DE4037580C2 - - Google Patents
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- DE4037580C2 DE4037580C2 DE4037580A DE4037580A DE4037580C2 DE 4037580 C2 DE4037580 C2 DE 4037580C2 DE 4037580 A DE4037580 A DE 4037580A DE 4037580 A DE4037580 A DE 4037580A DE 4037580 C2 DE4037580 C2 DE 4037580C2
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
Description
Die Erfindung betrifft eine Aufstäubungsvorrichtung sowie
eine Einrichtung und ein Verfahren zum Wechseln eines Targets.
Insbesondere betrifft die Erfindung eine Anlage zum kontinuierlichen
Aufstäuben die für eine Massenherstellung bei häufigem
Wechseln des Targets geeignet ist, sowie eine Einrichtung und
ein Verfahren zum Wechseln eines Targets bei einer solchen
Vorrichtung.
Die Nachfrage nach Einrichtungen, mit denen Materialien
als dünne Schichten aufgebracht werden können, z. B. nach Aufstäubungsvorrichtungen,
hat auf verschiedenen Gebieten zugenommen.
Beim Aufstäuben wird Argon oder dergleichen in Vakuum bei
etwa 0,01 bis 10 Pa einer Gasentladung unterworfen, wobei Ionen
zum Beschießen eines Targets erzeugt werden. Aus dem Target
herausgeschlagene Aufstäubungsteilchen sammeln sich als dünne
Schicht auf der Oberfläche eines Substrats an, das dem Target
gegenüber angeordnet wird. Unterschiedliche Arten von Aufstäubungsvorrichtungen
mit diesem Prinzip befinden sich in praktischem
Gebrauch.
Insbesondere in Anlagen zur kontinuierlichen Aufstäubung
für Massenherstellung wird ein Verfahren angewandt, bei dem zum
Herstellen von dünnen Schichten, von denen jeder eine vorgegebene
Stärke aufweist und die aus unterschiedlichen Materialien
bestehen, die Stärke der den Targets zugeführten elektrischen
Energie so eingestellt wird, daß sie zum jeweiligen Material
paßt. Bei diesem Verfahren wird ein jeweiliges Target jedoch
oft stark aufgebraucht, so daß es oft ausgewechselt werden muß.
Da dabei jedesmal der Vakuumzustand der Vorrichtung zerstört
wird, ist eine lange Zeitspanne für den Neustart der Vorrichtung
erforderlich. Ebenfalls wird die Qualität der Dünnschichten
ungünstig beeinflußt, so daß es also nicht immer möglich
ist, hochqualitative Schichten zu erzielen. Im allgemeinen wird
bei kontinuierlich arbeitenden Aufstäubungsvorrichtungen ein
Verfahren angewendet, bei dem mehrere Targets aus demselben Material
für einen Prozeß bereitgestellt werden, indem ein Substrat
transportiert wird; dies, um die Targets so gleichmäßig
wie möglich aufzubrauchen. Eine Aufstäubungseinrichtung zum
Herstellen dünner Schichten auf einer magnetischen Aufzeichnungsplatte
bildet z. B. Schichten auf der Platte unter Ausnutzen
von nahezu insgesamt 20 Targetelektroden für alle metallischen
Schichten, eine Magnetschicht und eine Schutzschicht aus.
Wenn jedoch die Anzahl benutzter Targets erhöht wird, wird die
Zeit zum Auswechseln der Targets so lang, daß sie nicht mehr
vernachlässigbar ist, sondern im Gegensatz den größten Faktor
beim Erniedrigen der Betriebszeit der Aufstäubungsvorrichtung
darstellt. Da insbesondere die Schichtbildungskammer während
des Auswechselns der Targets mit der Atmosphäre in Verbindung
steht, erhöht sich nicht nur die Neustartzeit für die Vorrichtung,
sondern es können auch nicht Schichten mit bevorzugt guten
Eigenschaften erzielt werden, da die Qualität der Schichten
negativ beeinflußt wird.
In der JP-A 0-1-165770 ist ein Verfahren vorgeschlagen,
bei dem ein Targetelektrodenteil als Einheit ausgebildet wird
und die Einheit fest mit Hilfe eines Handgriffs oder dergleichen
an der Schichtbildungskammer befestigt wird. Dadurch ist
es möglich, die Zeit zum Wechseln der Targetelektrode erheblich
zu verringern.
