JPH10265953A - スパッタ膜、液晶素子及びこれらの製造方法 - Google Patents
スパッタ膜、液晶素子及びこれらの製造方法Info
- Publication number
- JPH10265953A JPH10265953A JP7479397A JP7479397A JPH10265953A JP H10265953 A JPH10265953 A JP H10265953A JP 7479397 A JP7479397 A JP 7479397A JP 7479397 A JP7479397 A JP 7479397A JP H10265953 A JPH10265953 A JP H10265953A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sputtering
- substrate
- film
- liquid crystal
- target
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 カラーフィルタ上に有機樹脂からなる保護膜
を設けた液晶素子基板の該保護膜上に、枚葉式スパッタ
装置によりＩＴＯ膜を成膜する際に、異常放電によるタ
ーゲットや基板の損傷を防止し、且つ成膜時に上記保護
膜から発生するガスによるＩＴＯの膜質低下を防止す
る。 【解決手段】 スパッタ用導入ガスとして、Ｘｅを主成
分とするガスをスパッタ室内に導入し、ＤＣマグネトロ
ン法、或いは、ＲＦを重畳したＤＣマグネトロン法によ
りスパッタを行なう。
を設けた液晶素子基板の該保護膜上に、枚葉式スパッタ
装置によりＩＴＯ膜を成膜する際に、異常放電によるタ
ーゲットや基板の損傷を防止し、且つ成膜時に上記保護
膜から発生するガスによるＩＴＯの膜質低下を防止す
る。 【解決手段】 スパッタ用導入ガスとして、Ｘｅを主成
分とするガスをスパッタ室内に導入し、ＤＣマグネトロ
ン法、或いは、ＲＦを重畳したＤＣマグネトロン法によ
りスパッタを行なう。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶素子基板や半
導体基板、磁気記録基板等の成膜に用いられる枚葉式ス
パッタ装置によるスパッタ膜の製造方法及び該製造方法
により製造されたスパッタ膜に関し、さらに、保護膜等
有機樹脂層を成膜面とする液晶素子の基板上に、当該製
造方法により透明電極を形成する液晶素子の製造方法及
び該製造方法により製造された液晶素子に関する。
導体基板、磁気記録基板等の成膜に用いられる枚葉式ス
パッタ装置によるスパッタ膜の製造方法及び該製造方法
により製造されたスパッタ膜に関し、さらに、保護膜等
有機樹脂層を成膜面とする液晶素子の基板上に、当該製
造方法により透明電極を形成する液晶素子の製造方法及
び該製造方法により製造された液晶素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、カラー液晶ディスプレイの応用分
野、市場の拡大とともに、ブラックマトリクス用、金属
電極用、透明導電膜用等のスパッタ成膜装置が各種用い
られているが、基板の大型化に伴い、生産性に優れるイ
ンライン装置が主流となっている。
野、市場の拡大とともに、ブラックマトリクス用、金属
電極用、透明導電膜用等のスパッタ成膜装置が各種用い
られているが、基板の大型化に伴い、生産性に優れるイ
ンライン装置が主流となっている。
【０００３】インライン装置は、高い生産性とともに、
成膜室の数や種類、成膜前後の加熱処理、マスクデポ等
の構成に自由度があるという利点があり、さらに、基板
搬送用のトレイ（キャリア）を連続搬送するために、タ
ーゲットに対向する基板の成膜面近傍が常にスパッタガ
スに対して開放状態にあり、有機樹脂からなる保護膜の
上にスパッタ膜を形成する場合に、基板から発生するガ
スの影響を受け難く、良好な膜質を確保し易いという利
点がある。そのため、液晶装置のカラーフィルタの上に
形成される透明導電膜の製造装置としては、インライン
装置が主流となっている。
成膜室の数や種類、成膜前後の加熱処理、マスクデポ等
の構成に自由度があるという利点があり、さらに、基板
搬送用のトレイ（キャリア）を連続搬送するために、タ
ーゲットに対向する基板の成膜面近傍が常にスパッタガ
スに対して開放状態にあり、有機樹脂からなる保護膜の
上にスパッタ膜を形成する場合に、基板から発生するガ
スの影響を受け難く、良好な膜質を確保し易いという利
点がある。そのため、液晶装置のカラーフィルタの上に
形成される透明導電膜の製造装置としては、インライン
装置が主流となっている。
【０００４】しかしながら、インライン装置には、大き
な設置スペースを必要とする、トレイの維持管理が煩雑
である、トレイ以外の成膜室の汚れに対して維持管理が
煩雑である、成膜室の一室がダウンすると装置全体がダ
ウンして大気にさらされるため回復に時間がかかる等の
問題がある。
な設置スペースを必要とする、トレイの維持管理が煩雑
である、トレイ以外の成膜室の汚れに対して維持管理が
煩雑である、成膜室の一室がダウンすると装置全体がダ
ウンして大気にさらされるため回復に時間がかかる等の
問題がある。
