JP2001307554A - 透明導電膜およびその製造方法並びにその用途 - Google Patents
透明導電膜およびその製造方法並びにその用途Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 大型高精細ＥＬパネルに好適な、膜表面
が平坦で抵抗率の低い透明導電膜を得ることが可能とな
る。 【解決手段】 実質的にインジウム、スズ、ガリウム
および酸素からなり、抵抗率が２５０μΩ・ｃｍ以下、
かつ表面凹凸の最大高低差（Ｚ−ｍａｘ）／膜厚（ｔ）
が１０％以下であることを特徴とする透明導電膜であ
り、Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｇａ）の原子比が２〜９％の
割合で含有されていることが好ましい。
が平坦で抵抗率の低い透明導電膜を得ることが可能とな
る。 【解決手段】 実質的にインジウム、スズ、ガリウム
および酸素からなり、抵抗率が２５０μΩ・ｃｍ以下、
かつ表面凹凸の最大高低差（Ｚ−ｍａｘ）／膜厚（ｔ）
が１０％以下であることを特徴とする透明導電膜であ
り、Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｇａ）の原子比が２〜９％の
割合で含有されていることが好ましい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表面平坦性が改善
された低抵抗透明導電膜に関する。
された低抵抗透明導電膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉ
ｄｅ）薄膜は高導電性、高透過率といった特徴を有し、
更に微細加工も容易に行えることから、フラットパネル
ディスプレイ用表示電極、抵抗膜方式のタッチパネル、
太陽電池用窓材、帯電防止膜、電磁波防止膜、防曇膜、
センサ等の広範囲な分野に渡って用いられている。
ｄｅ）薄膜は高導電性、高透過率といった特徴を有し、
更に微細加工も容易に行えることから、フラットパネル
ディスプレイ用表示電極、抵抗膜方式のタッチパネル、
太陽電池用窓材、帯電防止膜、電磁波防止膜、防曇膜、
センサ等の広範囲な分野に渡って用いられている。
【０００３】このようなＩＴＯ薄膜の製造方法はスプレ
ー熱分解法、ＣＶＤ法等の化学的成膜法と電子ビーム蒸
着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法等の
物理的成膜法に大別することができる。これら中でもス
パッタリングは、大面積への均一成膜が容易でかつ高性
能の膜が得られる成膜法であることから、様々な分野で
使用されている。
ー熱分解法、ＣＶＤ法等の化学的成膜法と電子ビーム蒸
着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法等の
物理的成膜法に大別することができる。これら中でもス
パッタリングは、大面積への均一成膜が容易でかつ高性
能の膜が得られる成膜法であることから、様々な分野で
使用されている。
【０００４】近年の情報化社会の発展にともない、前記
フラットパネルディスプレイ等に要求される技術レベル
が高まっている。無機Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓ
ｃｅｎｃｅ（ＥＬ）パネルは、図１に示すような絶縁層
２によって挟持された発光層３に透明電極１と金属製の
背面電極４を通して１０Ｅ８Ｖ／ｃｍという強電界を発
光層に印加して発光させる構造となっている。自発光の
ため視認性が高く、全固体であるため振動に強いといっ
た優れた特徴を有している。パネル構造は、帯状の直交
させた透明電極と背面電極からなるＸ−Ｙのマトリクス
構造となっている。このため、パネルの大型化および高
精細化にともない、特に透明電極に使用される透明導電
膜の低抵抗率化が要求されている。
フラットパネルディスプレイ等に要求される技術レベル
が高まっている。無機Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓ
ｃｅｎｃｅ（ＥＬ）パネルは、図１に示すような絶縁層
２によって挟持された発光層３に透明電極１と金属製の
背面電極４を通して１０Ｅ８Ｖ／ｃｍという強電界を発
光層に印加して発光させる構造となっている。自発光の
ため視認性が高く、全固体であるため振動に強いといっ
た優れた特徴を有している。パネル構造は、帯状の直交
させた透明電極と背面電極からなるＸ−Ｙのマトリクス
構造となっている。このため、パネルの大型化および高
精細化にともない、特に透明電極に使用される透明導電
膜の低抵抗率化が要求されている。
【０００５】ＩＴＯ薄膜の抵抗率を低下させると同時に
透過率を高めることを目的として、例えば、特開平０４
−２７２６１２号に酸化インジウムをマトリックストし
て酸化スズ１〜２０重量％、酸化ガリウム０．１〜２０
重量％を含む膜が提案されている。
透過率を高めることを目的として、例えば、特開平０４
−２７２６１２号に酸化インジウムをマトリックストし
て酸化スズ１〜２０重量％、酸化ガリウム０．１〜２０
重量％を含む膜が提案されている。
【０００６】また、発光層を発光させる際に１０Ｅ８ｖ
／ｃｍという強電界が印加されることから、透明電極１
の表面に大きな凸凹の部分があると、この部分で電界集
中が起こり、絶縁破壊を発生しやすくなる。 絶縁破壊
が生じると当該画素部での表示が不可能となりディスプ
レイとしての表示品質の劣化を招くため、電極の表面の