Darüber hinaus existiert folgendes Verfahren zum Auswechseln
einer Adhäsionsverhinderungsplatte und dergleichen in der
Schichtbildungskammer einer Aufstäubungsvorrichtung, ohne daß
eine Verbindung der Kammer zur Atmosphäre hergestellt wird. In
den Druckschriften JP-A 61-133378 und JP-A 61-210178 ist ein
Verfahren beschrieben, gemäß dem eine Adhäsionsverhinderungsplatte
durch ein geeignetes Beförderungsmittel von einer
Schichtbildungskammer in eine Zuführ/Entnahme-Kammer übertragen
wird, die von der Schichtbildungskammer durch ein Torventil
oder dergleichen getrennt ist. Dadurch kann die Platte in der
Zuführ/Entnahme-Kammer ausgewechselt werden. Eine neue Adhäsionsverhinderungsplatte
wird wieder in die schichtbildende
Kammer eingeführt, was erfolgen kann, ohne daß die schichtbildende
Kammer zur Atmosphäre geöffnet wird. Auch die
JP-A 62-20873 oder JP-A 62-172471 beschreiben ähnliche Verfahren,
bei denen Fensterglas in einer Schichtbildungskammer ausgetauscht
werden kann, ohne daß diese zur Atmosphäre geöffnet
werden muß. Dies erfolgt durch Abtrennen eines Raums zum Wechseln
des Fensterglases von der Schichtbildungskammer mit Hilfe
eines Torventils.
Gemäß der JP-A 61-576, die eine Aufstäubungsvorrichtung
für Mehrschicht-Schichtbildung, aber keine kontinuierlich arbeitende
Aufstäubungsvorrichtung beschreibt, ist die Aufstäubungsvorrichtung
für die Mehrschicht-Schichtbildung so ausgebildet,
daß eine Hauptkammer mit Unterkammern ausgebildet ist,
deren Anzahl der Anzahl von Targets entspricht. Die Hauptkammer
ist von den Unterkammern durch Torventile getrennt, so daß keines
der Targets während des Aufstäubens mit den anderen Targets
verunreinigt wird.
Beim oben beschriebenen Verfahren gemäß der JP-A 01-165770
steht die Schichtbildungskammer während des Austauschens der
Targetelektrode mit der Atmosphäre in Verbindung. Dies stellt
den größten Faktor beim Verringern der Produktivität und der
Zuverlässigkeit der Vorrichtung dar.
Die Verfahren gemäß den Druckschriften JP-A 61-133378,
JP-A 61-210178, JP-A 62-20873 und JP-A 62-127471 sind auf das
Auswechseln der Adhäsionsverhinderungsplatte oder des Fensterglases
beschränkt und können nicht auf den Ablauf des Wechselns
einer Targetelektrode angewendet werden. Bei einem Verfahren,
das ein Torventil und eine Wechselkammer verwendet, um das
Wechseln der Targetelektrode im Vakuum zu ermöglichen, wird das
Torventil beim Aufstäuben der Targetelektrode verunreinigt, so
daß die Schichtbildungskammer zur Atmosphäre geöffnet werden
muß, um schließlich das Torventil zu reinigen. Beim Verfahren,
bei dem die Schichtbildungskammer von der Targetelektrode durch
das Torventil getrennt wird, um eine Mehrfachschicht ohne Verunreinigen
eines Targets durch andere Targets herzustellen, wie
in der JP-A 61-576 erläutert, ist es möglich, das Target auszuwechseln,
ohne daß die Schichtbildungskammer zur Atmosphäre geöffnet
wird. Es wird aber ähnlich wie in den anderen oben genannten
bekannten Fällen erforderlich, das Torventil auszuwechseln
oder zu reinigen, so daß die Schichtbildungskammer doch
zur Atmosphäre geöffnet werden muß. Darüber hinaus ist der Aufbau
der Schichtbildungskammer kompliziert, und die Entfernung
zwischen Target und Substrat wird vergrößert, so daß diese Verfahren
zum Problem führen, daß keine Schichten mit guten Eigenschaften
erhalten werden können.
Dies heißt also, daß bei den bekannten Anlagen zur kontinuierlichen
Aufstäubung für Massenherstellung eine verlängerte
Zeitspanne für Neustart der Vorrichtung erforderlich ist, was
die Betriebszeit der Vorrichtung verringert und ungünstigen
Einfluß auf die Schichtqualität nimmt. All dies resultiert aus
dem Verbinden der Schichtbildungskammer mit der Atmosphäre, was
bisher nicht ausreichend berücksichtigt wurde.
Die Druckschrift JP-A 63-143261 betrifft eine Vorrichtung
zum Auswechseln von Targetplatten, die übereinander angeordnet
und einzeln eine nach der anderen abgenommen werden. Der wesentliche
Nachteil dieser Vorrichtung ist darin zu sehen, daß
der kontinuierliche Betrieb durch die Anzahl der übereinander
angeordneten Targets begrenzt ist und daher nach Verbrauch des
letzten Targets der Aufstäubungsvorgang unterbrochen werden
muß, um unter Öffnung der Vakuumkammer die Targets auszuwechseln,
wobei unerwünschterweise das Substrat der Umgebungsatmosphäre
ausgesetzt wird. Wie bereits dargestellt, hat dies einen
schlechten Einfluß auf die auf dem Substrat gebildete Schicht.
Ferner hat diese Vorrichtung den weiteren Nachteil, daß nach
dem Wechselvorgang eine erhebliche Zeit erforderlich ist, um
die Vorrichtung wieder in Betrieb zu setzen. Dadurch ist die
Leistungsfähigkeit der Vorrichtung begrenzt.
Aus den Druckschriften JP-A 01-073074 und JP-A 01-290767
und (3) sind zwar Vorrichtungen zum kontinuierlichen Versorgen
von Targets bekannt, die jedoch die folgenden Nachteile aufweisen.