【０００５】一方、枚葉式スパッタ装置は、インライン
装置に比較して、生産性、装置構成の自由度の面では劣
るものの、上記インライン装置の問題点が全て解消さ
れ、特に、基板のみを搬送するためにゴミ（パーティク
ル）が少ないという大きな利点を有する。従って、大型
の液晶素子基板、特にカラーフィルタ上に形成された有
機樹脂からなる保護膜を成膜面として透明導電膜をスパ
ッタにより形成する場合には、当該利点により、枚葉式
スパッタ装置を用いた成膜が期待される。
装置に比較して、生産性、装置構成の自由度の面では劣
るものの、上記インライン装置の問題点が全て解消さ
れ、特に、基板のみを搬送するためにゴミ（パーティク
ル）が少ないという大きな利点を有する。従って、大型
の液晶素子基板、特にカラーフィルタ上に形成された有
機樹脂からなる保護膜を成膜面として透明導電膜をスパ
ッタにより形成する場合には、当該利点により、枚葉式
スパッタ装置を用いた成膜が期待される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】図１に枚葉式スパッタ
装置の断面を模式的に示す。図中、１１はターゲット、
１２は基板、１３は均熱板、１５は支持台、１６は突き
当てピン、１７は装置マスク、１９は排気口、２０はゲ
ートバルブである。支持台１５にはヒーターが内蔵され
ており、水平搬送された基板１２をスパッタ時にほぼ直
立させる機構を有する。また、突き当てピン１６は基板
１２がほぼ直立した時に上下方向の位置出しを行なうた
めの部材である。
装置の断面を模式的に示す。図中、１１はターゲット、
１２は基板、１３は均熱板、１５は支持台、１６は突き
当てピン、１７は装置マスク、１９は排気口、２０はゲ
ートバルブである。支持台１５にはヒーターが内蔵され
ており、水平搬送された基板１２をスパッタ時にほぼ直
立させる機構を有する。また、突き当てピン１６は基板
１２がほぼ直立した時に上下方向の位置出しを行なうた
めの部材である。
【０００７】図１に示されるように、基板１２とターゲ
ット１１に挟まれた放電空間は、装置マスク１７と呼ば
れる防着板でほぼ密閉された構造を有しているため、放
電開始とともに基板表面の温度上昇により基板より発生
したガス成分がスパッタ膜中に取り込まれ、膜質を低下
させるという問題があった。
ット１１に挟まれた放電空間は、装置マスク１７と呼ば
れる防着板でほぼ密閉された構造を有しているため、放
電開始とともに基板表面の温度上昇により基板より発生
したガス成分がスパッタ膜中に取り込まれ、膜質を低下
させるという問題があった。
【０００８】さらに、従来、ＩＴＯ等の透明導電膜を形
成するために、インライン装置においても枚葉装置にお
いても低電圧法（カソード側磁石をターゲット表面で〜
１０００ガウス程度とし、プラズマ密度を上げ、ＤＣ電
圧を下げて膜厚１５００Åで１５Ω／□以下の低抵抗膜
を得る方法）が用いられ、ターゲットとしてはＳｎ１０
％の高密度（９５％以上）ターゲットが用いられている
が、より低抵抗の膜を得る方法が望まれている。
成するために、インライン装置においても枚葉装置にお
いても低電圧法（カソード側磁石をターゲット表面で〜
１０００ガウス程度とし、プラズマ密度を上げ、ＤＣ電
圧を下げて膜厚１５００Åで１５Ω／□以下の低抵抗膜
を得る方法）が用いられ、ターゲットとしてはＳｎ１０
％の高密度（９５％以上）ターゲットが用いられている
が、より低抵抗の膜を得る方法が望まれている。
【０００９】その一つとして、ＤＣにＲＦ等の高周波を
重畳してさらに低電圧化して成膜する方法が検討されて
いるが、投入電力が大きくなるにつれて異常放電が発生
し易くなり、ターゲットが損傷するなどの問題が発生し
易く、量産機として実用化されるには至っていない。
重畳してさらに低電圧化して成膜する方法が検討されて
いるが、投入電力が大きくなるにつれて異常放電が発生
し易くなり、ターゲットが損傷するなどの問題が発生し
易く、量産機として実用化されるには至っていない。
【００１０】特に、枚葉装置においては、通常ターゲッ
トと基板間との距離がインライン装置よりも狭く、異常
放電が発生し易いため、ターゲット、基板、マスクデポ
用の金属マスクが損傷を受け易いという問題があった。
さらに、枚葉装置においては、ＲＦ重畳の場合にその放
電空間が密閉されているためより基板から発生するガス
の影響を受け易く、良好な膜質（抵抗、光透過率）が得
られないという問題があった。
トと基板間との距離がインライン装置よりも狭く、異常
放電が発生し易いため、ターゲット、基板、マスクデポ
用の金属マスクが損傷を受け易いという問題があった。
さらに、枚葉装置においては、ＲＦ重畳の場合にその放
電空間が密閉されているためより基板から発生するガス
の影響を受け易く、良好な膜質（抵抗、光透過率）が得
られないという問題があった。
【００１１】本発明の目的は、枚葉式スパッタ装置を用
い、異常放電によるターゲットや基板の損傷を防止し、
且つ、基板から発生するガス、特に、有機樹脂からなる
保護膜を成膜面とする液晶素子基板から発生するガスの
影響を受けずに、良好な膜質のスパッタ膜、特にＩＴＯ
等からなる透明導電膜をスパッタにより製造する方法を
提供することにある。
い、異常放電によるターゲットや基板の損傷を防止し、
