JPH03170671A - スパツタ装置、及びターゲツト交換装置、並びにその交換方法 - Google Patents
スパツタ装置、及びターゲツト交換装置、並びにその交換方法Info
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- JPH03170671A JPH03170671A JP1307719A JP30771989A JPH03170671A JP H03170671 A JPH03170671 A JP H03170671A JP 1307719 A JP1307719 A JP 1307719A JP 30771989 A JP30771989 A JP 30771989A JP H03170671 A JPH03170671 A JP H03170671A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はスパッタ装置、並びにターゲット交換装置、及
びその方法に係り、特に，ターゲットの交換頻度の高い
量産用インライン型スパッタ装置に好適なスパッタ装置
、並びにターゲツ１・交換装置及びその方法に関する。
びその方法に係り、特に，ターゲットの交換頻度の高い
量産用インライン型スパッタ装置に好適なスパッタ装置
、並びにターゲツ１・交換装置及びその方法に関する。
スパッタ装置は，種々の材料の薄膜化手段の一つとして
、各方面でニーズが高まっている。このスパッタ装置に
よるスパッタリング法は，１０′″１〜Ｉ Ｏ−’Ｔｏ
ｒｒ程度の真空中でアルゴン等のガスを放電させ、この
時に生じたイオンでターゲットをスパッタリングして、
飛散したスパッタ粒子をタ一ゲットに対面した位置に配
置されている基板面上に堆積させて薄膜を形成する方法
であり、この方法を用いたスパッタリング装置は、用途
に応じて様々なタイプが考えられ、実用化されている。
、各方面でニーズが高まっている。このスパッタ装置に
よるスパッタリング法は，１０′″１〜Ｉ Ｏ−’Ｔｏ
ｒｒ程度の真空中でアルゴン等のガスを放電させ、この
時に生じたイオンでターゲットをスパッタリングして、
飛散したスパッタ粒子をタ一ゲットに対面した位置に配
置されている基板面上に堆積させて薄膜を形成する方法
であり、この方法を用いたスパッタリング装置は、用途
に応じて様々なタイプが考えられ、実用化されている。
特に、量産用のインライン方式のスパッタ装置において
，複数の成膜すべき材料を各々所定の厚さに成膜するた
めに、ターゲットへの投入電力をその材料ごとに変えて
調整する方法もあるが、この場合、特定のターゲットの
消耗が激しく、そのターゲットを頻繁に交換しなければ
ならない。このターゲットの交換のため、交換の都度装
置の真空状態が破られることになり、装置の再立上げに
時間がかかるとともに、膜質に影響が出て、良好な膜が
安定して得られないという問題がある。そこで一般にイ
ンライン方式のスパッタ装置では、ターゲットの消耗が
出来るだけ等しくなるように、基板を搬送させながら同
種材の複数のターゲットを用いスパッタ成膜させるとい
う方法がとられている。例えば、磁気記録用のディスク
の成膜を行う場合、スパッタ装置は、金属膜，磁性膜，
保護膜用に全部で２０個近いターゲット電極を用いて連
続成膜を行なわせている。しかし、ターゲット数が増え
てくると、ターゲット交換に要する時間が無視できなく
なり、稼動率を下げる最大の要因になっている。特に、
ターゲット交換の間中、成膜室を大気に開放しているた
めに、装置の再立上げ時間が長くなるばかりでなく、膜
質に影響して，良好な膜が安定して得られなくなる。
，複数の成膜すべき材料を各々所定の厚さに成膜するた
めに、ターゲットへの投入電力をその材料ごとに変えて
調整する方法もあるが、この場合、特定のターゲットの
消耗が激しく、そのターゲットを頻繁に交換しなければ
ならない。このターゲットの交換のため、交換の都度装
置の真空状態が破られることになり、装置の再立上げに
時間がかかるとともに、膜質に影響が出て、良好な膜が
安定して得られないという問題がある。そこで一般にイ
ンライン方式のスパッタ装置では、ターゲットの消耗が
出来るだけ等しくなるように、基板を搬送させながら同
種材の複数のターゲットを用いスパッタ成膜させるとい
う方法がとられている。例えば、磁気記録用のディスク
の成膜を行う場合、スパッタ装置は、金属膜，磁性膜，
保護膜用に全部で２０個近いターゲット電極を用いて連
続成膜を行なわせている。しかし、ターゲット数が増え
てくると、ターゲット交換に要する時間が無視できなく
なり、稼動率を下げる最大の要因になっている。特に、
ターゲット交換の間中、成膜室を大気に開放しているた
めに、装置の再立上げ時間が長くなるばかりでなく、膜
質に影響して，良好な膜が安定して得られなくなる。
そこで、特開平１−１６５７７０号公報に記載されてい
るように、ターゲット電極部をユニツｌ・化し，これら
ユニット化された一式をハンドル等でワンタッチで取付
け固定する方式を既に提案している。
るように、ターゲット電極部をユニツｌ・化し，これら
ユニット化された一式をハンドル等でワンタッチで取付
け固定する方式を既に提案している。
これにより、ターゲット電極の交換時間を大幅に短縮す
ることが可能となった。
ることが可能となった。
一方、スパッタ装置において５成膜室を大気に開放する
ことなく成膜室内の防着板等を交換する方法には以下の
ようなものがある． 例えば、特開昭６１−１３３３７８号公報や特開昭６１
−２１０１７８号公報に示されているのは、成膜室内の
防着板を適当な搬送手段により、成膜室とはゲート弁等
により仕切られた仕込み取出し室に搬送して、この仕込
み取出し室で防看板の交換を行ない、新しい防着板を再
び成膜室に戻し、成膜室を大気に開放することなく防着
板の交換を可能とするものである。また、特開昭６２
− ２０８７３号公報や特開昭６２−１２７４７１号公
報に記載されているように，窓ガラスの交換においても
、ゲート弁を設けて成膜室と窓ガラス交換のための空間
を仕切ることによって、成膜室を大気に開放することな
く窓ガラスの交換を可能にする方法がある。
ことなく成膜室内の防着板等を交換する方法には以下の
ようなものがある． 例えば、特開昭６１−１３３３７８号公報や特開昭６１
−２１０１７８号公報に示されているのは、成膜室内の
防着板を適当な搬送手段により、成膜室とはゲート弁等
により仕切られた仕込み取出し室に搬送して、この仕込
み取出し室で防看板の交換を行ない、新しい防着板を再
び成膜室に戻し、成膜室を大気に開放することなく防着
板の交換を可能とするものである。また、特開昭６２
− ２０８７３号公報や特開昭６２−１２７４７１号公
報に記載されているように，窓ガラスの交換においても
、ゲート弁を設けて成膜室と窓ガラス交換のための空間
を仕切ることによって、成膜室を大気に開放することな
く窓ガラスの交換を可能にする方法がある。
また，インラインスパッタ装置ではないが、多層膜形戊
用スパッタリング装置においては、特開昭６１− ５７
６号公報に記載さているように、メインチャンバにター
ゲットの数だけそれぞれサブチャンバを設け、各サブチ
ャンバとメインチャンバをゲート弁で仕切って、夫々の
ターゲットが他のターゲットのスパッタ中に汚染される
ことがない工夫がされている。
用スパッタリング装置においては、特開昭６１− ５７
６号公報に記載さているように、メインチャンバにター
ゲットの数だけそれぞれサブチャンバを設け、各サブチ
ャンバとメインチャンバをゲート弁で仕切って、夫々の
ターゲットが他のターゲットのスパッタ中に汚染される
ことがない工夫がされている。
上記特開平１−１６５７７０号公報に記載されている方
式では、結局、ターゲット電極を交換する際は、成膜室
を大気に開放することには変りはなく、生産性の低下、
及び信頼性の低下の最大の要因となっている。
式では、結局、ターゲット電極を交換する際は、成膜室
を大気に開放することには変りはなく、生産性の低下、
及び信頼性の低下の最大の要因となっている。
一方，特開昭６１−１３３３７８号公報，特開昭６１−
２１０１７８号公報，特開昭６２ − ２０８７３号公
報、及び特開昭６２−１２７４７１号公報に記載されて
いるのは，いずれも防看板や窓ガラスのみに限定されて
おり、ターゲット電極の交換方法にまでは至っていない
．また、真空中での交換を可能にするために、新たにゲ
ート弁や交換室を設ける方式では、ゲート弁がスパッタ
により汚染されてしまい、ゲート弁の洗浄のために結局
成膜室を大気に開放しなければならなくなってしまう．
更に、特開昭６１− ５７６号公報に記載されているの
は，夫々のターゲットを他のターゲットで汚染せずに多
層膜を形成するために、成膜室とターゲット電極との間
をゲート弁で仕切る方法では、成膜室を大気に開放する
ことなくターゲットの交換は可能となるが、これも前述
の他の公知例と同様に、ゲート弁の交換・洗浄が必要と
なるために、成膜室を大気に開放せざるを得なくなる。
２１０１７８号公報，特開昭６２ − ２０８７３号公
報、及び特開昭６２−１２７４７１号公報に記載されて
いるのは，いずれも防看板や窓ガラスのみに限定されて
おり、ターゲット電極の交換方法にまでは至っていない
．また、真空中での交換を可能にするために、新たにゲ
ート弁や交換室を設ける方式では、ゲート弁がスパッタ
により汚染されてしまい、ゲート弁の洗浄のために結局
成膜室を大気に開放しなければならなくなってしまう．
更に、特開昭６１− ５７６号公報に記載されているの
は，夫々のターゲットを他のターゲットで汚染せずに多
層膜を形成するために、成膜室とターゲット電極との間
をゲート弁で仕切る方法では、成膜室を大気に開放する
ことなくターゲットの交換は可能となるが、これも前述
の他の公知例と同様に、ゲート弁の交換・洗浄が必要と
なるために、成膜室を大気に開放せざるを得なくなる。
また，成膜室の構造が複雑になるうえに，ターゲットと
基板間の距離が大きくなるために良好な特性の膜が得ら
れなくなる等の問題がある． 即ち、上記従来技術では、量産用のインラインスパッタ
装置において、ターゲットの交換のために成膜室を大気
に開放することによる、再立上げ時間の必要性、つまり
装置稼動率の低下，及び膜貿への影響については十分考