凸凹を低下させる必要がある。ところで、ＩＴＯ薄膜を
室温で成膜すると、特別な条件を除きアモルファスな膜
が得られる。しかし、薄膜の抵抗率を低下させるには、
膜を結晶化させることが好ましい。ＩＴＯの結晶化温度
は１５０℃前後（成膜条件により異なる）であり、結晶
膜を得るにはこの温度以上の成膜温度で成膜する必要が
ある。しかし、スパッタリング法を用いて結晶性ＩＴＯ
薄膜を形成した場合、ＩＴＯ薄膜に特徴的な膜の突起お
よびドメイン構造が形成される。
／ｃｍという強電界が印加されることから、透明電極１
の表面に大きな凸凹の部分があると、この部分で電界集
中が起こり、絶縁破壊を発生しやすくなる。 絶縁破壊
が生じると当該画素部での表示が不可能となりディスプ
レイとしての表示品質の劣化を招くため、電極の表面の
凸凹を低下させる必要がある。ところで、ＩＴＯ薄膜を
室温で成膜すると、特別な条件を除きアモルファスな膜
が得られる。しかし、薄膜の抵抗率を低下させるには、
膜を結晶化させることが好ましい。ＩＴＯの結晶化温度
は１５０℃前後（成膜条件により異なる）であり、結晶
膜を得るにはこの温度以上の成膜温度で成膜する必要が
ある。しかし、スパッタリング法を用いて結晶性ＩＴＯ
薄膜を形成した場合、ＩＴＯ薄膜に特徴的な膜の突起お
よびドメイン構造が形成される。
【０００７】一般にＩＴＯ膜をスパッタリング法で形成
する場合には、スパッタリングガスとしてアルゴンと酸
素が用いられる。ガス中の酸素量を変化させることによ
り得られる薄膜の抵抗率は変化し、ある酸素分圧値で最
小の値を示す。そして、このような薄膜の抵抗率が最小
の値を示すような酸素分圧値で形成した場合、上述の薄
膜表面の突起およびドメイン構造が顕著となり、平坦性
の悪い表面状態となる。このような膜の場合、膜厚２０
０ｎｍでの表面凹凸の最大高低差（Ｚ−ｍａｘ）は、１
００ｎｍにも達する場合がある。
する場合には、スパッタリングガスとしてアルゴンと酸
素が用いられる。ガス中の酸素量を変化させることによ
り得られる薄膜の抵抗率は変化し、ある酸素分圧値で最
小の値を示す。そして、このような薄膜の抵抗率が最小
の値を示すような酸素分圧値で形成した場合、上述の薄
膜表面の突起およびドメイン構造が顕著となり、平坦性
の悪い表面状態となる。このような膜の場合、膜厚２０
０ｎｍでの表面凹凸の最大高低差（Ｚ−ｍａｘ）は、１
００ｎｍにも達する場合がある。
【０００８】一方、薄膜の平坦性を追求するには、上記
最適酸素分圧値からはずれたところで成膜するか、成膜
時の基板温度を低下させてアモルファス化する手法が考
えられる。しかし、いずれの手法を用いた場合において
も、薄膜の平坦性は確保されるものの抵抗率が増加して
しまう。
最適酸素分圧値からはずれたところで成膜するか、成膜
時の基板温度を低下させてアモルファス化する手法が考
えられる。しかし、いずれの手法を用いた場合において
も、薄膜の平坦性は確保されるものの抵抗率が増加して
しまう。
【０００９】このようなことから平坦性と低抵抗率との
両特性を満足する透明導電膜の開発が望まれていた。
両特性を満足する透明導電膜の開発が望まれていた。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、大型
高精細ＥＬパネルに好適な、膜表面が平坦で抵抗率の低
い透明導電膜を提供することにある。
高精細ＥＬパネルに好適な、膜表面が平坦で抵抗率の低
い透明導電膜を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明者らはＩＴＯに異
種元素をドープした導電性金属酸化物に関して鋭意検討
を重ねた結果、抵抗率を２５０μΩ・ｃｍ以下、かつＺ
−ｍａｘ／ｔを１０％以下とすることにより、パネルの
大型化および高精細化に対応し強電界が印加されるＥＬ
パネルにおいても高い信頼性が得られる透明導電膜が得
られることを見いだした。また、このような薄膜はガリ
ウムをドーパントとして含有するＩＴＯ薄膜において達
成できることを見いだし、本発明を完成した。
種元素をドープした導電性金属酸化物に関して鋭意検討
を重ねた結果、抵抗率を２５０μΩ・ｃｍ以下、かつＺ
−ｍａｘ／ｔを１０％以下とすることにより、パネルの
大型化および高精細化に対応し強電界が印加されるＥＬ
パネルにおいても高い信頼性が得られる透明導電膜が得
られることを見いだした。また、このような薄膜はガリ
ウムをドーパントとして含有するＩＴＯ薄膜において達
成できることを見いだし、本発明を完成した。
【００１２】即ち、本発明は、実質的にインジウム、ス
ズ、ガリウムおよび酸素からなり、抵抗率が２５０μΩ
・ｃｍ以下、かつＺ−ｍａｘ／ｔ（ｔ：膜厚）が１０％
以下を満足する透明導電膜に関するものである。なお、
ここでいう「実質的に」とは、「不可避不純物を除い
て」との意味である。
ズ、ガリウムおよび酸素からなり、抵抗率が２５０μΩ
・ｃｍ以下、かつＺ−ｍａｘ／ｔ（ｔ：膜厚）が１０％
以下を満足する透明導電膜に関するものである。なお、
ここでいう「実質的に」とは、「不可避不純物を除い
て」との意味である。
【００１３】なお、本発明でいうＺ−ｍａｘとは、物質
表面の凹凸の度合いを数値的に表すパラメータであり、
表面のあるエリア内で最も高い山の頂上と最も低い谷の
底との高さの差を意味する。その測定方法としては、原
子間力顕微鏡（ＡＦＭ：Ａｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍ
ｉｃｒｏｓｃｏｐｙ）による測定が一般的である。原子
間力顕微鏡は微小なてこを物質表面に近づけ、縦横方向
