JP4734864B2 - スパッタリング方法 - Google Patents
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Description
図1に本発明の第1の実施の形態を示す。これは真空容器91に基板99(今回はSi基板を用いた)を投入しスパッタリングにより誘電体であるSiO2薄膜を形成するマグネトロンスパッタリング装置の例である。真空容器91の下部に外径200mmのターゲット92(ターゲット92としては所望の絶縁膜を構成する元素でできたもの、若しくは反応性ガスと反応して所望の絶縁物を形成することができる材料が好ましいが、今回はSiO2を用いた)及び下部電極93を配し、真空容器91の上部に基板99を配置可能な基板保持機構98を設け、ターゲット92−基板99間の距離を40mmとした。この真空容器中にArガスを導入し、真空容器内圧力を1.0Pa(グロー放電が維持できる圧力であれば良い)とした。このとき、真空容器内に反応性ガスを導入しても良い。下部電極93−真空容器91間に1kW高周波電力を、整合機を通して印加した(ターゲット92が導電性のものであれば直流電力でもよい)。基板99上に成膜されたSiO2薄膜膜厚分布を図2に示す。
図6に本発明の第2の実施の形態を示す。
92 ターゲット
93 下部電極
94 内側磁石
95 外側磁石
96 ヨーク
97 弧状の磁力線
98 基板保持機構
99 基板
910 電源
Claims (1)
- 真空容器中に配置された基板に対向して設けられた形成したい薄膜の成分の一部または全部からなるターゲットに電力を印加することで前記基板を成膜するスパッタリング方法であって、
前記真空容器内に前記ターゲットを構成する元素の原子量よりも大きな分子量を持つ希ガスと、前記ターゲットを構成する元素の原子量よりも小さな分子量を持つ希ガスとの混合ガスを導入し、前記ターゲットの侵食量が進むに連れ、前記混合ガスのうち前記ターゲットを構成する元素の原子量よりも小さな分子量を持つ希ガスの混合比を増やすことで、希ガスの混合比を変化させること
を特徴とするスパッタリング方法。
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