慮されていなかった。
基板間の距離が大きくなるために良好な特性の膜が得ら
れなくなる等の問題がある． 即ち、上記従来技術では、量産用のインラインスパッタ
装置において、ターゲットの交換のために成膜室を大気
に開放することによる、再立上げ時間の必要性、つまり
装置稼動率の低下，及び膜貿への影響については十分考
慮されていなかった。
本発明は上述の点に鑑みなされたもので、その目的とす
るところは、ターゲットの交換のために，成膜室を大気
に開放することなく、真空のままでターゲット電極を交
換することが出来るスパッタ装置、並びにターゲット交
換装置、及びその方法、更には、装置の再立上げ時間の
必要としない稼動率が大幅に向上するスバッタ装置を提
供するにある． 〔課題を解決するための手段〕 本発明は上記目的を達成するために、真空容器内に配置
され、その表面に成膜される基板と対向する側の前記真
空容器壁面に開口部を設けると共に、前記真空容器に開
口部と連通ずるターゲット交換室を隣接配置し，成膜時
には前記開口部を前記ターゲットで塞ぎ真空容滞内を真
空状態に保つと共に、前記ターゲット交換室は大気開放
として予備ターゲットを収納し、一方．ターゲット交換
時には前記ターゲット交換室を真空排気して真空状態に
保ち、前記ターゲットと予備ターゲツ１−を交換するス
パッタ装置、基板と対向する側の真空容器壁面に開口部
を設け，成膜時には該開口部をターゲットで塞ぎ、一方
、成膜時には大気開放され、ターゲット交換時には真空
排気されて真空状態に保たれ、内部に予備ターゲットが
収納されているターゲット交換室を，前記真空容器の開
口部に一部が位置するように隣接配置したスパッタ装置
，真空容器と、該真空容器内に配置され、その表面に成
膜される基板と、該基板と対向配置され成膜すべき母材
となるターゲットとから成る成膜室に隣接配置されたタ
ーゲット交換室を有し、該ターゲット交換室はターゲッ
ト移動用レールが上下２段設けられていると共に，成膜
時には前記成膜室とターゲットでしゃ断されて大気開放
状態にあり、ターゲット交換時には真空排気されて前記
成膜室と連通して真空状態にあるターゲット交換装置。
るところは、ターゲットの交換のために，成膜室を大気
に開放することなく、真空のままでターゲット電極を交
換することが出来るスパッタ装置、並びにターゲット交
換装置、及びその方法、更には、装置の再立上げ時間の
必要としない稼動率が大幅に向上するスバッタ装置を提
供するにある． 〔課題を解決するための手段〕 本発明は上記目的を達成するために、真空容器内に配置
され、その表面に成膜される基板と対向する側の前記真
空容器壁面に開口部を設けると共に、前記真空容器に開
口部と連通ずるターゲット交換室を隣接配置し，成膜時
には前記開口部を前記ターゲットで塞ぎ真空容滞内を真
空状態に保つと共に、前記ターゲット交換室は大気開放
として予備ターゲットを収納し、一方．ターゲット交換
時には前記ターゲット交換室を真空排気して真空状態に
保ち、前記ターゲットと予備ターゲツ１−を交換するス
パッタ装置、基板と対向する側の真空容器壁面に開口部
を設け，成膜時には該開口部をターゲットで塞ぎ、一方
、成膜時には大気開放され、ターゲット交換時には真空
排気されて真空状態に保たれ、内部に予備ターゲットが
収納されているターゲット交換室を，前記真空容器の開
口部に一部が位置するように隣接配置したスパッタ装置
，真空容器と、該真空容器内に配置され、その表面に成
膜される基板と、該基板と対向配置され成膜すべき母材
となるターゲットとから成る成膜室に隣接配置されたタ
ーゲット交換室を有し、該ターゲット交換室はターゲッ
ト移動用レールが上下２段設けられていると共に，成膜
時には前記成膜室とターゲットでしゃ断されて大気開放
状態にあり、ターゲット交換時には真空排気されて前記
成膜室と連通して真空状態にあるターゲット交換装置。
成膜時に真空容器の一部を形成しているターゲットを交
換する際に、前記真空容器に隣接配置されているターゲ
ット交換室を真空排気して真空状態にし、この状態で予
めターゲット交換室内に収納されている交換用ターゲッ
トと前記真空容器の一部を形成しているターゲットを交
換するターゲット交換方法としたことを特徴とする。
換する際に、前記真空容器に隣接配置されているターゲ
ット交換室を真空排気して真空状態にし、この状態で予
めターゲット交換室内に収納されている交換用ターゲッ
トと前記真空容器の一部を形成しているターゲットを交
換するターゲット交換方法としたことを特徴とする。
本発明では成膜時にターゲット電極が真空容器の一部を
形威しているため、真空容器内でターゲットがスパッタ
リングされ基板表面に成膜される。
形威しているため、真空容器内でターゲットがスパッタ
リングされ基板表面に成膜される。
この時、ターゲット交換室を大気開放して予備の交換用
ターゲット電極を準備する。ターゲット交換室を大気開
放しても真空容器とは前記ターゲット電極で仕切られて
いるため、真空容器は真空が破られることはない。一方
、ターゲットｆ！ｉＩ！交換時には、ターゲット交換室
を密封し真空排気する。
ターゲット電極を準備する。ターゲット交換室を大気開
放しても真空容器とは前記ターゲット電極で仕切られて
いるため、真空容器は真空が破られることはない。一方
、ターゲットｆ！ｉＩ！交換時には、ターゲット交換室
を密封し真空排気する。
この状態で真空容器の一部を形成しているターゲット電
極とターゲット交換室内にある予備の交換用ターゲット
電極とを所定の手段で移動させ交換する。ターゲット電
極の交換が完了したらターゲット交換室を大気開放し、
古いターゲット電極をターゲット交換室から搬出すると
共に、新しい交換用ターゲット電極をターゲット交換室
に搬入し次のターゲット電極の交換に備える。
極とターゲット交換室内にある予備の交換用ターゲット
電極とを所定の手段で移動させ交換する。ターゲット電
極の交換が完了したらターゲット交換室を大気開放し、
古いターゲット電極をターゲット交換室から搬出すると
共に、新しい交換用ターゲット電極をターゲット交換室
に搬入し次のターゲット電極の交換に備える。
従って、成膜室である真空容器を大気に開放することな
くターゲット電極の交換が行え、膜質の良好な膜を安定
して成膜することができるので信頼性が向上する。又、
成膜室を大気に開放することがないので、再立上げ時間
がほとんどなく、装置の稼動率が大幅に向上する。
くターゲット電極の交換が行え、膜質の良好な膜を安定
して成膜することができるので信頼性が向上する。又、
成膜室を大気に開放することがないので、再立上げ時間
がほとんどなく、装置の稼動率が大幅に向上する。
以下、図示した実施例に基づいて本発明を詳細に説明す
る． 第１図に本発明のスパッタ装置、及びターゲット交換装
置の一実施例を示す。
る． 第１図に本発明のスパッタ装置、及びターゲット交換装
置の一実施例を示す。
該図に示す如く、ｌは成膜室を形成する真空容器で、こ
の真空容器１内に真空容器ｌの一部を形成するターゲッ
ト電極３、及び基板トレイ１０が配置され、真空容器１
の壁面とターゲット電極３表面とが同一平面に形成され
ている。ターゲッ１〜電極３は、ターゲット電極支持台
４に支持され、このターゲット電極支持台４を通して冷
却水が供給される冷却水導入口５を有している。一方、
真空容器１の下方には，これに隣接してターゲット電極
交換室２が接続され，このターゲット電極交換室２内に
は、ターゲット電極移動用レール６が上下２段設けられ
ており、搬送用ギア８によりターゲット電極移動用レー
ルを移動することにより、ターゲット電極３を移動させ
ることができる。
の真空容器１内に真空容器ｌの一部を形成するターゲッ
ト電極３、及び基板トレイ１０が配置され、真空容器１
の壁面とターゲット電極３表面とが同一平面に形成され
ている。ターゲッ１〜電極３は、ターゲット電極支持台
４に支持され、このターゲット電極支持台４を通して冷
却水が供給される冷却水導入口５を有している。一方、
真空容器１の下方には，これに隣接してターゲット電極
交換室２が接続され，このターゲット電極交換室２内に
は、ターゲット電極移動用レール６が上下２段設けられ
ており、搬送用ギア８によりターゲット電極移動用レー
ルを移動することにより、ターゲット電極３を移動させ
ることができる。
次に、第２図を用いてターゲット電極３の取り付け状態
の詳細を説明する。
の詳細を説明する。
第２図に示す如く、ターゲット電極３は、ターゲット１
８，パッキングプレート１４，マグネトロン磁場発生用
の磁界発生手段１５，アースプレ−ト１７，絶縁物１３
、及びアースシールド１２から構或されている。これら
はすべてボルトにより一体化されている。そして、絶縁
物１３によりターゲット電位とアース電位が絶縁されて
いる。
８，パッキングプレート１４，マグネトロン磁場発生用
の磁界発生手段１５，アースプレ−ト１７，絶縁物１３
、及びアースシールド１２から構或されている。これら
はすべてボルトにより一体化されている。そして、絶縁
物１３によりターゲット電位とアース電位が絶縁されて
いる。
成膜室を形成する真空容器１とアースプレ−１・ｌ７と
の真空シール部により真空容器１内は真空に保たれる。
の真空シール部により真空容器１内は真空に保たれる。
ターゲット電極３は、取り付けられた状態で、自動的に
通電接続部１１、及びアース接続部１６に接続される。
通電接続部１１、及びアース接続部１６に接続される。
ターゲッ１・１８には、電流導入端子１２を通して電力
が供給される。アース接続部１６は、アースプレーＩ・
１７が真空容器１とはＯリングを介しているためメタル
タッチ出来ないので強制的にアース電位に接続されてい
る。ターゲット電極３には、ターゲット電極支持台４を
通して冷却水が供給され、ターゲット電極３とターゲッ
ト電極支持台４とは、下側の絶縁物１３の部分で別離さ
れる。通常はターゲツ１へ交換室２内は大気に開放され
ており、ターゲット電極３は大気圧による押し圧及びタ
ーゲット電極支持台４の押し圧によって真空容器１に、
その開口部を塞ぐように固定されている。ターゲット電
ｔｆｉ３を交換するときには、ターゲット交換室２内を
排気ポンプ（図示せず）によって排気する。真空容器１
内とターゲット交換室２内の圧力をほぼ同じにしたうえ