にあるエリア内で走査し、その際生じるてこのたわみを
試料面垂直方向の高さに換算して表面の凹凸を測定する
装置である。本発明では、セイコ−電子工業株式会社製
の原子間力顕微鏡（商品名「ＳＰＩ３７００」）を用い
て、てこを３μｍ×３μｍのエリアを走査させて測定し
た。
表面の凹凸の度合いを数値的に表すパラメータであり、
表面のあるエリア内で最も高い山の頂上と最も低い谷の
底との高さの差を意味する。その測定方法としては、原
子間力顕微鏡（ＡＦＭ：Ａｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍ
ｉｃｒｏｓｃｏｐｙ）による測定が一般的である。原子
間力顕微鏡は微小なてこを物質表面に近づけ、縦横方向
にあるエリア内で走査し、その際生じるてこのたわみを
試料面垂直方向の高さに換算して表面の凹凸を測定する
装置である。本発明では、セイコ−電子工業株式会社製
の原子間力顕微鏡（商品名「ＳＰＩ３７００」）を用い
て、てこを３μｍ×３μｍのエリアを走査させて測定し
た。
【００１４】以下、本発明を詳細に説明する。
【００１５】本発明に関わる薄膜およびこの薄膜を含ん
でなる機器は、例えば、以下の方法で製造することがで
きる。
でなる機器は、例えば、以下の方法で製造することがで
きる。
【００１６】始めに、薄膜形成用のスパッタリングター
ゲットを製造する。スパッタリングターゲットに用いる
ための焼結体としては、得られる焼結体の焼結密度が９
５％以上であることが好ましい。より好ましくは９８％
以上である。
ゲットを製造する。スパッタリングターゲットに用いる
ための焼結体としては、得られる焼結体の焼結密度が９
５％以上であることが好ましい。より好ましくは９８％
以上である。
【００１７】焼結密度が上記密度未満となると、スパッ
タリング中に異常放電が発生しやすくなり、この時発生
するスプラッツを核とした異常成長粒子が形成されるた
め、平坦な膜を得にくくなるからである。
タリング中に異常放電が発生しやすくなり、この時発生
するスプラッツを核とした異常成長粒子が形成されるた
め、平坦な膜を得にくくなるからである。
【００１８】なお、本発明でいう相対密度（Ｄ）とは、
Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2およびＧａ2Ｏ3の真密度の相加平均
から求められる理論密度（ｄ）に対する相対値を示して
いる。相加平均から求められる理論密度（ｄ）とは、タ
ーゲット組成において、Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2およびＧａ2
Ｏ3粉末の混合量をそれぞれａ，ｂ，ｃ（ｇ）とした
時、それぞれの真密度７．１７９，６．９５，５．９５
（ｇ／ｃｍ3）を用いて、ｄ＝（ａ＋ｂ＋ｃ）／（（ａ
／７．１７９）＋（ｂ／６．９５）＋（ｃ／５．９
５））により求められる。焼結体の測定密度をｄ１とす
ると、その相対密度は、式：Ｄ＝ｄ１／ｄ×１００
（％）で求められる。
Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2およびＧａ2Ｏ3の真密度の相加平均
から求められる理論密度（ｄ）に対する相対値を示して
いる。相加平均から求められる理論密度（ｄ）とは、タ
ーゲット組成において、Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2およびＧａ2
Ｏ3粉末の混合量をそれぞれａ，ｂ，ｃ（ｇ）とした
時、それぞれの真密度７．１７９，６．９５，５．９５
（ｇ／ｃｍ3）を用いて、ｄ＝（ａ＋ｂ＋ｃ）／（（ａ
／７．１７９）＋（ｂ／６．９５）＋（ｃ／５．９
５））により求められる。焼結体の測定密度をｄ１とす
ると、その相対密度は、式：Ｄ＝ｄ１／ｄ×１００
（％）で求められる。
【００１９】焼結密度が９５％以上となるような焼結体
は、例えば、以下のような方法で製造することができ
る。
は、例えば、以下のような方法で製造することができ
る。
【００２０】原料粉末としては、例えば、酸化インジウ
ム粉末、酸化スズ粉末および酸化ガリウム粉末を混合す
る。酸化インジウム粉末と酸化スズ粉末の代わりに酸化
スズ固溶酸化インジウム粉末を用いることも可能であ
る。この際、使用する粉末の平均粒径が大きいと焼結後
の密度が充分に上がらず相対密度９５％以上の焼結体を
得難くなることがあるので、使用する粉末の平均粒径は
１．５μｍ以下であることが望ましく、更に好ましくは
０．１〜１．５μｍである。粉末の混合は、ボールミル
などにより乾式混合あるいは湿式混合して行えばよい。
ム粉末、酸化スズ粉末および酸化ガリウム粉末を混合す
る。酸化インジウム粉末と酸化スズ粉末の代わりに酸化
スズ固溶酸化インジウム粉末を用いることも可能であ
る。この際、使用する粉末の平均粒径が大きいと焼結後
の密度が充分に上がらず相対密度９５％以上の焼結体を
得難くなることがあるので、使用する粉末の平均粒径は
１．５μｍ以下であることが望ましく、更に好ましくは
０．１〜１．５μｍである。粉末の混合は、ボールミル
などにより乾式混合あるいは湿式混合して行えばよい。
【００２１】ここで、酸化スズの混合量は、Ｓｎ／（Ｓ
ｎ＋Ｉｎ）の原子比で５〜２０％とすることが好まし
い。より好ましくは８〜１７％、さらに好ましくは１０
〜１４％である。これは、本発明のターゲットを用いて
ＩＴＯ薄膜を製造した際に、膜の抵抗率が最も低下する
組成であるからである。
ｎ＋Ｉｎ）の原子比で５〜２０％とすることが好まし
い。より好ましくは８〜１７％、さらに好ましくは１０
