JP2000058624A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JP2000058624A JP2000058624A JP25591798A JP25591798A JP2000058624A JP 2000058624 A JP2000058624 A JP 2000058624A JP 25591798 A JP25591798 A JP 25591798A JP 25591798 A JP25591798 A JP 25591798A JP 2000058624 A JP2000058624 A JP 2000058624A
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- Japan
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- processing
- wafer
- chambers
- chamber
- processing chambers
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Abstract
(57)【要約】
【課題】構造が簡単で連続フロー生産が可能な半導体製
造装置を提供する。 【解決手段】トンネル状のチャンバーを有する複数の処
理室を順次接続し、当該複数の処理室内を処理すべきウ
エーハを順次搬送して、所望の処理を各処理室内におい
てそれぞれ独立して行う。 【効果】ウエーハを処理室内に搬送するための複雑な機
構が不要になり、生産ラインの入替えも容易で、連続フ
ロー生産も容易になった。
造装置を提供する。 【解決手段】トンネル状のチャンバーを有する複数の処
理室を順次接続し、当該複数の処理室内を処理すべきウ
エーハを順次搬送して、所望の処理を各処理室内におい
てそれぞれ独立して行う。 【効果】ウエーハを処理室内に搬送するための複雑な機
構が不要になり、生産ラインの入替えも容易で、連続フ
ロー生産も容易になった。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はデ半導体製造装置に
関し、詳しくは、複雑な搬送装置が不要で、待ち時間が
極めて少なく、各種半導体装置の連続フロー生産を高い
効率で行うことができる半導体製造装置に関する。
関し、詳しくは、複雑な搬送装置が不要で、待ち時間が
極めて少なく、各種半導体装置の連続フロー生産を高い
効率で行うことができる半導体製造装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置の生産ラインは、例え
ばエッチング装置やＣＶＤ装置など、同一の機能を有す
る処理装置を同じ室内に多数配置し、処理すべき半導体
ウエーハをカセット単位でそれぞれ処理するジョブショ
ップ方式と呼ばれるものが用いられ、ウエーハを順次１
枚ずつ処理する連続フロー式は行われていなかった。
ばエッチング装置やＣＶＤ装置など、同一の機能を有す
る処理装置を同じ室内に多数配置し、処理すべき半導体
ウエーハをカセット単位でそれぞれ処理するジョブショ
ップ方式と呼ばれるものが用いられ、ウエーハを順次１
枚ずつ処理する連続フロー式は行われていなかった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】連続フロー式は行われ
ていなかったのは下記理由からである。（１）処理すべ
きウエーハを搬送ラインから処理装置側に移す機構が複
雑で信頼性が低く、ダスト発生の恐れもある。（２）連
続フロー方式で生産ラインを組み立てると、生産工程の
合理化や省力化に追従するのが困難である。（３）処理
に要する時間がそれぞれ異なるため、各種処理装置を連
続的に並べると、処理に要する時間が最も長い処理に合
わせざるを得ず、効率が低い。（４）半導体装置の製造
は工程数が極めて多いため、処理装置を工程順に並べる
と、処理装置の数も極めて多くなり、管理が困難になっ
て信頼性も低下する。
ていなかったのは下記理由からである。（１）処理すべ
きウエーハを搬送ラインから処理装置側に移す機構が複
雑で信頼性が低く、ダスト発生の恐れもある。（２）連
続フロー方式で生産ラインを組み立てると、生産工程の
合理化や省力化に追従するのが困難である。（３）処理