Diese Vorrichtungen sind technisch sehr aufwendig, da sie
neben Vorratsbehältern zur Aufnahme der unverbrauchten sowie
der verbrauchten Targets Zwischenkammern aufweisen, die jeweils
mit aufwendigen Ventilvorrichtungen versehen werden müssen. Ein
weiterer Nachteil besteht darin, daß dem Erfordernis der Reinhaltung
der Aufstäubungskammer nur schwer zu entsprechen ist,
wenn zusätzliche Komponenten darin vorhanden sind. Denn während
des Aufstäubungsvorganges können Aufstäubungsteilchen auch aus
diesen zusätzlichen Komponenten herausgeschlagen werden und
sich als Verunreinigungen auf dem Substrat sammeln. Hierdurch
wird die Qualität der auf dem Substrat gebildeten dünnen
Schicht verschlechtert, wobei es im Extremfall dazu führen
kann, daß das behandelte Substrat als Ausschuß anzusehen
ist.
Ausgehend von diesen vorbekannten Anordnungen liegt der
Erfindung die Aufgabe zugrunde, eine technisch einfache Aufstäubungsvorrichtung
zu schaffen, die ein Auswechseln der Targetelektrode
ermöglicht, ohne daß die Schichtbildungskammer
beim Wechseln des Targets mit der Atmosphäre verbunden wird,
und die ferner eine Verunreinigung der gebildeten Schicht wirksam
verhindert.
Diese Aufgabe wird durch die im Patentanspruch 1 angegebenen
Merkmale gelöst. Durch die erfindungsgemäße Ausbildung ergeben
sich gegenüber dem Stand der Technik eine Reihe von Vorteilen.
Zum einen wird das Vakuumgefäß von unnötigen Komponenten
freigehalten, die, wie oben erwähnt, zu einer Verschlechterung
der Schichtqualität führen können. Zum anderen besteht ein
weiterer Vorteil der Erfindung darin, daß durch diese Ausbildung
der apparative Aufwand dadurch verringert wird, daß keine
zusätzlichen Verschlußvorrichtungen zum Trennen des Vakuumgefäßes
von der Targetwechselkammer notwendig sind und dadurch der
technische Aufwand und damit auch die Störungsanfälligkeit
wesentlich vermindert ist.
Bei der Erfindung dient das Target beim Aufstäubungsvorgang im
Vakuumgefäß nicht nur dazu, eine dünne Schicht auf der Ober
fläche eines Substrats auszubilden, sondern es bildet dabei zusammen
mit der Targetelektrode zugleich einen Teil der Wand des Vakuumgefäßes, verschließt
dieses also vakuumdicht. Gleichzeitig steht die Targetwech
selkammer mit der Atmosphäre in Verbindung, damit eine Er
satztargetelektrode für den Wechsel vorbereitet werden kann.
Da die Targetwechselkammer mit Hilfe der Targetelektrode vom
Vakuumgefäß abgetrennt ist, während sie mit der Atmosphäre
verbunden ist, wird der Vakuumzustand im Vakuumgefäß nicht
unterbrochen. Wenn die Targetelektrode auszuwechseln ist,
wird die Targetwechselkammer verschlossen und evakuiert. Im
evakuierten Zustand werden die Targetelektrode, die zuvor
einen Teil des Vakuumgefäßes bildete, und das Ersatztarget,
das sich zum Auswechseln noch in der Targetwechselkammer be
findet, durch vorgegebene Einrichtungen so verschoben, daß
sie gegeneinander ausgetauscht werden. Wenn der Wechsel der
Targetelektroden abgeschlossen ist, wird die Targetwechsel
kammer wieder mit der Atmosphäre verbunden, die alte Target
elektrode wird ihr entnommen und eine neue Targetelektrode
wird für den nächsten Targetwechsel in sie eingesetzt.
Demgemäß kann die Targetelektrode ausgewechselt werden, ohne
daß das die Filmbildungskammer darstellende Vakuumgefäß mit
der Atmosphäre verbunden wird. Hierdurch lassen sich Schichten
mit bevorzugt guter Qualität erzielen, und die Zuverlässig
keit der Vorrichtung wird erhöht. Weiterhin resultiert aus
der Tatsache, daß die Schichtbildungskammer nicht mit der At
mosphäre verbunden wird, der Vorteil, daß nur eine kurze
Neustartzeit für die Vorrichtung erforderlich ist. Demgemäß
erhöht sich die Betriebszeit der Vorrichtung erheblich.