且つ、基板から発生するガス、特に、有機樹脂からなる
保護膜を成膜面とする液晶素子基板から発生するガスの
影響を受けずに、良好な膜質のスパッタ膜、特にＩＴＯ
等からなる透明導電膜をスパッタにより製造する方法を
提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の第一は、少なく
とも、一つ以上の基板搬入搬出室、一つ以上のスパッタ
室、及び該基板搬入搬出室とスパッタ室との間を連絡す
る搬送室を備えた枚葉式スパッタ装置を用いたスパッタ
膜の製造方法において、スパッタ用導入ガスとしてＸｅ
を主成分とするガスを上記スパッタ室内に導入してスパ
ッタを行なうことを特徴とするスパッタ膜の製造方法で
ある。
とも、一つ以上の基板搬入搬出室、一つ以上のスパッタ
室、及び該基板搬入搬出室とスパッタ室との間を連絡す
る搬送室を備えた枚葉式スパッタ装置を用いたスパッタ
膜の製造方法において、スパッタ用導入ガスとしてＸｅ
を主成分とするガスを上記スパッタ室内に導入してスパ
ッタを行なうことを特徴とするスパッタ膜の製造方法で
ある。
【００１３】本発明においては、ＤＣマグネトロン法、
或いはＲＦを重畳したＤＣマグネトロン法に好ましく適
用される。
或いはＲＦを重畳したＤＣマグネトロン法に好ましく適
用される。
【００１４】また本発明の第二は、上記製造方法により
製造されたことを特徴とするスパッタ膜であり、特に透
明導電膜に好ましく適用される。
製造されたことを特徴とするスパッタ膜であり、特に透
明導電膜に好ましく適用される。
【００１５】本発明の第三は、一対の電極基板間に液晶
を挟持してなる液晶素子の製造方法であって、上記本発
明第一のスパッタ膜の製造方法により透明電極を透明基
板上に形成する工程を少なくとも有することを特徴とす
る液晶素子の製造方法であり、本発明の第四は、該製造
方法により製造されたことを特徴とする液晶素子であ
る。
を挟持してなる液晶素子の製造方法であって、上記本発
明第一のスパッタ膜の製造方法により透明電極を透明基
板上に形成する工程を少なくとも有することを特徴とす
る液晶素子の製造方法であり、本発明の第四は、該製造
方法により製造されたことを特徴とする液晶素子であ
る。
【００１６】本発明の第三は、特に、有機樹脂からなる
カラーフィルタ、或いは該カラーフィルタ上に有機樹脂
からなる保護膜を設けた上に透明電極を形成する場合に
より顕著な効果が得られる。
カラーフィルタ、或いは該カラーフィルタ上に有機樹脂
からなる保護膜を設けた上に透明電極を形成する場合に
より顕著な効果が得られる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明を詳細
に説明する。
に説明する。
【００１８】図２は本発明にかかる枚葉式スパッタ装置
の一実施形態である液晶素子基板用スパッタ装置の室構
成を示す模式図である。図中、２１，２２は基板の搬入
搬出室、２３は加熱室、２４〜２６はスパッタ室、２７
は搬送用ロボットを内蔵する搬送室、２８，２９は複数
の基板が内蔵された外部カセットである。各室はゲート
バルブで仕切られ、独立に排気運転される。連続運転時
は外部カセット２８又は２９から複数の基板が同時に移
載ロボットにより大気開放された搬入搬出室２１又は２
２の装置内専用カセットに投入される。投入後、搬入搬
出室内は真空に排気され、基板は搬送室２７を介して、
加熱室２３からスパッタ室２４〜２６のいずれかに搬送
される。加熱室２３では通常、基板はホットプレート上
で直接加熱される。スパッタ室２４〜２６においては、
スパッタ方式はサイドスパッタ方式である方がごみに対
して有利であると同時に、水平搬送から基板がほぼ直立
した時に基板の自重で位置出し部材（図１における突き
当てピン１６がこれに該当する）に突き当たって上下方
向の位置出しができるという利点があり、好ましい。
の一実施形態である液晶素子基板用スパッタ装置の室構
成を示す模式図である。図中、２１，２２は基板の搬入
搬出室、２３は加熱室、２４〜２６はスパッタ室、２７
は搬送用ロボットを内蔵する搬送室、２８，２９は複数
の基板が内蔵された外部カセットである。各室はゲート
バルブで仕切られ、独立に排気運転される。連続運転時
は外部カセット２８又は２９から複数の基板が同時に移
載ロボットにより大気開放された搬入搬出室２１又は２
２の装置内専用カセットに投入される。投入後、搬入搬
出室内は真空に排気され、基板は搬送室２７を介して、
加熱室２３からスパッタ室２４〜２６のいずれかに搬送
される。加熱室２３では通常、基板はホットプレート上
で直接加熱される。スパッタ室２４〜２６においては、
スパッタ方式はサイドスパッタ方式である方がごみに対
して有利であると同時に、水平搬送から基板がほぼ直立
した時に基板の自重で位置出し部材（図１における突き
当てピン１６がこれに該当する）に突き当たって上下方
向の位置出しができるという利点があり、好ましい。
【００１９】スパッタ室２４〜２６でスパッタ膜形成終
了後、基板は搬送室２７を介して搬入搬出室２１又は２
２の専用カセットに戻り、該専用カセットに所定数の成
膜処理済みの基板が収納された後、大気開放されて外部
カセット２８又は２９に移される。本発明においてスパ
