JPH05230625A - 薄膜作製装置及び薄膜作製方法 - Google Patents
薄膜作製装置及び薄膜作製方法Info
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- JPH05230625A JPH05230625A JP3115592A JP3115592A JPH05230625A JP H05230625 A JPH05230625 A JP H05230625A JP 3115592 A JP3115592 A JP 3115592A JP 3115592 A JP3115592 A JP 3115592A JP H05230625 A JPH05230625 A JP H05230625A
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- JP
- Japan
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- target
- thin film
- irradiated
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 薄膜作製装置及び薄膜作製方法に関し，内部
の特性が均一で特性の再現性のよい薄膜を得るための装
置と方法を目的とする。 【構成】 真空チャンバ１と, 真空チャンバ１内に配置
されたターゲット２及び成長基板３と, ターゲット２を
動かす手段と，ターゲット２表面にエネルギービームを
照射して表面物質を飛散させ，成長基板３上に堆積させ
る手段と，ターゲット２表面のエネルギービームが照射
された領域を，真空を破らずに除去して新しい表面を露
出する手段とを備えた薄膜作製装置により構成する。ま
た，前記の薄膜作製装置を使用して，ターゲット２を動
かしながらターゲット２表面にエネルギービームを照射
して表面物質を飛散させ，成長基板３上に堆積し，その
後エネルギービームが照射された表面領域に再びエネル
ギービームが照射される前に，その表面領域を真空を破
らずに除去して新しい表面を露出しておく方法により構
成する。
の特性が均一で特性の再現性のよい薄膜を得るための装
置と方法を目的とする。 【構成】 真空チャンバ１と, 真空チャンバ１内に配置
されたターゲット２及び成長基板３と, ターゲット２を
動かす手段と，ターゲット２表面にエネルギービームを
照射して表面物質を飛散させ，成長基板３上に堆積させ
る手段と，ターゲット２表面のエネルギービームが照射
された領域を，真空を破らずに除去して新しい表面を露
出する手段とを備えた薄膜作製装置により構成する。ま
た，前記の薄膜作製装置を使用して，ターゲット２を動
かしながらターゲット２表面にエネルギービームを照射
して表面物質を飛散させ，成長基板３上に堆積し，その
後エネルギービームが照射された表面領域に再びエネル
ギービームが照射される前に，その表面領域を真空を破
らずに除去して新しい表面を露出しておく方法により構
成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は薄膜作製装置及び薄膜作
製方法に関する。高速の電子デバイスあるいは低消費電
力の電子デバイスでは，種々の材料の薄膜が使用されて
いる。このような電子デバイスの特性を改善して行くた
めには，まず均一な薄膜が再現性よく作製される必要が
ある。
製方法に関する。高速の電子デバイスあるいは低消費電
力の電子デバイスでは，種々の材料の薄膜が使用されて
いる。このような電子デバイスの特性を改善して行くた
めには，まず均一な薄膜が再現性よく作製される必要が
ある。
【０００２】
【従来の技術】例えばレーザアブレーション法により成
長基板上に薄膜を成長する従来例について説明する。図
７は従来例を示す模式図で，１は真空チャンバ，1aは
窓, 1bはガス導入口, 1cは排気口，２はターゲット，３
は成長基板，４はターゲット搭載台，５はレーザ，5aは
レーザ光を表す。
長基板上に薄膜を成長する従来例について説明する。図
７は従来例を示す模式図で，１は真空チャンバ，1aは
窓, 1bはガス導入口, 1cは排気口，２はターゲット，３
は成長基板，４はターゲット搭載台，５はレーザ，5aは
レーザ光を表す。
【０００３】レーザアブレーション法ではターゲット２
にレーザ光5aを照射して，ターゲット２の構成物をイオ
ンもしくはクラスターとして叩き出し，ターゲット２と