に要する時間がそれぞれ異なるため、各種処理装置を連
続的に並べると、処理に要する時間が最も長い処理に合
わせざるを得ず、効率が低い。（４）半導体装置の製造
は工程数が極めて多いため、処理装置を工程順に並べる
と、処理装置の数も極めて多くなり、管理が困難になっ
て信頼性も低下する。
【０００４】本発明の目的は、従来の半導体製造装置の
有する上記問題を解決し、複雑な機構によってウエーハ
を処理装置内に搬送する必要がなく、生産工程の合理化
や省力化に容易に追従することができ、処理装置の必要
数が少なく、かつ連続フロー生産が可能な半導体製造装
置を提供することである。
有する上記問題を解決し、複雑な機構によってウエーハ
を処理装置内に搬送する必要がなく、生産工程の合理化
や省力化に容易に追従することができ、処理装置の必要
数が少なく、かつ連続フロー生産が可能な半導体製造装
置を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明の半導体製造装置は、それぞれトンネル状のチ
ャンバーを有し順次接続された複数の処理室と、処理す
べきウエーハを上記複数の処理室内に順次搬送する手段
と、上記複数の処理室内に搬送された上記ウエーハを上
記チャンバー内においてそれぞれ所定の処理を行う手段
とを少なくとも具備している。
の本発明の半導体製造装置は、それぞれトンネル状のチ
ャンバーを有し順次接続された複数の処理室と、処理す
べきウエーハを上記複数の処理室内に順次搬送する手段
と、上記複数の処理室内に搬送された上記ウエーハを上
記チャンバー内においてそれぞれ所定の処理を行う手段
とを少なくとも具備している。
【０００６】すなわち、本発明の半導体製造装置は、複
数の処理室が順次接続されており、これらの処理室はト
ンネル状のチャンバーをそれぞれ有している。処理すべ
きウエーハは、キャリア（搬送板）やローラーなど搬送
手段の上に置かれて、これらトンネル状のチャンバー内
に搬送され、所定の処理が行われる。各チャンバーはそ
れぞれトンネル状であるため、ウエーハを各チャンバー
内に順次搬送してチャンバー内を移動させるには、キャ
リアを順次移動させるのみでよいのであるから極めて容
易であり、複雑な機構が不要であることはいうまでもな
い。
数の処理室が順次接続されており、これらの処理室はト
ンネル状のチャンバーをそれぞれ有している。処理すべ
きウエーハは、キャリア（搬送板）やローラーなど搬送
手段の上に置かれて、これらトンネル状のチャンバー内
に搬送され、所定の処理が行われる。各チャンバーはそ
れぞれトンネル状であるため、ウエーハを各チャンバー
内に順次搬送してチャンバー内を移動させるには、キャ
リアを順次移動させるのみでよいのであるから極めて容
易であり、複雑な機構が不要であることはいうまでもな
い。
【０００７】上記処理室を、それぞれ実質的に同じ形状
と寸法を有しているようにすることによって、各処理室
の置換や組立て、あるいはラインの変更や工程の追加な
どは極めて容易になる。
と寸法を有しているようにすることによって、各処理室
の置換や組立て、あるいはラインの変更や工程の追加な
どは極めて容易になる。
【０００８】上記複数の処理室は、製造すべき半導体装
置の種類に応じて組み合わせて使用される。この場合複
数の処理室を線状に接続してもよいが、線状のみではな
く、所望の上記処理室を方向変換コーナを介して屈曲し
て接続してもよい。さらに、所望の上記処理室を昇降機
構を介して上下方向に接続することができる。これら方
向変換や上下接続を、上記線状接続と組み合わせること
により、極めて多様な接続が実現され、ラインの変更や
工程の変更などに容易に追従することができるので、製
造品種の変更も容易である。
置の種類に応じて組み合わせて使用される。この場合複
数の処理室を線状に接続してもよいが、線状のみではな
く、所望の上記処理室を方向変換コーナを介して屈曲し
て接続してもよい。さらに、所望の上記処理室を昇降機
構を介して上下方向に接続することができる。これら方
向変換や上下接続を、上記線状接続と組み合わせること
により、極めて多様な接続が実現され、ラインの変更や
工程の変更などに容易に追従することができるので、製
造品種の変更も容易である。
【０００９】隣接する上記処理室をフランジを介して互
いに接続し、両室内を互いに分離することができる。さ
らに、上記チャンバー内の雰囲気をそれぞれ所望の雰囲