〜１４％である。これは、本発明のターゲットを用いて
ＩＴＯ薄膜を製造した際に、膜の抵抗率が最も低下する
組成であるからである。
【００２２】酸化ガリウムの混合量は、Ｇａ／（Ｉｎ＋
Ｓｎ＋Ｇａ）の原子比で２〜９％が好ましい。より好ま
しくは３〜８％、更に好ましくは、４〜７％である。酸
化ガリウムの添加量が前記範囲より少ないと、薄膜の平
坦化の効果が薄れ凸凹の大きな膜となることがあり、ま
た前記範囲を超えると、抵抗率が高くなりすぎる場合が
ある。
Ｓｎ＋Ｇａ）の原子比で２〜９％が好ましい。より好ま
しくは３〜８％、更に好ましくは、４〜７％である。酸
化ガリウムの添加量が前記範囲より少ないと、薄膜の平
坦化の効果が薄れ凸凹の大きな膜となることがあり、ま
た前記範囲を超えると、抵抗率が高くなりすぎる場合が
ある。
【００２３】前述のようにして得られた混合粉末にバイ
ンダー等を加え、プレス法或いは鋳込法等の成形方法に
より成形して成形体を製造する。プレス法により成形体
を製造する場合には、所定の金型に混合粉末を充填した
後、粉末プレス機を用いて１００〜３００ｋｇ／ｃｍ2
の圧力でプレスを行う。粉末の成形性が悪い場合には、
必要に応じてパラフィンやポリビニルアルコール等のバ
インダーを添加してもよい。
ンダー等を加え、プレス法或いは鋳込法等の成形方法に
より成形して成形体を製造する。プレス法により成形体
を製造する場合には、所定の金型に混合粉末を充填した
後、粉末プレス機を用いて１００〜３００ｋｇ／ｃｍ2
の圧力でプレスを行う。粉末の成形性が悪い場合には、
必要に応じてパラフィンやポリビニルアルコール等のバ
インダーを添加してもよい。
【００２４】鋳込法により成形体を製造する場合には、
ＩＴＯ混合粉末にバインダー、分散剤、イオン交換水を
添加し、ボールミル等により混合することにより鋳込成
形体製造用スラリーを作製する。続いて、得られたスラ
リーを用いて鋳込を行う。鋳型にスラリーを注入する前
に、スラリーの脱泡を行うことが好ましい。脱泡は、例
えばポリアルキレングリコール系の消泡剤をスラリーに
添加して真空中で脱泡処理を行えばよい。続いて、鋳込
み成形体の乾燥処理を行う。
ＩＴＯ混合粉末にバインダー、分散剤、イオン交換水を
添加し、ボールミル等により混合することにより鋳込成
形体製造用スラリーを作製する。続いて、得られたスラ
リーを用いて鋳込を行う。鋳型にスラリーを注入する前
に、スラリーの脱泡を行うことが好ましい。脱泡は、例
えばポリアルキレングリコール系の消泡剤をスラリーに
添加して真空中で脱泡処理を行えばよい。続いて、鋳込
み成形体の乾燥処理を行う。
【００２５】次に、得られた成形体に必要に応じて、冷
間静水圧プレス（ＣＩＰ）等の圧密化処理を行う。この
際ＣＩＰ圧力は充分な圧密効果を得るため１ｔｏｎ／ｃ
ｍ2以上、好ましくは２〜５ｔｏｎ／ｃｍ2であることが
望ましい。ここで始めの成形を鋳込法により行った場合
には、ＣＩＰ後の成形体中に残存する水分およびバイン
ダー等の有機物を除去する目的で脱バインダー処理を施
してもよい。また、始めの成形をプレス法により行った
場合でも、成型時にバインダーを使用したときには、同
様の脱バインダー処理を行うことが望ましい。
間静水圧プレス（ＣＩＰ）等の圧密化処理を行う。この
際ＣＩＰ圧力は充分な圧密効果を得るため１ｔｏｎ／ｃ
ｍ2以上、好ましくは２〜５ｔｏｎ／ｃｍ2であることが
望ましい。ここで始めの成形を鋳込法により行った場合
には、ＣＩＰ後の成形体中に残存する水分およびバイン
ダー等の有機物を除去する目的で脱バインダー処理を施
してもよい。また、始めの成形をプレス法により行った
場合でも、成型時にバインダーを使用したときには、同
様の脱バインダー処理を行うことが望ましい。
【００２６】このようにして得られた成形体を焼結炉内
に投入して焼結を行う。焼結方法としては、いかなる方
法でも適応可能であるが、生産設備のコスト等を考慮す
ると大気中焼結が望ましい。しかしこの他ホットプレス
（ＨＰ）法、熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）法および酸素
加圧焼結法等の従来知られている他の焼結法を用いるこ
とができることは言うまでもない。また焼結条件につい
ても適宜選択することができるが、充分な密度上昇効果
を得るため、また酸化スズの蒸発を抑制するため、焼結
温度が１４５０〜１６５０℃であることが望ましい。ま
た焼結時の雰囲気としては大気或いは純酸素雰囲気であ
ることが好ましい。また焼結時間についても充分な密度
上昇効果を得るために５時間以上、好ましくは５〜３０
時間であることが望ましい。このようにしてガリウム含
有ＩＴＯ焼結体を製造することができる。
に投入して焼結を行う。焼結方法としては、いかなる方
法でも適応可能であるが、生産設備のコスト等を考慮す
ると大気中焼結が望ましい。しかしこの他ホットプレス
（ＨＰ）法、熱間静水圧プレス（ＨＩＰ）法および酸素
加圧焼結法等の従来知られている他の焼結法を用いるこ
とができることは言うまでもない。また焼結条件につい
ても適宜選択することができるが、充分な密度上昇効果
を得るため、また酸化スズの蒸発を抑制するため、焼結
温度が１４５０〜１６５０℃であることが望ましい。ま
た焼結時の雰囲気としては大気或いは純酸素雰囲気であ
ることが好ましい。また焼結時間についても充分な密度
上昇効果を得るために５時間以上、好ましくは５〜３０
時間であることが望ましい。このようにしてガリウム含
有ＩＴＯ焼結体を製造することができる。
【００２７】次に、得られた焼結体を所望の形状に加工