Die Erfindung wird im folgenden anhand von durch Figuren
veranschaulichten Ausführungsbeispielen näher erläutert. Es
zeigt
Fig. 1 einen vertikalen Querschnitt durch ein erstes Aus
führungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Aufstäubungsvorrichtung;
Fig. 2 eine Seitenansicht eines Teils der Vorrichtung zum
detaillierten Darstellen eines Zustands, bei dem eine Tar
getelektrode an einem Vakuumgefäß befestigt ist;
Fig. 3A einen Teilquerschnitt betreffend ein Ausführungs
beispiel mit einer vertikal befestigten Targetelektrode;
Fig. 3B einen Teilquerschnitt für den Zustand nach dem
Wechseln der Targetelektrode;
Fig. 4A eine schematische Draufsicht auf eine kontinuierlich arbeitende
Aufstäubungsvorrichtung;
Fig. 4B eine Seitenansicht der Vorrichtung von Fig. 4A;
Fig. 5A eine Draufsicht auf ein Ausführungsbeispiel einer
kontinuierlich arbeitenden Aufstäubungsvorrichtung;
Fig. 5B eine Seitenansicht eines Teils einer Targetwech
selkammer;
Fig. 6A eine Seitenansicht eines anderen Ausführungsbei
spiels einer kontinuierlich arbeitenden Aufstäubungsvorrichtung; und
Fig. 6B eine Seitenansicht ähnlich der von Fig. 6A, jedoch
für den Zustand der Vorrichtung nach dem Wechseln eines
Targets.
Die Erfindung wird im folgenden unter Bezugnahme auf bevor
zugte Ausführungsbeispiele erläutert, die durch Figuren ver
anschaulicht sind.
Ein Ausführungsbeispiel für eine Aufstäubungsvorrichtung und eine
Targetwechseleinrichtung ist in Fig. 1 dargestellt.
In Fig. 1 bezeichnet ein Bezugszeichen 1 ein Vakuumgefäß,
das eine Schichtbildungskammer darstellt. Im Gefäß sind eine
Targetelektrode 3, die einen Teil des Vakuumgefäßes 1 selbst
bildet, und ein Substratträger 10 angeordnet. Eine Seiten
fläche des Vakuumgefäßes 1 ist so ausgebildet, daß sie mit
der Oberfläche der Targetelektrode 3 fluchtet. Letztere wird
durch einen Targetelektrodenhalter 4 gehalten, zu dem ein
Kühlwassereinlaß 5 gehört, über den Kühlwasser zugeführt
wird. Eine Targetelektroden-Wechselkammer 2 ist mit dem un
teren Bereich des Vakuumgefäßes 1 verbunden und liegt neben
diesem. Zum Befördern einer Targetelektrode sind zwei Schie
nen 6 in der Targetelektroden-Wechselkammer 2 vorhanden, die
sich beabstandet voneinander oben und unten in der Kammer
erstrecken. Eine Targetelektrode 3 wird verschoben, wenn die
Targetelektroden-Beförderungsschienen durch ein Beförde
rungsgetriebe 8 angetrieben werden. Es wird nun unter Bezug
nahme auf Fig. 2 im einzelnen die Befestigungsart einer Tar
getelektrode 3 beschrieben.
Wie aus Fig. 2 ersichtlich, weist die Targetelektrode 3 fol
gende Teile auf: ein Target 18, eine Abschlußplatte 14, eine
Magnetfelderzeugungseinrichtung 15 zum Erzeugen eines Mag
netfelds mit einem Magnetron, eine Masseplatte 17, Isolato
ren 13 und Masseabschirmungen 12, die alle über Schrauben
fest miteinander verbunden sind. Durch die Isolatoren 13
wird das Targetpotential vom Massepotential isoliert. Das
Innere des Vakuumgefäßes 1 wird mit Hilfe einer Vakuumdich
tung zwischen dem die Schichtbildungskammer bildenden Vakuum
gefäß 1 und der Masseplatte 17 evakuiert gehalten. Die Tar
getelektrode 3 wird automatisch mit einem Spannungszuführ
anschluß 11 und einem Wartungsanschluß 16 verbunden, wenn
sie im Vakuumgefäß 1 befestigt wird. Durch Stromzuführan
schlüsse 12 wird dem Target 18 elektrische Energie zuge
führt. Der Masseanschluß 16 wird zwangsweise mit Massepoten
tial verbunden, da er aufgrund der Wirkung eines O-Rings
zwischen der Masseplatte 17 und dem Vakuumgefäß 1 nicht in
metallischen Kontakt mit dem Vakuumgefäß 1 kommen kann.
Kühlwasser wird über den Targetelektrodenhalter 4 zur Tar
getelektrode 3 geführt. Die Targetelektrode 3 und der Tar
getelektrodenhalter 4 sind voneinander durch einen Teil des
unteren Isolators 13 getrennt. Das Innere der Targetwechsel
kammer 2 steht normalerweise mit Atmosphäre in Verbindung.
Die Targetelektrode 3 ist so mit dem Vakuumgefäß 1 verbun
den, daß sie eine Öffnung desselben durch die Druckdifferenz
zwischen der Öffnung und durch die vom Targetelektrodenhal
ter 4 ausgeübte Kraft verschließt. Wenn die Targetelektrode
3 gewechselt wird, wird die Targetwechselkammer 2 durch eine
(nicht dargestellte) Vakuumpumpe evakuiert. Wenn der Target
elektrodenhalter 4 abgesenkt wird, nachdem der Druck in der
Targetwechselkammer 2 im wesentlichen mit demjenigen im Va
kuumgefäß 1 in Übereinstimmung gebracht wurde, wird die Tar
getelektrode 3 vom Vakuumgefäß 1 gelöst und durch die (in
Fig. 2 nicht dargestellten) Beförderungsschienen gehalten.
