JP2003073823A - スパッタ方法及びスパッタ装置 - Google Patents
スパッタ方法及びスパッタ装置Info
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- JP2003073823A JP2003073823A JP2001257785A JP2001257785A JP2003073823A JP 2003073823 A JP2003073823 A JP 2003073823A JP 2001257785 A JP2001257785 A JP 2001257785A JP 2001257785 A JP2001257785 A JP 2001257785A JP 2003073823 A JP2003073823 A JP 2003073823A
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- opening
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明の目的は、成膜時間と膜厚及び膜抵抗
の関係を確認する際に作製するサンプル数を削減し、ダ
ミー基板及び、サンプル作製工数を低減できるスパッタ
方法及びスパッタ装置を提供することである。 【解決手段】 本発明のスパッタ装置１０１は、ターゲ
ット３と処理基板５との間の空間に、回転駆動系（図示
せず）によって回転可能に軸１０２に保持されたマスク
１０３を配設しており、ダミー基板５ｂに成膜するとき
に用いる。また、このマスク１０３は、開口部１０４を
有しており、この開口部１０４を通してスパッタ処理が
行われ、開口部１０４の位置が可変な構成、または、開
口部１０４の面積が段階的に拡大可能な構成のいずれか
となっている。
の関係を確認する際に作製するサンプル数を削減し、ダ
ミー基板及び、サンプル作製工数を低減できるスパッタ
方法及びスパッタ装置を提供することである。 【解決手段】 本発明のスパッタ装置１０１は、ターゲ
ット３と処理基板５との間の空間に、回転駆動系（図示
せず）によって回転可能に軸１０２に保持されたマスク
１０３を配設しており、ダミー基板５ｂに成膜するとき
に用いる。また、このマスク１０３は、開口部１０４を
有しており、この開口部１０４を通してスパッタ処理が
行われ、開口部１０４の位置が可変な構成、または、開
口部１０４の面積が段階的に拡大可能な構成のいずれか
となっている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体基板の成膜装
置に関し、特に、半導体基板の表面に例えば金属から成
る薄膜を形成するスパッタ方法及びスパッタ装置に関す
る。
置に関し、特に、半導体基板の表面に例えば金属から成
る薄膜を形成するスパッタ方法及びスパッタ装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来のスパッタ装置の一例を要部断面図
として示す図６を用いて説明する。平行平板型のスパッ
タ装置１は、真空チャンバ２内に、ターゲット３と呼ぶ
蒸着原料から成る円板を保持して、一方の電極（陰極）
となるプレート４と、それに対向し、処理基板５（半導
体基板５ａまたはダミー基板５ｂ）を保持して、他方の
電極（陽極）となる基板ホルダ６とが配設されている。
プレート４は、真空チャンバ２の外部で高周波電源７と
接続されている。また、真空チャンバ２は、排気口８と
ガス供給口９とを有し、排気装置（図示せず）によって
内部を高真空に保ったり、スパッタガスとして例えば、
Ａｒ２ガスの供給ができるようになっている。また、シ
ャッタ１０は、ターゲット３と処理基板５との間の空間
に、回転駆動系（図示せず）によって軸１１に回転可能
に保持されており、プラズマ状態が安定するまで、処理
基板５を覆って質の悪い膜が蒸着されることを防止した
り、成膜時間を制御したりする。尚、このシャッタ１０
が具備されていない構成のスパッタ装置もあり、この場
合、成膜時間は高周波電源のオン／オフで制御する。
として示す図６を用いて説明する。平行平板型のスパッ