対向する成長基板３上に堆積させて薄膜を成長する。そ
の際，ＲＦマグネトロンスパッタリングのようにある程
度の広がりをもったプラズマによって叩くのと異なり，
ターゲット２の一部分にレーザ光5aを集光させて，そこ
をアブレートすることになる。
にレーザ光5aを照射して，ターゲット２の構成物をイオ
ンもしくはクラスターとして叩き出し，ターゲット２と
対向する成長基板３上に堆積させて薄膜を成長する。そ
の際，ＲＦマグネトロンスパッタリングのようにある程
度の広がりをもったプラズマによって叩くのと異なり，
ターゲット２の一部分にレーザ光5aを集光させて，そこ
をアブレートすることになる。
【０００４】レーザ光5aのエネルギー密度が非常に高い
ため，レーザの照射された部分の劣化は速く，数回のレ
ーザパルス照射で十分に劣化が確認できるほどである。
従来，ターゲット２上で一部分だけの劣化が進まないよ
うに，ターゲット２を回転させる方法がとられている。
ため，レーザの照射された部分の劣化は速く，数回のレ
ーザパルス照射で十分に劣化が確認できるほどである。
従来，ターゲット２上で一部分だけの劣化が進まないよ
うに，ターゲット２を回転させる方法がとられている。
【０００５】しかし，ターゲット２を回転させていると
はいえ，成長回数を重ねる毎にターゲット２の劣化は進
む。図８は劣化した部分の生じたターゲットを示す平面
図である。図中，2aは劣化した部分, 4aはターゲット搭
載台４を取り付ける穴を表す。一回の成長期間中，ター
ゲットが複数回回転する場合，ターゲット２の同じ場所
が複数回照射されることになり，ターゲット２の劣化と
ともにそこから叩き出される成分組成が変化して行き，
成長した薄膜の層方向に成分組成のばらつきが生じる。
このようにターゲット表面の変質による問題は，レーザ
アブレーション法だけに限らず，ＲＦマグネトロンスパ
ッタリング等ターゲット表面からその構成物を叩き出し
て薄膜を作製する技術においては共通するものである。
はいえ，成長回数を重ねる毎にターゲット２の劣化は進
む。図８は劣化した部分の生じたターゲットを示す平面
図である。図中，2aは劣化した部分, 4aはターゲット搭
載台４を取り付ける穴を表す。一回の成長期間中，ター
ゲットが複数回回転する場合，ターゲット２の同じ場所
が複数回照射されることになり，ターゲット２の劣化と
ともにそこから叩き出される成分組成が変化して行き，
成長した薄膜の層方向に成分組成のばらつきが生じる。
このようにターゲット表面の変質による問題は，レーザ
アブレーション法だけに限らず，ＲＦマグネトロンスパ
ッタリング等ターゲット表面からその構成物を叩き出し
て薄膜を作製する技術においては共通するものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の問題に
鑑み，薄膜成長時エネルギービームの照射により劣化し
たターゲットの表面を一連の処理の中で回復させ，膜内
部の特性が均一で再現性のよい薄膜を作製する装置と方
法を提供することを目的とする。
鑑み，薄膜成長時エネルギービームの照射により劣化し
たターゲットの表面を一連の処理の中で回復させ，膜内
部の特性が均一で再現性のよい薄膜を作製する装置と方
法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】図１は第１の実施例を示
す模式図，図２は第２の実施例を示す模式図，図３はタ
ーゲット表面の劣化部の発生とその除去を示す模式図，
図４は第３の実施例を示す模式図である。
す模式図，図２は第２の実施例を示す模式図，図３はタ
ーゲット表面の劣化部の発生とその除去を示す模式図，
図４は第３の実施例を示す模式図である。
【０００８】上記課題は，真空チャンバ１と, 該真空チ
ャンバ１内に配置されたターゲット２及び成長基板３
と, 該ターゲット２を動かす手段と，該ターゲット２表
面にエネルギービームを照射して表面物質を飛散させ，
該成長基板３上に堆積させる手段と，該ターゲット２表
面のエネルギービームが照射された領域2aを，真空を破
らずに除去して新しい表面を露出する手段とを備えた薄
膜作製装置によって解決される。
ャンバ１内に配置されたターゲット２及び成長基板３
と, 該ターゲット２を動かす手段と，該ターゲット２表
面にエネルギービームを照射して表面物質を飛散させ，
該成長基板３上に堆積させる手段と，該ターゲット２表
面のエネルギービームが照射された領域2aを，真空を破