ッタ室の内部構造は実質図１に示したものと同じであ
る。
了後、基板は搬送室２７を介して搬入搬出室２１又は２
２の専用カセットに戻り、該専用カセットに所定数の成
膜処理済みの基板が収納された後、大気開放されて外部
カセット２８又は２９に移される。本発明においてスパ
ッタ室の内部構造は実質図１に示したものと同じであ
る。
【００２０】本発明は、図２に示したような枚葉式スパ
ッタ装置を用い、図１に示されるようなスパッタ室内に
おいて基板上にスパッタ膜を成膜する際に、従来用いら
れているＡｒを主成分とするガスに換えて、Ｘｅを主成
分とするガスをスパッタ用導入ガスとしてスパッタ室内
に導入して成膜することを特徴とする。
ッタ装置を用い、図１に示されるようなスパッタ室内に
おいて基板上にスパッタ膜を成膜する際に、従来用いら
れているＡｒを主成分とするガスに換えて、Ｘｅを主成
分とするガスをスパッタ用導入ガスとしてスパッタ室内
に導入して成膜することを特徴とする。
【００２１】Ｘｅを主成分ガスとして用いてＤＣマグネ
トロン法で成膜すると、Ｘｅの電離電圧が低い（Ａｒで
１５．７ｅＶ、Ｘｅで１２．１ｅＶ）ため、ターゲット
電圧が小さくなり、より低電圧スパッタが可能となる。
このためスパッタ膜の抵抗値を低くすることができる
上、Ｘｅの質量が大きいため高い成膜速度を得ることが
できる。また、基板側においては、表面温度の上昇によ
るガスの発生が抑えられ、透過率に優れた膜が形成され
る。これは基板側電位（セルフバイアス）が小さくなる
ことから、プラズマからの電子の寄与や、ターゲットか
らの二次電子の量が低下したためと考えられる。さらに
は、成膜速度が高いため投入電力を小さくすることがで
き、基板に設けた金属マスクやターゲット表面に異常放
電を生じてこれらの損傷を招くことなく成膜することが
できる。
トロン法で成膜すると、Ｘｅの電離電圧が低い（Ａｒで
１５．７ｅＶ、Ｘｅで１２．１ｅＶ）ため、ターゲット
電圧が小さくなり、より低電圧スパッタが可能となる。
このためスパッタ膜の抵抗値を低くすることができる
上、Ｘｅの質量が大きいため高い成膜速度を得ることが
できる。また、基板側においては、表面温度の上昇によ
るガスの発生が抑えられ、透過率に優れた膜が形成され
る。これは基板側電位（セルフバイアス）が小さくなる
ことから、プラズマからの電子の寄与や、ターゲットか
らの二次電子の量が低下したためと考えられる。さらに
は、成膜速度が高いため投入電力を小さくすることがで
き、基板に設けた金属マスクやターゲット表面に異常放
電を生じてこれらの損傷を招くことなく成膜することが
できる。
【００２２】また、従来のＡｒガスを用いてＲＦを重畳
したＤＣマグネトロン法では、成膜速度を維持しながら
低抵抗の膜を得るためには大きな高周波電力を重畳投入
せねばならず、電力の増大につれて膜質の劣化の問題と
異常放電が発生し易くなり、ターゲットが損傷を受ける
という問題があった。ターゲットの損傷については、通
常のＤＣマグネトロンスパッタ法では、ターゲット上の
チャージアップを除去するため正の矩形パルス（数ＫＨ
ｚ〜数百ＫＨｚ、パルス幅数μｓｅｃ以下）等を印加す
る手段が用いられ、異常放電防止に効果を発揮してい
る。しかしながら、ＤＣにＲＦを重畳した場合、前記矩
形パルスを印加しても高周波投入電力の増大とともに異
常放電発生頻度も増加する傾向が認められた。この傾向
は、特にターゲット表面の磁界を強くした場合（低電圧
法）より顕著となることがわかった。これはＲＦ重畳に
よりターゲット近傍のプラズマ密度が高くなり、異常放
電が発生し易くなったためと推測される。
したＤＣマグネトロン法では、成膜速度を維持しながら
低抵抗の膜を得るためには大きな高周波電力を重畳投入
せねばならず、電力の増大につれて膜質の劣化の問題と
異常放電が発生し易くなり、ターゲットが損傷を受ける
という問題があった。ターゲットの損傷については、通
常のＤＣマグネトロンスパッタ法では、ターゲット上の
チャージアップを除去するため正の矩形パルス（数ＫＨ
ｚ〜数百ＫＨｚ、パルス幅数μｓｅｃ以下）等を印加す
る手段が用いられ、異常放電防止に効果を発揮してい
る。しかしながら、ＤＣにＲＦを重畳した場合、前記矩
形パルスを印加しても高周波投入電力の増大とともに異
常放電発生頻度も増加する傾向が認められた。この傾向
は、特にターゲット表面の磁界を強くした場合（低電圧
法）より顕著となることがわかった。これはＲＦ重畳に
よりターゲット近傍のプラズマ密度が高くなり、異常放
電が発生し易くなったためと推測される。
【００２３】しかしながらＡｒガスに換えてＸｅガスを
用いることにより、少ない高周波電力の重畳でターゲッ
ト電圧を下げることが可能となり、膜質低下及び異常放
電を改善できることがわかった。異常放電については、
ターゲット電圧の低下によりターゲット表面のチャージ
アップ量が減少し、防止できるものと推測される。
用いることにより、少ない高周波電力の重畳でターゲッ
ト電圧を下げることが可能となり、膜質低下及び異常放
電を改善できることがわかった。異常放電については、
ターゲット電圧の低下によりターゲット表面のチャージ
アップ量が減少し、防止できるものと推測される。
【００２４】尚、本発明において用いるＸｅを主成分と