タ装置１は、真空チャンバ２内に、ターゲット３と呼ぶ
蒸着原料から成る円板を保持して、一方の電極（陰極）
となるプレート４と、それに対向し、処理基板５（半導
体基板５ａまたはダミー基板５ｂ）を保持して、他方の
電極（陽極）となる基板ホルダ６とが配設されている。
プレート４は、真空チャンバ２の外部で高周波電源７と
接続されている。また、真空チャンバ２は、排気口８と
ガス供給口９とを有し、排気装置（図示せず）によって
内部を高真空に保ったり、スパッタガスとして例えば、
Ａｒ２ガスの供給ができるようになっている。また、シ
ャッタ１０は、ターゲット３と処理基板５との間の空間
に、回転駆動系（図示せず）によって軸１１に回転可能
に保持されており、プラズマ状態が安定するまで、処理
基板５を覆って質の悪い膜が蒸着されることを防止した
り、成膜時間を制御したりする。尚、このシャッタ１０
が具備されていない構成のスパッタ装置もあり、この場
合、成膜時間は高周波電源のオン／オフで制御する。
【０００３】次に、スパッタ方法を説明する。先ず、プ
レート４にターゲット３を固定し、処理基板５を基板ホ
ルダ６に載置する。排気装置（図示せず）によって真空
チャンバ２内を高真空にした後、Ａｒ２ガスを導入する
と共に、ターゲット３に高周波電力を印加することによ
って両電極４，６の間がグロー放電状態になる。これに
より、Ａｒ２ガスがプラズマ化されると、加速されたＡ
ｒ＋イオンがターゲット３に照射され、ターゲット３の
原子や分子が放出され処理基板５にスパッタ蒸着し薄膜
が形成される。このとき、所定のプロセス条件（成膜ガ
ス流量、成膜圧力、ＲＦ電力）において、成膜時間を制
御して所望の膜厚を得る。しかし、真空チャンバ２内は
スパッタ処理により不所望な付着物が徐々に堆積してい
き状態が変化するため、成膜時間と膜厚及び膜抵抗との
関係は常に一定であると限らず適宜確認する必要があ
る。特に、真空チャンバ２内をクリーニングした場合に
は、状態が大きく変化する虞れがあるため確認は必須で
あった。確認の方法は、表面に段差のない平坦なダミー
基板５ｂを用いて、所定のプロセス条件で、成膜時間を
何水準かに振った膜厚測定用のサンプルを作製し、各水
準のサンプルの膜厚を測定し、それらのデータを用いて
成膜時間と膜厚及び膜抵抗との関係が変化していないか
どうかを確認する。スパッタ装置１が何種類もの異なる
膜厚の成膜処理をする装置である場合は、確認のための
水準数は多くなり、サンプル数も増加する。
レート４にターゲット３を固定し、処理基板５を基板ホ
ルダ６に載置する。排気装置（図示せず）によって真空
チャンバ２内を高真空にした後、Ａｒ２ガスを導入する
と共に、ターゲット３に高周波電力を印加することによ
って両電極４，６の間がグロー放電状態になる。これに
より、Ａｒ２ガスがプラズマ化されると、加速されたＡ
ｒ＋イオンがターゲット３に照射され、ターゲット３の
原子や分子が放出され処理基板５にスパッタ蒸着し薄膜
が形成される。このとき、所定のプロセス条件（成膜ガ
ス流量、成膜圧力、ＲＦ電力）において、成膜時間を制
御して所望の膜厚を得る。しかし、真空チャンバ２内は
スパッタ処理により不所望な付着物が徐々に堆積してい
き状態が変化するため、成膜時間と膜厚及び膜抵抗との
関係は常に一定であると限らず適宜確認する必要があ
る。特に、真空チャンバ２内をクリーニングした場合に
は、状態が大きく変化する虞れがあるため確認は必須で
あった。確認の方法は、表面に段差のない平坦なダミー
基板５ｂを用いて、所定のプロセス条件で、成膜時間を
何水準かに振った膜厚測定用のサンプルを作製し、各水
準のサンプルの膜厚を測定し、それらのデータを用いて
成膜時間と膜厚及び膜抵抗との関係が変化していないか
どうかを確認する。スパッタ装置１が何種類もの異なる
膜厚の成膜処理をする装置である場合は、確認のための
水準数は多くなり、サンプル数も増加する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のスパッタ方法及
びスパッタ装置では、ダミー基板を用いて成膜時間と膜