した後、必要に応じて無酸素銅からなるバッキングプレ
ートにインジウム半だ等を用いて接合することにより、
スパッタリングターゲットが製造される。
した後、必要に応じて無酸素銅からなるバッキングプレ
ートにインジウム半だ等を用いて接合することにより、
スパッタリングターゲットが製造される。
【００２８】得られたスパッタリングターゲットを用い
て、ガラス基板やフィルム基板等の基板上に本発明の透
明導電性薄膜を得ることができる。製膜手段としては、
薄膜の低抵抗率化および平坦化のためには、ｄｃにｒｆ
を重畳させた、５０〜５００Ｗの電力（但し、カソード
のサイズによっても異なる）を使用したスパッタリング
法を採用することが好ましい。この際、ｄｃに重畳させ
るｒｆの割合は、印加電力でｒｆ／ｄｃで５０〜１００
％とすることが好ましい。また、ｒｆとしては、１３．
５６ＭＨｚ±０．０５％の高周波が好ましい。
て、ガラス基板やフィルム基板等の基板上に本発明の透
明導電性薄膜を得ることができる。製膜手段としては、
薄膜の低抵抗率化および平坦化のためには、ｄｃにｒｆ
を重畳させた、５０〜５００Ｗの電力（但し、カソード
のサイズによっても異なる）を使用したスパッタリング
法を採用することが好ましい。この際、ｄｃに重畳させ
るｒｆの割合は、印加電力でｒｆ／ｄｃで５０〜１００
％とすることが好ましい。また、ｒｆとしては、１３．
５６ＭＨｚ±０．０５％の高周波が好ましい。
【００２９】また、酸化インジウム、酸化スズおよび酸
化ガリウムの３種類、あるいは前記の３種の内の２種の
混合酸化物と残りの酸化物の２種類として用意されたス
パッタリングターゲットを用いて多元同時スパッタリン
グにより製膜してもよい。さらに、個々のスパッタリン
グターゲットの一部あるいは全部を金属あるいは合金に
置き換えて用いてもよい。
化ガリウムの３種類、あるいは前記の３種の内の２種の
混合酸化物と残りの酸化物の２種類として用意されたス
パッタリングターゲットを用いて多元同時スパッタリン
グにより製膜してもよい。さらに、個々のスパッタリン
グターゲットの一部あるいは全部を金属あるいは合金に
置き換えて用いてもよい。
【００３０】成膜時は、スパッタリングガスとしてアル
ゴンと酸素を真空装置内に導入してスパッタリングを行
う。膜の低抵抗率化を達成するためには、これら導入ガ
スの流量を制御して抵抗率が低下する値に適宜設定す
る。
ゴンと酸素を真空装置内に導入してスパッタリングを行
う。膜の低抵抗率化を達成するためには、これら導入ガ
スの流量を制御して抵抗率が低下する値に適宜設定す
る。
【００３１】このようにして得られた薄膜は、抵抗率が
２５０μΩ・ｃｍ以下、好ましくは、２２０μΩ・ｃｍ
以下であり、かつＺ−ｍａｘ／ｔが１０％以下、好まし
くは、６％以下であり、極めて平坦で低抵抗率となる。
また、形成する膜の厚さは１００〜５００ｎｍとするの
が好ましい。
２５０μΩ・ｃｍ以下、好ましくは、２２０μΩ・ｃｍ
以下であり、かつＺ−ｍａｘ／ｔが１０％以下、好まし
くは、６％以下であり、極めて平坦で低抵抗率となる。
また、形成する膜の厚さは１００〜５００ｎｍとするの
が好ましい。
【００３２】また、基板上に形成された薄膜は、必要に
応じて所望のパターンにエッチングされた後、本願請求
項３の発明である機器を構成することができる。
応じて所望のパターンにエッチングされた後、本願請求
項３の発明である機器を構成することができる。
【００３３】本発明による薄膜に付加機能を持たせるこ
とを目的として第４の元素を添加しても有効である。第
４元素としては、例えば、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚ
ｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｔａ等を例示することがで
きる。これら元素の添加量は、特に限定されるものでは
ないが、本発明による薄膜の優れた電気特性および平坦
性を劣化させないため、（第４元素の酸化物の総和）／
（Ｉｎ2Ｏ3＋ＳｎＯ2＋Ｇａ2Ｏ3＋第４元素の酸化物の
総和）／１００で０％を超え２０％以下（重量比）とす
ることが好ましい。
とを目的として第４の元素を添加しても有効である。第
４元素としては、例えば、Ｍｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚ
ｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｔａ等を例示することがで
きる。これら元素の添加量は、特に限定されるものでは
ないが、本発明による薄膜の優れた電気特性および平坦
性を劣化させないため、（第４元素の酸化物の総和）／
（Ｉｎ2Ｏ3＋ＳｎＯ2＋Ｇａ2Ｏ3＋第４元素の酸化物の
総和）／１００で０％を超え２０％以下（重量比）とす
ることが好ましい。
【００３４】
【実施例】以下、本発明を実施例をもって更に詳細に説
明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００３５】実施例１ 酸化インジウム粉末４４０ｇ、酸化スズ粉末６０ｇおよ
び所定量の酸化ガリウム粉末をポリエチレン製のポット
に入れ、乾式ボールミルにより７２時間混合し、混合粉
末を製造した。
び所定量の酸化ガリウム粉末をポリエチレン製のポット
に入れ、乾式ボールミルにより７２時間混合し、混合粉
末を製造した。
【００３６】この粉末を金型に入れ、３００ｋｇ／ｃｍ
2の圧力でプレスして成形体とした。この成形体を３ｔ
ｏｎ／ｃｍ２の圧力でＣＩＰによる緻密化処理を行っ
