JPS6220873A - 光ｃｖｄ薄膜製造の装置および方法 - Google Patents
光ｃｖｄ薄膜製造の装置および方法Info
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- JPS6220873A JPS6220873A JP16081585A JP16081585A JPS6220873A JP S6220873 A JPS6220873 A JP S6220873A JP 16081585 A JP16081585 A JP 16081585A JP 16081585 A JP16081585 A JP 16081585A JP S6220873 A JPS6220873 A JP S6220873A
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- JP
- Japan
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- window glass
- film
- thin film
- formation
- gate valve
- Prior art date
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Metallurgy (AREA)
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- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、光ＣＶＤ法（光励起化学堆積法）による薄膜
製造装置および薄膜製造方法に関する。
製造装置および薄膜製造方法に関する。
［従来技術］
薄膜を形成する場合、光ＣＶＤ法はその多くの利点の故
に頻繁に用いられる。従来の光ＣＶＤ薄膜製造装置の概
略断面図を第２図に示す。この装置は、図面の右側から
試料亭備室＋、ｐ層成膜室２、ｎ層成膜室３、ｎ層成膜
室４、試料取出室５を有する３室分離型光ＣＶＤ薄膜製
造装置である。
に頻繁に用いられる。従来の光ＣＶＤ薄膜製造装置の概
略断面図を第２図に示す。この装置は、図面の右側から
試料亭備室＋、ｐ層成膜室２、ｎ層成膜室３、ｎ層成膜
室４、試料取出室５を有する３室分離型光ＣＶＤ薄膜製
造装置である。
それぞれの室はゲートバルブ６によって仕切られている
。室２．３および４それぞれには、原料ガス注入ライン
７およびガス排気ライン８が接続され、原料ガスの注入
および排気が別個に行なえる。
。室２．３および４それぞれには、原料ガス注入ライン
７およびガス排気ライン８が接続され、原料ガスの注入
および排気が別個に行なえる。
光源９（例えば、低圧水銀ランプ）が成膜室外に設置さ
れ、光が成膜室内の試料に照射されるように、ランプに
面する室の壁は窓ガラスＩＯになっている。試料台１１
の上に、薄膜を付着すべき基板１２が配置されている。
れ、光が成膜室内の試料に照射されるように、ランプに
面する室の壁は窓ガラスＩＯになっている。試料台１１
の上に、薄膜を付着すべき基板１２が配置されている。
基板上に薄膜を形成する場合、窓の表面にも膜が形成す
る。窓ガラス表面に膜が形成すると、その膜によって光
の透過度が低下することに起因して、薄膜の形成効率が
悪くなる。膜の付着を防止するために、窓ガラス内面に
パープロロポリエーテルを塗布した場合、ある程度の効
果がみられるが、長時間成膜を行った場合、窓ガラス内
面に膜が形成する。よって、数千オングストローム程度
までの薄膜が形成する一定時間の後に、窓ガラス表面か
ら薄膜を除去する必要がある。この薄膜除去は、成膜室
全体を大気圧にした後、行う。しかし、成膜室を大気圧
にした場合に、大気中の不純物（例えば、水蒸気）が成
膜室内に侵入して付着し、その後に形成する薄膜の膜質
に悪影響を与える。
る。窓ガラス表面に膜が形成すると、その膜によって光
の透過度が低下することに起因して、薄膜の形成効率が
悪くなる。膜の付着を防止するために、窓ガラス内面に
パープロロポリエーテルを塗布した場合、ある程度の効
果がみられるが、長時間成膜を行った場合、窓ガラス内
面に膜が形成する。よって、数千オングストローム程度
までの薄膜が形成する一定時間の後に、窓ガラス表面か
ら薄膜を除去する必要がある。この薄膜除去は、成膜室
全体を大気圧にした後、行う。しかし、成膜室を大気圧
にした場合に、大気中の不純物（例えば、水蒸気）が成
膜室内に侵入して付着し、その後に形成する薄膜の膜質
に悪影響を与える。
［発明の目的］
本発明の目的は、かかる欠点のない薄膜製造装置および
製造方法を提供することにある。
製造方法を提供することにある。
［発明の構成］
本発明の要旨は、窓ガラスを完全に遮蔽するようにゲー
トバルブが成膜室と窓ガラスの間に設けられていること
を特徴とする光ＣＶＤ薄膜製造装置に存する。ゲートバ
ルブと窓ガラスによってはさまれる室には真空ラインが
接続されていることが好ましい。
トバルブが成膜室と窓ガラスの間に設けられていること
を特徴とする光ＣＶＤ薄膜製造装置に存する。ゲートバ
ルブと窓ガラスによってはさまれる室には真空ラインが
接続されていることが好ましい。