厚及び膜抵抗との関係を確認する膜厚測定用のサンプル
を作製する場合、水準毎に、ダミー基板とサンプル作製
工数を必要とした。また、サンプル枚数が多くなると膜
厚測定作業においてもサンプル交換の手間やサンプルの
管理が煩雑となった。
びスパッタ装置では、ダミー基板を用いて成膜時間と膜
厚及び膜抵抗との関係を確認する膜厚測定用のサンプル
を作製する場合、水準毎に、ダミー基板とサンプル作製
工数を必要とした。また、サンプル枚数が多くなると膜
厚測定作業においてもサンプル交換の手間やサンプルの
管理が煩雑となった。
【０００５】本発明の目的は、成膜時間と膜厚及び膜抵
抗との関係を確認する際に作製する膜厚測定用のサンプ
ル枚数を削減し、ダミー基板及び、サンプル作製工数を
低減できるスパッタ方法及びスパッタ装置を提供するこ
とである。
抗との関係を確認する際に作製する膜厚測定用のサンプ
ル枚数を削減し、ダミー基板及び、サンプル作製工数を
低減できるスパッタ方法及びスパッタ装置を提供するこ
とである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のスパッタ方法
は、ダミー基板上に所定の成膜時間で成膜し、その膜厚
を測定して、成膜時間と膜厚及び膜抵抗との関係を適宜
確認する確認工程と、半導体基板に成膜処理を行うスパ
ッタ工程とを繰返し行うスパッタ方法において、ダミー
基板上に異なる成膜時間で成膜した複数の成膜領域を形
成することを特徴とするスパッタ方法である。
は、ダミー基板上に所定の成膜時間で成膜し、その膜厚
を測定して、成膜時間と膜厚及び膜抵抗との関係を適宜
確認する確認工程と、半導体基板に成膜処理を行うスパ
ッタ工程とを繰返し行うスパッタ方法において、ダミー
基板上に異なる成膜時間で成膜した複数の成膜領域を形
成することを特徴とするスパッタ方法である。
【０００７】本発明のスパッタ装置は、真空チャンバ内
に蒸着原料と半導体基板またはダミー基板とを対向させ
配置し、蒸着原料をスパッタして成膜するスパッタ装置
において、蒸着原料とダミー基板との間に、開口部を有
するマスクを配設しかつ、開口部の位置をダミー基板に
対して可変とした構成、または、開口部の面積を段階的
に拡大可能とした構成のいずれかとしたことを特徴とす
るスパッタ装置である。
に蒸着原料と半導体基板またはダミー基板とを対向させ
配置し、蒸着原料をスパッタして成膜するスパッタ装置
において、蒸着原料とダミー基板との間に、開口部を有
するマスクを配設しかつ、開口部の位置をダミー基板に
対して可変とした構成、または、開口部の面積を段階的
に拡大可能とした構成のいずれかとしたことを特徴とす
るスパッタ装置である。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明に基づくスパッタ装置の一
例を要部断面図として示す図１を参照して説明する。図
６と同一部分には同一符号を付して説明を省略する。本
発明のスパッタ装置１０１が、従来のスパッタ装置１と
異なる点は、ターゲット３と処理基板５との間の空間
に、回転駆動系（図示せず）によって軸１０２に回転可
能に保持されたマスク１０３を配設した点である。シャ
ッタ１０は、半導体基板５ａに成膜するときに用いるの
に対して、このマスク１０３は、ダミー基板５ｂに成膜
するときに用いる。即ち、このマスク１０３は、半導体
基板５ａに成膜するときは所定の退避位置に退避してお
り、ダミー基板５ｂに成膜するときにのみ、ダミー基板
５ｂの上方に配置するものである。このマスク１０３
は、開口部１０４を有しており、この開口部１０４を通
して成膜処理が行われる。また、このマスク１０３は、
開口部１０４の位置が可変な構成、または、開口部１０
４の面積が段階的に拡大可能な構成のいずれかとなって
いる。
例を要部断面図として示す図１を参照して説明する。図
６と同一部分には同一符号を付して説明を省略する。本
発明のスパッタ装置１０１が、従来のスパッタ装置１と
異なる点は、ターゲット３と処理基板５との間の空間
に、回転駆動系（図示せず）によって軸１０２に回転可
能に保持されたマスク１０３を配設した点である。シャ