で，ターゲット電極支持台４を下げると、ターゲット電
極３も真空容器１からはずれて、図示していない移動用
レール部分に支持されることになる．次に、ターゲット
電極３の交換方法について第１図を用いて説明する。
が供給される。アース接続部１６は、アースプレーＩ・
１７が真空容器１とはＯリングを介しているためメタル
タッチ出来ないので強制的にアース電位に接続されてい
る。ターゲット電極３には、ターゲット電極支持台４を
通して冷却水が供給され、ターゲット電極３とターゲッ
ト電極支持台４とは、下側の絶縁物１３の部分で別離さ
れる。通常はターゲツ１へ交換室２内は大気に開放され
ており、ターゲット電極３は大気圧による押し圧及びタ
ーゲット電極支持台４の押し圧によって真空容器１に、
その開口部を塞ぐように固定されている。ターゲット電
ｔｆｉ３を交換するときには、ターゲット交換室２内を
排気ポンプ（図示せず）によって排気する。真空容器１
内とターゲット交換室２内の圧力をほぼ同じにしたうえ
で，ターゲット電極支持台４を下げると、ターゲット電
極３も真空容器１からはずれて、図示していない移動用
レール部分に支持されることになる．次に、ターゲット
電極３の交換方法について第１図を用いて説明する。
まず、ターゲット電極３が真空容器工に固定されている
状態で、ターゲツ１へ交換室２内で大気圧であることを
確認して交換用扉９を開ける。そして、交換する新しい
ターゲット電極３′を移動用レール６の下側にセットす
る。交換用扉９を閉めて、ターゲット交換室２内を排気
する。排気後ヒータ７によって交換用の新しいターゲッ
ト電極３′のターゲット面上を加熱してガス出しを行な
う。その後、移動用レール６の上側を真空容器１の真下
に移動する。この状態でターゲット電極支持台４を下げ
ると、ターゲット電極３もいっしょに下降してくる。タ
ーゲット電極３は移動用レール６の上側で支持される。
状態で、ターゲツ１へ交換室２内で大気圧であることを
確認して交換用扉９を開ける。そして、交換する新しい
ターゲット電極３′を移動用レール６の下側にセットす
る。交換用扉９を閉めて、ターゲット交換室２内を排気
する。排気後ヒータ７によって交換用の新しいターゲッ
ト電極３′のターゲット面上を加熱してガス出しを行な
う。その後、移動用レール６の上側を真空容器１の真下
に移動する。この状態でターゲット電極支持台４を下げ
ると、ターゲット電極３もいっしょに下降してくる。タ
ーゲット電極３は移動用レール６の上側で支持される。
ターゲット電極支持台４はそのまま移動用レール６の下
まで下降させる。
まで下降させる。
取りはずしたターゲット７１！極３を右側に移動する。
ターゲット電極３は、取りはずす前に内部の水ぬきを行
なう必要があり、これは冷却水を止めて、かわりにドラ
イエアーを送りこむことで内部の水分を完全に取りのぞ
いてしまうことができる。その後，電極内部を排気して
、ターゲツ］へ電極３とターゲット電極支持台４が分離
したときに、大気がターゲット交換室２内に入らないよ
うにする。
なう必要があり、これは冷却水を止めて、かわりにドラ
イエアーを送りこむことで内部の水分を完全に取りのぞ
いてしまうことができる。その後，電極内部を排気して
、ターゲツ］へ電極３とターゲット電極支持台４が分離
したときに、大気がターゲット交換室２内に入らないよ
うにする。
取りはずしたターゲット電極３を移動した後、交換する
新したターゲット電極３′を真空容器１の真下に移動す
る。その後、ターゲット電極支持台４を上昇させて、タ
ーゲット電極３′を真空容器１の所定の位置に固定する
．ターゲット電極３′内の冷却を再開し、ターゲット交
換室２内を大気に戻して．ターゲット電極３を取り出す
ことによって、ターゲットｆｌ１極の交換が完了する。
新したターゲット電極３′を真空容器１の真下に移動す
る。その後、ターゲット電極支持台４を上昇させて、タ
ーゲット電極３′を真空容器１の所定の位置に固定する
．ターゲット電極３′内の冷却を再開し、ターゲット交
換室２内を大気に戻して．ターゲット電極３を取り出す
ことによって、ターゲットｆｌ１極の交換が完了する。
尚，第２図に示す構或では，ターゲット電極３にアース
シールド１２を一体化し，これを第１図を用いて説明し
たようにターゲット電極の交換を同時にアースシールド
エ２の交換も行なえる例を示したが，同様にスパッタ膜
が付着するのを防止するために設置される防看板もター
ゲット電極３に一体化させることによって、防看板の交
換も成膜室である真空容器１を大気に開放することなく
可能となる． また，第１図においては、ターゲット交換室２内にヒー
タ７を設けて交換用のターゲット３′のガス出しを行な
う例を示したが、ターゲット交換室２内にブリスバッタ
機構を設けることにより、ターゲット交換室２内でター
ゲット表面をクリーニングして，そのまま真空容器に取
りつけることも可能となる． また、第１図，第２図においては，基板トレイを水平搬
送するスパッタアツプの例を示したが、同様な構造によ
り、基板トレイを垂直搬送する場合のサイドスパン夕方
式についても成膜室を大気に開放することなくターゲッ
トの交換が可能となる。
シールド１２を一体化し，これを第１図を用いて説明し
たようにターゲット電極の交換を同時にアースシールド
エ２の交換も行なえる例を示したが，同様にスパッタ膜
が付着するのを防止するために設置される防看板もター
ゲット電極３に一体化させることによって、防看板の交
換も成膜室である真空容器１を大気に開放することなく
可能となる． また，第１図においては、ターゲット交換室２内にヒー
タ７を設けて交換用のターゲット３′のガス出しを行な
う例を示したが、ターゲット交換室２内にブリスバッタ
機構を設けることにより、ターゲット交換室２内でター
ゲット表面をクリーニングして，そのまま真空容器に取
りつけることも可能となる． また、第１図，第２図においては，基板トレイを水平搬
送するスパッタアツプの例を示したが、同様な構造によ
り、基板トレイを垂直搬送する場合のサイドスパン夕方
式についても成膜室を大気に開放することなくターゲッ
トの交換が可能となる。
この例を第３図に示す。該図に示す如く、移動用レール
により移動してきたターゲット電極３を、ターゲット電
極取り付け治具２０で、真空容器１に取り付ける。取り
付け治具２０の先端はネジが切られており，これをター
ゲツ１一電極３の裏面にネジこんで固定することにより
、垂直方向の取り付けでも精度良く位置決めすることが
出来る。第３図（ｂ）はターゲット電極３が真空容器１
に取り付いた状態を示している。本例では第１図の場合
とちがって，冷却水や通電部の接続は手動が行なう。こ
れによりターゲット交換室２の構造を簡単化することが
出来る。
により移動してきたターゲット電極３を、ターゲット電
極取り付け治具２０で、真空容器１に取り付ける。取り
付け治具２０の先端はネジが切られており，これをター
ゲツ１一電極３の裏面にネジこんで固定することにより
、垂直方向の取り付けでも精度良く位置決めすることが
出来る。第３図（ｂ）はターゲット電極３が真空容器１
に取り付いた状態を示している。本例では第１図の場合
とちがって，冷却水や通電部の接続は手動が行なう。こ
れによりターゲット交換室２の構造を簡単化することが
出来る。
このように、本発明の各実施例によれば、成膜室である
真空容器を大気に開放することがないので，良好な膜質
の膜を安定して成膜することができ、信頼性が向上する
と共に、製品の歩留りが向上する．また、成膜室を大気
に開放することによる装置の再立上げ時間がほとんでな
いので，装置稼動率が大幅に向上する。更に、ターゲッ
トの数は１種類の膜ごとに１ヶですむので、装置を大型
化する必要がなく、電源等の数を大幅に減らすことが出
来て，装置のコンパクト化を図ることができる。
真空容器を大気に開放することがないので，良好な膜質
の膜を安定して成膜することができ、信頼性が向上する
と共に、製品の歩留りが向上する．また、成膜室を大気
に開放することによる装置の再立上げ時間がほとんでな
いので，装置稼動率が大幅に向上する。更に、ターゲッ
トの数は１種類の膜ごとに１ヶですむので、装置を大型
化する必要がなく、電源等の数を大幅に減らすことが出
来て，装置のコンパクト化を図ることができる。
第４図（ａ），（ｂ）は通常のインラインスパッタ装置
の代表的な真空室構成を示す。該図の如く、インライン
スパッタ装置は、仕込み室３１，加熱室３２，スパッタ
クリーニング室３３，成膜室１，冷却室３４，取出し室
３５より構或されている。
の代表的な真空室構成を示す。該図の如く、インライン
スパッタ装置は、仕込み室３１，加熱室３２，スパッタ
クリーニング室３３，成膜室１，冷却室３４，取出し室
３５より構或されている。
各真空室間は、ゲート弁３６で仕切られており、加熱室
３２，スパッタクリーニング室３３，成膜室ｌ．冷却室
３４は常に真空に保たれている。通常の成膜は、仕込み
室３ｌを大気にして、基板５０を搭載した基板トレイ１
０を仕込んだのち、仕込み室３１内を排気する。仕込み
室３１内排気後、ゲート弁３６を開いて、搬送機ｇｔ３
７により基板トレイ１０を加熱室３２に移動する。加熱
室３２では、ランプヒータ，シースヒータ等のヒータ３
８により基板を加熱して、基板のガス出しを行なう。そ
の後，同様にしてスパッタクリーニング室３３に移動す
る。スパッタクリーニング室３３では、スパッタ電源３
９により、基板トレイ１０に高周波電力もしくは直流電
力を印加して、プロセスガスのスパッタリングにより，
基板表面をクリーニングする。その後さらに、搬送機構
３７により、基板トレイ１０を成膜室１に移動して成膜
を行なう。成膜後冷却室３４、さらに取出し室３５に移
動する。取出し室３５に移動後、取出し室３５を大気に
戻して、基板トレイ１０を取り出す。インラインスパッ
タ装置では、一定間隔で基板トレイ１０を仕込んで、連
続的に処理を行なう。
３２，スパッタクリーニング室３３，成膜室ｌ．冷却室
３４は常に真空に保たれている。通常の成膜は、仕込み
室３ｌを大気にして、基板５０を搭載した基板トレイ１
０を仕込んだのち、仕込み室３１内を排気する。仕込み
室３１内排気後、ゲート弁３６を開いて、搬送機ｇｔ３
７により基板トレイ１０を加熱室３２に移動する。加熱
室３２では、ランプヒータ，シースヒータ等のヒータ３