Ein Verfahren zum Wechseln der Targetelektrode 3 wird nun
unter Bezugnahme auf Fig. 1 beschrieben. Wenn die Target
elektrode 3 im Vakuumgefäß 1 befestigt ist, wird eine Wech
seltür 9 geöffnet, nachdem zuvor überprüft wurde, ob der
Druck in der Targetwechselkammer 2 im wesentlichen mit dem
Atmosphärendruck übereinstimmt. Eine neue, einzuwechselnde
Targetelektrode 3′ wird auf die untere Beförderungsschiene
6 gesetzt. Die Wechseltür 9 wird dann vor dem Evakuieren der
Targetwechselkammer 2 geschlossen. Nach dem Evakuieren wird
die Oberfläche der neuen, für das Auswechseln bestimmten
Targetelektrode 3′ durch einen Heizer 7 erhitzt, um Gas von
der neuen Targetelektrode 3′ auszutreiben. Anschließend wird
die obere Beförderungsschiene 6 in eine Aufnahmeposition
gerade unter dem Vakuumgefäß 1 bewegt. Wenn bei dieser An
ordnung der Targetelektrodenhalter 4 abgesenkt wird, bewegt
sich auch die Targetelektrode 3 zusammen mit dem Halter nach
unten, bis sie schließlich von der oberen Beförderungsschie
ne 6 gehalten wird. Der Targetelektrodenhalter 4 wird dann
weiter bis zu einer Stellung unterhalb der Beförderungs
schiene 6 abgesenkt. Die losgelöste Targetelektrode 3 wird
nach rechts bewegt. Das Wasser in der Targetelektrode 3 muß
abgelassen werden, bevor diese gelöst wird. Es kann dadurch
vollständig aus dem Inneren der Targetelektrode 3 entfernt
werden, daß die Zufuhr von Kühlwasser beendet wird und dann
trockene Luft anstatt des Kühlwassers in die Targetelektrode
geführt wird. Anschließend wird die Luft in der Elektrode
evakuiert, damit keine Luft in die Targetwechselkammer 2
eintreten kann, wenn die Targetelektrode 3 vom Targetelek
trodenträger 4 getrennt wird.
Die losgelöste Targetelektrode 3 wird entfernt, bevor die
neue, einzuwechselnde Targetelektrode 3′ in die Stellung ge
rade unter dem Vakuumgefäß 1 verfahren wird. Dann wird der
Targetelektrodenhalter 4 angehoben, um die Targetelektrode
3′ wieder in einer vorgegebenen Stelle im Vakuumgefäß 1 zu
befestigen. Das Innere der Targetelektrode 3′ wird dann
wieder gekühlt, der Druck in der Targetwechselkammer 2 wird
wieder im wesentlichen auf Atmosphärendruck eingestellt, und
die Targetelektrode 3 wird der Targetwechselkammer 2 entnom
men. Auf diese Weise wird das Auswechseln einer Targetelek
trode beendet.
Der in Fig. 2 dargestellte Aufbau veranschaulicht ein Bei
spiel, bei dem die Targetelektrode 3 und Masseabschirmungen
12 miteinander vereint sind, so daß die Masseabschirmungen
12 zusammen mit der Targetelektrode ausgewechselt werden,
wenn diese, wie unter Bezugnahme auf Fig. 1 beschrieben,
ausgewechselt wird. Auf ähnliche Weise kann eine Adhäsions
verhinderungsplatte zum Verhindern der Adhäsion der Aufstäubungsschicht
integral mit der Targetelektrode 3 ausgebildet sein.
In diesem Fall kann die Adhäsionsverhinderungsplatte ausge
tauscht werden, ohne daß das die Schichtbildungskammer darstel
lende Vakuumgefäß 1 mit der Atmosphäre verbunden wird.
Bei dem in Fig. 1 dargestellten Aufbau wird der Heizer 7 in
der Targetwechselkammer 2 dazu verwendet, Gas von der einzu
wechselnden Targetelektrode 3′ auszutreiben. Mit Hilfe eines
Zerstäubungsreinigungsmechanismus in der Targetwechselkammer 2 ist es
jedoch auch möglich, die Oberfläche der Targetelektrode 3′
in der Targetwechselkammer 2 zu reinigen und die gereinigte
Targetelektrode, so wie sie ist, im Vakuumgefäß zu befesti
gen.
Bei der Anordnung gemäß den Fig. 1 und 2 wird der Substrat
träger horizontal verschoben, da es sich um Aufstäuben nach
oben handelt, jedoch kann der Substratträger auch vertikal
bewegt werden, wenn seitwärts aufgestäubt wird. Auch in die
sem Fall kann die Targetelektrode ausgewechselt werden, ohne
daß die filmbildende Kammer mit der Atmosphäre verbunden
wird.