た。次にこの成形体を純酸素雰囲気焼結炉内に設置し
て、以下の条件で焼結した。
2の圧力でプレスして成形体とした。この成形体を３ｔ
ｏｎ／ｃｍ２の圧力でＣＩＰによる緻密化処理を行っ
た。次にこの成形体を純酸素雰囲気焼結炉内に設置し
て、以下の条件で焼結した。
【００３７】（焼結条件） 焼結温度：１５００℃、昇温速度：２５℃／時間、焼結
時間：６時間、酸素圧：５０ｍｍＨ2Ｏ（ゲージ圧）、
酸素線速：２．７ｃｍ／分 得られた焼結体の密度をアルキメデス法により測定した
ところ全て９５％以上であった。この焼結体を湿式加工
法により直径４インチ厚さ６ｍｍの焼結体に加工し、イ
ンジウム半田を用いて無酸素銅製のバッキングプレート
にボンディングしてターゲットとした。
時間：６時間、酸素圧：５０ｍｍＨ2Ｏ（ゲージ圧）、
酸素線速：２．７ｃｍ／分 得られた焼結体の密度をアルキメデス法により測定した
ところ全て９５％以上であった。この焼結体を湿式加工
法により直径４インチ厚さ６ｍｍの焼結体に加工し、イ
ンジウム半田を用いて無酸素銅製のバッキングプレート
にボンディングしてターゲットとした。
【００３８】このターゲットを以下のスパッタリング条
件でスパッタリングして薄膜の評価を行った。
件でスパッタリングして薄膜の評価を行った。
【００３９】（スパッタリング条件） 基板：ガラス基板、印加電力：ｄｃ１５０Ｗ＋ｒｆ１０
０Ｗ、ガス圧：１．１ｍＴｏｒｒ、スパッタリングガ
ス：Ａｒ＋Ｏ2、Ｏ2／Ａｒ：抵抗率が最小となる値に制
御、基板温度：２００℃、膜厚：２００ｎｍ。
０Ｗ、ガス圧：１．１ｍＴｏｒｒ、スパッタリングガ
ス：Ａｒ＋Ｏ2、Ｏ2／Ａｒ：抵抗率が最小となる値に制
御、基板温度：２００℃、膜厚：２００ｎｍ。
【００４０】得られた膜の組成をＥＰＭＡ（Ｅｌｅｃｔ
ｒｏｎ Ｐｒｏｖｅ ＭｉｃｒｏＡｎａｌｙｓｉｓ）で
分析するとともに、薄膜の抵抗率およびＺ−ｍａｘ／ｔ
を測定した。得られた結果を図２に示す。Ｇｅ／（Ｉｎ
＋Ｓｎ＋Ｇｅ）含有量２〜９％で良好な結果が得られ
た。
ｒｏｎ Ｐｒｏｖｅ ＭｉｃｒｏＡｎａｌｙｓｉｓ）で
分析するとともに、薄膜の抵抗率およびＺ−ｍａｘ／ｔ
を測定した。得られた結果を図２に示す。Ｇｅ／（Ｉｎ
＋Ｓｎ＋Ｇｅ）含有量２〜９％で良好な結果が得られ
た。
【００４１】実施例２ 酸化インジウム粉末４５０ｇ、酸化スズ粉末５０ｇおよ
び所定量の酸化ガリウム粉末をポリエチレン製のポット
に入れ、乾式ボールミルにより７２時間混合し、混合粉
末を製造した。
び所定量の酸化ガリウム粉末をポリエチレン製のポット
に入れ、乾式ボールミルにより７２時間混合し、混合粉
末を製造した。
【００４２】この粉末を用いて実施例１と同様の方法で
ターゲットを製造した。得られたターゲットを用いて実
施例１と同様の条件で薄膜を製造した。
ターゲットを製造した。得られたターゲットを用いて実
施例１と同様の条件で薄膜を製造した。
【００４３】得られた膜の組成をＥＰＭＡで分析すると
ともに、薄膜の抵抗率およびＺ−ｍａｘ／ｔを測定し
た。得られた結果を図３に示す。Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋
Ｇａ）含有量２〜９％で良好な結果が得られた。
ともに、薄膜の抵抗率およびＺ−ｍａｘ／ｔを測定し
た。得られた結果を図３に示す。Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋
Ｇａ）含有量２〜９％で良好な結果が得られた。
【００４４】実施例３ 実施例１で製造したターゲットのうち、薄膜のＧａ組成
が４原子％ととなったターゲットを用いて、スパッタリ
ング時間以外は実施例１と同じ条件でスパッタリングを
行い、膜厚５００ｎｍの薄膜を作成した。得られた膜の
抵抗室およびＺ−ｍａｘ／ｔを測定したところ、抵抗率
＝１９８μΩ・ｃｍ、Ｚ−ｍａｘ／ｔ＝７．８％であっ
た。
が４原子％ととなったターゲットを用いて、スパッタリ
ング時間以外は実施例１と同じ条件でスパッタリングを
行い、膜厚５００ｎｍの薄膜を作成した。得られた膜の
抵抗室およびＺ−ｍａｘ／ｔを測定したところ、抵抗率
＝１９８μΩ・ｃｍ、Ｚ−ｍａｘ／ｔ＝７．８％であっ
た。
【００４５】比較例１ 実施例１で製造したターゲットのうち、薄膜のＧａ組成
が４原子％となったターゲットを用いて、以下のスパッ
タリング条件でスパッタリングして薄膜の評価を行っ
た。
が４原子％となったターゲットを用いて、以下のスパッ
タリング条件でスパッタリングして薄膜の評価を行っ
た。
【００４６】（スパッタリング条件） 基板：ガラス基板、印加電力：ｄｃ２００Ｗ、ガス圧：
１．１ｍＴｏｒｒ、スパッタリングガス：Ａｒ＋Ｏ2、
Ｏ2／Ａｒ：抵抗率が最小となる値に制御、基板温度：
２００℃、膜厚：２００ｎｍ。
１．１ｍＴｏｒｒ、スパッタリングガス：Ａｒ＋Ｏ2、
Ｏ2／Ａｒ：抵抗率が最小となる値に制御、基板温度：
２００℃、膜厚：２００ｎｍ。
【００４７】得られた膜の抵抗室およびＺ−ｍａｘ／ｔ
を測定したところ、抵抗率＝２８０μΩ・ｃｍ、Ｚ−ｍ
ａｘ／ｔ＝２８％であった。
を測定したところ、抵抗率＝２８０μΩ・ｃｍ、Ｚ−ｍ
ａｘ／ｔ＝２８％であった。
【００４８】比較例２ 実施例２で製造したターゲットのうち、薄膜のＧａ組成
が５原子％となったターゲットを用いて、以下のスパッ
タリング条件でスパッタリングして薄膜の評価を行っ
た。
が５原子％となったターゲットを用いて、以下のスパッ
タリング条件でスパッタリングして薄膜の評価を行っ
た。
【００４９】（スパッタリング条件） 基板：ガラス基板、印加電力：ｄｃ２００Ｗ、ガス圧：