８により基板を加熱して、基板のガス出しを行なう。そ
の後，同様にしてスパッタクリーニング室３３に移動す
る。スパッタクリーニング室３３では、スパッタ電源３
９により、基板トレイ１０に高周波電力もしくは直流電
力を印加して、プロセスガスのスパッタリングにより，
基板表面をクリーニングする。その後さらに、搬送機構
３７により、基板トレイ１０を成膜室１に移動して成膜
を行なう。成膜後冷却室３４、さらに取出し室３５に移
動する。取出し室３５に移動後、取出し室３５を大気に
戻して、基板トレイ１０を取り出す。インラインスパッ
タ装置では、一定間隔で基板トレイ１０を仕込んで、連
続的に処理を行なう。
この真空室構成において、本発明によるターゲット交換
方法について第５図で説明する．まず、第５図（ａ）で
本実施例の構成を説明する。
方法について第５図で説明する．まず、第５図（ａ）で
本実施例の構成を説明する。
本実施例では、スパッタクリーニング室３３と成膜室１
の背面にターゲット交換室２を設ける．ターゲット交換
室２は、スパッタクリーニング３３とは、ゲート弁３６
で、成膜室１とは、ターゲット３で仕切られている。タ
ーゲット交換室２には、ターゲットホルダー２２及び交
換後のターゲット３を取り出すことが出来る扉３８が設
けられており、扉３８を閉めた状態で図示していない排
気装置により、内部を真空排気出来る。
の背面にターゲット交換室２を設ける．ターゲット交換
室２は、スパッタクリーニング３３とは、ゲート弁３６
で、成膜室１とは、ターゲット３で仕切られている。タ
ーゲット交換室２には、ターゲットホルダー２２及び交
換後のターゲット３を取り出すことが出来る扉３８が設
けられており、扉３８を閉めた状態で図示していない排
気装置により、内部を真空排気出来る。
まず、基板トレイ１０の代りに、専用のターゲットホル
ダー２２に搭載したターゲット３を仕込み室３１に仕込
む。仕込み室３１を排気後、搬送機構３７により，ター
ゲットホルダー２２を加熱室３２に移動する。加熱室３
２では基板のガス出しと同様に、ターゲット表面を加熱
して、ターゲットのガス出しを行なう。その後、スパッ
タクリーニング室３３に移動し、やはり基板のクリーニ
ングと同様にターゲット表面のクリーニングを行なう。
ダー２２に搭載したターゲット３を仕込み室３１に仕込
む。仕込み室３１を排気後、搬送機構３７により，ター
ゲットホルダー２２を加熱室３２に移動する。加熱室３
２では基板のガス出しと同様に、ターゲット表面を加熱
して、ターゲットのガス出しを行なう。その後、スパッ
タクリーニング室３３に移動し、やはり基板のクリーニ
ングと同様にターゲット表面のクリーニングを行なう。
クリーニング終了後、今度は、ターゲット交換室２内を
排気し、ターゲット交換室２をスパッタクリーニング室
３３との仕切り弁３６を開けて、ホルダー移動機構３９
により、ターゲット交換室２内位１ｉ（２２−ａ）に移
動する。移動後、仕切り弁３６は閉じる．ここで、第５
図（ｂ）に示すように，ターゲット３支持具４１により
、ターゲット３のみをターゲットホルダー２２からはず
して，ターゲット取付レベル高さの搬送機構３７′位置
まで下げる。次に搬送機構３７′により、ターゲット３
を成膜室１の後側位置（３−ａ）に移動する。以後は、
実施例第１図で示したと同様の手順によりターゲットの
交換を行なう。ターゲット交換後、ターゲット交換室２
を大気に戻して、取りはずしたターゲット３及びターゲ
ツ１・ホルダー２２を取り出す。以上のようにして、成
膜室｛を大気に開放することなく、ターゲットの交換を
行なうことが出来る。
排気し、ターゲット交換室２をスパッタクリーニング室
３３との仕切り弁３６を開けて、ホルダー移動機構３９
により、ターゲット交換室２内位１ｉ（２２−ａ）に移
動する。移動後、仕切り弁３６は閉じる．ここで、第５
図（ｂ）に示すように，ターゲット３支持具４１により
、ターゲット３のみをターゲットホルダー２２からはず
して，ターゲット取付レベル高さの搬送機構３７′位置
まで下げる。次に搬送機構３７′により、ターゲット３
を成膜室１の後側位置（３−ａ）に移動する。以後は、
実施例第１図で示したと同様の手順によりターゲットの
交換を行なう。ターゲット交換後、ターゲット交換室２
を大気に戻して、取りはずしたターゲット３及びターゲ
ツ１・ホルダー２２を取り出す。以上のようにして、成
膜室｛を大気に開放することなく、ターゲットの交換を
行なうことが出来る。
本実施例によれば、第１図の実施例のように、ターゲッ
トのガス出し及びプリスパッタを外段取りで行なうこと
は出来ないので、この間装置を停止させなければならず
、それだけ装置の稼動率を低下させることになるが，タ
ーゲット交換室２内にガス出しのためのヒータや、プリ
スパッタ機構及びプリスパッタ電源を設ける必要がなく
なり、装置の低コスト化，コンパクト化を図ることが出
来る。
トのガス出し及びプリスパッタを外段取りで行なうこと
は出来ないので、この間装置を停止させなければならず
、それだけ装置の稼動率を低下させることになるが，タ
ーゲット交換室２内にガス出しのためのヒータや、プリ
スパッタ機構及びプリスパッタ電源を設ける必要がなく
なり、装置の低コスト化，コンパクト化を図ることが出
来る。
更に，本発明の真空中でターゲットを交換する方法の別
の実施例を第６図により説明する。
の実施例を第６図により説明する。
第６図（ａ）は、第４図に示したインライン装置の成膜
室１にターゲット３が固定治具４１により固定されてい
る状態を示す。該ターゲット３の交換時には、ターゲッ
ト交換治具４０をターゲット背面に固定する。このとき
、ターゲット交換治具４０は真空容器壁の一部を構成す
る。固定後、ターゲット交換治具４０とターゲット３の
空間５１は、図示していない排気装置により排気する。
室１にターゲット３が固定治具４１により固定されてい
る状態を示す。該ターゲット３の交換時には、ターゲッ
ト交換治具４０をターゲット背面に固定する。このとき
、ターゲット交換治具４０は真空容器壁の一部を構成す
る。固定後、ターゲット交換治具４０とターゲット３の
空間５１は、図示していない排気装置により排気する。
排気後、固定治具４１をゆるめて５ターゲット交換治具
４０によりターゲット３を支持し、真空容器から浮かせ
て、第５図に示したように、搬送機構３７により、仕込
み室３１，加熱室３２，スパッタクリーニング室３３を
順次成膜室↓まで搬送してまたターゲットホルダー５２
に、第６図（ｂ）に示すように、ターゲット交換治具４
０によりターゲット３を搭載させる。その後、ターゲッ
ト交換治具４０をターゲット３からはずす。ターゲツト
３を搭載したターゲットホルダー５２は、冷却室３４，
取出し室３５まで搬送し、外に取り出す．次に新しいタ
ーゲット３を搭載したターゲットホルダー５２を仕込み
室３１に仕込む。
４０によりターゲット３を支持し、真空容器から浮かせ
て、第５図に示したように、搬送機構３７により、仕込
み室３１，加熱室３２，スパッタクリーニング室３３を
順次成膜室↓まで搬送してまたターゲットホルダー５２
に、第６図（ｂ）に示すように、ターゲット交換治具４
０によりターゲット３を搭載させる。その後、ターゲッ
ト交換治具４０をターゲット３からはずす。ターゲツト
３を搭載したターゲットホルダー５２は、冷却室３４，
取出し室３５まで搬送し、外に取り出す．次に新しいタ
ーゲット３を搭載したターゲットホルダー５２を仕込み
室３１に仕込む。
以下は、第５図の実施例でも説明したように、ターゲッ
トのガス出し，スパッタクリーニングを行なった後、成
膜室１に搬送し、今度は，取りはずした時の逆の手順に
より、新しいターゲット３を成膜室１に固定する。固定
後、ターゲット交換冶Ａ４０をはずし，スパッタ可能な
状態に復旧する。
トのガス出し，スパッタクリーニングを行なった後、成
膜室１に搬送し、今度は，取りはずした時の逆の手順に
より、新しいターゲット３を成膜室１に固定する。固定
後、ターゲット交換冶Ａ４０をはずし，スパッタ可能な
状態に復旧する。
本実施例によればターゲット交換室２は必要でなくなり
，さらに装置のコンパクト化，低コスト化が実現する． 〔発明の効果〕 以上説明した本発明によれば、ターゲツＩ−の交換のた
めに，成膜室を大気に開放することなく、真空のままで
ターゲット電極を交換することができ、装置の再立上げ
時間が必要ないので、稼動率が大幅に向上するという効
果がある。
，さらに装置のコンパクト化，低コスト化が実現する． 〔発明の効果〕 以上説明した本発明によれば、ターゲツＩ−の交換のた
めに，成膜室を大気に開放することなく、真空のままで
ターゲット電極を交換することができ、装置の再立上げ
時間が必要ないので、稼動率が大幅に向上するという効
果がある。
第１図は本発明のスパッタ装置の一実施例を示す縦断面
図、第２図はターゲット電極取り付け状態の詳細図、第
３図（ａ）はターゲット電極垂直方向の取り付けの場合
の一実施例を示す部分断面図，第３図（ｂ）はターゲッ
ト電極交換後の部分断面図、第４図（ａ）はインライン
スバッタ装置の概略構成を示す平面図、第４図（ｂ）は
その側面図，第５図（ａ）はインラインスパッタ装置の
一実施例を示す平面図，第５図（ｂ）はターゲット交換
室部分の側面図、第６図（ａ）はインラインスパッタ装
置の他の実施例を示す側面図、第６図（ｂ）はターゲッ
ト交換後の側面図である。 １・・・真空容器、２・・・ターゲット交換室、３・・
・ターゲット電極，４・・・ターゲット電極支持台、６
・・・移１０ 第 １ 図 ３ 第 ２ 図 第 ３ 図 （ａ） （ｂ） 第 ６ 図 （ａ） （ｂ） 手 続 補 正 書（自発） 平 成 ２午１１ 月２宮日 発 明 の 名 称 スバッタ装置，及びターゲット交
換装置．並びにその交換方法 補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称・、５１０１株式会社 日 立 製作所補 正 の 内 容 別紙の通ｂ０ １）．本願の特許請求の範囲を次の様に訂正する。 「１．真空容器と、該真空容器内に配置され、その表面
に成膜される基板と、該基板と対向配置され成膜すべき
母材となるターゲットとを備え、前記ターゲットをスパ
ッタリングして飛散したスパッタ粒子を前記基板面上に
堆積させて成膜するスパッタ装置において、前記基板と