本発明の別の要旨は、窓ガラスを完全にｇ蔽するように
ゲートバルブが成膜室と窓ガラスの間に設けられている
光ＣＶＤ薄膜製造装置において、ゲートバルブを閉め、
成膜質を真空にしたまま窓ガラスを掃除することを特徴
とする薄膜製造法に存する。窓ガラスを掃除した後に、
低蒸気圧であり紫外線を透過する物質（例えば、パープ
ロロポリエーテル）を窓ガラスに塗布することが好まし
い。
ゲートバルブが成膜室と窓ガラスの間に設けられている
光ＣＶＤ薄膜製造装置において、ゲートバルブを閉め、
成膜質を真空にしたまま窓ガラスを掃除することを特徴
とする薄膜製造法に存する。窓ガラスを掃除した後に、
低蒸気圧であり紫外線を透過する物質（例えば、パープ
ロロポリエーテル）を窓ガラスに塗布することが好まし
い。
添付図面を参照して本発明を説明する。
第１図は、本発明の好ましい態様の光ＣＶＤ薄膜製造装
置の概略断面図を示す。尚、本発明は、以下の態様に限
定されるものではない（例えば、成膜室の数は３てなく
てもよい）。この装置は、第１図の装置と同様に、試料
準備室１、ｎ層成膜室２、ｉ層成膜室３、ｎ層成膜室４
、試料取出室５、ゲートバルブ６、原料ガス注入ライン
７、ガス排気ライン８、光源９、窓ガラスＩＯおよび試
料台１１から構成されている。薄膜を形成すべき基板１
２が試料台１１の上に配置されている。本発明の装置は
、窓ガラスＩＯと試料台１１の間にもケートバルブ２０
を有する。室２，３および４において、ゲートバルブ２
０によって仕切られる窓ガラス側の室には、それぞれ真
空ライン２１が接続されている。薄膜を形成する間、ゲ
ートバルブ２０は開状態である。成膜を終了した後、ゲ
ートバルブ２０を閉じ、窓ガラス側の室を大気圧に戻し
、窓ガラス１０を外し、掃除する。窓ガラスＩＯの薄膜
を除去した後、窓ガラス１０を元の状態に据え付け、真
空ライン２１によって窓ガラス側の室を真空にした後、
ゲートバルブ２０を開き、光源が基板に照射される状態
に戻す。こうした後、次の薄膜形成工程を行なう。
置の概略断面図を示す。尚、本発明は、以下の態様に限
定されるものではない（例えば、成膜室の数は３てなく
てもよい）。この装置は、第１図の装置と同様に、試料
準備室１、ｎ層成膜室２、ｉ層成膜室３、ｎ層成膜室４
、試料取出室５、ゲートバルブ６、原料ガス注入ライン
７、ガス排気ライン８、光源９、窓ガラスＩＯおよび試
料台１１から構成されている。薄膜を形成すべき基板１
２が試料台１１の上に配置されている。本発明の装置は
、窓ガラスＩＯと試料台１１の間にもケートバルブ２０
を有する。室２，３および４において、ゲートバルブ２
０によって仕切られる窓ガラス側の室には、それぞれ真
空ライン２１が接続されている。薄膜を形成する間、ゲ
ートバルブ２０は開状態である。成膜を終了した後、ゲ
ートバルブ２０を閉じ、窓ガラス側の室を大気圧に戻し
、窓ガラス１０を外し、掃除する。窓ガラスＩＯの薄膜
を除去した後、窓ガラス１０を元の状態に据え付け、真
空ライン２１によって窓ガラス側の室を真空にした後、
ゲートバルブ２０を開き、光源が基板に照射される状態
に戻す。こうした後、次の薄膜形成工程を行なう。
［発明の効果］
本発明の利点は、大気中の水蒸気などが成膜室内に、特
に基板に付着する可能性が非常に低減されることである
。成膜すべき基板が大気にさらされず、成膜室の一部分
だけが大気にさらされるからである。
に基板に付着する可能性が非常に低減されることである
。成膜すべき基板が大気にさらされず、成膜室の一部分
だけが大気にさらされるからである。
本発明は、あらゆる光ＣＶＤ薄膜製造に有用であるが、
太陽電池製造、感光体製造およびセンサー製造において
特に有用である。
太陽電池製造、感光体製造およびセンサー製造において
特に有用である。
［実施例］
以下に実施例を示す。
実施例
第１図の装置を用いて、ガラスからなる基板上に、ａ−
８ｉＧｃ：Ｉ−１膜を形成した。原料ガスとして、Ｓｌ
［Ｉ４ガスおよび１０体積％Ｇ ｅｌｆ ４（９０体積
％１−１２）ガスの混合物を用いた。成膜条件は以下の
通りであった。
８ｉＧｃ：Ｉ−１膜を形成した。原料ガスとして、Ｓｌ
［Ｉ４ガスおよび１０体積％Ｇ ｅｌｆ ４（９０体積
％１−１２）ガスの混合物を用いた。成膜条件は以下の
通りであった。
原料ガス流量：２００ｃｃ／分
基板温度（Ｔｓ）＋２００°Ｃ
光源、低圧水銀ランプ
成膜特産カニ５Ｔｏｒｒ
水銀温度＝６０°Ｃ
成膜時間＝６０分間
成膜室でａ−９ｉＧｅ：Ｈを数回以上くりかえして成膜
室内をａ−８ｉＧｅ：Ｈの雰囲気した後のａ −Ｓ ｉ
Ｇ ｅ ： Ｉ（について評価した。
室内をａ−８ｉＧｅ：Ｈの雰囲気した後のａ −Ｓ ｉ
Ｇ ｅ ： Ｉ（について評価した。
形成したａ−８ｉＧｅ：ＩＩ薄膜の厚さは０３ミクロン
であった。この薄膜の光電特性を測定した。
であった。この薄膜の光電特性を測定した。
第３図に、導電率（Δσｐｈ（光照射時の導電率変化分
）およびσｄ（暗導電率））とエネルギーギャップ（ｇ
ｇ）の関係を示す。
）およびσｄ（暗導電率））とエネルギーギャップ（ｇ
ｇ）の関係を示す。
比較例
第１図の装置に代えて第２図の装置を用いる以外は実施
例を繰り返した。成膜室を大気にさらした後に成膜を行
った薄膜の厚さは実施例と同様に０３ミクロンであった
