DE69927003T2

DE69927003T2 - Vakuumbehandlungsvorrichtung

Info

Publication number: DE69927003T2
Application number: DE69927003T
Authority: DE
Inventors: Sakae Nakakoma-gun NAKATSUKA
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1998-03-06
Filing date: 1999-03-05
Publication date: 2006-06-22
Anticipated expiration: 2019-03-06
Also published as: US6599367B1; WO1999045166A1; EP1061155A1; EP1061155B1; EP1061155A4; JPH11256328A; KR20010041619A; KR100514726B1; JP4147608B2; DE69927003D1

Description

Technisches Gebiet
Die vorliegende Erfindung betrifft allgemein ein Vakuumbehandlungssystem wie ein Dünnschicht-Aufbringungssystem zum Aufbringen bspw. einer dünnen Metallschicht, einer Siliziumoxidschicht oder einer Siliziumschicht.
Hintergrund – Stand der Technik
Bei einem typischen Verfahren zum Herstellen eines integrierten Halbleiter-Schaltkreises wird ein Metall oder eine Metallverbindung wie W (Wolfram), WSi (Wolframsilizid), Ti (Titan), TiN (Titannitrid) oder TiSi (Titansilizid) zur Bildung einer dünnen Schicht aufgebracht, um ein Verdrahtungsmuster auf einer Halbleiterscheibe zu bilden, die als zu behandelndes Objekt dient, oder um einen abgesetzten Abschnitt zwischen Verdrahtungsteilen od. dgl. auszufüllen.
Als Verfahren zum Bilden einer dünnen Metallschicht dieses Typs sind drei Verfahren bekannt, wie das H₂ (Wasserstoff)-Reduktionsverfahren, das SiH₄ (Siliziumwasserstoff)-Reduktionsverfahren und das SiH₂Cl₂ (Dichlorsiliziumwasserstoff)-Reduktionsverfahren. Zwischen diesen Verfahren bildet das SiH₂Cl₂-Reduktionsverfahren ein Verfahren zum Bilden einer W- oder WSi (Wolframsilizid)-Schicht bei einer hohen Temperatur von etwa 600°C, wobei bspw. Dichlorsiliziumwasserstoff als Reduktionsgas verwendet wird, um ein Verdrahtungsmuster zu bilden. Das SiH₄-Reduktionsverfahren ist ein Verfahren zum Bilden einer W- oder WSi-Schicht bei einer niedrigeren Temperatur von 450°C, welche niedriger ist als diejenige bei dem SiH₂Cl₂-Reduktionsverfahren, wobei bspw. Silizumwasserstoff als Reduktionsgas verwendet wird, um in ähnlicher Weise ein Verdrahtungsmuster zu bilden. Das H₂-Reduktionsverfahren ist ein Verfahren zum Aufbringen einer W-Schicht bei einer Temperatur von etwa 400°C bis etwa 430°C, welches bspw. Wasserstoff als Reduktionsgas verwendet, um einen abgesetzten Abschnitt auf der Oberfläche einer Halbleiterscheibe wie einen abgesetzten Abschnitt zwischen verdrahteten Teilen auszufüllen.
In all den oben beschriebenen Fällen wird ein Gas wie WF₆ (Wolframhexafluorid) als Verfahrensgas verwendet.
Ein typisches Vakuumbehandlungssystem zum Bilden einer solchen dünnen Metallschicht ist in 11 gezeigt. Bei dem in 11 gezeigten Vakuumbehandlungssystem ist ein Stütztisch 4 aus bspw. einem dünnen Kohlenstoffmaterial oder einer Aluminiumlegierung in einem zylindrischen Vakuumbehälter 2 vorgesehen, der bspw. aus Aluminium besteht. Unter dem Stütztisch 4 ist ein Heizmittel 8 wie eine Halogenlampe vorgesehen über ein Übertragungsfenster 6 aus Quarz. Eine Halbleiterscheibe 1 ist auf dem Stütztisch 4 montiert. Der Umfangsabschnitt der Scheibe 1 wird durch einen vertikal beweglichen Klemmring (ein Druckelement) 10 gehalten, um auf dem Stütztisch 4 befestigt zu werden. Ein Brausekopf 13 ist so vorgesehen, daß er dem Stütztisch 4 zugewandt ist. Eine große Anzahl von Gasdüsen 12 ist im Boden des Brausekopfes 13 so angeordnet, daß sie im wesentlichen gleichmäßig verteilt sind.
Wärmestrahlen von dem Heizmittel 8 passieren das Übertragungsfenster 6, um den Stütztisch 4 zu erreichen und zu erwärmen, um die Halbleiterscheibe 1 indirekt zu erwärmen, die darauf angeordnet ist, um die Temperatur der Halbleiterscheibe 1 auf einer vorgegebenen Temperatur zu halten. Gleichzeitig wird ein Verfahrensgas aus bspw. WF₆ oder H₂ gleichmäßig von den Gasdüsen 12 des Brausekopfes 13, der über dem Stütztisch 4 angeordnet ist, auf die Oberfläche der Scheibe gegeben, so daß ein Metallfilm aus W od. dgl. auf der Oberfläche der Scheibe gebildet wird.
Bei dem Dünnschicht-Aufbringungsverfahren auf die Halbleiterscheibe muß die Gleichmäßigkeit der Dicke der Schicht unter dem Gesichtspunkt der Verbesserung der elektrischen Charakteristika und Funktionen des Erzeugnisses hoch sein. Bei dem System mit der oben beschriebenen Konstruktion verteilt sich das von den Gasdüsen 12 des Brausekopfes 13 injiziertes Prozeßgas gleichmäßig nach außen, während es nach unten strömt, um aus einem Auslaß abgegeben zu werden, welcher unterhalb des Umfangs des Stütztisches 4 vorgesehen ist.
In diesem Fall kann der Klemmring 10 eine gewisse Störung der Strömung des Verfahrensgases in dem Umfangsabschnitt der (Halbleiter-)Scheibe nicht vermeiden, obwohl deren Dicke nur wenige Millimeter beträgt. Die Dicke der auf dem Umfangsabschnitt der Scheibe angebrachten Beschichtung neigt daher dazu, kleiner zu sein als im mittleren Abschnitt der Scheibe, so daß das Problem besteht, daß die Gleichmäßigkeit der Dicke schlecht ist.