ッタ１０は、半導体基板５ａに成膜するときに用いるの
に対して、このマスク１０３は、ダミー基板５ｂに成膜
するときに用いる。即ち、このマスク１０３は、半導体
基板５ａに成膜するときは所定の退避位置に退避してお
り、ダミー基板５ｂに成膜するときにのみ、ダミー基板
５ｂの上方に配置するものである。このマスク１０３
は、開口部１０４を有しており、この開口部１０４を通
して成膜処理が行われる。また、このマスク１０３は、
開口部１０４の位置が可変な構成、または、開口部１０
４の面積が段階的に拡大可能な構成のいずれかとなって
いる。
【０００９】開口部位置が可変な構成の実施例として
は、図２に示すように、マスク１０３ａは、回転駆動系
（図示せず）によってマスク１０３ａ中心に回転可能と
なっており、開口部１０４ａをダミー基板（図示せず）
に対して任意の位置に回転移動させることができる構成
となっている。
は、図２に示すように、マスク１０３ａは、回転駆動系
（図示せず）によってマスク１０３ａ中心に回転可能と
なっており、開口部１０４ａをダミー基板（図示せず）
に対して任意の位置に回転移動させることができる構成
となっている。
【００１０】次に、開口部面積が段階的に拡大可能な構
成の実施例としては、図３（ａ）に示すように、マスク
１０３ｂは、開口部１０４ｂ全体を分担して覆う複数の
分割板１０５ａ，１０５ｂ，１０５ｃを具備し、分割板
１０５ａ，１０５ｂ，１０５ｃを、回転駆動系（図示せ
ず）によってマスク１０３ｂ中心に回転移動させること
で開口面積を段階的に変える構成であってもよく、ま
た、図３（ｂ）に示すように、段階的に開口面積が大き
くなっている開口部１０４ｃ，１０４ｄ，１０４ｅを有
する複数のマスク１０３ｃ，１０３ｄ，１０３ｅをセッ
トで配設し、駆動系（図示せず）によって所望のマスク
を選択してダミー基板（図示せず）の上方に移動させる
構成であってもよい。尚、マスク１０３は、シャッタ１
０と併用してもよく、また、シャッタ１０に、上述した
開口部可変機能を付加してマスク１０３を兼ねる構成と
してもよい。
成の実施例としては、図３（ａ）に示すように、マスク
１０３ｂは、開口部１０４ｂ全体を分担して覆う複数の
分割板１０５ａ，１０５ｂ，１０５ｃを具備し、分割板
１０５ａ，１０５ｂ，１０５ｃを、回転駆動系（図示せ
ず）によってマスク１０３ｂ中心に回転移動させること
で開口面積を段階的に変える構成であってもよく、ま
た、図３（ｂ）に示すように、段階的に開口面積が大き
くなっている開口部１０４ｃ，１０４ｄ，１０４ｅを有
する複数のマスク１０３ｃ，１０３ｄ，１０３ｅをセッ
トで配設し、駆動系（図示せず）によって所望のマスク
を選択してダミー基板（図示せず）の上方に移動させる
構成であってもよい。尚、マスク１０３は、シャッタ１
０と併用してもよく、また、シャッタ１０に、上述した
開口部可変機能を付加してマスク１０３を兼ねる構成と
してもよい。
【００１１】次に、サンプルの作製方法について説明す
る。図４は、開口位置が可変な構成のマスク１０３ａを
用いて成膜したときの成膜状態を示す説明図であり、ス
パッタ原子が開口部を通過する様子を図中矢印で示す。
先ず、図４（ａ）に示すように、例えば円形の４分の１
を開口した開口部１０４ａを所定位置に固定して成膜時
間（Ｔ１）で成膜する。次に、図４（ｂ）に示すよう
に、マスク１０３ａを９０°回転させた状態で、成膜時
間（Ｔ２）で成膜し、次に、マスク１０３ａをさらに、
９０°回転させた状態で、成膜時間（Ｔ３）で成膜す
る。このようにして、ダミー基板５ｂ上には、成膜時間
（Ｔ１）で成膜した領域、、成膜時間（Ｔ２）で成膜し
た領域、成膜時間（Ｔ３）で成膜した領域が形成され
る。
る。図４は、開口位置が可変な構成のマスク１０３ａを
用いて成膜したときの成膜状態を示す説明図であり、ス
パッタ原子が開口部を通過する様子を図中矢印で示す。
先ず、図４（ａ）に示すように、例えば円形の４分の１
を開口した開口部１０４ａを所定位置に固定して成膜時
間（Ｔ１）で成膜する。次に、図４（ｂ）に示すよう
に、マスク１０３ａを９０°回転させた状態で、成膜時
