DE102005056324A1 - CVD-Reaktor mit auswechselbarer Prozesskammerdecke - Google Patents

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DE102005056324A1
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Abstract

Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Abscheiden mindestens einer Schicht auf mindestens einem Substrat (2) mit einer in einem Reaktorgehäuse (1) angeordneten Prozesskammer, die einen von einem Substrathalter (4) gebildeten Prozesskammerboden, eine diesem gegenüberliegende Prozesskammerdecke (5, 6) und ein Gaseinlassorgan (7) zum Einlassen eines schichtbildende Komponenten enthaltenen Prozessgases aufweist, wobei die Prozesskammerdecke (5, 6) eine unterhalb eines Deckenplattenträgers (5) angeordnete Deckenplatte (6) aufweist, die sich im Wesentlichen über die gesamte Horizontalflächenerstreckung des Substrathalters (4) erstreckt. Um die eingangs genannte Vorrichtung betriebstechnisch zu verbessern, wird vorgeschlagen, dass das im lateralen Zentrum der Prozesskammer (3) angeordnete Gaseinlassorgan (7) durch eine Öffnung des Substrathalters (4) gespeist wird und die lösbar dem Deckenträger (5) zugeordnete Deckenplatte (6) durch eine seitliche Öffnung (9) des Reaktorgehäuses (1) austauschbar ist.

Description

  • Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Abscheiden mindestens einer Schicht auf mindestens einem Substrat mit einer in einem Reaktorgehäuse angeordneten Prozesskammer, die einen von einem Substrathalter gebildeten Prozesskammerboden, eine diesem gegenüberliegende Prozesskammerdecke und ein Gaseinlassorgan zum Einlassen eines schichtbildende Komponenten enthaltenen Prozessgases aufweist, wobei die Prozesskammerdecke eine unterhalb eines Deckenplattenträgers angeordnete Deckenplatte aufweist, die sich im Wesentlichen über die gesamte Horizontalflächenerstreckung des Substrathalters erstreckt.
  • Eine derartige Vorrichtung ist aus der DE 10211442 A1 bekannt. Diese Vorrichtung dient dem Abscheiden von Schichten auf Substratoberflächen, wobei die Substrate in einer Prozesskammer auf einem Substrathalter aufliegen, der von unten beheizt wird. Die Decke der Prozesskammer wird von der Unterwandung eines Gaseinlassorgans ausgebildet, welches eine Vielzahl in die Prozesskammer mündende Gasaustrittsöffnungen aufweist. Unterhalb der Unterseite dieses Gaseinlassorgans erstreckt sich eine Diffuserplatte, die die eigentliche Decke der Prozesskammer ausbildet.
  • Aus der DE 103 20 597 A1 ist ebenfalls ein CVD-Reaktor vorbekannt. Auch hier liegen die Substrate auf einem den Prozesskammerboden bildenden Substrathalter auf, der von unten beheizt ist. Anders als bei dem zuvor erörterten CVD-Reaktor wird hier zusätzlich eine Prozessgaskomponente durch eine zentrale Öffnung des Substrathalters, also von unten her, in die Prozesskammer eingeleitet.
    •
  • Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, die eingangs genannte Vorrichtung betriebstechnisch zu verbessern.
  • Gelöst wird die Aufgabe durch die in den Ansprüchen angegebene Erfindung, wobei jeder der Ansprüche eine eigenständige Lösung der Aufgabe darstellt und jeder Anspruch mit jedem anderen Anspruch kombinierbar ist.