Insbesondere besteht das Problem, daß die Dicke der Schicht im mittleren Abschnitt der Scheibe größer ist als in ihrem Umfangsabschnitt, und daß die Gleichmäßigkeit der Schichtdicke stark verschlechtert wird, unter zufuhrbegrenzten Bedingungen, wenn das Ausmaß der Aufbringung der dünnen Schicht hauptsächlich von der Gaskonzentration abhängt, während die oben beschriebene Gleichförmigkeit der Schichtdicke unter reaktionsbegrenzten Bedingungen nicht so stark verschlechtert wird, wenn die Aufbringung der dünnen Schicht hauptsächlich von der Verfahrenstemperatur abhängt. Obwohl bereits verschiedene Wege zur Verteilung der Strömungsmenge des von dem Brausekopf zugeführten Verfahrensgases beschritten worden sind, ist das Verhältnis zwischen der Strömungsmenge des Gases und der Dicke der Schicht sehr empfindlich, so daß das optimale Verhältnis bisher noch nicht erhalten bzw. aufgefunden wurde.
Die Zusammenfassung der JP 02 198 138 offenbart eine Vorrichtung zur Trockenätzung mit einem Behälter für ein Vakuumverfahren, in dem ein Stütztisch zum Abstützen eines zu behandelnden Objektes vorhanden ist. Das System weist einen Brausekopf auf, der dem Stütztisch gegenüberliegt, und der eine Anzahl von Gasdüsen in seiner Bodenfläche aufweist. Die Dichte der Düsen steigt von der Mitte des Brausekopfes zu dessen Umfang hin an, so daß das Ausmaß von zugeführtem Ätzgas zum Umfang des zu bearbeitenden Objektes hin größer ist. Die dichte Verteilung der Düsen schafft eine gleichmäßigere Plasmadichte zwischen der oberen und der unteren Elektrode.
Unter Berücksichtigung der oben beschriebenen Probleme wurde die vorliegende Erfindung geschaffen, um die Probleme wirksam zu lösen. Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Vakuumbehandlungssystem zu schaffen, mit dem die Gleichförmigkeit der Schichtdicke zu verbessern ist, indem ein Teil eines Brausekopfes eine ordnungsgemäße Verteilung der Gaszufuhr durchführt.
Offenbarung der Erfindung
Um die oben beschriebenen Probleme zu lösen, sieht die vorliegende Erfindung ein Vakuumbehandlungssystem vor, enthaltend: einen Vakuumbehandlungsbehälter mit einem darin angeordneten Stütztisch, auf dem ein zu behandelndes Objekt abzustützen ist; ein Druckteil zum Andrücken der Oberseite des peripheren Abschnittes des Objektes zwecks Fixierung des Objektes auf dem Stütztisch; und ein Brausekopfteil, welches so angeordnet ist, daß es dem Stütztisch gegenüberliegt, und welches in seiner Bodenfläche eine Anzahl von Gasdüsen aufweist, wobei, wenn die Bodenfläche des Brausekopfteils unterteilt ist in einen gegenüberliegenden Abschnitt, welcher der inneren peripheren Kante des Druckteils gegenüberliegt, und in einen nicht-gegenüberliegenden Abschnitt, der ein anderer Abschnitt als der gegenüberliegende Abschnitt ist, die Bodenfläche des Brausekopfteils so ausgebildet ist, daß die Gasinjektionsmenge pro Flächeneinheit des nicht-gegenüberliegenden Abschnittes im wesentlichen gleichmäßig ist, und daß die Gasinjektionsmenge pro Flächeneinheit des gegenüberliegenden Abschnittes größer ist als diejenige des nicht-gegenüberliegenden Abschnittes.
Demgemäß ist die Gasinjektionsmenge je Flächeneinheit von dem Brausekopfteil in dem nicht-gegenüberliegenden Abschnitt im wesentlichen gleichförmig, und die Gasinjektionsmenge je Flächeneinheit in dem gegenüberliegenden Abschnitt ist größer als diejenige in dem nicht-gegenüberliegenden Abschnitt, so daß die Aufbringung der dünnen Schicht in dem mittleren Abschnitt des zu bearbeitenden Objektes unterdrückt werden kann, um die Gleichförmigkeit der Schichtdicke auf dem gesamten zu bearbeitenden Objekt zu verbessern.
Um in diesem Fall die Gasinjektionsmenge je Flächeneinheit aus dem Brausekopfteil zu erhöhen, kann der Durchmesser der Gasdüsen in einem entsprechenden Abschnitt größer sein als der Durchmesser der Gasdüsen in anderen Abschnitten, oder die Dichte der Gasdüsen in einem entsprechenden Abschnitt kann größer sein, wobei der Durchmesser der Gasdüsen gleich groß ausgebildet ist. Weiterhin kann der nicht-gegenüberliegende Abschnitt innerhalb und außerhalb des gegenüberliegenden Abschnittes in der Bodenfläche des Brausekopfteils vorhanden sein.
Gemäß einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung hat die Bodenfläche des Brausekopfteil einen im wesentlichen ringförmigen Bereich, in dem die Gasinjektionsmenge je Flächeneinheit größer ist als in anderen Bereichen, und der ringförmige Bereich ist im wesentlichen direkt oberhalb der inneren peripheren Kante des Druckteils ausgebildet, um das Objekt entlang der Form der inneren peripheren Kante auf dem Stütztisch zu fixieren. In einem Bereich innerhalb des ringförmigen Bereiches ist die Gasinjektionsmenge je Flächeneinheit im wesentlichen gleichmäßig und kleiner als in dem ringförmigen Bereich. Weiterhin kann ein Bereich, in dem die Gasinjektionsmenge je Flächeneinheit im wesentlichen gleichförmig und kleiner als diejenige in dem ringförmigen Bereich ist, außerhalb des ringförmigen Bereiches vorgesehen sein. In diesem Fall kann die Gasinjektionsmenge je Flächeneinheit in dem innerhalb des ringförmigen Bereiches befindlichen Bereich im wesentlichen die gleiche sein wie in dem außerhalb dazu liegenden Bereich.