らずに除去して新しい表面を露出する手段とを備えた薄
膜作製装置によって解決される。
【０００９】また，真空チャンバ１内にターゲット２及
び成長基板３を配置し，該ターゲット２を動かしながら
該ターゲット２表面にエネルギービームを照射して表面
物質を飛散させ，該成長基板３上に堆積し，その後エネ
ルギービームが照射された表面領域2aに再びエネルギー
ビームが照射される前に，該表面領域2aを真空を破らず
に除去して新しい表面を露出しておく薄膜作製方法によ
って解決される。
び成長基板３を配置し，該ターゲット２を動かしながら
該ターゲット２表面にエネルギービームを照射して表面
物質を飛散させ，該成長基板３上に堆積し，その後エネ
ルギービームが照射された表面領域2aに再びエネルギー
ビームが照射される前に，該表面領域2aを真空を破らず
に除去して新しい表面を露出しておく薄膜作製方法によ
って解決される。
【００１０】
【作用】本発明の薄膜作製装置は, 従来の薄膜作製装置
に加えて，ターゲット２表面のエネルギービームが照射
された領域2aを，真空を破らずに除去して新しい表面を
露出する手段を備えている。
に加えて，ターゲット２表面のエネルギービームが照射
された領域2aを，真空を破らずに除去して新しい表面を
露出する手段を備えている。
【００１１】この薄膜作製装置を使用すれば，ターゲッ
ト２を動かしながらターゲット２表面にエネルギービー
ムを照射して表面物質を飛散させて成長基板３上に堆積
し，その後エネルギービームが照射された表面領域2aに
再びエネルギービームが照射される前に，その表面領域
2aを真空を破らずに除去して新しい表面を露出しておく
ことができる。従ってターゲット２の劣化した部分にエ
ネルギービームが照射されることがなくなるから，膜内
部の特性が均一で，特性再現性のよい薄膜が得られる。
ト２を動かしながらターゲット２表面にエネルギービー
ムを照射して表面物質を飛散させて成長基板３上に堆積
し，その後エネルギービームが照射された表面領域2aに
再びエネルギービームが照射される前に，その表面領域
2aを真空を破らずに除去して新しい表面を露出しておく
ことができる。従ってターゲット２の劣化した部分にエ
ネルギービームが照射されることがなくなるから，膜内
部の特性が均一で，特性再現性のよい薄膜が得られる。
【００１２】
【実施例】図１は第１の実施例を示す模式図で，１は真
空チャンバ，1aは窓で例えば石英製の窓, 1bはガス導入
口, 1cは排気口, ２はターゲット，３は成長基板，４は
ターゲット搭載台，５はレーザ，5aはレーザ光，６はロ
ードロック，７は真空チャンバ，7aはガス導入口, 7bは
排気口, ８は電極，９はＲＦ電源を表す。
空チャンバ，1aは窓で例えば石英製の窓, 1bはガス導入
口, 1cは排気口, ２はターゲット，３は成長基板，４は
ターゲット搭載台，５はレーザ，5aはレーザ光，６はロ
ードロック，７は真空チャンバ，7aはガス導入口, 7bは
排気口, ８は電極，９はＲＦ電源を表す。
【００１３】この例は薄膜成長の真空チャンバ１と別に
ターゲットの劣化部分を除去するための真空チャンバ７
を設け，高周波プラズマを用いてターゲットの劣化部分
を除去している。
ターゲットの劣化部分を除去するための真空チャンバ７
を設け，高周波プラズマを用いてターゲットの劣化部分
を除去している。
【００１４】この薄膜作製装置により成長基板上に絶縁
体薄膜を形成する例について説明する。ターゲット２と
して，ＮｄＧａＯ3 なる組成の円板を用い，成長基板３
として，ＳｒＴｉＯ3 基板を用いる。
体薄膜を形成する例について説明する。ターゲット２と
して，ＮｄＧａＯ3 なる組成の円板を用い，成長基板３
として，ＳｒＴｉＯ3 基板を用いる。
【００１５】ＫｒＦエキシマレーザ（λ＝248 nm）を用
いて，１０mTorr の酸素雰囲気中でレーザアブレーショ
ンを行う。ターゲット２は１ｒｐｍで回転する。レーザ
光の照射によりターゲット２表面は劣化するが，劣化し
た部分が戻ってくる直前で一度成長を止める。
いて，１０mTorr の酸素雰囲気中でレーザアブレーショ
ンを行う。ターゲット２は１ｒｐｍで回転する。レーザ
光の照射によりターゲット２表面は劣化するが，劣化し
た部分が戻ってくる直前で一度成長を止める。
【００１６】次いで，ロードロック６を開けてターゲッ
ト２を真空チャンバ７内に搬送し，周波数13.56MHz, 電
力約 250Ｗ，圧力 200mTorr のＡｒ＋２０％Ｏ2 雰囲気