  • Erfindungsgemäß ist zunächst und im Wesentlichen vorgesehen, dass das im lateralen Zentrum der Prozesskammer angeordnete Gaseinlassorgan durch eine Öffnung des Substrathalters gespeist wird. Dabei können sämtliche Prozessgase von unten in die Prozesskammer eingeleitet werden. Hierzu ist es von Vorteil, wenn das Gaseinlassorgan die Öffnung des Substrathalters durchragt. Es werden insbesondere zwei verschiedene Prozessgase in die Prozesskammer eingeleitet, wobei ein erstes Prozessgas eine metallorganische Verbindung und ein zweites Prozessgas ein Metallhydrid ist, so dass abhängig von der Wahl der Prozessgase Mischkristalle der dritten und fünften bzw. der zweiten und sechsten Hauptgruppe abgeschieden werden können. Von Bedeutung ist die lösbare Zuordnung der Deckenplatte zu dem Deckenplattenträger. Die Deckenplatte kann mit geeigneten Haken oder Schnellverschlüssen an dem Deckenplattenträger befestigt sein. Das Reaktorgehäuse weist zudem eine seitliche Öffnung auf, durch welche die Deckenplatte austauschbar ist. Der Deckenplattenträger kann gekühlt sein. Während der Deckenplattenträger aus einem Metall besteht, kann die Deckenplatte selbst aus Graphit oder bevorzugt Quarz oder Saphir bestehen. Der Austausch der Deckenplatte wird dadurch erleichtert, dass sich die Deckenplatte im Wesentlichen unterbrechungsfrei über die gesamte Querschnittserstreckung der Unterseite des Deckenplattenträgers erstreckt, so dass zwischen der Deckenplatte und der Stirnseite des Gaseinlassorgans ein Freiraum verbleibt. Um die Öffnung zum Austausch der Deckenplatte möglichst klein zu halten bzw. diese Öffnung auch verwenden zu können, um den Substrathalter mit Substraten zu be- bzw. entladen, kann es vorgesehen sein, dass der Deckenplattenträger vertikal verlagerbar ist. Er kann von einer Prozessstellung herabgesenkt werden in eine Deckenplatteaustauschstellung. In dieser Deckenplattenaustauschstellung liegt der Deckenplattenträger etwa mittig der seitlichen Öffnung, also unterhalb deren Oberkante, so dass ein Roboterarm in die Prozesskammer eingreifen kann, um die Deckenplatte zu greifen und aus der Prozesskammer zu entfernen und gegen eine neue auszutauschen. Dabei werden die Schnellverschlüsse, mit denen die Deckenplatte am Deckenplattenträger befestigt ist, gelöst. In der Prozessstellung, die auch einer Be- und Entladestellung entsprechen kann, kann in bekannter Weise mit einem Roboterarm auf den Substrathalter zugegriffen werden. Die dort angeordneten Substrate können entfernt werden und gegen zu beschichtende Substrate ausgetauscht werden. Der Substrathalter hat vorzugsweise eine kreisringförmige Gestalt. Auf der Peripherie um das Gaseinlassorgan sind ringförmig mehrere Substrate angeordnet. Der Substrathalter wird von unten her drehangetrieben, wozu das Gaseinlassorgan eine Hohlwelle ausbildet, die drehangetrieben werden kann. In der Hohlwelle können eine Vielzahl von Gaszuleitungskanälen angeordnet sein, um die Prozessgase zu den Gasaustrittsöffnungen zu transportieren, aus denen die Prozessgase in Horizontalrichtung austreten. Die Gasauslassöffnungen erstrecken sich bevorzugt übereinanderliegend in Umfangsrichtung. Die Öffnungen liegen damit im Bereich einer Zylindermantelfläche. Der Substrathalter wird von unten beheizt. Hierzu befindet sich innerhalb des Reaktorgehäuses eine Hochfrequenzheizspirale. In einer bevorzugten Ausgestaltung ist nicht nur der Deckenplattenträger zusammen mit der Deckenplatte vertikal verlagerbar, sondern auch die Substrathalteranordnung inklusive Gaseinlassorgan. Die seitliche Öffnung kann mittelst eines Tores gasdicht verschlossen sein. Der Deckenplattenträger hängt vorzugsweise an der Decke des Reaktorgehäuses. Die Aufhängung ist in der Lage, den Deckenplattenträger abzusenken. Durch die Halterung kann eine Kühlflüssigkeit fließen.