するガスとは、Ｘｅガスを５０〜１００％含有するガス
である。
するガスとは、Ｘｅガスを５０〜１００％含有するガス
である。
【００２５】尚、本発明第三の液晶素子の製造方法に係
る他の工程については、従来と同じ素材、方法をそのま
ま用いることができる。
る他の工程については、従来と同じ素材、方法をそのま
ま用いることができる。
【００２６】
［実施例１］ガラス基板上にブラックマトリクス、カラ
ーフィルタ、保護膜を設けた液晶素子基板（３７０ｍｍ
×４７０ｍｍ×０．７ｍｍ）を用意し、この基板を外部
カセットより搬入搬出室に投入し、加熱、ＩＴＯ膜形成
を行なった。保護膜はアクリル系保護膜（日本合成ゴム
社製）で、その厚さは２μｍである。基板加熱温度は２
００℃、ＩＴＯ膜厚は１５００Åである。スパッタ圧力
は０．４５Ｐａ、Ｘｅ流量は１００ｓｃｃｍ、酸素流量
２ｓｃｃｍ、ＤＣ投入電力は、ターゲット電力密度で
０．６５Ｗ／ｃｍ2 で、ターゲット表面磁界１０００ガ
ウスの時ターゲット電圧は−２００Ｖであった。
ーフィルタ、保護膜を設けた液晶素子基板（３７０ｍｍ
×４７０ｍｍ×０．７ｍｍ）を用意し、この基板を外部
カセットより搬入搬出室に投入し、加熱、ＩＴＯ膜形成
を行なった。保護膜はアクリル系保護膜（日本合成ゴム
社製）で、その厚さは２μｍである。基板加熱温度は２
００℃、ＩＴＯ膜厚は１５００Åである。スパッタ圧力
は０．４５Ｐａ、Ｘｅ流量は１００ｓｃｃｍ、酸素流量
２ｓｃｃｍ、ＤＣ投入電力は、ターゲット電力密度で
０．６５Ｗ／ｃｍ2 で、ターゲット表面磁界１０００ガ
ウスの時ターゲット電圧は−２００Ｖであった。
【００２７】図３に本実施例におけるスパッタ室と電源
の関係を模式的に示した。図中、３０はスパッタ室、３
１はＲＦ電源、３２はＤＣ電源、３４はマッチングユニ
ット、３５は高周波遮断ユニット、３７は切換え器であ
る。
の関係を模式的に示した。図中、３０はスパッタ室、３
１はＲＦ電源、３２はＤＣ電源、３４はマッチングユニ
ット、３５は高周波遮断ユニット、３７は切換え器であ
る。
【００２８】本実施例では、ＩＴＯパターン形成用の金
属マスクが基板表面にあるにも関わらず、基板側での異
常放電の発生は見られなかった。また、ターゲット側に
おいても異常放電は発生せず、ターゲットの損傷は見ら
れなかった。金属マスクの開口部に形成されたＩＴＯ膜
においても、保護膜上でシート抵抗が１６Ω／□以下、
入射光の吸収が３％以下の光透過性に優れた膜質が得ら
れた。この時基板側（フローティング）の電位は−１０
Ｖでチャージアップ量としては減少していた。
属マスクが基板表面にあるにも関わらず、基板側での異
常放電の発生は見られなかった。また、ターゲット側に
おいても異常放電は発生せず、ターゲットの損傷は見ら
れなかった。金属マスクの開口部に形成されたＩＴＯ膜
においても、保護膜上でシート抵抗が１６Ω／□以下、
入射光の吸収が３％以下の光透過性に優れた膜質が得ら
れた。この時基板側（フローティング）の電位は−１０
Ｖでチャージアップ量としては減少していた。
【００２９】［比較例１］Ｘｅガスの換えてＡｒガスを
用いる以外は実施例１と同様にしてＩＴＯ膜を成膜し
た。この時ターゲット電力密度で１Ｗ／ｃｍ2 とした。
ターゲット電圧は−２６０Ｖ、基板側電位は−５０Ｖで
あった。成膜時、異常放電が多発し、金属マスク及び金
属マスク近傍の基板に損傷が見られた。得られたＩＴＯ
膜の保護膜上の抵抗値は２５Ω／□、入射光の吸収はガ
スの影響で５％と実施例１に比べ大きく、膜質が劣って
いた。また、成膜速度も実施例１に比較して１．５倍の
電力で同等であった。
用いる以外は実施例１と同様にしてＩＴＯ膜を成膜し
た。この時ターゲット電力密度で１Ｗ／ｃｍ2 とした。
ターゲット電圧は−２６０Ｖ、基板側電位は−５０Ｖで
あった。成膜時、異常放電が多発し、金属マスク及び金
属マスク近傍の基板に損傷が見られた。得られたＩＴＯ
膜の保護膜上の抵抗値は２５Ω／□、入射光の吸収はガ
スの影響で５％と実施例１に比べ大きく、膜質が劣って
いた。また、成膜速度も実施例１に比較して１．５倍の
電力で同等であった。
【００３０】［比較例２］比較例１と同様にしてＩＴＯ
膜を形成した。但し、さらなる低抵抗膜を得るために、
ＤＣにＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）を重畳して成膜した。
この時、ターゲット電力密度を同様に１Ｗ／ｃｍ2 を得
るため、ＤＣパワー／ＲＦパワーの比率を１：１で電力
を印加した。ＲＦパワーに対してＤＣパワーが大きい領
域では−１００Ｖ程度のスパッタ電圧が得られないため
である。１：１の電力比の時スパッタ電圧は−１２０Ｖ
と低下し、基板側電位も−３０Ｖとやや小さくなり、電
圧を下げる効果は確認できた。しかしながら、金属マス
ク、基板の異常放電のみならず、ターゲット側での異常
放電が新たに発生した。これはＲＦ電力の占める割合が
大きく、ターゲット表面でチャージアップが生じたもの
と思われる。ターゲット電圧低下の効果は、ガラス基板
上に直接成膜した膜では１２Ω／□以下の抵抗値で確認
されたが、保護膜上では抵抗値も透過率も満足な値が得
られなかった。これは、比較例１と同様、電子の流入に