気とする手段を設けることができる。このようにするこ
とによって、各処理室内において、それぞれ例えばスパ
ッタリング、ＣＶＤ、ドライエッチングなど各種処理
を、他の処理室からの影響を受けることなしに、それぞ
れ独立して行うことができる。
いに接続し、両室内を互いに分離することができる。さ
らに、上記チャンバー内の雰囲気をそれぞれ所望の雰囲
気とする手段を設けることができる。このようにするこ
とによって、各処理室内において、それぞれ例えばスパ
ッタリング、ＣＶＤ、ドライエッチングなど各種処理
を、他の処理室からの影響を受けることなしに、それぞ
れ独立して行うことができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】実施例１ 本発明の第１の実施例を図１〜図３を用いて説明する。
図１に示したように、本実施例においては、処理室９に
は、各種処理を行うためのトンネル状のチャンバーが形
成されており、処理すべきウエーハ３をその上に乗せる
キャリア１２とロール１８が上記トンネル内に設けられ
ている。このロール１８の回転によって上記キャリア１
２が移動し、これにともなって、キャリア１２上の上記
ウエーハ３はトンネル内を順次搬送される。上記キャリ
ア１２の搬送には、ロール１８の代りにリニアモーター
や玉突き方式など他の手段を用いてもよい。
図１に示したように、本実施例においては、処理室９に
は、各種処理を行うためのトンネル状のチャンバーが形
成されており、処理すべきウエーハ３をその上に乗せる
キャリア１２とロール１８が上記トンネル内に設けられ
ている。このロール１８の回転によって上記キャリア１
２が移動し、これにともなって、キャリア１２上の上記
ウエーハ３はトンネル内を順次搬送される。上記キャリ
ア１２の搬送には、ロール１８の代りにリニアモーター
や玉突き方式など他の手段を用いてもよい。
【００１１】上記キャリア１２の両端部にはチューブシ
ール１０が設けられており、このチューブシール１０の
膨張と収縮によって、処理室９内は他の処理室からシー
ルされる。
ール１０が設けられており、このチューブシール１０の
膨張と収縮によって、処理室９内は他の処理室からシー
ルされる。
【００１２】また、処理室９は、高圧、高真空、プラズ
マおよび高温度など多くの環境あるいは雰囲気に耐えら
れるように、肉厚で放出ガスの少ない金属によって形成
するとともに、外部から冷却し、さらに内面にはセラミ
ック等の塗布やライナ１９を設けて、真空、大気圧、減
圧、高圧および各種ガス雰囲気などにおける半導体装置
の生産工程のすべての処理工程を実施できるようにし
た。さらに、半導体ウエーハを外部へ取り出すための機
構も設けた。
マおよび高温度など多くの環境あるいは雰囲気に耐えら
れるように、肉厚で放出ガスの少ない金属によって形成
するとともに、外部から冷却し、さらに内面にはセラミ
ック等の塗布やライナ１９を設けて、真空、大気圧、減
圧、高圧および各種ガス雰囲気などにおける半導体装置
の生産工程のすべての処理工程を実施できるようにし
た。さらに、半導体ウエーハを外部へ取り出すための機
構も設けた。
【００１３】処理室９の上部のフランジ８には、例えば
ドライエッチングやＣＶＤなど各種処理のための機構４
およびガス分散電極６などを設け、下部フランジ１３に
は、ウエーハ３を外部へ取り出すための昇降機構３０、
フィールドスル１４、下部電極１、加熱ヒータ２、ウエ
ーハ３を冷却するためのＨｅガス導入口１５および排気
口１６などを設けた。また、上記ロール１８の近傍に
は、キャリア１２とロール１８の間で発生する摩耗粉を
回収するための静電吸着機構１７を設けた。
ドライエッチングやＣＶＤなど各種処理のための機構４
およびガス分散電極６などを設け、下部フランジ１３に
は、ウエーハ３を外部へ取り出すための昇降機構３０、
フィールドスル１４、下部電極１、加熱ヒータ２、ウエ
ーハ３を冷却するためのＨｅガス導入口１５および排気
口１６などを設けた。また、上記ロール１８の近傍に
は、キャリア１２とロール１８の間で発生する摩耗粉を
回収するための静電吸着機構１７を設けた。
【００１４】上記キャリア１２は、図２に平面構造を示
したように、例えばＳｉＣ製の板状のセラミック製とし
てすべての処理に対応できるようにし、中心部に形成さ
れた切り欠きに透明石英２１をはめ込んで、この中心部