  • Die Erfindung betrifft darüber hinaus ein Verfahren zum Abscheiden mindestens einer Schicht auf mindestens einem Substrat in einer zuvor beschriebenen Prozesskammer. Wesentlich ist dabei, dass nach jedem Prozessschritt die Deckenplatten, an welcher eine nicht gewünschte Deposition stattgefunden hat, aus der Prozesskammer entfernt wird. Der die Deckenplatte aus der Prozesskammer entfernende Roboterarm bringt diese Deckenplatte zunächst in eine Lagerkassette, um sie zwischenzulagern. Sodann wird aus einer Ätzkammer, die ebenfalls außerhalb des Reaktorgehäuses angeordnet ist, eine gereinigte Deckenplatte entnommen und in die Prozesskammer eingebracht. Dort wird sie dann unter dem Deckenplattenträger befestigt. Die Ätzkammer ist eine hermetisch geschlossene Reaktionskammer, in der ein Trockenätzprozess, beispielsweise durch Einleiten von gasförmigem HCl, stattfinden kann. Bei den entsprechenden Prozesstemperaturen wird durch das eingeleitete HCl eine parasitäre Metallbeschichtung von der Deckenplatte abgeätzt. Die so gereinigte Deckenplatte kann in der Ätzkammer in gereinigtem Zustand verbleiben, bis sie gebraucht wird. Wenn der Ätzschritt kürzer ist als der parallel zum Ätzschritt durchgeführte Prozessschritt im Reaktor, kann die gereinigte Deckenplatte dort unter einer Schutzgasatmosphäre gelagert werden. Es ist aber auch möglich, die parasitär beschichtete Deckenplatte zunächst in die Ätzkammer hineinzubringen und dann die gereinigten Deckenplatten in einer Kassette zwischenzulagern.
    •
  • Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nachfolgend anhand beigefügter Zeichnungen erläutert. Es zeigen:
  • 1 den Querschnitt eines Reaktorgehäuses mit den zur Erläuterung des Erfindungsgedankens notwendigen Details in einer Prozessstellung, die auch einer Be- und Entladestellung entspricht,
  • 2 eine Darstellung gemäß 1 in einer Deckenplattenaustauschstellung und
  • 3 eine schematische Darstellung einer aus Reaktorgehäuse 1, Ätzkammer 22 und Kassette 21 bestehende Vorrichtung.
  • Das Reaktorgehäuse 1 besteht aus einem Metallgehäuse, welches gegenüber der Umgebung gasdicht ist. Zu Wartungszwecken kann die Decke des Reaktorgehäuses 1 abgenommen werden. An der Decke des Reaktorgehäuses 1 ist ein Deckenplattenträger 5 befestigt. Hierzu dienen Halterungen 18, 19, die gleichzeitig als Zuleitung bzw. Ableitung eines Kühlmittels dienen, um den Deckenplattenträger 5 zu kühlen. Hierzu besitzt der Deckenplattenträger 5 eine Kühlmittelkammer 16.
  • Die Halterungen 18, 19 sind so ausgebildet, dass der vertikale Abstand des Deckenplattenträgers 5 von der Decke des Reaktorgehäuses 1 variierbar ist. Die Zuleitung 18 bzw. Ableitung 19 für die Kühlflüssigkeit kann bspw. teleskopierbar sein.
  • Der Deckenplattenträger 5 bildet mit seiner Unterseite eine im Wesentlichen kreisscheibenförmige ebene Anlagefläche für eine Deckenplatte 6 aus. Der Deckenplattenträger 5 ist aus einem Metall, bspw. Aluminium oder Edelstahl gefertigt. Die Deckenplatte 6 besitzt im Wesentlichen dieselbe Umrisskontur wie die Unterseite des Deckenplattenträgers 5.
  • Auch sie hat die Form einer Kreisscheibe, wobei sich die Deckenplatte 6 des Ausführungsbeispiels unterbrechungsfrei über die gesamte Fläche der Deckenplattenträgerunterseite erstreckt. Es sind also keinerlei Öffnungen in der Deckenplatte 6 vorgesehen. Auch durchragen keine Bestandteile des Reaktors die Deckenplatte 6. Die Deckenplatte 6 ist aber mit lösbaren Halterungen am Deckenplattenträger 5 befestigt. Die Haltemittel können von Haken ausgebildet sein. Es ist aber auch denkbar, die Deckenplatte 6 im Wege eines Bajonettverschlusses mit dem Deckenplattenträger 5 zu verbinden.