でプラズマをたて，プラズマエッチングによりターゲッ
ト２表面をたたき落とす。ターゲット２に新しい表面が
露出する。
ト２を真空チャンバ７内に搬送し，周波数13.56MHz, 電
力約 250Ｗ，圧力 200mTorr のＡｒ＋２０％Ｏ2 雰囲気
でプラズマをたて，プラズマエッチングによりターゲッ
ト２表面をたたき落とす。ターゲット２に新しい表面が
露出する。
【００１７】次いで，ターゲット２を真空チャンバ１内
に戻し，前と同様にして再びレーザアブレーションを行
う。このレーザアブレーションを１０回繰り返して成長
基板３上に厚さ0.15μｍのＮｄＧａＯ3 膜を成長した。
に戻し，前と同様にして再びレーザアブレーションを行
う。このレーザアブレーションを１０回繰り返して成長
基板３上に厚さ0.15μｍのＮｄＧａＯ3 膜を成長した。
【００１８】このようにして，真空を破らずにターゲッ
ト２表面の劣化した部分を除去することができ，薄膜内
部の特性の均一性が向上した。図２は第２の実施例を示
す模式図である。符号は第１の実施例と共通で，さらに
10はイオンガン, 10a はイオンビームを表す。
ト２表面の劣化した部分を除去することができ，薄膜内
部の特性の均一性が向上した。図２は第２の実施例を示
す模式図である。符号は第１の実施例と共通で，さらに
10はイオンガン, 10a はイオンビームを表す。
【００１９】この例は，薄膜成長とターゲット２表面の
劣化した部分の除去を同じ真空チャンバ内でイオンビー
ムを用いて行うものである。図示されていないが，イオ
ンビームにより表面から削りとられた蒸発物を吸着する
液体窒素トラップが設けられている。
劣化した部分の除去を同じ真空チャンバ内でイオンビー
ムを用いて行うものである。図示されていないが，イオ
ンビームにより表面から削りとられた蒸発物を吸着する
液体窒素トラップが設けられている。
【００２０】図３はターゲット表面の劣化部の発生とそ
の除去を示す模式図であり，2aは劣化した部分, 2bは新
しい表面の露出した部分を表す。ターゲット２として，
例えば高温超伝導体のＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-y なる組成の
円板を用い，成長基板３として，ＳｒＴｉＯ3 基板を用
いる。
の除去を示す模式図であり，2aは劣化した部分, 2bは新
しい表面の露出した部分を表す。ターゲット２として，
例えば高温超伝導体のＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-y なる組成の
円板を用い，成長基板３として，ＳｒＴｉＯ3 基板を用
いる。
【００２１】ＫｒＦエキシマレーザ（λ＝248 nm）を用
いて，１０mTorr の酸素雰囲気中でレーザアブレーショ
ンを行う。ターゲット２は１ｒｐｍで回転する。レーザ
光の照射によりターゲット２表面は劣化するが，劣化し
た部分は半回転した位置でイオンビーム10a が照射され
る。イオンビーム10a は例えば加速電圧２ＫＶ程度のも
ので，ターゲット２表面の劣化した部分を削りとって新
しい表面を露出する。
いて，１０mTorr の酸素雰囲気中でレーザアブレーショ
ンを行う。ターゲット２は１ｒｐｍで回転する。レーザ
光の照射によりターゲット２表面は劣化するが，劣化し
た部分は半回転した位置でイオンビーム10a が照射され
る。イオンビーム10a は例えば加速電圧２ＫＶ程度のも
ので，ターゲット２表面の劣化した部分を削りとって新
しい表面を露出する。
【００２２】ターゲット２を１０回転することにより，
成長基板３上に厚さ 0.1μｍの高温超伝導膜ＹＢａ2 Ｃ
ｕ3 Ｏ7-y を成長した。このようにして，膜内部の特性
の均一な高温超伝導膜を得た。
成長基板３上に厚さ 0.1μｍの高温超伝導膜ＹＢａ2 Ｃ
ｕ3 Ｏ7-y を成長した。このようにして，膜内部の特性
の均一な高温超伝導膜を得た。
【００２３】第１の実施例の高周波プラズマに比べる
と，第２の実施例はイオンビームを絞ることができるた
め，除去する部分を限定することができ，そのため，タ
ーゲットの劣化していない部分及びターゲット以外の部
分からの再付着を考慮しなくてもよい。また，真空チャ
ンバ内のガス圧に関係なくイオンビームを作り出せるの
で，高周波プラズマを使用するときよりも広い条件で適
用できる。
と，第２の実施例はイオンビームを絞ることができるた
め，除去する部分を限定することができ，そのため，タ