Kurzbeschreibung der Zeichnungen
1 ist eine Schnittdarstellung, welche ein System zur Ausbildung einer dünnen Schicht in einer bevorzugten Ausgestaltung eines Vakuumbehandlungssystems gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt;
2 ist eine vergrößerte Schnittdarstellung, welche ein Brausekopfteil und einen Stütztisch des in 1 gezeigten Systems zeigt;
3 ist eine bodenseitige Draufsicht auf das Brausekopfteil gemäß 2;
4A bis 4F sind schematische Darstellungen, welche Brausekopfteile an Beispielen der vorliegenden Erfindung und Vergleichsbeispielen zeigen, welche zur Ermittlung der Gleichförmigkeit der Dicke einer Schicht in einem System gemäß der vorliegenden Erfindung ausgebildet sind;
5 zeigt eine Tabelle, welche die Abmessungen der betreffenden Teile des Brausekopfteils und die ermittelten Resultate der Gleichförmigkeit der Schichtdicke bei den Beispielen der vorliegenden Erfindung und den Vergleichsbeispielen zeigt, welche in den 4A bis 4F gezeigt sind;
6 zeigt eine Tabelle, welche die Bedingungen zur Schaffung einer dünnen Schicht zeigt, wenn die Ermittlung der in 5 ermittelten Schichtdicke ausgeführt worden ist;
7 zeigt ein Diagramm, welches die Schichtwiderstände (im umgekehrten Verhältnis zu der Schichtdicke) der betreffenden Abschnitte der Halbleiterschicht bei den Beispielen und bei den Vergleichsbeispielen zeigt;
8 zeigt eine Konturdarstellung der Schichtdicke auf der Oberfläche der Halbleiterscheibe zur Bestimmung der Gleichförmigkeit der Schichtdicke, abhängig von den Positionen von Gasdüsen mit großem Durchmesser;
9 zeigt ein Diagramm der Schichtwiderstände (in umgekehrtem Verhältnis zu der Schichtdicke) in Richtung der Linien A-A und B-B in 6;
10 ist eine Draufsicht auf ein modifiziertes Beispiel eines Brausekopfteils eines Vakuumbehandlungssystems gemäß der vorliegenden Erfindung; und
11 ist eine schematische Schnittdarstellung, welche ein Dünnfilm-Aufbringungssystem als ein typisches Vakuumbehandlungssystem zeigt, bei welchem die vorliegende Erfindung angewendet wird.
Beste Art zur Ausführung der Erfindung
Unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen wird nachfolgend eine bevorzugte Ausgestaltung eines Vakuumbehandlungssystems gemäß der vorliegenden Erfindung im einzelnen beschrieben.
1 ist eine Schnittansicht, welche ein Dünnschicht-Aufbringungssystem als bevorzugte Ausgestaltung eines Vakuumbehandlungssystems gemäß der vorliegenden Erfindung zeigt, 2 ist eine vergrößerte Schnittansicht, welche ein Brausekopfteil und ein Stütztischteil des in 1 gezeigten Systems zeigt, und 3 ist eine bodenseitige Draufsicht auf das in 2 gezeigte Brausekopfteil.
Bei dieser bevorzugten Ausgestaltung weist ein Dünnfilm-Aufbringungssystem 14 einen zylindrischen oder kastenförmigen Vakuumbehälter 16 aus bspw. Aluminium auf. In dem Behälter 16 ist ein Stütztisch 22 zum Abstützen einer Halbleiterscheibe 1, die als zu bearbeitendes Objekt dient, auf einem zylindrischen Stützteil angeordnet, welches von dem Boden des Behälters über ein Halteteil 20 mit einem bspw. L-förmigen Querschnitt angehoben ist. Das Stützteil 18 und das Halteteil 20 bestehen aus einem für Wärmestrahlen durchlässigen Material, bspw. aus Quarz. Der Stütztisch 20 besteht bspw. aus Kohlenstoff oder einer Aluminiumverbindung wie AlN mit einer Dicke von etwa 1 mm.
Unter dem Stütztisch 22 ist eine Anzahl von bspw. drei Hubstiften 24 nach oben von einem Stützteil 26 angehoben. Durch vertikale Bewegung des Stützteils 26 mittels eines Aufwärtsstößels 28, welcher durch den Boden des Containers verläuft, sind die Hubstifte 24 in Hubstiftlöcher 30 eingeführt, welche durch den Stütztisch 22 verlaufen, um die Halbleiterplatte 1 nach oben zu stoßen. Das bodenseitige Ende des Stößels 28 ist mit einem Aktuator 34 über einen flexiblen Balg 32 verbunden, um den luftdichten Zustand in dem Behälter 16 aufrechtzuerhalten.
Eine Druckeinheit 36 zum Fixieren der als Objekt dienenden Halbleiterscheibe 1 an dem Stütztisch 22 ist so vorgesehen, daß sie dem Umfangsabschnitt des Stütztisches 22 zugewandt ist. Die Druckeinheit 36 hat einen Klemmring (ein Druckteil) 38, um den Umfangsabschnitt der Halbleiterscheibe 1 von oben her anzudrücken und ihn auf dem Stütztisch 22 zu fixieren. Der Klemmring 38 enthält bspw. eine ringförmige Keramikplatte, welche sich längs des Profils der Halbleiterscheibe 1 erstreckt, und welche einen etwas geringeren Innendurchmesser als der Außendurchmesser der Halbleiterscheibe 1 aufweist.
Der Klemmring 38 ist mit dem Stützteil 26 über eine Stützstange 40 verbunden, welche durch das Haltemittel 20 geführt ist und einen Spalt zwischen der Stützstange 40 und dem Halteteil 20 bildet, und ist vertikal mit den Hubstiften 24 beweglich. Eine Schraubenfeder 42 ist zwischen dem Halteteil 20 und dem Stützteil 26 um die Stützstange 40 angeordnet, um die Abwärtsbewegung des Klemmringes 38 zu unterstützen und sicherzustellen, daß die Halbleiterplatte eingeklemmt wird. Die Hubstifte 24, das Stützteil 26 und das Halteteil 20 bestehen ebenfalls aus einem für Wärmestrahlung durchlässigen Material wie Quarz.
Weiterhin ist ein Übertragungsfenster 44 aus einem für Wärmestrahlung durchlässigen Material wie Quarz luftdicht im Boden des Behälters direkt unterhalb des Stütztisches 22 angeordnet. Unter dem Übertragungsfenster 44 ist eine kastenförmige Heizkammer 46 vorgesehen, welche das Übertragungsfenster 44 umgibt. In der Heizkammer 46 ist eine Anzahl von Heizlampen 48, welche als Heizung dienen, auf einem Drehtisch 50 montiert, der auch als Reflektionsspiegel dient. Der Drehtisch wird durch einen Rotationsmotor 54 gedreht, welcher am Boden der Heizkammer 46 über eine Drehachse 52 angeordnet ist. Demgemäß gelangen von den Heizlampen 48 emittierte Wärmestrahlen durch das Übertragungsfenster 44, so daß die Bodenfläche des Stütztisches 42 zwecks Erwärmung mit Wärmestrahlen beaufschlagt wird.
In der Seitenwand der Heizkammer 46 ist ein Kühlluft-Einlaß 56 zum Einführen von Kühlluft zwecks Kühlung des Inneren der Kammer und des Übertragungsfensters 44 vorgesehen, sowie ein Kühlluft-Auslaß 58 zum Abführen der Kühlluft.