。この薄膜の光電特性の結果をも第３図に示す。
例を繰り返した。成膜室を大気にさらした後に成膜を行
った薄膜の厚さは実施例と同様に０３ミクロンであった
。この薄膜の光電特性の結果をも第３図に示す。
第３図の結果から、本発明の装置を用いた場合には、従
来の装置を用いた場合よりも優れた光電特性か得られる
ことがわかる。
来の装置を用いた場合よりも優れた光電特性か得られる
ことがわかる。
第１図は、本発明の好ましい態様の装置を示す概略断面
図、 第２図は、従来の装置を示す概略断面図、第３図は、光
電特性を示すグラフである。 １・試料準備室、２，３．４・・成膜室、５・・試料取
出室、６．２０・・ケートバルブ、７ 原料ガス注入ラ
イン、８・ガス排気ライン、９ 光源、ｌＯ窓ガラス、
１１・試料台、１２・括仮、２１・・・真空ライン。 特許出願人 住友電気工業株式会社 代 理 人 弁理士 前出 葆 ほか２名第１図 第３図 Δ ム：定侯シ列 ＯＱ：比唆牙］
図、 第２図は、従来の装置を示す概略断面図、第３図は、光
電特性を示すグラフである。 １・試料準備室、２，３．４・・成膜室、５・・試料取
出室、６．２０・・ケートバルブ、７ 原料ガス注入ラ
イン、８・ガス排気ライン、９ 光源、ｌＯ窓ガラス、
１１・試料台、１２・括仮、２１・・・真空ライン。 特許出願人 住友電気工業株式会社 代 理 人 弁理士 前出 葆 ほか２名第１図 第３図 Δ ム：定侯シ列 ＯＱ：比唆牙］
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、窓ガラスを完全に遮蔽するようにゲートバルブが成
膜室と窓ガラスの間に設けられていることを特徴とする
光ＣＶＤ薄膜製造装置。 ２、窓ガラスとゲートバルブによってはさまれる室には
真空ラインが接続されている第１項記載の薄膜製造装置
。 ３、窓ガラスを完全に遮蔽するようにゲートバルブが成
膜室と窓ガラスの間に設けられている光ＣＶＤ薄膜製造
装置において、ゲートバルブを閉め、成膜室を真空にし
たまま窓ガラスを掃除することを特徴とする薄膜製造法
。 ４、窓ガラスを掃除した後に、低蒸気圧であり紫外線を
透過する物質を窓ガラスに塗布する第３項記載の薄膜製
造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16081585A JPS6220873A (ja) | 1985-07-19 | 1985-07-19 | 光ｃｖｄ薄膜製造の装置および方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16081585A JPS6220873A (ja) | 1985-07-19 | 1985-07-19 | 光ｃｖｄ薄膜製造の装置および方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6220873A true JPS6220873A (ja) | 1987-01-29 |
Family
ID=15723018
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16081585A Pending JPS6220873A (ja) | 1985-07-19 | 1985-07-19 | 光ｃｖｄ薄膜製造の装置および方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6220873A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6237081U (ja) * | 1985-08-20 | 1987-03-05 | ||
| JPH0259404A (ja) * | 1988-08-24 | 1990-02-28 | Mitsubishi Metal Corp | 超伝導体の製造装置 |
| US5429729A (en) * | 1989-11-29 | 1995-07-04 | Hitachi, Ltd. | Sputtering apparatus, device for exchanging target and method for the same |
-
1985
- 1985-07-19 JP JP16081585A patent/JPS6220873A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6237081U (ja) * | 1985-08-20 | 1987-03-05 | ||
| JPH0259404A (ja) * | 1988-08-24 | 1990-02-28 | Mitsubishi Metal Corp | 超伝導体の製造装置 |
| US5429729A (en) * | 1989-11-29 | 1995-07-04 | Hitachi, Ltd. | Sputtering apparatus, device for exchanging target and method for the same |
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