ーゲットの劣化していない部分及びターゲット以外の部
分からの再付着を考慮しなくてもよい。また，真空チャ
ンバ内のガス圧に関係なくイオンビームを作り出せるの
で，高周波プラズマを使用するときよりも広い条件で適
用できる。
【００２４】図４は第３の実施例を示す模式図である。
符号は第１の実施例と共通で，さらに11は砥石を表す。
この例も，第２の実施例と同様，薄膜成長とターゲット
２表面の劣化した部分の除去を同じ真空チャンバ内で行
うものである。
符号は第１の実施例と共通で，さらに11は砥石を表す。
この例も，第２の実施例と同様，薄膜成長とターゲット
２表面の劣化した部分の除去を同じ真空チャンバ内で行
うものである。
【００２５】ターゲット２として，例えば高温超伝導体
のＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-y なる組成の円板を用い，成長基
板３として，ＳｒＴｉＯ3 基板を用いる。ＫｒＦエキシ
マレーザ（λ＝248 nm）を用いて，１０mTorr の酸素雰
囲気中でレーザアブレーションを行う。ターゲット２は
１ｒｐｍで回転する。レーザ光の照射によりターゲット
２表面は劣化するが，劣化した部分は半回転した位置で
砥石11により削り落とされる。砥石11は例えば＃500 前
後のダイヤモンド砥石で，それをターゲット２に圧接
し，ターゲット２の回転による力を利用して削り落とし
て新しい表面を露出する。ターゲット２を１０回転する
ことにより，成長基板３上に厚さ 0.1μｍの高温超伝導
膜ＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-y を成長した。
のＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-y なる組成の円板を用い，成長基
板３として，ＳｒＴｉＯ3 基板を用いる。ＫｒＦエキシ
マレーザ（λ＝248 nm）を用いて，１０mTorr の酸素雰
囲気中でレーザアブレーションを行う。ターゲット２は
１ｒｐｍで回転する。レーザ光の照射によりターゲット
２表面は劣化するが，劣化した部分は半回転した位置で
砥石11により削り落とされる。砥石11は例えば＃500 前
後のダイヤモンド砥石で，それをターゲット２に圧接
し，ターゲット２の回転による力を利用して削り落とし
て新しい表面を露出する。ターゲット２を１０回転する
ことにより，成長基板３上に厚さ 0.1μｍの高温超伝導
膜ＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-y を成長した。
【００２６】図５はこのようにダイヤモンド砥石研削に
より修復したターゲットを用いて堆積した上記の薄膜の
特性である。この図は４端子法により間隔３mmで測定し
た薄膜の抵抗の温度依存性を示す。この薄膜は予定通り
８０ｋ以下で抵抗がゼロとなり，膜質の良好なることが
示された。
より修復したターゲットを用いて堆積した上記の薄膜の
特性である。この図は４端子法により間隔３mmで測定し
た薄膜の抵抗の温度依存性を示す。この薄膜は予定通り
８０ｋ以下で抵抗がゼロとなり，膜質の良好なることが
示された。
【００２７】図６に比較のため劣化したターゲットを用
いて堆積した薄膜の特性（従来例）を示す。ターゲット
２として，例えば高温超伝導体のＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-y
なる組成の円板を用い，成長基板３として，ＳｒＴｉＯ
3 基板を用い，ターゲットの劣化を考慮せずにそのまま
回転を続け，１０回転することにより得た厚さ0.08μｍ
の薄膜の特性である。この場合は８０ｋ以下で抵抗がゼ
ロとなることはなく，薄膜は所定の成分組成を有してい
ない。
いて堆積した薄膜の特性（従来例）を示す。ターゲット
２として，例えば高温超伝導体のＹＢａ2 Ｃｕ3 Ｏ7-y
なる組成の円板を用い，成長基板３として，ＳｒＴｉＯ
3 基板を用い，ターゲットの劣化を考慮せずにそのまま
回転を続け，１０回転することにより得た厚さ0.08μｍ
の薄膜の特性である。この場合は８０ｋ以下で抵抗がゼ
ロとなることはなく，薄膜は所定の成分組成を有してい
ない。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように，本発明によれば，
ターゲットの劣化部分を真空を破らずに除去して成膜を
行うことにより，内部の組成が均一で特性が均一な薄膜