Der vorstehend beschriebene Fall ist aus Fig. 3A ersicht
lich. Wie in der Figur dargestellt, wird die auf der Beför
derungsschiene beförderte Targetelektrode 3 mit dem Vakuum
gefäß 1 über eine Targetelektroden-Spanneinrichtung 20 ver
bunden. Das obere Ende der Spanneinrichtung 20 ist mit einer
Gewindeschraube versehen, die in die Rückseite der Target
elektrode 3 geschraubt ist, so daß die Targetelektrode
selbst dann genau positioniert werden kann, wenn sie verti
kal am Vakuumgefäß befestigt ist. Fig. 3B zeigt den Zustand,
in dem die Targetelektrode 3 am Vakuumgefäß 1 befestigt ist.
Bei diesem Ausführungsbeispiel werden beide Funktionen des
Zuführens von Kühlwasser und des Herstellens elektrischer
Anschlüsse von Hand ausgeführt, was einen Unterschied zum
Ausführungsbeispiel von Fig. 1 darstellt. Dementsprechend
ist der Aufbau der Targetwechselkammer 2 vereinfacht.
Wie oben angegeben, ermöglichen es die erfindungsgemäßen
Ausführungsbeispiele dadurch, daß das die filmbildende Kam
mer darstellende Vakuumgefäß nicht mit der Atmosphäre ver
bunden wird, eine Schicht guter Qualität gesichert herzustellen,
so daß also die Zuverlässigkeit der Vorrichtung erhöht ist
und auch die Herstellausbeute zunimmt. Da sich die Neu
startzeitspanne nach dem Verbinden der schichtbildenden Kammer
mit der Atmosphäre verkürzen läßt, wird die Nutzungszeit der
Vorrichtung deutlich erhöht. Da ein Target für eine Art von
Schicht ausreicht, ist es nicht erforderlich, die Vorrichtung
mit großen Abmessungen auszubilden. Dementsprechend kann die
Anzahl von Spannungsquellen und dergleichen erheblich ver
ringert werden, wodurch die Abmessungen der Vorrichtung
kleiner werden.
Die Fig. 4A und 4B zeigen einen Aufbau, wie er für eine Va
kuumkammer in einer normalen Anlage zur kontinuierlichen Aufstäubung re
präsentativ ist. Wie aus den Zeichnungen ersichtlich, weist
die Vorrichtung folgende Teile auf: eine Zuführkammer 31,
eine Heizkammer 32, eine Aufstäubungsreinigungskammer 33, eine
Schichtbildungskammer 1, eine Kühlkammer 34 und eine Entnahme
kammer 35. Jede Vakuumkammer ist von den benachbarten Kam
mern durch Torventile 36 getrennt. Die Heizkammer 32, die
Aufstäubungsreinigungskammer 33, die schichtbildende Kammer 1 und
die Kühlkammer 34 werden immer evakuiert gehalten. Im Fall
normaler Schichtbildung steht die Zuführkammer 31 mit der At
mosphäre in Verbindung. Ein Substratträger 10, auf dem ein
Substrat 50 befestigt ist, wird in ihr angeordnet. Luft wird
aus der Zuführkammer 31 ausgepumpt. Nach diesem Auspumpen
wird das Torventil 36 geöffnet, und der Substratträger 10
wird durch einen Beförderungsmechanismus 37 in die Heizkam
mer 32 bewegt. In der Heizkammer 32 wird das Substrat durch
einen Heizer 58 wie eine Heizlampe oder einen Wirbelstrom
heizer erhitzt, um Gas vom Substrat auszutreiben. Anschlie
ßend wird der Substratträger in die Aufstäubungsreinigungskammer
33 bewegt. Dort wird dem Substratträger 10 Hochfrequenz-
oder Gleichstromenergie über eine Aufstäubungs-Spannungsversor
gung 39 zugeführt, und die Substratoberfläche wird durch
Aufstäuben mit Prozeßgas gereinigt. Anschließend wird der Sub
stratträger 10 mit Hilfe des Beförderungsmechanismus 37 zur
Schichtbildung in die schichtbildende Kammer verschoben. Nach der
Schichtbildung wird der Substratträger 10 in die Kühlkammer 34 und
dann in die Entnahmekammer 35 verschoben. Wenn der Substrat
träger 10 in die Entnahmekammer 35 bewegt ist, wird diese
mit der Atmosphäre verbunden, und dann wird der Träger 10
entnommen. Die Anlage zur kontinuierlichen Aufstäubung ist so ausgebil
det, daß ein Substratträger nach dem anderen in vorgegebenem
zeitlichem Abstand zugeführt wird und die Schichtbildung quasi
kontinuierlich abläuft.
Ein Verfahren zum Wechseln eines Target gemäß der Erfindung
beim obigen Aufbau der Vakuumkammern wird nun unter Bezug
nahme auf die Fig. 5A und 5B beschrieben.