  • Unterhalb der Deckenplatte 6 erstreckt sich die Prozesskammer 3, so dass die Deckenplatte 6 deren Decke ausbildet. Auch die Prozesskammer 3 besitzt eine rotationssymmetrische Gestaltung. Im Zentrum der Prozesskammer 3 befindet sich ein Gaseinlassorgan 7, mit welchem die Prozessgase in die Prozesskammer 3 eingeleitet werden können. Das im Wesentlichen zylinderförmige Gaseinlassorgan 7 durchragt dabei von unten eine zentrale Öffnung 8 eines Substrathalters 4. Während die Deckenplatte 6 aus einem im Wesentlichen thermisch und elektrisch isolierenden Material, bspw. Quarz oder Saphir besteht, besteht der Substrathalter 4 bevorzugt aus Graphit. Grundsätzlich kann die Deckenplatte 6 aber auch aus Graphit bestehen. Der kreisringscheibenförmige Substrathalter 4 besitzt eine Vielzahl in Umfangsrichtung angeordneter Taschen. Diese Taschen sind nach oben hin offen und haben eine topfförmige Gestalt. In diesen Taschen liegen kreisscheibenförmige Suszeptoren 15 ein, die sich in den Taschen auf einem Gasdrehlager drehen können. Auf jedem der Suszeptoren 15 befindet sich ein zu beschichtendes Substrat 2.
  • Unterhalb des Substrathalters 4 befindet sich eine Heizspirale 11. Es kann sich hierbei um eine Widerstandsheizung handeln. Bevorzugt handelt es sich aber um eine HF-Sendespule, die in dem elektrisch leitenden Substrathalter 4 Wirbelströmeinduziert, die zur Erwärmung des Substrathalters 4 führen.
  • Das Gaseinlassorgan 7 wird von einer Hohlwelle 12 gebildet. Diese Hohlwelle 12 kann den Boden des Reaktorgehäuses 1 durchragen. Die Hohlwelle 12 ist bevorzugt drehangetrieben. Die Hohlwelle 12 trägt den Substrathalter 4, so dass sich die Drehbewegung der Hohlwelle 12 auf den Substrathalter 4 überträgt. Durch die Hohlwelle 12 kann das das oben beschriebene Gasdrehlager ausbildende Gas eingespeist werden. Durch die Hohlwelle 12 wird auch das Prozessgas eingeleitet, bei dem es sich um ein Hydrid eines Elements der III. oder II. Hauptgruppe einerseits und um eine metallorganische Verbindung eines Ele ments der V. oder VI. Hauptgruppe andererseits handeln kann. Sowohl das Hydrid als auch die metallorganische Verbindung werden zusammen mit einem Trägergas in die Prozesskammer eingeleitet. Hierzu dienen voneinander getrennte Strömungskanäle 13, 14. Durch einen zentralen Strömungskanal 14 wird das Hydrid, bei dem es sich um AsH3, PH3 oder NH3 handeln kann, bis in den Bereich unter der Stirnplatte 7' des Gaseinlassorgans 7 geleitet. Dort wird die zunächst vertikale Strömung des Prozessgases in eine Horizontalströmung umgeleitet. Das Prozessgas strömt in Radialrichtung aus Austrittsöffnungen 14', die sich über eine Mantelflächenumfangszone erstreckt in die Prozesskammer 3. Unterhalb der Austrittsöffnung 14' des Strömungskanals 14 erstreckt sich eine ebensolche, zylindermantelförmige Austrittsöffnung 13' für die metallorganische Verbindung. Diese Austrittsöffnung 13', aus der die metallorganische Verbindung zusammen mit dem sie tragenden Trägergases in Horizontalrichtung ausströmt, bildet das Ende eines Strömungskanals 13, durch welches die metallorganische Verbindung ebenfalls durch die Unterseite des Reaktorgehäuses 1 eingespeist wird. Die untere Gasaustrittsöffnung 13' erstreckt sich direkt oberhalb der zur Prozesskammer 3 weisenden Oberfläche des Substrathalters 4. Unterhalb der axialen Mitte der Prozesskammer 3 mündet die Austrittsöffnung 14' in die Prozesskammer 3.
