecture for thin film deposition
JP4739445B2 (ja) 基板処理装置
JP3080143U (ja) 基板搬送装置
JP2000058624A (ja) 半導体製造装置
JP2022538949A (ja) 薄膜形成用ハイブリッドシステムアーキテクチャ
JP2001026869A (ja) マグネトロンスパッタ装置
JPH0737670B2 (ja) ライン式プラズマcvd装置

Legal Events

Date Code Title Description
MK4A Expiration of patent term of an invention patent