に処理すべきウエーハ３を装着するようにした。すき間
２２は、キャリア１２によって仕切られる処理室９の、
上下方向における気体の通路になる。上記石英板２１
は、ウエーハ３を下方から赤外線加熱したり、ウエーハ
３をキャリア１２から電気的に絶縁するために用いら
れ、また、セラミック製の上記キャリア１２の端部のシ
ール部分は、研磨を行って真空シールを可能にした。
したように、例えばＳｉＣ製の板状のセラミック製とし
てすべての処理に対応できるようにし、中心部に形成さ
れた切り欠きに透明石英２１をはめ込んで、この中心部
に処理すべきウエーハ３を装着するようにした。すき間
２２は、キャリア１２によって仕切られる処理室９の、
上下方向における気体の通路になる。上記石英板２１
は、ウエーハ３を下方から赤外線加熱したり、ウエーハ
３をキャリア１２から電気的に絶縁するために用いら
れ、また、セラミック製の上記キャリア１２の端部のシ
ール部分は、研磨を行って真空シールを可能にした。
【００１５】このような処理室９は、図３に示したよう
にロール１８のレベルを合わせて複数個連結されてお
り、キャリア１２は各処理室９の間を順次通過できるよ
うになっている。各処理室９間のシールはシール２４に
よって行われ、フランジ２３によってシール２４を押え
ると共に、このフランジ２３の厚さによって各処理室９
間の距離の調節が行われる。各処理を行うための処理機
構４は、生産工程順に従って配置されている。
にロール１８のレベルを合わせて複数個連結されてお
り、キャリア１２は各処理室９の間を順次通過できるよ
うになっている。各処理室９間のシールはシール２４に
よって行われ、フランジ２３によってシール２４を押え
ると共に、このフランジ２３の厚さによって各処理室９
間の距離の調節が行われる。各処理を行うための処理機
構４は、生産工程順に従って配置されている。
【００１６】ウエーハ３を取り付けたキャリア１２を、
一方の端部（図３では左端部）に配置された処理室９に
挿入して、順次隣接する他の処理室９に移してそれぞれ
所定の処理を行い、処理が終了した後、他方の端部（図
３では右端部）に配置された処理室９から取り出した。
これにより、一連の処理工程を支障なく行うことがで
き、極めて良好な結果が得られた。なお、図３において
は、処理室９が３個接続されているが、これは作図の都
合によるものであり、接続される処理室９の数は、目的
に応じて適宜選択できることはいうまでもない。
一方の端部（図３では左端部）に配置された処理室９に
挿入して、順次隣接する他の処理室９に移してそれぞれ
所定の処理を行い、処理が終了した後、他方の端部（図
３では右端部）に配置された処理室９から取り出した。
これにより、一連の処理工程を支障なく行うことがで
き、極めて良好な結果が得られた。なお、図３において
は、処理室９が３個接続されているが、これは作図の都
合によるものであり、接続される処理室９の数は、目的
に応じて適宜選択できることはいうまでもない。
【００１７】実施例２ 上記実施例１では処理室９を直線状に接続した例を示し
たが、直線状のみではなく、種々な接続が可能である。
図４はその一例を示し、方向転換コーナー２５によって
キャリアを方向転換させた後、直線状に接続された処理
室９においてそれぞれ所定の処理を順次行った。
たが、直線状のみではなく、種々な接続が可能である。
図４はその一例を示し、方向転換コーナー２５によって
キャリアを方向転換させた後、直線状に接続された処理
室９においてそれぞれ所定の処理を順次行った。
【００１８】本実施例では、処理室９の数を調節するこ
とによって、すべての処理工程のタクトタイム（処理に
要する時間）を一致させたり、工程数を増加させること
ができた。また、処理室９の一つに故障が生じても、生
産ラインを完全に停止させることなしに、作業を続行す
ることができるという大きな特長を有している。上記転
換コーナー２５としては、市販の転換コーナーを真空用
に改造して用いてもよく、また、転換コーナー２５を使
用せず、上記キャリア１２が停止した時点でロール１８
を進行方向に転換させるなど、種々な態様が可能であ
る。
とによって、すべての処理工程のタクトタイム（処理に
要する時間）を一致させたり、工程数を増加させること
ができた。また、処理室９の一つに故障が生じても、生
産ラインを完全に停止させることなしに、作業を続行す
ることができるという大きな特長を有している。上記転