Beim dargestellten Ausführungsbeispiel ist eine Targetwech
selkammer 2 an den Rückseiten der Aufstäubungsreinigungskammer 33
und der schichtbildenden Kammer 1 vorhanden. Die Targetwechsel
kammer 2 ist von der Aufstäubungsreinigungskammer 33 durch das
Torventil 36 und von der schichtbildenden Kammer 1 durch die
Targetelektrode 3 getrennt. Die Targetwechselkammer 2 ver
fügt über einen Targethalter 22 und Klappen 38, durch die die
ausgewechselte Targetelektrode 3 entnommen wird. Wenn die
Klappen 38 geschlossen sind, wird die Targetwechselkammer 2
mit einer (nicht dargestellten) Vakuumpumpe evakuiert.
Anstelle des Substrathalters 10 wird die auf dem Targethal
ter 22 befestigte Elektrode 3 in die Zuführkammer 31 gege
ben. Nach Abpumpen der Luft aus der Zuführkammer 31 wird der
Targethalter 22 mit Hilfe des Beförderungsmechanismus 37 in
die Heizkammer 32 bewegt. In dieser wird die Oberfläche der
Targetelektrode 3 zum Austreiben von Gas in der Targetelek
trode beheizt, entsprechend dem Austreiben von Gas aus einem
Substrat. Anschließend wird die Targetelektrode 3 in die
Aufstäubungsreinigungskammer 33 bewegt, und dort wird die Target
oberfläche gereinigt, entsprechend wie das Reinigen der Sub
stratoberfläche erfolgte. Nach diesem Reinigen wird die Luft
in der Targetwechselkammer 2 abgepumpt, und sie wird dann
mit der Sputterreinigungskammer 33 durch Öffnen des Torven
tils 36 zwischen diesen beiden Kammern verbunden. Die Tar
getelektrode 3 wird mit Hilfe einer Halterbeförderungsein
richtung 39 in eine bestimmte Position (22-a) in der Target
wechselkammer 2 verfahren. Danach wird das Torventil 36 ge
schlossen. Wie in Fig. 5B dargestellt, wird die Targetelek
trode 3 durch einen Halter 41 für die Targetelektrode dem
Targethalter 22 entnommen und in eine Position eines Beför
derungsmechanismus 37′ abgesenkt, die in der Höhe der Tar
getbefestigung liegt. Anschließend wird die Targetelektrode
3 durch den Beförderungsmechanismus 37′ in eine hintere Po
sition (3-a) in der Schichtbildungskammer 3 verfahren. An
schließend wird das Auswechseln der Targetelektrode mit ähn
lichen Abläufen ausgeführt, wie sie anhand des Ausführungs
beispiels von Fig. 1 erläutert wurden. Nach dem Auswechseln
der Targetelektrode wird die Targetwechselkammer 2 mit der
Atmosphäre verbunden, und die ausgewechselte Targetelektrode
3 und der Targethalter 22 werden entnommen. Wie oben be
schrieben, kann die Targetelektrode ausgewechselt werden,
ohne daß die schichtbildende Kammer 1 mit der Atmosphäre ver
bunden wird.
Da bei diesem Ausführungsbeispiel das Ausgasen und das Vor
sputtern der Targetelektrode nicht getrennt vom Schichtbil
dungsprozeß ablaufen können, muß die Vorrichtung während des
Gasaustreibens und Vorsputterns angehalten werden, was ihre
Einsatzzeit erniedrigt. Dem steht der Vorteil gegenüber, daß
es nicht erforderlich ist, einen Heizer für das Gasaustrei
ben, einen Zerstäubungsreinigungsmechanismus und eine Zerstäubungsreinigungsspan
nungsquelle in der Targetwechselkammer 2 anzuordnen, was die
Herstellkosten für die Vorrichtung verringert und es ermög
licht, die Abmessungen der Vorrichtung zu verkleinern.
Es wird nun ein weiteres Ausführungsbeispiel eines erfin
dungsgemäßen Verfahrens zum Auswechseln eines Targets im
Vakuum unter Bezugnahme auf die Fig. 6A und 6B beschrieben.
Fig. 6A zeigt den Fall, daß die Targetelektrode 3 mit der
Filmbildungskammer 1 der Anlage zur kontinuierlichen Aufstäubung gemäß
Fig. 4 durch eine Spanneinrichtung 41 verbunden ist. Während
des Auswechselns der Targetelektrode 3 ist ein Target-Wech
selhalter 40 mit der Rückseite der Targetelektrode 3 verbun
den. Der Targetwechselhalter 40 bildet einen Teil der Wand
des Vakuumgefäßes. Nach dem Befestigen der Targetelektrode 3
wird die Luft in einem Raum 51 zwischen dem Target-Wechsel
halter 40 und der Elektrode durch eine (nicht dargestellte)
Pumpe abgepumpt. Anschließend wird die Spanneinrichtung 41
gelöst, wodurch die Targetelektrode 3 vom Target-Wechselhal
ter 40 gehalten wird und dann vom Vakuumgefäß abgehoben
wird. Wie in Fig. 5A dargestellt, wird die Targetelektrode 3
anschließend mit Hilfe des Beförderungsmechanismus 37 von
der Zuführkammer 31 in die Heizkammer 32, die Sputterreini
gungskammer 33 und die schichtbildende Kammer 1 transportiert.