対向する側の前記真空容器壁面に開口部を設けると共に
、前記真空容器に開口部と連通ずるターゲット交換室を
隣接配置し、かつ、成膜時には前記開口部を前記ターゲ
ットで塞ぎ真空容器内を真空状態に保つと共に、前記タ
ーゲット交換室は大気開放として予備ターゲットを収納
し、一方、ターゲット交換時には前記ターゲット交換室
を真空排気して真空状態に保ち、前記ターゲットと予備
ターゲットを交換することを特徴とするスパッタ装置，
２．真空容器と、該真空容器内に配置され、その表面に
成膜される基板と、該基板と対向配簡され成膜すべき母
材となるターゲットとを備え、前記ターゲットをスパッ
タリングして飛散したスパッタ粒子を前記基板面上に堆
積させて成膜するスパッタ装置において、前記基板と対
向する側の前記真空容器壁面に開口部を設け、成膜時に
は該Ｂｔｊ口部を前記ターゲットで塞ぎ、一方，成膜時
には大気開放され、ターゲット交換時には真空排気され
て真空状態に保たれ，内部に予備ターゲットが収納され
ているターゲット交換室を、前記真空容器の開口部に一
部が位置するように隣接配ＩＵ Ｌたことを特徴とする
スパッタ装置。 ３．真空容器と、該真空容器内に配置され、その表面に
成膜される基板と，該基板と対向配置され成膜すべき母
材となるターゲットとから成る成膜室に隣接配置された
ターゲット交換室を有し，該ターゲット交換室は、成膜
時には前記成膜室とターゲットでしゃ断され、ターゲッ
ト交換時には前記ターゲットでの成膜室とのしゃ断が開
放され真空状態にあることを特徴とするターゲット交換
装置。 ４．前記ターゲット交換室内に，交換用ターゲット面上
を加熱してガス出しを行うヒータを備えていることを特
徴とする請求項３記載のターゲット交換装置。 ５．前記ターゲット交換室内に、交換用ターゲット表面
をクリーニングするブリスバツタ機構を備えていること
を特徴とする請求項３記載のターゲット交換装置。 ６．前記成膜室の位置にあるターゲットを支持し、ター
ゲット交換時には前記ターゲットを前記ターゲット交換
室内荒致置されている上側のターゲット移動用レール上
まで下降させると共に、下側のターゲット移動用レール
で搬送されてきた交換用ターゲットを支持し、前記成膜
室の所定位置まで上昇させる上下動可能なターゲット支
持台を備えていることを特徴とする請求項３記載のター
ゲット交換装置。 ７．真空容器内の基板面上にスパッタリングされて飛散
した粒子を堆積させて成膜する母材となるターゲットを
交換する方法において、成膜時に前記真空容器の一部を
形成している前記ターゲットを交換する際に、前記真空
容滞に隣接配埴されているターゲット交換室を真空排気
して真空状態にし、この状態で予めターゲット交換室内
に収納されている交換用ターゲットと前記真空容器の一
部を形戊しているターゲットを交換することを特徴とす
るターゲツＩ一交換方法。 ８．前記ターゲツ１・交換室に予め収納されている交換
用ターゲットをヒータで加熱してガス出しを行った後，
前記真空容器の一部を形成しているターゲットと交換す
ることを特徴とする請求項７記載のターゲット交換方法
。 ９．前記ターゲット交換室に予め収納されている交換用
ターゲットをプリスパッタ機構でクリーニングした後、
前記真空容器の一部を形威しているターゲツ１−と交換
することを特徴とする請求項７記載のターゲット交換方
法。 １０．真空容器と、該真空容器内に配置され，その表面
に成膜される基板と、該基板と対向配置され、成膜すべ
き母材となるターゲット板、該ターゲット板表面にマグ
ネトロン磁場を形成するため、ターゲット板裏面に設け
た磁界発生手段、ターゲット板を冷却するための冷却水
導入部から成るターゲット電極とを備え、前記ターゲッ
トをスパッタリングして飛散したスバッタ粒子を前記基
板面上に堆積させて成膜するスパッタ装置において，前
記基板と対向する側の前記真空容器壁面に開口部を設け
ると共に、前記真空容器内に開口部と連通ずるターゲッ
ト交換室を隣接配置し、かつ、成膜時には前記開口部を
前記ターゲット電極で塞ぎ真空容器内を真空状態に保つ
と共に、前記ターゲット交換室は大気開放としてターゲ
ット板，磁界発生手段，冷却水導入部から成る予備ター
ゲツ１・電極を収納し、一方、ターゲット電極交換時に
は前記ターゲッ１〜交換室を真空排気して頁空状態に保
ち、前記ターゲット電極と予備ターゲット電極を交換す
ることを特徴とするスパッタ装置。 １１．真空容器と、該真空容器内に配置され、その表面
に成膜される基板と、該基板と対向配置され、成膜すべ
き母相となるターゲット板、該ターゲット板表面にマグ
ネＩ・ロン磁場を形成するため，ターゲット板裏面に設
けた磁界発生手段、ターゲット板を冷却するための冷却
水導入部から成るターゲット電極とを備え、前記ターゲ
ッＩ・をスパッタリングして飛散したスパッタ粒子を前
記基板面上に堆積させて成膜するスパッタ装置において
、前記基板と対向する側の前記真空容器壁面に開口部を
設け、該開口部を前記ターゲット電極で塞ぎ、一方、成
膜時には大気開放され、ターゲット電極交換時には真空
排気されて真空状態に保たれ、内部にターゲット板，磁
界発生手段，冷却水導入手段から戒る予備ターゲット電
極が収納されているターゲット交換室を，前記真空容器
の開口部に一部が位置するように隣接配置したことを特
徴とするスパッタ装置。 １２．真空容器と、該真空容器内に配置され、その表面
に成膜される基板と、該基板と対向配置され成膜すべき
母材となるターゲット板、該ターゲット板表面にマグネ
トロン磁場を形成するため，ターゲット板裏面に設けた
磁界発生手段、ターゲット板を冷却するための冷却水導
入部から成るターゲット電極とを備えた成膜室に隣接配
置されたターゲット交換室を有し、該ターゲット交換室
は、成膜時には前記成膜室とターゲットｆａ極でしゃ断
され、ターゲット交換時には前記ターゲット電極での成
膜室とのしや断が開放され真空状態にあることを特徴と
するターゲット交換装置。 １３．真空容器内の基板面」二にスパッタリングされて
飛散した粒子を雅積させて成膜する母材となるターゲッ
ト板、該ターゲット板表面にマグネトロン磁場を形成す
るため、ターゲット板裏面に設けた磁界発手段、ターゲ
ット板を冷却するための冷却水導入部から成るターゲッ
ト電極を交換する方法において５成膜時に前記真空容器
の一部を形威している前記ターゲット重極を交換する際
に、前記真空容器に隣接配置されているターゲット交換
室を真空排気して真空状態にし、この状態で予めターゲ
ット交換室内に収納されているターゲット板，磁界発生
手段，冷却水導入部から成る交換用ターゲット電極と前
記真空容器の一部を形成しているターゲット電極を交換
することを特徴とするターゲット電極交換方法。 １４．内部に収納されている基板表面に，これと対向配
置されるターゲットをスパッタリングして飛散した粒子
を堆積させて成膜を行い、かつ、常に真空状態にある第
１の部屋と、該第１の部屋と前記ターゲットで区画され
ていると共に、内部に交換用の予備ターゲットが収納さ
れている第２の部屋とを備え、前記第２の部屋は、少な
くとも前記ターゲットと予備ターゲツ１−を交換する時
には真空状態に保たれていることを特徴とするスパッタ
装置。 １５．内部が大気開放状態で基板を仕込み、その後、内
部が真空排気される仕込み室と，該仕込み室至臭皇徘気
後、該仕込み室内の前記基板を搬送機構により搬送し、
この基板を内部に設けられている加熱装置で加熱してガ
ス出しを行う加熱室と、該加熱室から搬送されてきた前
記基板の表面をスパッタリングしてクリーニングするク
リーニング室と、該クリーニング室から搬送されてきた
前記基板表面に、ターゲットをスパンタリングすること
で飛散したスパッタ粒子を堆積させて成膜する成膜室と
、該成膜室で成膜された基板が閑送され、その基板を冷
却する冷却室と、該冷却室で冷却された基板を外部に取
出す取出し室とを備えたインラインスパッタ装置におい
て，前記成膜室の一部に開口部を設けると共に、該開口
部と連通ずるターゲツ１へ交換室を前記成膜室と隣接配
置し、成膜時には前記開口部を前記ターゲットで塞ぎ、
内部を真空状態に保つことを特徴とするインラインスパ
ッタ装置。 １６．内部が大気開放状態で基板を仕込み，その後，内
部が真空排気される仕込み室と、該仕込み室排気後、該
仕込み室内の前記基板を搬送機構により搬送し、この基
板を内部に設けられている加熱装置で加熱してガス出し
を行う加熱室と、該加熱室から搬送されてきた前記基板
の表面をスパッタリングしてクリーニングするクリーニ
ング室と、該クリーニング室から搬送されてきた前記基
板表面に、ターゲットをスパッタリングすることで飛散
したスパッタ粒子を堆積させて成膜する成膜室と、該成
膜室で成膜された基板が搬送され，その基板を冷却する
冷却室と、該冷却室で冷却された基板を外部に取出す取
出し室とを備えたインラインスパッタ装置において、前
記成膜室の一部に開口部を設け、成膜時には該開口部を
前記ターゲットで塞ぎ、一方５成膜時には大気開放され
、ターゲット交換時には真空排気されて真空状態に保た
れ、内部に予備ターゲットが収納されているターゲット
交換室を、前記成膜室の開口部に一部が位置するように
隣接配置したことを特徴とするインラインスパッタ装置
。 １７．内部が大気開放状態で基板を仕込み、その後、内
部が真空排気される仕込み室と、該仕込み室排気後、該
仕込み室内の前記基板を搬送機構により搬送し、この基
板を内部に設けられている加熱装はで加熱してガス出し
を行う加熱室と、該加熱室から搬送されてきた前記基板
の表面をスパッタリングしてクリーニングするクリーニ
ング室と，該クリーニング室から搬送されてきた前記基
板表面に、ターゲツ１一をスパッタリングすることで飛
散したスパッタ粒子を堆積させて成膜する成膜室と、該
成膜室で成膜された基板が搬送され、その基板を冷却す
る冷却室と、該冷却室で冷却された基板を外部に取出す
取出し室とを備えたインラインスパッタ装置において，
前記クリーニング室と成膜室の背面にターゲット交換室
を設け、該ターゲット交換室は前記クリーニング室とを
ゲート弁で，成膜室とはターゲットで仕切られているこ
とを特徴とするインラインスパッタ装置。 １８．前記ターゲット交換室には、ターゲットホルダー
、及び交換後の前記ターゲットを取出すことができる扉