換コーナー２５としては、市販の転換コーナーを真空用
に改造して用いてもよく、また、転換コーナー２５を使
用せず、上記キャリア１２が停止した時点でロール１８
を進行方向に転換させるなど、種々な態様が可能であ
る。
【００１９】実施例３ 本実施例は処理室９を横方向のみではなく、上下方向に
も接続した例であり、図５を用いて説明する。図５に示
したように、本実施例においては、位置決め機構２６の
上に置かれたキャリア１２は、横方向に接続された複数
の処理室９においてそれぞれ所定の処理が行われた後、
台座２７の上に移り、昇降機構３０によって下方位置２
８まで降下する。次に、横方向に接続された複数の処理
室９においてそれぞれ所定の処理を行った後、位置決め
機構２６´によって停止される。本実施例では、キャリ
ア１２がこのように移動して処理が行われるので、例え
ばクラスタ型（装置を多角形型として辺の位置に処理室
を配置したもの）の先端に本実施例の装置を配置して、
クラスタの辺の位置でキャリアを上または下に折り返す
ことができる。
も接続した例であり、図５を用いて説明する。図５に示
したように、本実施例においては、位置決め機構２６の
上に置かれたキャリア１２は、横方向に接続された複数
の処理室９においてそれぞれ所定の処理が行われた後、
台座２７の上に移り、昇降機構３０によって下方位置２
８まで降下する。次に、横方向に接続された複数の処理
室９においてそれぞれ所定の処理を行った後、位置決め
機構２６´によって停止される。本実施例では、キャリ
ア１２がこのように移動して処理が行われるので、例え
ばクラスタ型（装置を多角形型として辺の位置に処理室
を配置したもの）の先端に本実施例の装置を配置して、
クラスタの辺の位置でキャリアを上または下に折り返す
ことができる。
【００２０】なお、本実施例ではキャリア１２を上から
下に移す場合を示したが、それとは逆に、下から上に移
すことも可能であることはいうまでもない。
下に移す場合を示したが、それとは逆に、下から上に移
すことも可能であることはいうまでもない。
【００２１】実施例４ ウエーハ３の各種処理の例を説明する。図６は、例えば
ホトレジスト膜の剥離、洗浄または検査工程などのため
に、ウエーハ３を外部に取り出す場合を示す。ウエーハ
３を乗せたキャリア１２を所定の位置にセットした後、
処理室９内を大気に開放し、上部フランジ８を回転して
位置を変える。次に、昇降機構３０を用いてウエーハ３
を上部に移し、ロボット（図示せず）などを用いてウエ
ーハ３を取り出し、処理終了後、生産ラインに戻す。本
実施例では、処理室９内は大気に開放されるが、チュー
ブシール１０によって他の処理室とは分離されているの
で、他の処理室に影響することはない。
ホトレジスト膜の剥離、洗浄または検査工程などのため
に、ウエーハ３を外部に取り出す場合を示す。ウエーハ
３を乗せたキャリア１２を所定の位置にセットした後、
処理室９内を大気に開放し、上部フランジ８を回転して
位置を変える。次に、昇降機構３０を用いてウエーハ３
を上部に移し、ロボット（図示せず）などを用いてウエ
ーハ３を取り出し、処理終了後、生産ラインに戻す。本
実施例では、処理室９内は大気に開放されるが、チュー
ブシール１０によって他の処理室とは分離されているの
で、他の処理室に影響することはない。
【００２２】図７は、例えば高圧酸化、ゲート酸化また
は各種熱処理などのように、ウエーハ３を赤外線ランプ
３４や加熱ヒーター２によって加熱した後、純水や液体
酸素３２を蒸発させ、液体流量調節器３３を介して処理
室９内に導入させて、所定の酸化処理を行った例を示
す。
は各種熱処理などのように、ウエーハ３を赤外線ランプ
３４や加熱ヒーター２によって加熱した後、純水や液体
酸素３２を蒸発させ、液体流量調節器３３を介して処理
室９内に導入させて、所定の酸化処理を行った例を示
す。
【００２３】同様に、図８は熱ＣＶＤによる成膜、図９
はＬＰＣＶＤ（低圧ＣＶＤ）による成膜、図１０はスパ
ッタリングによる成膜またはエッチングの例を、それぞ
れ示す。また、図１１はイオン注入を行う例を示し、昇
降機構３０を用いてウエーハ３を上部に上げてウエハプ
ラテン（ウエハを支持する板）３９で受け、このイオン
プラテン３９を回転させて、ウエハ３にイオンビーム４
１を照射した後、イオンプラテン３９を逆方向に回転さ
せて、ウエーハ３を元のラインに戻した。なお、図１〜