を得ることができる。また，作製時期の異なる複数の薄
膜の特性の再現性をよくすることができる。
ターゲットの劣化部分を真空を破らずに除去して成膜を
行うことにより，内部の組成が均一で特性が均一な薄膜
を得ることができる。また，作製時期の異なる複数の薄
膜の特性の再現性をよくすることができる。
【図１】第１の実施例を示す模式図である。
【図２】第２の実施例を示す模式図である。
【図３】ターゲット表面の劣化部の発生とその除去を示
す模式図である。
す模式図である。
【図４】第３の実施例を示す模式図である。
【図５】修復したターゲットを用いて堆積した薄膜の特
性である。
性である。
【図６】劣化したターゲットを用いて堆積した薄膜の特
性である。
性である。
【図７】従来例を示す模式図である。
【図８】劣化した部分の生じたターゲットを示す平面図
である。
である。
１は真空チャンバ 1aは窓であって石英窓 1bはガス導入口 1c排気口 ２はターゲット 2aは劣化した部分 2bは新しい表面の露出した部分 ３は成長基板 ４はターゲット搭載台 4aは穴 ５はレーザ 5aはレーザ光 ６はロードロック ７は真空チャンバ 7aはガス導入口 7bは排気口 ８は電極 ９はＲＦ電源 10はイオンガン 10a はイオンビーム 11は砥石
Claims (2)
- 【請求項１】 真空チャンバ(1) と,該真空チャンバ(1)
内に配置されたターゲット(2) 及び成長基板(3) と,該
ターゲット(2) を動かす手段と，該ターゲット(2) 表面
にエネルギービームを照射して表面物質を飛散させ，該
成長基板(3) 上に堆積させる手段と，該ターゲット(2)
表面のエネルギービームが照射された領域(2a)を，真空
を破らずに除去して新しい表面を露出する手段とを備え
たことを特徴とする薄膜作製装置。 - 【請求項２】 真空チャンバ(1) 内にターゲット(2) 及
び成長基板(3) を配置し，該ターゲット(2) を動かしな
がら該ターゲット(2) 表面にエネルギービームを照射し
て表面物質を飛散させ，該成長基板(3) 上に堆積し，そ
の後エネルギービームが照射された表面領域(2a)に再び
エネルギービームが照射される前に，該表面領域(2a)を
真空を破らずに除去して新しい表面を露出しておくこと
を特徴とする薄膜作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3115592A JPH05230625A (ja) | 1992-02-19 | 1992-02-19 | 薄膜作製装置及び薄膜作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3115592A JPH05230625A (ja) | 1992-02-19 | 1992-02-19 | 薄膜作製装置及び薄膜作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05230625A true JPH05230625A (ja) | 1993-09-07 |
Family
ID=12323556
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3115592A Withdrawn JPH05230625A (ja) | 1992-02-19 | 1992-02-19 | 薄膜作製装置及び薄膜作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05230625A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007060143A1 (de) * | 2005-11-25 | 2007-05-31 | Aixtron Ag | Cvd-reaktor mit auswechselbarer prozesskammerdecke |
| JP2013182685A (ja) * | 2012-02-29 | 2013-09-12 | Toshiba Corp | レーザイオン源 |
-
1992
- 1992-02-19 JP JP3115592A patent/JPH05230625A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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