が設けられていることを特徴とする請求項１７記載のイ
ンライヘンスバッタ装置。 １９．ターゲットホルダーに搭載したターゲットを仕込
み室に仕込む工程と、該仕込み室を排気後、搬送機構に
よりターゲツ１へホルダーを加熱室に移動し，該加熱室
では基板のガス出しと同様に、ターゲット表面を加熱し
て、ターゲットのガス出しを行なう工程と、その後、ス
パッタクリーニング室に移動し、やはり基板のクリーニ
ングと同様にターゲット表面のクリーニングを行なう工
程と、クリーニング終了後、今度は、ターゲット交換室
内を排気し、ターゲット交換室とスパッタクリーニング
室との仕切り弁を開けて、ターゲット交換室内に移動す
る工程と、移動後，仕切り弁を閉じ、ここで、ターゲッ
ト支持具により、ターゲットのみをターゲットホルダー
からはずして、ターゲット取付レベル高さまで下げる工
程と、ターゲットを成膜室の後側に移動し、ターゲツ１
−を交換する工程と、ターゲット交換後、ターゲット交
換室を大気に戻して、取りはずしたターゲツＩ一及びタ
ーゲットホルダーを取り出す工程とから成ることを特徴
とするインラインスパッタ装置におけるターゲット交換
方法。 ２０．ターゲットホルダーを仕込み室に仕込む工程と，
該仕込み室を排気後，搬送機構によりターゲットホルダ
ーを加熱室、続いてクリーニング室，成膜室に移動する
工程と，該成膜室でターゲット交換時、該成膜室の真空
を保持すると同時にターゲットをターゲットホルダーに
固定する機能をもったターゲット交換治具を成膜室に取
付ける工程と、前記ターゲツ１・交換治具により、ター
ゲットを前記ターゲツ１・ホルダーに固定する工程と、
該ターゲットを搭載した前記ターゲットホルダーを搬送
機構により冷却室，取り出し室まで搬送し該ターゲット
を取り出す工程と，ターゲットホルダーに搭載し２）． たターゲットを仕込み室に仕込み工程と、該仕込み室を
排気後、搬送機構によりターゲットホルダーを加熱室に
移動し、該加熱室では基板のガス出しと同様に、ターゲ
ット表面を加熱して、ターゲットのガス出しを行なう工
程と、その後，スパッタクリーニング室に移動し，やは
り基板のクリーニングと同様にターゲット表面のクリー
ニングを行なう工程と、クリーニング終了後、ターゲッ
ト交換室内に移動する工程と、移動後、ここで、ターゲ
ット交換治具により、ターゲットのみをターゲットホル
ダーからはずして、ターゲットを成膜室に固定する工程
と，前記ターゲットホルダーのみを冷却室，取り出し室
に移動し、ターゲットホルダーを取り出す工程と、前記
ターゲット交換治具を取り外す工程とから成ることを特
徴とするインラインスパッタ装置におけるターゲット交
換方法。」 明細書第１６頁第１７行目の「・・・かない工」とある
を「・・・かないように工」とする。 ３），同第１７頁第１５行目の「・・・されているのは
、」とあるを「・・・されているように、」とする。 ４）．同第２０頁第１行目から第２行目の「移動用レー
ルが上下２段設けられている」とあるを「移動用レール
が設けられている」とする。 ５）．同第２７頁第１１行目の「・・・は手動が行」と
あるを「・・・は手動で行ｉ」とする。 以上
図、第２図はターゲット電極取り付け状態の詳細図、第
３図（ａ）はターゲット電極垂直方向の取り付けの場合
の一実施例を示す部分断面図，第３図（ｂ）はターゲッ
ト電極交換後の部分断面図、第４図（ａ）はインライン
スバッタ装置の概略構成を示す平面図、第４図（ｂ）は
その側面図，第５図（ａ）はインラインスパッタ装置の
一実施例を示す平面図，第５図（ｂ）はターゲット交換
室部分の側面図、第６図（ａ）はインラインスパッタ装
置の他の実施例を示す側面図、第６図（ｂ）はターゲッ
ト交換後の側面図である。 １・・・真空容器、２・・・ターゲット交換室、３・・
・ターゲット電極，４・・・ターゲット電極支持台、６
・・・移１０ 第 １ 図 ３ 第 ２ 図 第 ３ 図 （ａ） （ｂ） 第 ６ 図 （ａ） （ｂ） 手 続 補 正 書（自発） 平 成 ２午１１ 月２宮日 発 明 の 名 称 スバッタ装置，及びターゲット交
換装置．並びにその交換方法 補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称・、５１０１株式会社 日 立 製作所補 正 の 内 容 別紙の通ｂ０ １）．本願の特許請求の範囲を次の様に訂正する。 「１．真空容器と、該真空容器内に配置され、その表面
に成膜される基板と、該基板と対向配置され成膜すべき
母材となるターゲットとを備え、前記ターゲットをスパ
ッタリングして飛散したスパッタ粒子を前記基板面上に
堆積させて成膜するスパッタ装置において、前記基板と
対向する側の前記真空容器壁面に開口部を設けると共に
、前記真空容器に開口部と連通ずるターゲット交換室を
隣接配置し、かつ、成膜時には前記開口部を前記ターゲ
ットで塞ぎ真空容器内を真空状態に保つと共に、前記タ
ーゲット交換室は大気開放として予備ターゲットを収納
し、一方、ターゲット交換時には前記ターゲット交換室
を真空排気して真空状態に保ち、前記ターゲットと予備
ターゲットを交換することを特徴とするスパッタ装置，
２．真空容器と、該真空容器内に配置され、その表面に
成膜される基板と、該基板と対向配簡され成膜すべき母
材となるターゲットとを備え、前記ターゲットをスパッ
タリングして飛散したスパッタ粒子を前記基板面上に堆
積させて成膜するスパッタ装置において、前記基板と対
向する側の前記真空容器壁面に開口部を設け、成膜時に
は該Ｂｔｊ口部を前記ターゲットで塞ぎ、一方，成膜時
には大気開放され、ターゲット交換時には真空排気され
て真空状態に保たれ，内部に予備ターゲットが収納され
ているターゲット交換室を、前記真空容器の開口部に一
部が位置するように隣接配ＩＵ Ｌたことを特徴とする
スパッタ装置。 ３．真空容器と、該真空容器内に配置され、その表面に
成膜される基板と，該基板と対向配置され成膜すべき母
材となるターゲットとから成る成膜室に隣接配置された
ターゲット交換室を有し，該ターゲット交換室は、成膜
時には前記成膜室とターゲットでしゃ断され、ターゲッ
ト交換時には前記ターゲットでの成膜室とのしゃ断が開
放され真空状態にあることを特徴とするターゲット交換
装置。 ４．前記ターゲット交換室内に，交換用ターゲット面上
を加熱してガス出しを行うヒータを備えていることを特
徴とする請求項３記載のターゲット交換装置。 ５．前記ターゲット交換室内に、交換用ターゲット表面
をクリーニングするブリスバツタ機構を備えていること
を特徴とする請求項３記載のターゲット交換装置。 ６．前記成膜室の位置にあるターゲットを支持し、ター
ゲット交換時には前記ターゲットを前記ターゲット交換
室内荒致置されている上側のターゲット移動用レール上
まで下降させると共に、下側のターゲット移動用レール
で搬送されてきた交換用ターゲットを支持し、前記成膜
室の所定位置まで上昇させる上下動可能なターゲット支
持台を備えていることを特徴とする請求項３記載のター
ゲット交換装置。 ７．真空容器内の基板面上にスパッタリングされて飛散
した粒子を堆積させて成膜する母材となるターゲットを
交換する方法において、成膜時に前記真空容器の一部を
形成している前記ターゲットを交換する際に、前記真空
容滞に隣接配埴されているターゲット交換室を真空排気
して真空状態にし、この状態で予めターゲット交換室内
に収納されている交換用ターゲットと前記真空容器の一
部を形戊しているターゲットを交換することを特徴とす
るターゲツＩ一交換方法。 ８．前記ターゲツ１・交換室に予め収納されている交換
用ターゲットをヒータで加熱してガス出しを行った後，
前記真空容器の一部を形成しているターゲットと交換す
ることを特徴とする請求項７記載のターゲット交換方法
。 ９．前記ターゲット交換室に予め収納されている交換用
ターゲットをプリスパッタ機構でクリーニングした後、
前記真空容器の一部を形威しているターゲツ１−と交換
することを特徴とする請求項７記載のターゲット交換方
法。 １０．真空容器と、該真空容器内に配置され，その表面
に成膜される基板と、該基板と対向配置され、成膜すべ
き母材となるターゲット板、該ターゲット板表面にマグ
ネトロン磁場を形成するため、ターゲット板裏面に設け
た磁界発生手段、ターゲット板を冷却するための冷却水
導入部から成るターゲット電極とを備え、前記ターゲッ
トをスパッタリングして飛散したスバッタ粒子を前記基
板面上に堆積させて成膜するスパッタ装置において，前
記基板と対向する側の前記真空容器壁面に開口部を設け
ると共に、前記真空容器内に開口部と連通ずるターゲッ
ト交換室を隣接配置し、かつ、成膜時には前記開口部を
前記ターゲット電極で塞ぎ真空容器内を真空状態に保つ
と共に、前記ターゲット交換室は大気開放としてターゲ
ット板，磁界発生手段，冷却水導入部から成る予備ター
ゲツ１・電極を収納し、一方、ターゲット電極交換時に
は前記ターゲッ１〜交換室を真空排気して頁空状態に保
ち、前記ターゲット電極と予備ターゲット電極を交換す
ることを特徴とするスパッタ装置。 １１．真空容器と、該真空容器内に配置され、その表面
に成膜される基板と、該基板と対向配置され、成膜すべ
き母相となるターゲット板、該ターゲット板表面にマグ
ネＩ・ロン磁場を形成するため，ターゲット板裏面に設
けた磁界発生手段、ターゲット板を冷却するための冷却
水導入部から成るターゲット電極とを備え、前記ターゲ
ッＩ・をスパッタリングして飛散したスパッタ粒子を前
記基板面上に堆積させて成膜するスパッタ装置において
、前記基板と対向する側の前記真空容器壁面に開口部を
設け、該開口部を前記ターゲット電極で塞ぎ、一方、成
膜時には大気開放され、ターゲット電極交換時には真空
排気されて真空状態に保たれ、内部にターゲット板，磁
界発生手段，冷却水導入手段から戒る予備ターゲット電
極が収納されているターゲット交換室を，前記真空容器
の開口部に一部が位置するように隣接配置したことを特
徴とするスパッタ装置。 １２．真空容器と、該真空容器内に配置され、その表面
に成膜される基板と、該基板と対向配置され成膜すべき
母材となるターゲット板、該ターゲット板表面にマグネ
トロン磁場を形成するため，ターゲット板裏面に設けた
磁界発生手段、ターゲット板を冷却するための冷却水導