１１において、符号１９はライナ、２０は冷却水、２１
は石英、２２は隙間、２３はフランジ、２４はシール、
２８は下方位置、２９はベローズ、３５は石英ガラス
窓、３６は直流バイアス電位、３７は高周波バイアス電
位、３８はスパッタ源、４０はファラデイゲージ、４１
はイオンビームをそれぞれ表わす。
はＬＰＣＶＤ（低圧ＣＶＤ）による成膜、図１０はスパ
ッタリングによる成膜またはエッチングの例を、それぞ
れ示す。また、図１１はイオン注入を行う例を示し、昇
降機構３０を用いてウエーハ３を上部に上げてウエハプ
ラテン（ウエハを支持する板）３９で受け、このイオン
プラテン３９を回転させて、ウエハ３にイオンビーム４
１を照射した後、イオンプラテン３９を逆方向に回転さ
せて、ウエーハ３を元のラインに戻した。なお、図１〜
１１において、符号１９はライナ、２０は冷却水、２１
は石英、２２は隙間、２３はフランジ、２４はシール、
２８は下方位置、２９はベローズ、３５は石英ガラス
窓、３６は直流バイアス電位、３７は高周波バイアス電
位、３８はスパッタ源、４０はファラデイゲージ、４１
はイオンビームをそれぞれ表わす。
【００２４】
【発明の効果】上記説明から明らかなように、本発明に
よれば、処理室内にウエーハを搬送するための複雑な機
構が不要なので装置の構造が極めて簡単である、生産ラ
インの組替えが容易である、タクトタイムを一致させる
ことが容易なので生産効率が向上する、連続フロー生産
が可能である、待ち時間が解消されたので汚染の解消や
採算の自動化が容易である、など多くの利点が実現され
た。
よれば、処理室内にウエーハを搬送するための複雑な機
構が不要なので装置の構造が極めて簡単である、生産ラ
インの組替えが容易である、タクトタイムを一致させる
ことが容易なので生産効率が向上する、連続フロー生産
が可能である、待ち時間が解消されたので汚染の解消や
採算の自動化が容易である、など多くの利点が実現され
た。
【図１】本発明の第１の実施例を示す断面図。
【図２】本発明の第１の実施例を示す平面図。
【図３】本発明の第１の実施例を示す系統図。
【図４】本発明の第２の実施例を示す系統図。
【図５】本発明の第３の実施例を示す系統図。
【図６】本発明の第４の実施例を示す断面図。
【図７】本発明の第４の実施例を示す断面図。
【図８】本発明の第４の実施例を示す断面図。
【図９】本発明の第４の実施例を示す断面図。
【図１０】本発明の第４の実施例を示す断面図。
【図１１】本発明の第４の実施例を示す断面図。
１…下部電極、２…加熱ヒータ、３…ウエーハ、４…機
構、５…シールド、６…ガス分散電極、７…シール、８
…フランジ、９…処理室、１０…チューブシール、１１
…ロール駆動機構、１２…キャリア、１３…下部フラン
ジ、１４…フィールドスル、１５…ガス導入口、１６…
排気口、１７…静電吸着機構、１８…ロール、１９…ラ
イナ、２０…冷却水、２１…透明石英、２２…隙間、２
３…フランジ、２４…シール、２５…方向変換コーナ、
２６…位置決め機構、２７…台座、２８…下方位置、２
９…ベローズ、３０…昇降機構、３１…駆動機構、３２
…純水または液体酸素、３３…ガス流量調節器、３４…
ランプ、３５…石英ガラス窓、３６…直流バイアス電
位、３７…高周波バイアス電位、３８…スパッタ源、３
９…ウエハプラテン、４０…ファラデイゲージ、４１…
イオンビーム。
構、５…シールド、６…ガス分散電極、７…シール、８
…フランジ、９…処理室、１０…チューブシール、１１
…ロール駆動機構、１２…キャリア、１３…下部フラン
ジ、１４…フィールドスル、１５…ガス導入口、１６…
排気口、１７…静電吸着機構、１８…ロール、１９…ラ
イナ、２０…冷却水、２１…透明石英、２２…隙間、２
３…フランジ、２４…シール、２５…方向変換コーナ、
２６…位置決め機構、２７…台座、２８…下方位置、２
９…ベローズ、３０…昇降機構、３１…駆動機構、３２
…純水または液体酸素、３３…ガス流量調節器、３４…
ランプ、３５…石英ガラス窓、３６…直流バイアス電
位、３７…高周波バイアス電位、３８…スパッタ源、３
９…ウエハプラテン、４０…ファラデイゲージ、４１…