Dabei ist die Targetelektrode 3 mit Hilfe des Target-Wech
selhalters 40 an einem Targethalter 52 befestigt, wie durch
Fig. 6B veranschaulicht. Anschließend wird der Target-Wech
selhalter 40 von der Targetelektrode 3 gelöst. Der Target
halter 52 mit der auf ihm befestigten Targetelektrode 3 wird
in die Kühlkammer 34 und dann in die Entnahmekammer 35 ver
schoben und aus dieser entnommen.
Anschließend wird der Targethalter 52 mit einer neuen an ihm
befestigten Targetelektrode 3 in die Zuführkammer 31 einge
führt.
Wie zuvor unter Bezugnahme auf das Ausführungsbeispiel der
Fig. 5A und 5B erläutert, wird die Targetelektrode 3 nach
dem Austreiben von Gas aus ihr und dem Reinigen ihrer Ober
fläche durch Aufstäuben in die schichtbildende Kammer 1 transpor
tiert und dort mit Hilfe von Abläufen befestigt, die umge
kehrt zu den Abläufen des Lösens einer Targetelektrode sind.
Nach dem Befestigen der Targetelektrode 3 wird der Target-
Wechselhalter 40 von der Targetelektrode getrennt, wodurch
diese eine Stellung einnimmt, in der sie zum Aufstäuben be
reitsteht.
Bei diesem Ausführungsbeispiel ist die Targetwechselkammer
2 entbehrlich, wodurch weiteres Verringern der Abmessungen
und Kostenerniedrigung für die Vorrichtung erzielbar sind.
Wie oben beschrieben, kann bei der Erfindung eine Target
elektrode im Vakuum ausgetauscht werden, ohne daß die Schicht
bildungskammer mit der Atmosphäre verbunden wird. Da demge
mäß ein Neustart für die Vorrichtung nicht erforderlich ist,
führt die Erfindung dazu, daß die Einsatzzeit der Vorrich
tung deutlich erhöht wird.
Claims (8)
1. Aufstäubungsvorrichtung mit einem Vakuumgefäß (1), in
dem ein Substrathalter (10) und eine diesem gegenüberliegende,
mit einem Target (18) versehene Targetelektrode (3) angeordnet
ist, mit einer dem Vakuumgefäß (1) benachbart angeordneten
Targetwechselkammer, die mit dem Vakuumgefäß (1)
durch eine vakuumdicht verschließbare Öffnung zum Austausch
von Targets (18) verbunden ist, wobei die Targetelektrode (3)
zum Verschließen der Öffnung dient.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
Einrichtungen (4, 6) in der Targetwechselkammer (2) vorgesehen
sind, mittels der eine verbrauchte Targetelektrode (3)
durch eine neue Targetelektrode (3′) ersetzbar ist.
13. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß zwischen der Targetelektrode (3)
und dem darauf angebrachten Target (18) eine Magnetfelderzeugungseinrichtung
(17) angeordnet ist, um mit einem Magnetron
ein magnetisches Feld auf der Oberfläche des Targets (18) zu
erzeugen.
4. Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
daß zwischen der Targetelektrode (3) und dem darauf
angebrachten Target (18) ein Kühlwassereinführabschnitt vorgesehen
ist.
5. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß die Targetwechselkammer (2) eine
Ersatzelektrode (3′) aufnimmt, die eine Targetplatte, eine
Magnetfelderzeugungseinrichtung und einen Kühlwassereinführabschnitt
aufweist.
6. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß
die Einrichtungen zum Wechseln der Targetelektroden (3) einen
Targetelektrodenhalter (4) sowie bewegbare Schienen (6) umfassen.
7. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß
der Targetelektrodenhalter (4) eine konzentrisch zur Öffnung
zwischen Vakuumgefäß (1) und Targetwechselkammer (2) ausgerichtete
Vorschubeinrichtung umfaßt und eine erste Schiene
(6) derart verschiebbar ist, daß sie die verbrauchte Targetelektrode
(3) in einer ersten Stellung der Vorschubeinrichtung
(4) übernimmt und mittels einer zweiten Schiene (6) der
in einer zweiten Stellung befindlichen Vorschubeinrichtung
(4) eine neue Targetelektrode (3′) zuführbar ist.
8. Verfahren zum Wechseln einer Targetelektrode (3) in einer
Aufstäubungsvorrichtung nach einem der vorhergehenden
Ansprüche, gekennzeichnet durch folgende Schritte:
- - Evakuieren der Targetwechselkammer (2), die eine neue Targetelektrode (3′) enthält,
- - Entfernen der alten Targetelektrode (3) von der Öffnung zwischen Targetwechselkammer (2) und Vakuumgefäß (1),
- - Anordnen der neuen Targetelektrode (3′) in der Öffnung, um diese vakuumdicht zu verschließen,
- - Verbinden der Targetwechselkammer (2) mit der Umgebung und
- - Entfernen der alten Targetelektrode (3) aus der Targetwechselkammer (2) und Einsetzen einer neuen Targetelektrode in dieselbe.
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