間（Ｔ２）で成膜し、次に、マスク１０３ａをさらに、
９０°回転させた状態で、成膜時間（Ｔ３）で成膜す
る。このようにして、ダミー基板５ｂ上には、成膜時間
（Ｔ１）で成膜した領域、、成膜時間（Ｔ２）で成膜し
た領域、成膜時間（Ｔ３）で成膜した領域が形成され
る。
【００１２】次に、開口面積が段階的に拡大可変な構成
のマスク（１０３ｂまたは１０３ｃ，１０３ｄ，１０３
ｅ）を用いて成膜したときの成膜状態を図５を用いて説
明する。先ず、図５（ａ）に示すように、円形の４分の
１を開口した第１の開口部１０４ｃを通して成膜時間
（Ｔ１）で成膜し、次に、図５（ｂ）に示すように、第
１の開口部１０４ｃを含み半円形に開口面積を拡大した
第２の開口部１０４ｄを通して成膜時間（Ｔ２）で成膜
し、次に、第２の開口部１０４ｄを含み円形の４分の３
に開口面積を拡大した第３の開口部１０４ｅを通して成
膜時間（Ｔ３）で成膜する。このようにすると、成膜時
間を累積して成膜できるため、ダミー基板５ｂ上に、成
膜時間（Ｔ１＋Ｔ２＋Ｔ３）で成膜した領域、成膜時間
（Ｔ２＋Ｔ３）で成膜した領域、成膜時間（Ｔ３）で成
膜した領域が効率よく形成できる。以上のように、本発
明のスパッタ装置１０１では、ダミー基板５ｂ上に複数
の膜厚の成膜領域が形成できる。
のマスク（１０３ｂまたは１０３ｃ，１０３ｄ，１０３
ｅ）を用いて成膜したときの成膜状態を図５を用いて説
明する。先ず、図５（ａ）に示すように、円形の４分の
１を開口した第１の開口部１０４ｃを通して成膜時間
（Ｔ１）で成膜し、次に、図５（ｂ）に示すように、第
１の開口部１０４ｃを含み半円形に開口面積を拡大した
第２の開口部１０４ｄを通して成膜時間（Ｔ２）で成膜
し、次に、第２の開口部１０４ｄを含み円形の４分の３
に開口面積を拡大した第３の開口部１０４ｅを通して成
膜時間（Ｔ３）で成膜する。このようにすると、成膜時
間を累積して成膜できるため、ダミー基板５ｂ上に、成
膜時間（Ｔ１＋Ｔ２＋Ｔ３）で成膜した領域、成膜時間
（Ｔ２＋Ｔ３）で成膜した領域、成膜時間（Ｔ３）で成
膜した領域が効率よく形成できる。以上のように、本発
明のスパッタ装置１０１では、ダミー基板５ｂ上に複数
の膜厚の成膜領域が形成できる。
【００１３】尚、上記では、開口部を３段階に可変させ
る例で説明したが、段階数は、特にこれに限るものでは
ない。但し、成膜や膜厚測定に必要な面積の大きさを考
慮するとダミー基板を３乃至４つの領域に区画するのが
望ましい。
る例で説明したが、段階数は、特にこれに限るものでは
ない。但し、成膜や膜厚測定に必要な面積の大きさを考
慮するとダミー基板を３乃至４つの領域に区画するのが
望ましい。
【００１４】
【発明の効果】本発明のスパッタ方法及びスパッタ装置
によれば、ダミー基板上に複数の膜厚の成膜ができるた
め膜厚測定用のサンプルの作製工数及びそれに用いるダ
ミー基板の枚数の削減ができると共に、膜厚の測定作業
が簡単になる。
によれば、ダミー基板上に複数の膜厚の成膜ができるた
め膜厚測定用のサンプルの作製工数及びそれに用いるダ
ミー基板の枚数の削減ができると共に、膜厚の測定作業
が簡単になる。
【図１】 本発明に係るスパッタ装置の一例を示す要部
断面図
断面図
【図２】 本発明に係るスパッタ装置のマスクの一例の
説明図
説明図
【図３】 本発明に係るスパッタ装置のマスクの他の例
の説明図
の説明図
【図４】 図２のマスクを用いて成膜した成膜状態の説
明図
明図
【図５】 図３のマスクを用いて成膜した成膜状態の説
明図
明図
【図６】 従来のスパッタ装置の一例を示す要部断面図
２ 真空チャンバ
３ ターゲット
５ 処理基板
５ａ 半導体基板
５ｂ ダミー基板
１０１ スパッタ装置
１０３ マスク
１０４ 開口部
Claims (5)
- 【請求項１】ダミー基板上に所定の成膜時間で成膜し、
その膜厚を測定して、成膜時間と膜厚及び膜抵抗との関
係を適宜確認する確認工程と、半導体基板に成膜処理を
行うスパッタ工程とを繰返し行うスパッタ方法におい
て、ダミー基板上に異なる成膜時間で成膜した複数の成
膜領域を形成することを特徴とするスパッタ方法。 - 【請求項２】ダミー基板上に異なる成膜時間で成膜した