Um den äußeren Umfang des Stütztisches 22 ist ein ringförmiger Richtflansch 62 mit einer großen Anzahl von Richtlöchern 60 auf einer kreisförmigen Stützsäule 64 abgestützt, welche sich in vertikaler Richtung erstrecken. Am inneren Umfang des Richtflansches 62 ist eine ringförmige Befestigung 66 aus Quarz vorgesehen, welche mit dem äußeren Umfang des Klemmrings 38 in Kontakt steht, um zu verhindern, daß Gas unter den Klemmring 38 strömt. Ein Auslaß 68 ist im Boden des Behälters 16 unter dem Richtflansch 62 vorgesehen. Der Auslaß 68 kommuniziert mit einer Auslaßpassage 70, welche mit einer Vakuumpumpe (nicht dargestellt) verbunden ist, so daß ein vorgegebener Unterdruck in dem Behälter 16 zu schaffen und aufrechtzuerhalten ist. An der Seitenwand des Behälters 16 ist ein Absperrventil bzw. -schieber 72 vorgesehen, welches offen und geschlossen ist, wenn die Halbleiterscheibe in den Behälter 16 eingegeben bzw. aus ihm entnommen wird.
Andererseits ist der Kopfabschnitt des Behälters 16, der dem Stütztisch 22 gegenüberliegt und diesem zugewandt ist, mit einem Brausekopfteil 74 versehen, der ein Merkmal der vorliegenden Erfindung bildet, um ein Verfahrensgas in den Behälter 16 einzuführen. Das Brausekopfteil 74 weist ein zylindrisches Kopfgehäuse 76 aus bspw. Aluminium auf, und der obere Abschnitt des Kopfgehäuses 76 ist mit einem Gaseinlaß 79 vesehen.
Der Gaseinlaß 79 ist mit einer Gasquelle eines Verfahrensgases verbunden, welches zur Durchführung des Verfahrens erforderlich ist, bspw. WF₆, Ar, SiH₄, H₂ oder N₂, und zwar so, daß die Strömungsmenge zu steuern ist. In der im wesentlichen gesamten Injektionsfläche 76A, die in der Bodenfläche des Kopfgehäuses 76 vorhanden ist, ist eine große Anzahl von Gasdüsen 80 und 80A zum Einleiten von Gas vorgesehen, welches dem Kopfgehäuse 76 zugeführt wird, wobei die Düsen auf die Oberfläche der Halbleiterscheibe gerichtet sind. Wie auch aus den 2 und 3 ersichtlich ist, sind die Gasdüsen 80 und 80A in einem Bereich angeordnet, welcher etwas größer als die ihnen zugewandte Oberfläche der Halbleiterscheibe 1 ist.
Wenn die Gasinjektionsfläche 76A, die in der Bodenfläche des Brausekopfteils 74 vorhanden ist, in einen gegenüberliegenden Abschnitt unterteilt ist, welcher dem inneren Umfangsrand 38A des Klemmrings (Druckteils) 38 gegenüberliegt, und einen von dem gegenüberliegenden Abschnitt abweichenden nicht-gegenüberliegenden Abschnitt, ist die Gasinjektionsfläche 76A so ausgebildet, daß die injizierte Gasmenge je Flächeneinheit des nicht-gegenüberliegenden Abschnittes im wesentlichen gleichmäßig und so ausgebildet ist, daß die Gasinjektionsmenge je Flächeneinheit des gegenüberliegenden Abschnittes größer ist als diejenige des nicht-gegenüberliegenden Abschnittes.
Auf der Gasinjektionsfläche 76A des Brausekopfteils 74 existiert der nicht-gegenüberliegende Abschnitt innerhalb und außerhalb des gegenüberliegenden Abschnittes, welcher im wesentlichen direkt über dem inneren Umfangsrand 38A des Klemmringes positioniert ist. Weiterhin ist die Gasinjektionsmenge je Flächeneinheit der Gasdüsen 80 in dem nicht-gegenüberliegenden Abschnitt im wesentlichen gleichmäßig eingestellt, und die Gasinjektionsmenge je Flächeneinheit der Gasdüsen 80A in dem gegenüberliegenden Abschnitt ist größer eingestellt als diejenige der Gasdüsen 80 in dem nicht-gegenüberliegenden Abschnitt.
Genauer gesagt, auf der Gasinjektionsfläche 76A des Brausekopfteils 74 sind die Gasdüsen 80 und 80A so angeordnet, daß sie in einem größeren Bereich gitterförmig verteilt sind als es dem Bereich der Halbleiterscheibe entspricht. Sodann ist der Durchmesser L2 jeder der Gasdüsen 80A, die im wesentlichen direkt oberhalb des inneren Umfangsrandes 38A des Klemmringes 38 angeordnet sind, etwas größer als der Durchmesser L1 jeder der Gasdüsen 80 innerhalb und außerhalb davon, so daß die Gasinjektionsmenge aus den Gasdüsen 80A mit größerem Durchmesser größer ist als die Gasinjektionsmenge aus den Gasdüsen 80. Insbesondere wirken sich der Durchmesser und die Position jeder der Gasdüsen 80A mit großem Durchmesser stark auf die Gleichförmigkeit der Dicke der Schicht aus, wie später beschrieben wird. Die Gasdüsen 80A mit großem Durchmesser sind bevorzugt im wesentlichen direkt über dem inneren Umfangsrand 38A des Klemmrings 38 angeordnet.
Weiterhin ist die Halbleiterscheibe 1 mit einer Orientierungsstelle versehen, welche durch lineares Wegschneiden eines Teils des äußeren Umfangsabschnittes der Halbleiterscheibe gebildet ist, oder durch eine Einkerbung, welche durch ein halbkreisförmiges Ausschneiden eines Teils des äußeren Umfangsabschnittes der Halbleiterscheibe als Positionierausschnitt gebildet ist. Die Gasdüsen 80A mit großem Durchmesser sind so angeordnet, daß sie dem Profil einer solchen Halbleiterscheibe 1 entsprechen. In 3 entsprechen die vier Gasdüsen 80A auf der rechten Seite dem (nicht gezeigten) Orientierungsabschnitt der Halbleiterscheibe 1.