  • Beim Ausführungsbeispiel lässt sich nicht nur der Deckenplattenträger 5 zusammen mit der an seiner Unterseite lösbar befestigten Deckenplatte 6 in Richtung des in der 1 mit A bezeichneten Pfeiles absenken. Beim Ausführungsbeispiel ist es auch möglich, die gesamte Substrathalteranordnung bestehend aus dem Substrathalter 4 und des ihn tragenden Gaseinlassorgans 7 sowie die darunter liegende Heizspirale 11 in Richtung des mit B bezeichneten Pfeiles absenken.
  • Auf diese Weise lässt sich die gesamte Prozesskammer 3 fahrstuhlartig verlagern.
  • In der 1 ist eine Be- und Entladestellung dargestellt. In dieser Vertikallage der Prozesskammer und insbesondere des Substrathalters 4 liegt die zur Prozesskammer 3 weisende Oberfläche des Substrathalters 4 im Zugangsbereich durch die seitliche Öffnung 9 des Reaktorgehäuses 1. Die zur Prozesskammer 3 weisende Oberfläche des Substrathalters 4 liegt hier oberhalb der Höhe der Unterkante der Öffnung 9 und unterhalb der Oberkante der Öffnung 9. Wird das die Öffnung 9 gasdicht verschließende Tor 17 geöffnet, so kann ein Roboterarm in die Prozesskammer 3 greifen, um die beschichteten Substrate 2 zu entfernen und gegen zu beschichtende Substrate 2 austauschen. Dabei wird der Substrathalter 4 immer um einen entsprechenden Umfangswinkel weitergedreht.
  • Wird die gesamte Prozesskammeranordnung von der in der 1 dargestellten Stellung nach unten verlagert, so kann ein anderer Roboterarm durch die seitliche Öffnung 9 in die Prozesskammer 3 hineingreifen, um die Deckenplatte 6 zu fassen. In dieser Betriebsstellung kann die nach oben weisende Oberfläche des Substrathalters 4 unterhalb der Unterkante der Öffnung 9 liegen. Die Deckenplatte 6 liegt jedoch in einem Bereich zwischen der Oberkante und der Unterkante der Öffnung 9. Dadurch braucht der Roboterarm lediglich eine Vertikalbewegung durchzuführen. Der Roboterarm löst die Deckenplatte 6 aus der Halterung, mit der die Deckenplatte 6 am Deckenplattenträger 5 befestigt ist. Der Roboterarm entnimmt die Deckenplatte 6 in Richtung des in der 2 im Bereich der seitlichen Öffnung 9 dargestellten Doppelpfeiles, um eine neue Deckenplatte 6 mit der Unterseite des Deckenplattenträgers 5 zu verbinden.
  • Der Austausch der Deckenplatte erfolgt zwischen einzelnen Beschichtungsprozessen, um die Deckenplatte zu reinigen. Da die Deckenplatten im Prozess eine erheblich niedrigere Temperatur aufweist als der Substrathalter 4, ist eine parasitäre Beschichtung der Deckenplatte 6 nicht zu vermeiden. Eine derartige parasitäre Beschichtung der Deckenplatte 6 führt in der Regel zu Nachteilen, weil sich aus dem an der Oberfläche der Deckenplatte 6 abgeschiedene Materialpartikel bilden können, die auf die Substrate herabfallen können. Durch das regelmäßige Wechseln der Deckenplatte 6 wird die Masse des dort abgeschiedenen Materials in tolerablen Grenzen gehalten.