入部から成るターゲット電極とを備えた成膜室に隣接配
置されたターゲット交換室を有し、該ターゲット交換室
は、成膜時には前記成膜室とターゲットｆａ極でしゃ断
され、ターゲット交換時には前記ターゲット電極での成
膜室とのしや断が開放され真空状態にあることを特徴と
するターゲット交換装置。 １３．真空容器内の基板面」二にスパッタリングされて
飛散した粒子を雅積させて成膜する母材となるターゲッ
ト板、該ターゲット板表面にマグネトロン磁場を形成す
るため、ターゲット板裏面に設けた磁界発手段、ターゲ
ット板を冷却するための冷却水導入部から成るターゲッ
ト電極を交換する方法において５成膜時に前記真空容器
の一部を形威している前記ターゲット重極を交換する際
に、前記真空容器に隣接配置されているターゲット交換
室を真空排気して真空状態にし、この状態で予めターゲ
ット交換室内に収納されているターゲット板，磁界発生
手段，冷却水導入部から成る交換用ターゲット電極と前
記真空容器の一部を形成しているターゲット電極を交換
することを特徴とするターゲット電極交換方法。 １４．内部に収納されている基板表面に，これと対向配
置されるターゲットをスパッタリングして飛散した粒子
を堆積させて成膜を行い、かつ、常に真空状態にある第
１の部屋と、該第１の部屋と前記ターゲットで区画され
ていると共に、内部に交換用の予備ターゲットが収納さ
れている第２の部屋とを備え、前記第２の部屋は、少な
くとも前記ターゲットと予備ターゲツ１−を交換する時
には真空状態に保たれていることを特徴とするスパッタ
装置。 １５．内部が大気開放状態で基板を仕込み、その後、内
部が真空排気される仕込み室と，該仕込み室至臭皇徘気
後、該仕込み室内の前記基板を搬送機構により搬送し、
この基板を内部に設けられている加熱装置で加熱してガ
ス出しを行う加熱室と、該加熱室から搬送されてきた前
記基板の表面をスパッタリングしてクリーニングするク
リーニング室と、該クリーニング室から搬送されてきた
前記基板表面に、ターゲットをスパンタリングすること
で飛散したスパッタ粒子を堆積させて成膜する成膜室と
、該成膜室で成膜された基板が閑送され、その基板を冷
却する冷却室と、該冷却室で冷却された基板を外部に取
出す取出し室とを備えたインラインスパッタ装置におい
て，前記成膜室の一部に開口部を設けると共に、該開口
部と連通ずるターゲツ１へ交換室を前記成膜室と隣接配
置し、成膜時には前記開口部を前記ターゲットで塞ぎ、
内部を真空状態に保つことを特徴とするインラインスパ
ッタ装置。 １６．内部が大気開放状態で基板を仕込み，その後，内
部が真空排気される仕込み室と、該仕込み室排気後、該
仕込み室内の前記基板を搬送機構により搬送し、この基
板を内部に設けられている加熱装置で加熱してガス出し
を行う加熱室と、該加熱室から搬送されてきた前記基板
の表面をスパッタリングしてクリーニングするクリーニ
ング室と、該クリーニング室から搬送されてきた前記基
板表面に、ターゲットをスパッタリングすることで飛散
したスパッタ粒子を堆積させて成膜する成膜室と、該成
膜室で成膜された基板が搬送され，その基板を冷却する
冷却室と、該冷却室で冷却された基板を外部に取出す取
出し室とを備えたインラインスパッタ装置において、前
記成膜室の一部に開口部を設け、成膜時には該開口部を
前記ターゲットで塞ぎ、一方５成膜時には大気開放され
、ターゲット交換時には真空排気されて真空状態に保た
れ、内部に予備ターゲットが収納されているターゲット
交換室を、前記成膜室の開口部に一部が位置するように
隣接配置したことを特徴とするインラインスパッタ装置
。 １７．内部が大気開放状態で基板を仕込み、その後、内
部が真空排気される仕込み室と、該仕込み室排気後、該
仕込み室内の前記基板を搬送機構により搬送し、この基
板を内部に設けられている加熱装はで加熱してガス出し
を行う加熱室と、該加熱室から搬送されてきた前記基板
の表面をスパッタリングしてクリーニングするクリーニ
ング室と，該クリーニング室から搬送されてきた前記基
板表面に、ターゲツ１一をスパッタリングすることで飛
散したスパッタ粒子を堆積させて成膜する成膜室と、該
成膜室で成膜された基板が搬送され、その基板を冷却す
る冷却室と、該冷却室で冷却された基板を外部に取出す
取出し室とを備えたインラインスパッタ装置において，
前記クリーニング室と成膜室の背面にターゲット交換室
を設け、該ターゲット交換室は前記クリーニング室とを
ゲート弁で，成膜室とはターゲットで仕切られているこ
とを特徴とするインラインスパッタ装置。 １８．前記ターゲット交換室には、ターゲットホルダー
、及び交換後の前記ターゲットを取出すことができる扉
が設けられていることを特徴とする請求項１７記載のイ
ンライヘンスバッタ装置。 １９．ターゲットホルダーに搭載したターゲットを仕込
み室に仕込む工程と、該仕込み室を排気後、搬送機構に
よりターゲツ１へホルダーを加熱室に移動し，該加熱室
では基板のガス出しと同様に、ターゲット表面を加熱し
て、ターゲットのガス出しを行なう工程と、その後、ス
パッタクリーニング室に移動し、やはり基板のクリーニ
ングと同様にターゲット表面のクリーニングを行なう工
程と、クリーニング終了後、今度は、ターゲット交換室
内を排気し、ターゲット交換室とスパッタクリーニング
室との仕切り弁を開けて、ターゲット交換室内に移動す
る工程と、移動後，仕切り弁を閉じ、ここで、ターゲッ
ト支持具により、ターゲットのみをターゲットホルダー
からはずして、ターゲット取付レベル高さまで下げる工
程と、ターゲットを成膜室の後側に移動し、ターゲツ１
−を交換する工程と、ターゲット交換後、ターゲット交
換室を大気に戻して、取りはずしたターゲツＩ一及びタ
ーゲットホルダーを取り出す工程とから成ることを特徴
とするインラインスパッタ装置におけるターゲット交換
方法。 ２０．ターゲットホルダーを仕込み室に仕込む工程と，
該仕込み室を排気後，搬送機構によりターゲットホルダ
ーを加熱室、続いてクリーニング室，成膜室に移動する
工程と，該成膜室でターゲット交換時、該成膜室の真空
を保持すると同時にターゲットをターゲットホルダーに
固定する機能をもったターゲット交換治具を成膜室に取
付ける工程と、前記ターゲツ１・交換治具により、ター
ゲットを前記ターゲツ１・ホルダーに固定する工程と、
該ターゲットを搭載した前記ターゲットホルダーを搬送
機構により冷却室，取り出し室まで搬送し該ターゲット
を取り出す工程と，ターゲットホルダーに搭載し２）． たターゲットを仕込み室に仕込み工程と、該仕込み室を
排気後、搬送機構によりターゲットホルダーを加熱室に
移動し、該加熱室では基板のガス出しと同様に、ターゲ
ット表面を加熱して、ターゲットのガス出しを行なう工
程と、その後，スパッタクリーニング室に移動し，やは
り基板のクリーニングと同様にターゲット表面のクリー
ニングを行なう工程と、クリーニング終了後、ターゲッ
ト交換室内に移動する工程と、移動後、ここで、ターゲ
ット交換治具により、ターゲットのみをターゲットホル
ダーからはずして、ターゲットを成膜室に固定する工程
と，前記ターゲットホルダーのみを冷却室，取り出し室
に移動し、ターゲットホルダーを取り出す工程と、前記
ターゲット交換治具を取り外す工程とから成ることを特
徴とするインラインスパッタ装置におけるターゲット交
換方法。」 明細書第１６頁第１７行目の「・・・かない工」とある
を「・・・かないように工」とする。 ３），同第１７頁第１５行目の「・・・されているのは
、」とあるを「・・・されているように、」とする。 ４）．同第２０頁第１行目から第２行目の「移動用レー
ルが上下２段設けられている」とあるを「移動用レール
が設けられている」とする。 ５）．同第２７頁第１１行目の「・・・は手動が行」と
あるを「・・・は手動で行ｉ」とする。 以上
Claims (19)
- １．真空容器と、該真空容器内に配置され、その表面に
成膜される基板と、該基板と対向配置され成膜すべき母
材となるターゲットとを備え、前記ターゲットをスパッ
タリングして飛散したスパッタ粒子を前記基板面上に堆
積させて成膜するスパッタ装置において、前記基板と対
向する側の前記真空容器壁面に開口部を設けると共に、
前記真空容器に開口部と連通するターゲット交換室を隣
接配置し、かつ、成膜時には前記開口部を前記ターゲッ
トで塞ぎ真空容器内を真空状態に保つと共に、前記ター
ゲット交換室は大気開放として予備ターゲットを収納し
、一方、ターゲット交換時には前記ターゲット交換室を
真空排気して真空状態に保ち、前記ターゲットと予備タ
ーゲットを交換することを特徴とするスパッタ装置。 - ２．真空容器と、該真空容器内に配置され、その表面に
成膜される基板と、該基板と対向配置され成膜すべき母
材となるターゲットとを備え、前記ターゲットをスパッ
タリングして飛散したスパッタ粒子を前記基板面上に堆
積させて成膜するスパッタ装置において、前記基板と対
向する側の前記真空容器壁面に開口部を設け、成膜時に
は該開口部を前記ターゲットで塞ぎ、一方、成膜時には
大気開放され、ターゲット交換時には真空排気されて真
空状態に保たれ、内部に予備ターゲットが収納されてい
るターゲット交換室を、前記真空容器の開口部に一部が
位置するように隣接配置したことを特徴とするスパッタ
装置。 - ３．真空容器と、該真空容器内に配置され、その表面に
成膜される基板と、該基板と対向配置され成膜すべき母
材となるターゲットとから成る成膜室に隣接配置された
ターゲット交換室を有し、該ターゲット交換室は、成膜
時には前記成膜室とターゲットでしゃ断され、ターゲッ
ト交換時には前記ターゲットでの成膜室とのしゃ断が開
放され真空状態にあることを特徴とするターゲット交換
装置。 - ４．前記ターゲット交換室内に、交換用ターゲット面上
を加熱してガス出しを行うヒータを備えていることを特
徴とする請求項３記載のターゲット交換装置。 - ５．前記ターゲット交換室内に、交換用ターゲット表面
をクリーニングするプリスパッタ機構を備えていること
を特徴とする請求項３記載のターゲット交換装置。 - ６．前記成膜室の位置にあるターゲットを支持し、ター
ゲット交換時には前記ターゲットを前記ターゲット交換
室内に上下２段設置されている上側のターゲット移動用