In dem dargestellten Beispiel sind die Gasdüsen 80A mit großem Durchmesser so dargestellt, daß sie einen Durchmesser aufweisen, der einem Mehrfachen des Durchmessers der üblichen Gasdüsen 80 entspricht, um das Verständnis der Erläuterung zu ermöglichen. In einem tatsächlichen System haben die Gasdüsen 80A mit großem Durchmesser jedoch einen Durchmesser, der etwa 1,5mal so groß ist wie der Durchmesser L1 der üblichen Gasdüsen 80. Wenn eine zu bearbeitende Halbleiterscheibe eine Größe von etwa 6 bis 12 Inch (15 bis 30 cm) aufweist, beträgt der Durchmesser L1 etwa 1,0 mm und der Durchmesser L2 etwa 1,5 mm. In diesem Fall beträgt die Teilung der Gasdüsen 80 etwa 3 mm bis etwa 4 mm, so daß die Anzahl der Gasdüsen 80 und 80A sehr groß ist.
Weiterhin sind bei dem gezeigten Beispiel die Gasdüsen 80A mit großem Durchmesser in einer Linie angeordnet. Diese Düsen können jedoch auch in zwei oder mehr Linien angeordnet sein.
In 2 beträgt die Dicke L4 des Klemmrings 38 etwa 2 mm und dessen Breite L5 etwa 40 mm. Weiterhin beträgt die Überlappungsbreite L6 des Klemmrings 38 mit dem Umfangsabschnitt der Halbleiterscheibe etwa 1 bis 2 mm und der Abstand L3 zwischen dem Brausekopfabschnitt 74 und der Halbleiterscheibe 1 etwa 20 mm. Weiterhin haben zwei Diffusionsplatten 84 und 86 einer oberen und einer unteren Anordnung eine große Anzahl von Gasdispersionslöchern 82 und sind im Kopfgehäuse 76 vorgesehen, um eine gleichmäßigere Gaszufuhr auf die Oberfläche der Halbleiterscheibe zu bewirken.
Unter Bezugnahme auf die oben beschriebene Konstruktion wird die Arbeitsweise dieser bevorzugten Ausgestaltung nachfolgend beschrieben. Zunächst ist zwecks Aufbringung einer Metallschicht aus bspw. Wolfram auf die Oberfläche einer Halbleiterscheibe das in der Seitenwand des Behälters 16 vorgesehene Absperrventil 72 geöffnet, um eine Halbleiterscheibe 1 mittels eines Übertragungsarms in den Behälter 16 einzugeben, und die Hubstifte 24 sind angehoben, um die Halbleiterscheibe 1 auf die Hubstifte 24 zu geben. Sodann wird der Stößel 28 nach unten bewegt, um die Hubstifte 24 abzusenken und die Halbleiterscheibe 1 auf dem Stütztisch 22 anzuordnen, und der Stößel 28 wird weiter nach unten bewegt, um die Oberfläche des Umfangsabschnittes der Halbleiterscheibe 1 mittels des Klemmrings 38 zu halten, welcher ein Teil der Druckeinheit 36 ist, um den Umfangsabschnitt der Halbleiterscheibe 1 zu fixieren.
Sodann werden Verfahrensgase wie WF₆, SiH₄ und H₂ in vorgegebenen Mengen von (nicht gezeigten) Verfahrensgasquellen dem Brausekopfteil 74 zugeführt, um in diesem vermischt zu werden, und die Mischung wird dem Behälter 16 aus den Gasdüsen 80 und 80A in der Bodenfläche des Kopfgehäuses 76 zugeführt. Gleichzeitig wird der Behälter 16 über den Auslaß 68 auf einen vorgegebenen Unterdruck evakuiert, bspw. im Bereich von 200 Pa bis 11.000 Pa, und Wärmestrahlen werden emittiert, während die Beheizungslampe 48 in der Beheizungskammer 46 gedreht wird.
Die emittierten Wärmestrahlen passieren das Übertragungsfenster 44 und das aus Quarz bestehende Stützteil 26, so daß die rückwärtige Fläche des Stütztisches 22 mit den Wärmestrahlen beaufschlagt wird, um erwärmt zu werden. Wie oben beschrieben worden ist, heizt sich der Stütztisch 22 schnell auf, da er eine sehr kleine Dicke von etwa 1 mm aufweist. Demgemäß kann die auf ihm montierte Halbleiterscheibe 1 schnell auf eine vorgegebene Temperatur erwärmt werden. Das zugeführte gemischte Gas bewirkt eine vorgegebene chemische Reaktion, so daß bspw. eine Wolframschicht auf die Oberfläche der Halbleiterscheibe aufgebracht wird.
Bei dieser bevorzugten Ausgestaltung bzgl. der Gasdüsen 80 und 80A des Brausekopfteils 74 wird eine vorgegebene Gasmenge gleichmäßig von jeder der Gasdüsen 80 injiziert, welche innerhalb und außerhalb der Gasdüsen 80A mit großem Durchmesser angeordnet sind, während eine relativ große Gasmenge aus den Gasdüsen 80A mit großem Durchmesser injiziert wird, welche so vorgesehen bzw. angeordnet sind, daß sie dem inneren Umfangsrand 38A des Klemmrings 38 entsprechen.
Als Ergebnis wird die Konzentration bzw. der Partialdruck des Verfahrensgases auf die innere Umfangsseite des Klemmrings 38 vergrößert und die Konzentration bzw. der Partialdruck des Gases aus den gewöhnlichen Gasdüsen 80 auf die Innenseite wird reduziert durch die große Gasmenge, welche aus den Gasdüsen 80A mit großem Durchmesser injiziert wird. Demgemäß wird die Aufbringung der dünnen Schicht auf den mittleren Abschnitt der Halbleiterscheibe etwas unterdrückt und die Aufbringung der dünnen Schicht im Umfangsabschnitt der Halbleiterscheibe wird etwas gefördert, so daß die Gleichmäßigkeit der Dicke der Schicht verbessert werden kann.
In diesem Fall sind die gewöhnlichen Gasdüsen 80 bevorzugt auch in einem gewissen Ausmaß, beispielsweise einige Zentimeter, außerhalb der Gasdüsen 80A mit großem Durchmesser vorgesehen, um die Gleichförmigkeit der Schichtdicke zu verbessern, da es erforderlich ist, das Gas so zu injizieren, daß die aufzubringende Schicht in gewissem Ausmaß auf der Oberfläche des Klemmrings 38 aufgebracht wird, um die Gleichmäßigkeit der Schichtdicke in der Ebene der Halbleiterscheibe zu verbessern.
Bei einer tatsächlichen Aufbringung einer dünnen Schicht wird beispielsweise eine Wolframschicht auf einer darunter befindlichen TiN-Schicht aufgebracht. Die Aufbringung der Wolframschicht umfaßt eine Aufbringung einer dünnen Hauptschicht und einer Aufbringung einer dünnen Nuklearschicht, welche nur über eine kurze Zeit vor Aufbringung der Hauptschicht aufgebracht wird, um die Aufbringung der Hauptschicht zu erleichtern. Gemäß dieser bevorzugten Ausgestaltung kann die Gleichförmigkeit der Schichtdicke sowohl durch die Aufbringung der Nuklearschicht als auch der Hauptschicht verbessert werden.