１．１ｍＴｏｒｒ、スパッタリングガス：Ａｒ＋Ｏ2、
Ｏ2／Ａｒ：抵抗率が最小となる値に制御、基板温度：
２００℃、膜厚：２００ｎｍ。
１．１ｍＴｏｒｒ、スパッタリングガス：Ａｒ＋Ｏ2、
Ｏ2／Ａｒ：抵抗率が最小となる値に制御、基板温度：
２００℃、膜厚：２００ｎｍ。
【００５０】得られた膜の抵抗室およびＺ−ｍａｘ／ｔ
を測定したところ、抵抗率＝２７０μΩ・ｃｍ、Ｚ−ｍ
ａｘ／ｔ＝３５％であった。
を測定したところ、抵抗率＝２７０μΩ・ｃｍ、Ｚ−ｍ
ａｘ／ｔ＝３５％であった。
【００５１】
【発明の効果】本発明により、大型高精細ＥＬパネルに
好適な、膜表面が平坦で抵抗率の低い透明導電膜を得る
ことが可能となる。
好適な、膜表面が平坦で抵抗率の低い透明導電膜を得る
ことが可能となる。
【図１】 無機ＥＬパネルの構造を示す図である。
【図２】 実施例１で得られた膜の抵抗率およびＺ−ｍ
ａｘ／ｔを示す図である。
ａｘ／ｔを示す図である。
【図３】 実施例２で得られた膜の抵抗率およびＺ−ｍ
ａｘ／ｔを示す図である。
ａｘ／ｔを示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｂ 13/00 ５０３ Ｈ０１Ｂ 13/00 ５０３Ｂ Ｆターム(参考） 4F100 AA17A AA28A AA33A AG00B BA02 DD07A EH662 JG01 JG04 JN01 YY00A 4G059 AA01 AC12 EA01 EA02 EA03 EB04 4K029 BA45 BA50 BC09 CA06 5G307 EF10 FA01 FB01 5G323 BA02 BB05
Claims (5)
- 【請求項１】 実質的にインジウム、スズ、ガリウムお
よび酸素からなり、抵抗率が２５０μΩ・ｃｍ以下、か
つ表面凹凸の最大高低差（Ｚ−ｍａｘ）／膜厚（ｔ）が
１０％以下であることを特徴とする透明導電膜。 - 【請求項２】 ガリウムがＧａ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｇａ）
の原子比で２〜９％の割合で含有されていることを特徴
とする請求項１に記載の透明導電膜。 - 【請求項３】 請求項１又は請求項２に記載の透明導電
性膜を含んでなる機器。 - 【請求項４】 実質的にインジウム、スズ、ガリウムお
よび酸素からなるスパッタリングターゲットを、ｄｃに
ｒｆを重畳したスパッタ電力でスパッタすることを特徴
とする、抵抗率が２５０μΩ・ｃｍ以下、かつ表面凹凸
の最大高低差（Ｚ−Ｍａｘ）／膜厚（ｔ）が１０％以下
を満足する透明導電膜の製造方法。 - 【請求項５】 ガリウムがＧａ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｇａ）
の原子比で２〜９％の割合で含有されていることを特徴
とする請求項４に記載の透明導電膜の製造方法。
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|---|---|---|---|
| JP2000127633A JP4625558B2 (ja) | 2000-04-24 | 2000-04-24 | 透明導電膜およびその製造方法並びにその用途 |
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| JP2000127633A JP4625558B2 (ja) | 2000-04-24 | 2000-04-24 | 透明導電膜およびその製造方法並びにその用途 |
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|---|---|
| JP2001307554A true JP2001307554A (ja) | 2001-11-02 |
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| JP (1) | JP4625558B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20120114133A (ko) * | 2011-04-06 | 2012-10-16 | 삼성코닝정밀소재 주식회사 | 산화인듐주석 스퍼터링 타겟 및 이를 이용한 상전이형 투명전도막 제조방법 |
| JP2017082317A (ja) * | 2015-10-30 | 2017-05-18 | 出光興産株式会社 | 新規な積層体 |
| WO2023091330A1 (en) * | 2021-11-22 | 2023-05-25 | Corning Incorporated | Amorphous transparent conductive oxide films and methods of fabricating the same |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20030054172A1 (en) | 2001-05-10 | 2003-03-20 | 3M Innovative Properties Company | Polyoxyalkylene ammonium salts and their use as antistatic agents |
Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0465023A (ja) * | 1990-07-03 | 1992-03-02 | Tonen Corp | 透明導電性フイルムおよびその製造方法 |