  • Der Deckenplattenträger 5 kann starr mit dem Substrathalter 4 über geeignete, insbesondere außerhalb der Prozesskammer 3 angeordnete starre Verbindungen verbunden sein. Bei dieser Anordnung brauchen Deckenplattenträger 5 und Substrathalter 4 nicht getrennt in Vertikalrichtung angetrieben werden. Der Vertikalantrieb kann dann beispielsweise in der Hohlwelle 12 angreifen, die durch eine Bodenöffnung aus dem Reaktorgehäuse 1 herausgeführt ist. An dieser Hohlachse 12 kann auch der Drehantrieb angreifen, um den Substrathalter 4 um seine eigene Achse während des Abscheidungsprozesses drehanzutreiben. Es ist aber auch möglich, den Drehantrieb und/oder den Vertikalantrieb innerhalb des Reaktorgehäuses 1 unterzubringen.
  • Bei dem in der 1 dargestellten Ausführungsbeispiel sind mit der Bezugsziffer 20 Schwenkhaken bezeichnet, die von außen drehbetätigbar sind. Diese Schwenkhaken untergreifen mit einem Hakenfortsatz die Deckenplatte 6, um sie so fest am Deckenplattenhalter zu halten.
  • Die 3 zeigt grob schematisch eine Gesamtvorrichtung mit einem Reaktorgehäuse 1, einer Ätzkammer 22 und einer Kassette 21. Zwischen diesen drei Kammern 1, 21 und 22 befindet sich ein mehrgelenkiger Roboterarm 23. Der Greifer des Roboterarms 23 kann in die in 1 dargestellte Prozesskammer 3 einfahren. Der Greifer liegt dann in dem Freiraum 10 unterhalb der Deckenplatte 6. Der Greifer kann dann vertikal nach oben verlagert werden, bis er in Berührung der Anlage an die Deckenplatte 6 tritt. Dann werden die Schwenkhaken 20 verdreht, so dass die Deckenplatte 6 frei wird. Durch vertikales Absenken des Greifers wird die Deckenplatte von dem Deckenplattenträger 5 ent fernt. Der Greifer verlässt dann zusammen mit der Deckenplatte 6 die Prozesskammer 3 und legt die Deckenplatte in einer Kassette 21 ab. Nachdem der Greifarm 23 anschließend eine gereinigte Deckenplatte 6 aus einer Ätzkammer 22 entnommen hat, bringt er diese in die Prozesskammer 3, wo sie mittelst der Schwenkhaken 20 an dem Deckenplattenträger 5 befestigt wird.
  • Die Ätzkammer 22 ist ein hermetisch gegenüber der Außenwelt abgeschottetes Reaktionsgefäß. Es ist temperierbar. Es kann mit geeigneten Heizorganen auf eine Prozesstemperatur gebracht werden, bei welcher innerhalb der Ätzkammer 22 ein Trockenätzprozess stattfinden kann. Hierzu wird ein ätzfähiges Gas in die Ätzkammer 22 eingeleitet. Es kann sich dabei um Trocken-HCl handeln. In die Ätzkammer 22 kann darüber hinaus auch ein Inertgas eingeleitet werden, um die Ätzkammer 22 zu spülen. Die gereinigte Deckenplatte 6 kann nach Vollendung des Ätzprozesses auch noch unter dieser Schutzgasatmosphäre innerhalb der Ätzkammer 22 verbleiben, bis sie mit dem Reaktorarm 23 dort entnommen wird, um nach Öffnen des Tores 17 in der zuvor beschriebenen Weise in das Reaktorgehäuse eingesetzt zu werden.
  • Alle offenbarten Merkmale sind (für sich) erfindungswesentlich. In die Offenbarung der Anmeldung wird hiermit auch der Offenbarungsinhalt der zugehörigen/beigefügten Prioritätsunterlagen (Abschrift der Voranmeldung) vollinhaltlich mit einbezogen, auch zu dem Zweck, Merkmale dieser Unterlagen in Ansprüche vorliegender Anmeldung mit aufzunehmen.