Die Gleichförmigkeit der Dünnschicht-Aufbringung wurde bezüglich der Strukturen verschiedener Brausekopfteile ermittelt. Dieses wird nachfolgend beschrieben.
Für die Ermittlung wurde eine Halbleiterscheibe mit einem Durchmesser von 8 Inch (20 cm) verwendet, welche durch den Klemmring angedrückt und gehalten wurde, so daß die Überlappungsbreite L6 (s. 2) des Umfangsabschnittes der Halbleiterscheibe etwa 1 mm beträgt. Als Ergebnis beträgt der Durchmesser (s. 2) zwischen dem inneren Umfangsrand 38A des Klemmrings 38 198 mm.
Wie in den 4A bis 4F schematisch gezeigt ist, wurden die Strukturen der Brausekopfteile in drei Beispielen gemäß der vorliegenden Erfindung und in drei Vergleichsbeispielen ausgeführt. Die Dimensionen der entsprechenden Abschnitte und die daraus ermittelten Ergebnisse sind in den 5 und 7 gezeigt. Die 4A bis 4C zeigen Beispiele 1 bis 3 gemäß der vorliegenden Erfindung, und die 4D bis 4F zeigen Vergleichsbeispiele 1 bis 3.
Bei dem in 4A gezeigten Brausekopfteil im Beispiel 1 haben die Gasdüsen 80A mit großem Durchmesser einen Durchmesser L2 von 1,3 mm und wurden in Form eines Ringes (linear in einem Abschnitt entsprechend einem Orientierungsabschnitt) an Positionen mit einem Radius R (Abstand vom Zentrum der Gasinjektionsfläche 76A, wobei R nachfolgend gleich ist) von 99 mm (Durchmesser von 198 mm) angeordnet, und der Durchmesser L1 anderer gewöhnlicher Gasdüsen 80, die im wesentlichen in Form eines Gitters angeordnet waren, wurde zu 1,1 mm gewählt. Weiterhin sind die umfangsmäßig äußersten Gasdüsen 80 auf einem Kreis mit einem Durchmesser von 230 mm angeordnet.
Bei dem in 4B gezeigten Beispiel 2 weisen die Gasdüsen 80A des Brausekopfteils einen Durchmesser L2 von 1,5 mm auf und wurden an Positionen mit einem Radius R von 99 mm (einem Durchmesser von 198 mm) vorgesehen, und der Durchmesser L1 der anderen gewöhnlichen Gasdüsen 80 wurde zu 1,1 mm gewählt, also dem gleichen wie bei dem zuvor beschriebenen Beispiel. Weiterhin wurden die umfangsmäßig äußersten Gasdüsen 80 auf einem Kreis mit einem Durchmesser von 230 mm angeordnet.
Bei dem in 4C gezeigten Ausführungsbeispiel 3 haben die Gasdüsen 80A mit großem Durchmesser des Brauskopfteils einen Durchmesser L2 von 1,7 mm und wurden an Positionen mit einem Radius R von 99 mm (einem Durchmesser von 198 mm) angeordnet, und der Durchmesser L1 der anderen üblichen Gasdüsen 80 wurde zu 1,1 mm gewählt, welcher der gleiche ist wie bei dem oben beschriebenen Beispiel. Weiterhin wurden die umfangsmäßig äußersten Gasdüsen 80 auf einem Kreis mit einem Durchmesser von etwa 230 mm angeordnet.
Bei dem in 4D gezeigten Vergleichsbeispiel 1 wurde das Brausekopfteil in konventioneller Weise verwendet. Dieses Brauskopfteil ist mit üblichen Gasdüsen 80 mit einem Durchmesser L1 von 1,1 mm versehen, welche im wesentlichen in der Form eines Gitters gleichmäßig verteilt sind, wobei keine Gasdüsen mit großem Durchmesser vorhanden sind. Weiterhin sind die umfangsmäßig äußersten Gasdüsen 80 auf einem Kreis mit einem Durchmesser von etwa 230 mm angeordnet.
Bei dem in 4E gezeigten Vergleichsbeispiel 2 haben gewöhnliche Gasdüsen einen Durchmesser L1 von 0,8 mm, welcher kleiner ist als bei dem zuvor beschriebenen Vergleichsbeispiel 1, und sind im wesentlichen in Gitterform gleichmäßig verteilt, wobei keine Gasdüsen mit großem Durchmesser vorhanden sind. Weiterhin sind die umfangsmäßig äußersten Gasdüsen 80 auf einem Kreis mit einem Durchmesser von etwa 230 mm angeordnet.
Bei dem in 4F gezeigten Vergleichsbeispiel 3 weisen Gasdüsen 80A mit großem Durchmesser einen Durchmesser L2 von 2,0 mm auf und wurden an Positionen mit einem Radius R von 100 mm (einem Durchmesser von 200 mm) angeordnet, und gewöhnliche Gasdüsen 80 haben einen Durchmesser L1 von 1,1 mm, welcher der gleiche ist wie bei jedem der oben beschriebenen Beispiele, wobei sie nur innerhalb der Gasdüsen 80A mit großem Durchmesser vorgesehen sind.
Bei allen Beispielen und Vergleichsbeispielen beträgt der Abstand L3 zwischen der Halbleiterscheibe und dem Brausekopf 17 mm. Die Bedingungen während der Aufbringung der dünnen Nuklearschicht und der Aufbringung der Hauptschicht sind in 6 gezeigt. Weiterhin wurde Ar-Gas als Trägergas und N₂-Gas als Verdünnungsgas verwendet. Alle diese Bedingungen für die Aufbringung einer dünnen Schicht sind zufuhrbegrenzte Bedingungen.