より保護膜表面に局所的な温度上昇が発生し、保護膜か
ら発生したガス成分をＩＴＯ膜が取り込んだためと考え
られる。ＤＣパワー／ＲＦパワーの比率を１：１に保ち
ながら、パワーを１／２に落とすと、異常放電の回数は
減少するが完全ではなく、また量産上の観点からも不満
足なものであった。また、抵抗値、入射光の吸収につい
ても改善が見られなかった。
膜を形成した。但し、さらなる低抵抗膜を得るために、
ＤＣにＲＦ（１３．５６ＭＨｚ）を重畳して成膜した。
この時、ターゲット電力密度を同様に１Ｗ／ｃｍ2 を得
るため、ＤＣパワー／ＲＦパワーの比率を１：１で電力
を印加した。ＲＦパワーに対してＤＣパワーが大きい領
域では−１００Ｖ程度のスパッタ電圧が得られないため
である。１：１の電力比の時スパッタ電圧は−１２０Ｖ
と低下し、基板側電位も−３０Ｖとやや小さくなり、電
圧を下げる効果は確認できた。しかしながら、金属マス
ク、基板の異常放電のみならず、ターゲット側での異常
放電が新たに発生した。これはＲＦ電力の占める割合が
大きく、ターゲット表面でチャージアップが生じたもの
と思われる。ターゲット電圧低下の効果は、ガラス基板
上に直接成膜した膜では１２Ω／□以下の抵抗値で確認
されたが、保護膜上では抵抗値も透過率も満足な値が得
られなかった。これは、比較例１と同様、電子の流入に
より保護膜表面に局所的な温度上昇が発生し、保護膜か
ら発生したガス成分をＩＴＯ膜が取り込んだためと考え
られる。ＤＣパワー／ＲＦパワーの比率を１：１に保ち
ながら、パワーを１／２に落とすと、異常放電の回数は
減少するが完全ではなく、また量産上の観点からも不満
足なものであった。また、抵抗値、入射光の吸収につい
ても改善が見られなかった。
【００３１】［実施例２］Ａｒガスの換わりにＸｅガス
を用い、比較例２と同様にしてＩＴＯ膜を形成した。但
し、実施例１と同様にターゲット電力密度で０．６５Ｗ
／ｃｍ2 となるようにＤＣに１３．５６ＭＨｚのＲＦを
重畳した。Ａｒに比較して少ないＲＦ電力でターゲット
電圧が低下するため、ＤＣパワー／ＲＦパワーの比率が
２：１で目標の−１２０Ｖのターゲット電圧を得た。こ
の時、基板側の電位は−５Ｖであり、金属マスクの異常
放電は見られず、またターゲット側の異常放電も発生し
なかった。また、得られたＩＴＯ膜の抵抗値は保護膜上
で１２Ω／□と実施例１よりもさらに低く、入射光の吸
収も３％以下と良好であった。さらに、成膜速度の観点
からは、比較例２と同等であった。
を用い、比較例２と同様にしてＩＴＯ膜を形成した。但
し、実施例１と同様にターゲット電力密度で０．６５Ｗ
／ｃｍ2 となるようにＤＣに１３．５６ＭＨｚのＲＦを
重畳した。Ａｒに比較して少ないＲＦ電力でターゲット
電圧が低下するため、ＤＣパワー／ＲＦパワーの比率が
２：１で目標の−１２０Ｖのターゲット電圧を得た。こ
の時、基板側の電位は−５Ｖであり、金属マスクの異常
放電は見られず、またターゲット側の異常放電も発生し
なかった。また、得られたＩＴＯ膜の抵抗値は保護膜上
で１２Ω／□と実施例１よりもさらに低く、入射光の吸
収も３％以下と良好であった。さらに、成膜速度の観点
からは、比較例２と同等であった。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
パーティクルの少ない膜形成が可能な枚葉式スパッタ装
置を用い、成膜時に異常放電によるターゲットや基板の
損傷を防止し、且つ、基板から発生するガスの影響を防
止し、基板上に金属マスクがある場合でも、良好な膜質
のスパッタ膜を得ることができ、特に低抵抗で光透過性
の高いＩＴＯからなる透明導電膜をスパッタにより製造
することができる。また、ＤＣにＲＦを重畳して印加す
ることにより、高速成膜も可能になり効率良くスパッタ
膜を製造することができる。これにより、カラーフィル
タ上に有機樹脂からなる保護膜を有する基板でも該保護
膜から発生するガスの影響を受けず、低抵抗で光透過性
の高いＩＴＯ膜を高速で形成することが可能となり、信
頼性の高い液晶素子、特に大型のカラー液晶素子を効率
良く作製することが可能となった。
パーティクルの少ない膜形成が可能な枚葉式スパッタ装
置を用い、成膜時に異常放電によるターゲットや基板の
損傷を防止し、且つ、基板から発生するガスの影響を防
止し、基板上に金属マスクがある場合でも、良好な膜質
のスパッタ膜を得ることができ、特に低抵抗で光透過性
の高いＩＴＯからなる透明導電膜をスパッタにより製造
することができる。また、ＤＣにＲＦを重畳して印加す
ることにより、高速成膜も可能になり効率良くスパッタ
膜を製造することができる。これにより、カラーフィル
タ上に有機樹脂からなる保護膜を有する基板でも該保護
膜から発生するガスの影響を受けず、低抵抗で光透過性
の高いＩＴＯ膜を高速で形成することが可能となり、信
頼性の高い液晶素子、特に大型のカラー液晶素子を効率
良く作製することが可能となった。
【図１】本発明に用いる枚葉式スパッタ装置のスパッタ
室の断面を模式的に示す図である。
室の断面を模式的に示す図である。
【図２】本発明にかかる枚葉式スパッタ装置の室構成を
示す図である。
示す図である。
【図３】本発明の実施例、比較例でのスパッタ室と電源
の関係を表す模式図を示す。