| JPH04272612A (ja) * | 1991-02-26 | 1992-09-29 | Kojundo Chem Lab Co Ltd | 透明電極 |
| JPH09314729A (ja) * | 1996-05-24 | 1997-12-09 | Toyobo Co Ltd | 透明導電性フィルムおよびその製造法 |
| JPH1012059A (ja) * | 1996-06-27 | 1998-01-16 | Sharp Corp | 透明導電膜の製造方法及びそれを用いた薄膜太陽電池 |
| JPH10265953A (ja) * | 1997-03-27 | 1998-10-06 | Canon Inc | スパッタ膜、液晶素子及びこれらの製造方法 |
| JPH10330916A (ja) * | 1997-06-03 | 1998-12-15 | Mitsubishi Chem Corp | 導電性積層体 |
| JPH1161398A (ja) * | 1997-08-12 | 1999-03-05 | Tdk Corp | 電極の製造方法および電極 |
| JPH1167460A (ja) * | 1997-08-12 | 1999-03-09 | Tdk Corp | 有機ｅｌ素子およびその製造方法 |
| JPH11158620A (ja) * | 1997-11-28 | 1999-06-15 | Canon Inc | 成膜方法及び該成膜方法により製造された膜 |
| JP2000034564A (ja) * | 1998-07-13 | 2000-02-02 | Ricoh Co Ltd | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 |
| JP2000077358A (ja) * | 1998-08-27 | 2000-03-14 | Asahi Glass Co Ltd | 透明導電膜、スパッタリングターゲットおよび透明導電膜付き基体 |
-
2000
- 2000-04-24 JP JP2000127633A patent/JP4625558B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0465023A (ja) * | 1990-07-03 | 1992-03-02 | Tonen Corp | 透明導電性フイルムおよびその製造方法 |
| JPH04272612A (ja) * | 1991-02-26 | 1992-09-29 | Kojundo Chem Lab Co Ltd | 透明電極 |
| JPH09314729A (ja) * | 1996-05-24 | 1997-12-09 | Toyobo Co Ltd | 透明導電性フィルムおよびその製造法 |
| JPH1012059A (ja) * | 1996-06-27 | 1998-01-16 | Sharp Corp | 透明導電膜の製造方法及びそれを用いた薄膜太陽電池 |
| JPH10265953A (ja) * | 1997-03-27 | 1998-10-06 | Canon Inc | スパッタ膜、液晶素子及びこれらの製造方法 |
| JPH10330916A (ja) * | 1997-06-03 | 1998-12-15 | Mitsubishi Chem Corp | 導電性積層体 |
| JPH1161398A (ja) * | 1997-08-12 | 1999-03-05 | Tdk Corp | 電極の製造方法および電極 |
| JPH1167460A (ja) * | 1997-08-12 | 1999-03-09 | Tdk Corp | 有機ｅｌ素子およびその製造方法 |
| JPH11158620A (ja) * | 1997-11-28 | 1999-06-15 | Canon Inc | 成膜方法及び該成膜方法により製造された膜 |
| JP2000034564A (ja) * | 1998-07-13 | 2000-02-02 | Ricoh Co Ltd | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 |
| JP2000077358A (ja) * | 1998-08-27 | 2000-03-14 | Asahi Glass Co Ltd | 透明導電膜、スパッタリングターゲットおよび透明導電膜付き基体 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20120114133A (ko) * | 2011-04-06 | 2012-10-16 | 삼성코닝정밀소재 주식회사 | 산화인듐주석 스퍼터링 타겟 및 이를 이용한 상전이형 투명전도막 제조방법 |
| JP2017082317A (ja) * | 2015-10-30 | 2017-05-18 | 出光興産株式会社 | 新規な積層体 |
| WO2023091330A1 (en) * | 2021-11-22 | 2023-05-25 | Corning Incorporated | Amorphous transparent conductive oxide films and methods of fabricating the same |
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