7 zeigt Schichtwiderstände (welche in umgekehrtem Verhältnis zur Schichtdicke stehen) der betreffenden Abschnitte der Halbleiterscheibe bei den Beispielen und den Vergleichsbeispielen, und 5 zeigt die daraus gemessenen Ergebnisse. Wie auch in 7 gezeigt ist, ist ersichtlich, daß die gemessenen Werte bei den Beispielen 1 bis 3 einschließlich der Werte des Umfangsabschnittes der Halbleiterscheibe nicht sehr stark variieren, so daß die Schichtwiderstände (Dicke) im wesentlichen gleichförmig sind. Die Gleichförmigkeit in 5 wird durch die folgende Formel bestimmt. Gleichförmigkeit (± %) = {(Maximaldicke – Minimaldicke) /(2 × mittlere Dicke)} × 100
Wie deutlich aus 5 zu sehen ist, welche die in 7 gezeigten Werte zeigt, ist bei den Beispielen 1 bis 3 gemäß der vorliegenden Erfindung die Gleichförmigkeit der Schichtdicke bei der Bildung der dünnen Nuklearschicht 4,43 % oder weniger und die Gleichförmigkeit der Schichtdicke bei der Bildung der Hauptschicht 5,16 % oder weniger. Obwohl das Ausmaß der Dünnschicht-Bildung etwas kleiner ist als bei den Vergleichsbeispielen 1 bis 3, ist es in allen Fällen möglich, die Gleichmäßigkeit der Schichtdicke erheblich zu verbessern. Insbesondere wurde festgestellt, daß bei den Beispielen 2 und 3 die Gleichförmigkeit der Schichtdicke bei der Bildung der Hauptschicht, welche einen Steuerfaktor für die Schichtdicke bildete, 3,94 % bzw. 4,27 % betrug, was ausgezeichnet war, und daß das Beispiel 2 höchst bevorzugt war.
Andererseits war im Falle des konventionellen Brausekopfteils bei dem Vergleichsbeispiel 1 die Gleichmäßigkeit der Schichtdicke bei der Bildung der Hauptschicht und bei der Bildung der Nuklearschicht 5,25 % bzw. 11,18 %, wobei diese Werte kleiner als diejenigen bei den Beispielen waren. Obwohl die Gleichförmigkeit bei der Bildung der Nuklearschicht größer als diejenige bei dem Vergleichsbeispiel 1 war, war bei den Vergleichsbeispielen 2 und 3 die Gleichmäßigkeit der Schichtdicke der Hauptschicht mit 6,98 % bzw. 9.27 % deutlich unterhalb derjenigen bei dem Vergleichsbeispiel 1.
Es sei insbesondere darauf verwiesen, daß trotz der Ausbildung von Gasdüsen 80A mit großem Durchmesser, wie bei dem Vergleichsbeispiel 3 gezeigt ist, deren Positionen und Durchmesser geringfügig unterschiedlich zu denen bei den Beispielen 1 bis 3 sind, nämlich um etwa 1 mm, und daß bei einem Fehlen üblicher Gasdüsen am äußeren Umfang der Gasdüsen 80A mit großem Durchmesser die Gleichmäßigkeit der Schichtdicke sich verschlechtert. Auch hieraus ist ersichtlich, daß die Positionen und Durchmesser der Gasdüsen 80A mit großem Durchmesser bedeutsame Faktoren darstellen.
D.h., daß herausgefunden wurde, daß die Gleichmäßigkeit der Schichtdicke sowohl bei der Bildung der Nuklearschicht als auch bei der Bildung der Hauptschicht durch präzise Anordnung der Gasdüsen 80A verbessert werden kann, welche eine Porengröße haben, welche nicht so groß ist, oberhalb des inneren Umfangsrandes 38A des Klemmrings 38.
Es wurde eine detailliertere Auswertung bezüglich der installierten Positionen der Gasdüsen 80A mit großem Durchmesser ausgeführt. Diese wird nachfolgend beschrieben.
8 zeigt eine Konturenkarte der Schichtdicke auf der Oberseite der Halbleiterscheibe zur Auswertung der Gleichmäßigkeit der Schichtdicke abhängig von den Positionen der Gasdüsen mit großem Durchmesser, und 9 zeigt ein Diagramm, welches die Schichtwiderstände (im umgekehrten Verhältnis zur Schichtdicke) in Richtung der Linien A-A und B-B in 8 zeigt.
Für das Vergleichsbeispiel 3 wurde ein Brausekopfteil verwendet, welches ähnlich dem in 4F gezeigten Brausekopfteil war. Der Durchmesser L2 der Gasdüsen mit großem Durchmesser wurde mit 2 mm gewählt. Der Radius R vom Zentrum der Gasinjektionsfläche 76A zu den Gasdüsen 80A betrug in Richtung der Linie A-A 99,2 mm und in Richtung der Linie B-B 103 mm. Dabei wurde die Bildung einer Dünnschicht ausgeführt. Um den äußeren Bereich der Gasdüsen 80A mit großem Durchmesser waren keine gewöhnlichen Gasdüsen 80 vorgesehen.
Wie deutlich aus 9 ersichtlich ist, ist die Schichtdicke im Umfangsabschnitt der Halbleiterscheibe extrem unterschiedlich, wenn die installierten Positionen der Gasdüsen 80A um 3,8 mm (= 103 mm – 99,2 mm) etwas verschoben werden. Es wurde demgemäß festgestellt, daß die installierten Positionen für die Gasdüsen 80A mit großem Durchmesser sehr wichtig sind, um die Gleichförmigkeit der Schichtdicke zu verbessern. Weiterhin zeigen die dicken Linien in 8 die Konturlinien der mittleren Wertes der Dicke, wobei das Zeichen „+" einen Abschnitt mit größerer Dicke als die mittlere Dicke bezeichnet und das Zeichen „-" einen Abschnitt mit kleiner Dicke als der mittlere Wert bezeichnet.
Wie oben beschrieben worden ist, ist gemäß dem Dünnschicht-Aufbringungssystem bei dieser bevorzugten Ausgestaltung die Gasinjektionsmenge je Flächeneinheit von dem Brausekopfteil 74 in dem nicht-gegenüberliegenden Abschnitt im wesentlichen gleichmäßig und die Gasinjektionsmenge je Flächeneinheit in dem gegenüberliegenden Abschnitt größer als diejenige in dem nicht-gegenüberliegenden Abschnitt. Daher kann die Menge des aufgebrachten Materials in dem mittleren Abschnitt der Halbleiterscheibe 1, in dem die Schichtdicke dazu neigt, groß zu sein, relativ unterdrückt werden, und die aufgebrachte Materialmenge im Umfangsabschnitt der Halbleiterscheibe, in dem die Schichtdicke dazu neigt, klein zu sein, relativ unterstützt bzw. erhöht werden, so daß die gesamte Gleichförmigkeit der Schichtdicke erheblich verbessert werden kann. Insbesondere kann die Gleichförmigkeit der Schichtdicke unter zufuhrbegrenzten Bedingungen verbessert werden, bei denen die Verteilung der Konzentration des Verfahrensgases bezüglich des Ausmaßes der Aufbringung als ein Steuerfaktor dient.