の関係を表す模式図を示す。
１１ ターゲット １２ 基板 １４ 均熱板 １５ 支持台 １６ 突き当てピン １７ 装置マスク １９ 排気口 ２０ ゲートバルブ ２１，２２ 搬入搬出室 ２３ 加熱室 ２４〜２６ スパッタ室 ２７ 搬送室 ２８，２９ 外部カセット ３０ スパッタ室 ３１ ＲＦ電源 ３２ ＤＣ電源 ３４ マッチングユニット ３５ 高周波遮断ユニット ３７ 切換え器
Claims (10)
- 【請求項１】 少なくとも、一つ以上の基板搬入搬出
室、一つ以上のスパッタ室、及び該基板搬入搬出室とス
パッタ室との間を連絡する搬送室を備えた枚葉式スパッ
タ装置を用いたスパッタ膜の製造方法において、スパッ
タ用導入ガスとしてＸｅを主成分とするガスを上記スパ
ッタ室に導入してスパッタを行なうことを特徴とするス
パッタ膜の製造方法。 - 【請求項２】 上記スパッタがＤＣマグネトロン法、或
いはＲＦを重畳したＤＣマグネトロン法である請求項１
記載のスパッタ膜の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１又は２に記載のスパッタ膜の製
造方法により製造されたことを特徴とするスパッタ膜。 - 【請求項４】 透明導電膜である請求項３記載のスパッ
タ膜。 - 【請求項５】 一対の電極基板間に液晶を挟持してなる
液晶素子の製造方法であって、請求項１又は２に記載の
スパッタ膜の製造方法により透明電極を透明基板上に形
成する工程を少なくとも有することを特徴とする液晶素
子の製造方法。 - 【請求項６】 上記透明基板上にカラーフィルタを形成
し、該カラーフィルタ上に上記透明電極を形成する請求
項５記載の液晶素子の製造方法。 - 【請求項７】 上記カラーフィルタが有機樹脂からなる
請求項６記載の液晶素子の製造方法。 - 【請求項８】 上記カラーフィルタ上に保護膜を形成
し、該保護膜上に上記透明電極を形成する請求項６記載
の液晶素子の製造方法。 - 【請求項９】 上記保護膜が有機樹脂からなる請求項８
記載の液晶素子の製造方法。 - 【請求項１０】 請求項５〜９のいずれかに記載の液晶
素子の製造方法により製造されたことを特徴とする液晶
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7479397A JPH10265953A (ja) | 1997-03-27 | 1997-03-27 | スパッタ膜、液晶素子及びこれらの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7479397A JPH10265953A (ja) | 1997-03-27 | 1997-03-27 | スパッタ膜、液晶素子及びこれらの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10265953A true JPH10265953A (ja) | 1998-10-06 |
Family
ID=13557543
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7479397A Withdrawn JPH10265953A (ja) | 1997-03-27 | 1997-03-27 | スパッタ膜、液晶素子及びこれらの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10265953A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001307554A (ja) * | 2000-04-24 | 2001-11-02 | Tosoh Corp | 透明導電膜およびその製造方法並びにその用途 |
| JP2006037172A (ja) * | 2004-07-28 | 2006-02-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパッタリング方法 |
| JP2013001920A (ja) * | 2011-06-14 | 2013-01-07 | Hitachi High-Technologies Corp | スパッタリング装置、スパッタリング装置を用いた成膜装置、およびそれらの成膜方法 |
| JP2016191157A (ja) * | 2013-01-16 | 2016-11-10 | 日東電工株式会社 | 透明導電フィルムおよびその製造方法 |
| US9805837B2 (en) | 2013-01-16 | 2017-10-31 | Nitto Denko Corporation | Transparent conductive film and production method therefor |
| CN115125500A (zh) * | 2022-06-02 | 2022-09-30 | 福建兆元光电有限公司 | 一种ito机台的复机方法 |
-
1997
- 1997-03-27 JP JP7479397A patent/JPH10265953A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001307554A (ja) * | 2000-04-24 | 2001-11-02 | Tosoh Corp | 透明導電膜およびその製造方法並びにその用途 |