複数の成膜領域を形成する方法は、開口部を有するマス
クでダミー基板の上方を覆い、前記マスクの開口部の位
置をダミー基板上の異なる位置に変化させて成膜する方
法であることを特徴とする請求項１に記載のスパッタ方
法。 - 【請求項３】ダミー基板上に異なる成膜時間で成膜した
複数の成膜領域を形成する方法は、開口部を有するマス
クでダミー基板の上方を覆い、前記マスクの開口部の面
積を段階的に拡大して成膜する方法であることを特徴と
する請求項１に記載のスパッタ方法。 - 【請求項４】真空チャンバ内に蒸着原料と半導体基板ま
たはダミー基板とを対向させ配置し、蒸着原料をスパッ
タして成膜するスパッタ装置において、蒸着原料とダミ
ー基板との間に、開口部を有するマスクを配設しかつ、
前記開口部の位置をダミー基板に対して可変としたこと
を特徴とするスパッタ装置。 - 【請求項５】真空チャンバ内に蒸着原料と半導体基板ま
たはダミー基板とを対向させ配置し、蒸着原料をスパッ
タして成膜するスパッタ装置において、蒸着原料とダミ
ー基板との間に、開口部を有するマスクを配設しかつ、
前記開口部の面積を段階的に拡大可能としたことを特徴
とするスパッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001257785A JP2003073823A (ja) | 2001-08-28 | 2001-08-28 | スパッタ方法及びスパッタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001257785A JP2003073823A (ja) | 2001-08-28 | 2001-08-28 | スパッタ方法及びスパッタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003073823A true JP2003073823A (ja) | 2003-03-12 |
Family
ID=19085395
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001257785A Pending JP2003073823A (ja) | 2001-08-28 | 2001-08-28 | スパッタ方法及びスパッタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003073823A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2217737A1 (en) * | 2007-12-12 | 2010-08-18 | Sandvik Intellectual Property AB | A shutter system |
| WO2011129043A1 (ja) * | 2010-04-12 | 2011-10-20 | シャープ株式会社 | 蒸着装置及び蒸着方法 |
| CN106571284A (zh) * | 2015-10-09 | 2017-04-19 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 遮挡盘系统、反应腔室及半导体加工设备 |
| CN106978583A (zh) * | 2016-01-15 | 2017-07-25 | 张家港康得新光电材料有限公司 | 真空镀膜设备与单质薄膜的镀制方法 |
| KR20180032086A (ko) * | 2016-09-21 | 2018-03-29 | 삼성전자주식회사 | 박막증착장치 및 방법 |
| CN116411248A (zh) * | 2023-06-09 | 2023-07-11 | 汕头超声显示器技术有限公司 | 一种旋转镀膜机及其镀膜方法 |
-
2001
- 2001-08-28 JP JP2001257785A patent/JP2003073823A/ja active Pending
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