Obwohl bei der oben beschriebenen bevorzugten Ausgestaltung die Gasdüsen 80A mit großem Durchmesser einen größeren Durchmesser als andere Gasdüsen 80 aufweisen und vorgesehen sind, um die Gasinjektionsmenge je Flächeneinheit in dem Brausekopfteil 74 zu vergrößern, ist die vorliegende Erfindung hierauf nicht begrenzt. Wie in 10 gezeigt ist, kann beispielsweise die Dichte der Gasdüsen 80B in einem Abschnitt, in dem die Gasinjektionsmenge je Flächeneinheit erhöht werden soll, erhöht werden, so daß die Gasinjektionsmenge je Flächeneinheit erhöht wird. Auch in diesem Fall sind die gleichen Effekte wie die oben beschriebenen zu erzielen. In diesem Fall ist der Durchmesser jeder der Gasdüsen 80B in dem Abschnitt, in dem die Dichte vergrößert wird, der gleiche wie der Durchmesser der Gasdüsen 80, die um die Gasdüsen 80B herum liegen, so daß die Lochung mit demselben Bohrer ausgeführt werden kann.
Während die Aufbringung einer Wolframschicht bei der oben beschriebenen bevorzugten Ausgestaltung beschrieben worden ist, kann die vorliegende Erfindung auch bei der Aufbringung einer Dünnschicht aus anderen Materialien wie beispielsweise WSi, Ti, TiN, TiSi, Si oder SiO₂ verwendet werden. Weiterhin ist der Heizteil des Vakuumbehandlungssystems nicht auf eine Beheizung mit einer Lampenheizung beschränkt, sondern es kann ein Heizteil verwendet werden, welches auf einer Widerstandsheizung beruht. Auch ist die Größe der Halbleiterscheibe nicht auf 8 Inch (20 cm) begrenzt, sondern sie kann 6 Inch (15 cm), 12 Inch (30 cm) betragen und auch größer sein.
Während das Vakuumbehandlungssystem als ein Aufbringungssystem zum Aufbringen einer dünnen Schicht als ein Beispiel an der oben beschriebenen bevorzugten Ausgestaltung beschrieben worden ist, kann die vorliegende Erfindung auch bei einem Vakuumbehandlungssystem verwendet werden, welches verfahrensmäßig ein anderes System wie ein Ätzsystem betrifft, wenn das Vakuumbehandlungssystem mit einem Brausekopfteil versehen ist, welches eine große Anzahl von Gasdüsen aufweist, die einem Stütztisch zugewandt sind. Wenn die vorliegende Erfindung beispielsweise bei einem Ätzsystem verwendet wird, welches als ein Vakuumbehandlungssystem durchgeführt wird, ist es möglich, die Gleichförmigkeit des Ätzens eines zu behandelnden Objektes zu verbessern.

Claims

Vakkumbehaudlungssystem, enthaltend: einen Vakuumbehandlungsbehälter mit einem darin angeordneten Stütztisch, auf dem ein zu behandelndes Objekt abzustützen ist; ein Druckteil zum Andrücken der Oberseite des peripheren Abschnittes des Objektes zwecks Fixierung des Objektes an dem Stütztisch; und ein Brausekopfteil, welches so angeordnet ist, daß es dem Stütztisch gegenüberliegt, und welches in seiner Bodenfläche eine Anzahl von Gasdüsen aufweist, wobei, wenn die Bodenfläche des Brausekopfteils unterteilt ist in einen gegenüberliegenden Abschnitt, welcher der inneren peripheren Kante des Druckteils gegenüberliegt, und in einen nicht-gegenüberliegenden Abschnitt, der ein anderer Abschnitt als der gegenüberliegende Abschnitt ist, die Bodenfläche des Brausekopfteils so ausgebildet ist, daß die Gasinjektionsmenge pro Flächeneinheit des nicht-gegenüberliegenden Abschnittes im wesentlichen gleichmäßig ist, und daß die Gasinjektionsmenge pro Flächeneinheit des gegenüberliegenden Abschnittes größer ist als diejenige des nicht-gegenüberliegenden Abschnittes.
Vakuumbehandlungssystem nach Anspruch 1, wobei der Durchmesser von wenigstens einem Teil der Gasdüsen in dem gegenüberliegenden Abschnitt des Brausekopfteils größer ausgebildet ist als der Durchmesser der Gasdüsen in dem nicht-gegenüberliegenden Abschnitt.
Vakuumbehandlungssystem nach Anspruch 1, wobei die Dichte der Gasdüsen in wenigstens einem Teil des gegenüberliegenden Abschnittes des Brausekopfteils größer ausgebildet ist als die Dichte der Gasdüsen in dem nicht-gegenüberliegenden Abschnitt.
Vakuumbehandlungssystem nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei der nicht-gegenüberliegende Abschnitt innerhalb und außerhalb des gegenüberliegenden Abschnittes in der Bodenfläche des Brausekopfteils vorhanden ist.
Vakuumbehandlungssystem, enthaltend: einen Vakuumbehandlungsbehälter mit einem darin angeordneten Stütztisch, auf dem ein zu behandelndes Objekt abzustützen ist; ein Druckteil zum Andrücken der Oberseite des peripheren Abschnittes des Objektes zwecks Fixierung des Objektes an dem Stütztisch; und ein Brausekopfteil, welches so angeordnet ist, daß es dem Stütztisch gegenüberliegt, und welches in seiner Bodenfläche eine Anzahl von Gasdüsen aufweist, wobei die Bodenfläche des Brausekopfteils einen ringförmigen Abschnitt aufweist, in dem die Gasinjektionsmenge pro Flächeneinheit größer ist als diejenige in den anderen Bereichen, sowie einen Bereich, in dem die Gasinjektionsmenge pro Flächeneinheit im wesentlichen gleichmäßig und kleiner ist als in dem ringförmigen Bereich, innerhalb des ringförmigen Bereiches, und wobei der ringförmige Bereich im wesentlichen direkt über dem inneren peripheren Rand des Druckteils entlang der Form des inneren peripheren Randes ausgebildet ist.
Vakuumbehandlungssystem nach Anspruch 5, wobei der Boden des Brausekopfteils einen Bereich aufweist, in dem die Gasinjektionsmenge pro Flächeneinheit im wesentlichen gleichmäßig und kleiner als in dem ringförmigen Bereich ist, außerhalb des ringförmigen Bereiches.
Vakuumbehandlungssystem nach Anspruch 6, wobei die Gasinjektionsmenge pro Flächeneinheit in dem Bereich innerhalb des ringförmigen Bereiches im wesentlichen die gleiche ist wie in dem Bereich außerhalb davon.