レール上まで下降させると共に、下側のターゲット移動
用レールで搬送されてきた交換用ターゲットを支持し、
前記成膜室の所定位置まで上昇させる上下動可能なター
ゲット支持台を備えていることを特徴とする請求項３記
載のターゲット交換装置。 - ７．真空容器内の基板面上にスパッタリングされて飛散
した粒子を堆積させて成膜する母材となるターゲットを
交換する方法において、成膜時に前記真空容器の一部を
形成している前記ターゲットを交換する際に、前記真空
容器に隣接配置されているターゲット交換室を真空排気
して真空状態にし、この状態で予めターゲット交換室内
に収納されている交換用ターゲットと前記真空容器の一
部を形成しているターゲットを交換することを特徴とす
るターゲット交換方法。 - ８．前記ターゲット交換室に予め収納されている交換用
ターゲットをヒータで加熱してガス出しを行った後、前
記真空容器の一部を形成しているターゲットと交換する
ことを特徴とする請求項７記載のターゲット交換方法。 - ９．前記ターゲット交換室に予め収納されている交換用
ターゲットをプリスパッタ機構でクリーニングした後、
前記真空容器の一部を形成しているターゲットと交換す
ることを特徴とする請求項７記載のターゲット交換方法
。 - １０．真空容器と、該真空容器内に配置され、その表面
に成膜される基板と、該基板と対向配置され、成膜すべ
き母材となるターゲット板、該ターゲット板表面にマグ
ネトロン磁場を形成するため、ターゲット板裏面に設け
た磁界発生手段、ターゲット板を冷却するための冷却水
導入部から成るターゲット電極とを備え、前記ターゲッ
トをスパッタリングして飛散したスパッタ粒子を前記基
板面上に堆積させて成膜するスパッタ装置において、前
記基板と対向する側の前記真空容器壁面に開口部を設け
ると共に、前記真空容器内に開口部と連通するターゲッ
ト交換室を隣接配置し、かつ、成膜時には前記開口部を
前記ターゲット電極で塞ぎ真空容器内を真空状態に保つ
と共に、前記ターゲット交換室は大気開放としてターゲ
ット板，磁界発生手段，冷却水導入部から成る予備ター
ゲット電極を収納し、一方、ターゲット電極交換時には
前記ターゲット交換室を真空排気して真空状態に保ち、
前記ターゲット電極と予備ターゲット電極を交換するこ
とを特徴とするスパッタ装置。 - １１．真空容器と、該真空容器内に配置され、その表面
に成膜される基板と、該基板と対向配置され、成膜すべ
き母材となるターゲット板、該ターゲット板表面にマグ
ネトロン磁場を形成するため、ターゲット板裏面に設け
た磁界発生手段、ターゲット板を冷却するための冷却水
導入部から成るターゲット電極とを備え、前記ターゲッ
トをスパッタリングして飛散したスパッタ粒子を前記基
板面上に堆積させて成膜するスパッタ装置において、前
記基板と対向する側の前記真空容器壁面に開口部を設け
、該開口部を前記ターゲット電極で塞ぎ、一方、成膜時
には大気開放され、ターゲット電極交換時には真空排気
されて真空状態に保たれ、内部にターゲット板，磁界発
生手段，冷却水導入手段から成る予備ターゲット電極が
収納されているターゲット交換室を、前記真空容器の開
口部に一部が位置するように隣接配置したことを特徴と
するスパッタ装置。 - １２．真空容器と、該真空容器内に配置され、その表面
に成膜される基板と、該基板と対向配置され成膜すべき
母材となるターゲット板、該ターゲット板表面にマグネ
トロン磁場を形成するため、ターゲット板裏面に設けた
磁界発生手段、ターゲット板を冷却するための冷却水導
入部から成るターゲット電極とを備えた成膜室に隣接配
置されたターゲット交換室を有し、該ターゲット交換室
は、成膜時には前記成膜室とターゲット電極でしゃ断さ
れ、ターゲット交換時には前記ターゲット電極での成膜
室とのしゃ断が開放され真空状態にあることを特徴とす
るターゲット交換装置。 - １３．真空容器内の基板面上にスパッタリングされて飛
散した粒子を堆積させて成膜する母材となるターゲット
板、該ターゲット板表面にマグネトロン磁場を形成する
ため、ターゲット板裏面に設けた磁界発生手段，ターゲ
ット板を冷却するための冷却水導入部から成るターゲッ
ト電極を交換する方法において、成膜時に前記真空容器
の一部を形成している前記ターゲット電極を交換する際
に、前記真空容器に隣接配置されているターゲット交換
室を真空排気して真空状態にし、この状態で予めターゲ
ット交換室内に収納されているターゲット板，磁界発生
手段，冷却水導入部から成る交換用ターゲット電極と前
記真空容器の一部を形成しているターゲット電極を交換
することを特徴とするターゲット電極交換方法。 - １４．内部に収納されている基板表面に、これと対向配
置されるターゲットをスパッタリングして飛散した粒子
を堆積させて成膜を行い、かつ、常に真空状態にある第
１の部屋と、該第１の部屋と前記ターゲットで区画され
ていると共に、内部に交換用の予備ターゲットが収納さ
れている第２の部屋とを備え、前記第２の部屋は、少な
くとも前記ターゲットと予備ターゲットを交換する時に
は真空状態に保たれていることを特徴とするスパッタ装
置。 - １５．内部が大気開放状態で基板を仕込み、その後、内
部が真空排気される仕込み室と、該仕込み室排気後、該
仕込み室内の前記基板を搬送機構により搬送し、この基
板を内部に設けられている加熱装置で加熱してガス出し
を行う加熱室と、該加熱室から搬送されてきた前記基板
の表面をスパッタリングしてクリーニングするクリーニ
ング室と、該クリーニング室から搬送されてきた前記基
板表面に、ターゲットをスパッタリングすることで飛散
したスパッタ粒子を堆積させて成膜する成膜室と、該成
膜室で成膜された基板が搬送され、その基板を冷却する
冷却室と、該冷却室で冷却された基板を外部に取出す取
出し室とを備えたインラインスパッタ装置において、前
記成膜室の一部に開口部を設けると共に、該開口部と連
通するターゲット交換室を前記成膜室と隣接配置し、成
膜時には前記開口部を前記ターゲットで塞ぎ、内部を真
空状態に保つことを特徴とするインラインスパッタ装置
。 - １６．内部が大気開放状態で基板を仕込み、その後、内
部が真空排気される仕込み室と、該仕込み室排気後、該
仕込み室内の前記基板を搬送機構により搬送し、この基
板を内部に設けられている加熱装置で加熱してガス出し
を行う加熱室と、該加熱室から搬送されてきた前記基板
の表面をスパッタリングしてクリーニングするクリーニ
ング室と、該クリーニング室から搬送されてきた前記基
板表面に、ターゲットをスパッタリングすることで飛散
したスパッタ粒子を堆積させて成膜する成膜室と、該成
膜室で成膜された基板が搬送され、その基板を冷却する
冷却室と、該冷却室で冷却された基板を外部に取出す取
出し室とを備えたインラインスパッタ装置において、前
記成膜室の一部に開口部を設け、成膜時には該開口部を
前記ターゲットで塞ぎ、一方、成膜時には大気開放され
、ターゲット交換時には真空排気されて真空状態に保た
れ、内部に予備ターゲットが収納されているターゲット
交換室を、前記成膜室の開口部に一部が位置するように
隣接配置したことを特徴とするインラインスパッタ装置
。 - １７．内部が大気開放状態で基板を仕込み、その後、内
部が真空排気される仕込み室と、該仕込み室排気後、該
仕込み室内の前記基板を搬送機構により搬送し、この基
板を内部に設けられている加熱装置で加熱してガス出し
を行う加熱室と、該加熱室から搬送されてきた前記基板
の表面をスパッタリングしてクリーニングするクリーニ
ング室と、該クリーニング室から搬送されてきた前記基
板表面に、ターゲットをスパッタリングすることで飛散
したスパッタ粒子を堆積させて成膜する成膜室と、該成
膜室で成膜された基板が搬送され、その基板を冷却する
冷却室と、該冷却室で冷却された基板を外部に取出す取
出し室とを備えたインラインスパッタ装置において、前
記クリーニング室と成膜室の背面にターゲット交換室を
設け、該ターゲット交換室は前記クリーニング室とをゲ
ート弁で、成膜室１とはターゲットで仕切られているこ
とを特徴とするインラインスパッタ装置。 - １８．前記ターゲット交換室には、ターゲットホルダー
、及び交換後の前記ターゲットを取出すことができる扉
が設けられていることを特徴とする請求項１７記載のイ
ンラインスパッタ装置。 - １９．ターゲットホルダーに搭載したターゲットを仕込
み室に仕込む工程と、該仕込み室を排気後、搬送機構に
よりターゲットホルダーを加熱室に移動し、該加熱室で
は基板のガス出しと同様に、ターゲット表面を加熱して
、ターゲットのガス出しを行なう工程と、その後、スパ
ッタクリーニング室に移動し、やはり基板のクリーニン
グと同様にターゲット表面のクリーニングを行なう工程
と、クリーニング終了後、今度は、ターゲット交換室内
を排気し、ターゲット交換室とスパッタクリーニング室
との仕切り弁を開けて、ターゲット交換室内に移動する
工程と、移動後、仕切り弁を閉じ、ここで、ターゲット
支持具により、ターゲットのみをターゲットホルダーか
らはずして、ターゲット取付レベル高さまで下げる工程
と、ターゲットを成膜室の後側に移動し、ターゲットを
交換する工程と、ターゲット交換後、ターゲット交換室
を大気に戻して、取りはずしたターゲット及びターゲッ
トホルダーを取り出す工程とから成ることを特徴とする
インラインスパッタ装置におけるターゲット交換方法。
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|---|---|---|---|
| JP1307719A JPH0733576B2 (ja) | 1989-11-29 | 1989-11-29 | スパツタ装置、及びターゲツト交換装置、並びにその交換方法 |
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| DE4037580A DE4037580A1 (de) | 1989-11-29 | 1990-11-26 | Sputtervorrichtung sowie einrichtung und verfahren zum wechseln eines targets |
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