Claims (13)

  1. Vorrichtung zum Abscheiden mindestens einer Schicht auf mindestens einem Substrat (2) mit einer in einem Reaktorgehäuse (1) angeordneten Prozesskammer, die einen von einem Substrathalter (4) gebildeten Prozesskammerboden, eine diesem gegenüberliegende Prozesskammerdecke (5, 6) und ein Gaseinlassorgan (7) zum Einlassen eines schichtbildende Komponenten enthaltenen Prozessgases aufweist, wobei die Prozesskammerdecke (5, 6) eine unterhalb eines Deckenplattenträgers (5) angeordnete Deckenplatte (6) aufweist, die sich im Wesentlichen über die gesamte Horizontalflächenerstreckung des Substrathalters (4) erstreckt, dadurch gekennzeichnet, dass das im lateralen Zentrum der Prozesskammer (3) angeordnete Gaseinlassorgan (7) durch eine Öffnung des Substrathalters (4) gespeist wird und die lösbar dem Deckenträger (5) zugeordnete Deckenplatte (6) durch eine seitliche Öffnung (9) des Reaktorgehäuses (1) austauschbar ist.
  2. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass der Deckenplattenträger (5) gekühlt ist.
  3. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass das Gaseinlassorgan (7) durch die Öffnung (8) des Substrathalters (4) hindurchragt.
  4. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass das Gaseinlassorgan (7) eine drehangetriebene Hohlwelle (12) ausbildet, mit welcher der im Wesentlichen rotationssymmetrische Substrathalter (4) drehantreibbar ist.
  5. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, gekennzeichnet durch einen Freiraum (10) zwischen der oberen Stirnseite (7') des Gaseinlassorgans (7) und der Deckenplatte (6).
  6. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass zumindest der Deckenplattenträger (5) von einer Prozessstellung in eine Deckenplattenaustauschstellung vertikal verlagerbar ist.
  7. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die seitliche Reaktorgehäuseöffnung (9) eine Be- und Entladeöffnung der Prozesskammer (3) ist.
  8. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass der Substrathalter (4) von unten insbesondere mittelst einer HF-Heizspule (11) beheizbar ist.
  9. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass sowohl Decke (5, 6) als auch Boden (4) der Prozesskammer vertikal verlagerbar sind.
  10. Vorrichtung nach einem oder mehreren der vorhergehenden Ansprüche oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass die Prozessgase von unten durch einen Boden des Reaktorgehäuses (1) in das Gaseinlassorgan (7) eingespeist werden.
  11. Verfahren zum Abscheiden mindestens einer Schicht auf mindestens einem Substrat (2) in einer Prozesskammer (3) in einem Reaktorgehäuse (1), wobei auf dem von einem Prozesskammerboden gebildeten Substrathalter (4) das mindestens eine Substrat gehalten ist und durch ein Gaseinlassorgan (7) schichtbildende Komponenten enthaltenes Prozessgas in die Prozesskammer (3) eingeleitet wird, wobei eine auswechselbare Deckenplatte (6) unterhalb eines Deckenplattenträgers (5) angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, dass die lösbar am Deckenplattenträger (5) angeordnete Deckenplatte (6) nach einem Abscheidungsprozess mittelst eines durch eine seitliche Öffnung (9) des Reaktorgehäuses (1) eingreifenden Roboterarm (23) entnommen wird, um außerhalb des Reaktorgehäuses (1) in einer Ätzkammer (22) gereinigt zu werden, wobei die gereinigte Deckenplatte (6) durch die seitliche Öffnung (9) des Reaktorgehäuses (1) in die Prozesskammer eingebracht wird und am Deckenplattenträger (5) befestigt wird.
  12. Verfahren nach Anspruch 11 oder insbesondere danach, dadurch gekennzeichnet, dass zeitgleich mit dem Abscheidungsprozess eine Prozesskammerdecke (6) in einer außerhalb des Reaktorgehäuses (1) angeordneten Ätzkammer (22) gereinigt wird.
  13. Verfahren nach einem der vorhergehenden Ansprüche 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, dass die Deckenplatte (6) vor oder nach der Reinigung in der Ätzkammer (22) in einer Lagerkassette (21) zwischengelagert wird.
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