| JP4625558B2 (ja) * | 2000-04-24 | 2011-02-02 | 東ソー株式会社 | 透明導電膜およびその製造方法並びにその用途 |
| JP2006037172A (ja) * | 2004-07-28 | 2006-02-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スパッタリング方法 |
| JP2013001920A (ja) * | 2011-06-14 | 2013-01-07 | Hitachi High-Technologies Corp | スパッタリング装置、スパッタリング装置を用いた成膜装置、およびそれらの成膜方法 |
| JP2016191157A (ja) * | 2013-01-16 | 2016-11-10 | 日東電工株式会社 | 透明導電フィルムおよびその製造方法 |
| US9805837B2 (en) | 2013-01-16 | 2017-10-31 | Nitto Denko Corporation | Transparent conductive film and production method therefor |
| CN115125500A (zh) * | 2022-06-02 | 2022-09-30 | 福建兆元光电有限公司 | 一种ito机台的复机方法 |
| CN115125500B (zh) * | 2022-06-02 | 2023-06-16 | 福建兆元光电有限公司 | 一种ito机台的复机方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6893544B2 (en) | Apparatus and method for depositing thin films on a glass substrate | |
| TWI409348B (zh) | A film forming apparatus, and a manufacturing method of an electronic device | |
| JP2845856B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 | |
| JPH03120362A (ja) | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 | |
| KR20100049686A (ko) | 진공박막 형성가공장치 | |
| EP2093306B1 (en) | Plasma display panel manufacturing method and manufacturing device | |
| CN105514028A (zh) | 扩大Ti/TiN应力窗口的工艺方法 | |
| JP4473410B2 (ja) | スパッタリング装置及び成膜方法 | |
| JPH10265953A (ja) | スパッタ膜、液晶素子及びこれらの製造方法 | |
| JP2000129436A (ja) | インライン型スパッタリング装置およびスパッタリング方法 | |
| JPH10265951A (ja) | スパッタ膜、液晶素子及びこれらの製造方法 | |
| JPH11335815A (ja) | 透明導電膜付き基板および成膜装置 | |
| JPH10265952A (ja) | スパッタ膜、液晶素子及びこれらの製造方法 | |
| US6620298B1 (en) | Magnetron sputtering method and apparatus | |
| JPH11131212A (ja) | 枚葉式スパッタ装置、枚葉式スパッタ方法及びスパッタ膜 | |
| JP4099328B2 (ja) | スパッタリング装置におけるパーティクル発生防止方法、スパッタリング方法、スパッタリング装置及び被覆用部材 | |
| US7999907B2 (en) | Method for producing color filter, color filter, liquid crystal display device and producing apparatus | |
| JPS62211374A (ja) | スパツタリング装置 | |
| JPH0681145A (ja) | マグネトロンスパッタ装置 | |
| JPS59208074A (ja) | 枚葉式膜形成装置 | |
| JPH09143733A (ja) | スパッタ膜の製造方法およびスパッタ膜 | |
| JPH0273963A (ja) | 低温基体への薄膜形成方法 | |
| JP5137332B2 (ja) | 成膜装置の運転方法 | |
| KR200257724Y1 (ko) | 증착 장비 | |
| JPH0649639A (ja) | マグネトロンスパッタ装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040601 |