イオンビーム。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F031 CA02 DA13 EA01 FA01 FA07 FA13 GA45 GA53 GA60 HA32 HA37 HA38 HA48 HA58 HA59 MA02 MA03 MA09 MA13 MA23 MA26 MA28 MA29 MA30 MA31 MA32 MA33 NA04 NA05 NA07 NA13 PA05
Claims (7)
- 【請求項１】それぞれトンネル状のチャンバーを有し順
次接続された複数の処理室と、処理すべきウエーハを上
記複数の処理室内に順次搬送する手段と、上記複数の処
理室内に搬送された上記ウエーハを上記チャンバー内に
おいてそれぞれ所定の処理を行う手段とを少なくとも具
備することを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２】上記処理室は、それぞれ実質的に同じ形状
と同じ寸法を有していることを特徴とする請求項１に記
載の半導体製造装置。 - 【請求項３】所望の上記処理室は線状に接続されている
ことを特徴とする請求項１若しくは２に記載の半導体製
造装置。 - 【請求項４】所望の上記処理室は方向変換コーナを介し
て屈曲して接続されていることを特徴とする請求項１か
ら３のいずれか一に記載の半導体製造装置。 - 【請求項５】所望の上記処理室は昇降機構を介して上下
方向に接続されていることを特徴とする請求項１から４
のいずれか一に記載の半導体製造装置。 - 【請求項６】隣接する上記処理室はフランジを介して互
いに接続されていることを特徴とする請求項１から５の
いずれか一に記載の半導体製造装置。 - 【請求項７】上記処理室は、上記チャンバー内の雰囲気
をそれぞれ所望の雰囲気とする手段を有していることを
特徴とする請求項１から６のいずれか一に記載の半導体
製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25591798A JP2000058624A (ja) | 1998-08-07 | 1998-08-07 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25591798A JP2000058624A (ja) | 1998-08-07 | 1998-08-07 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000058624A true JP2000058624A (ja) | 2000-02-25 |
Family
ID=17285371
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25591798A Pending JP2000058624A (ja) | 1998-08-07 | 1998-08-07 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000058624A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001230299A (ja) * | 2000-02-18 | 2001-08-24 | Sumitomo Precision Prod Co Ltd | 基板処理設備 |
| KR20010084796A (ko) * | 2000-02-29 | 2001-09-06 | 박종섭 | 반도체 웨이퍼 제조장치 |
| JP2010182755A (ja) * | 2009-02-03 | 2010-08-19 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| JP2013149942A (ja) * | 2012-01-20 | 2013-08-01 | Mm Tech Co Ltd | 基板表面処理システム及び基板表面処理方法 |
-
1998
- 1998-08-07 JP JP25591798A patent/JP2000058624A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP4696165B2 (ja) * | 2009-02-03 | 2011-06-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
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