JPH10140360A - プラズマ処理方法及びその装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】基板の表面へバイアススパッタ或いはＣＶＤに
よる薄膜形成、エッチング加工及び加熱等のプラズマ処
理を行う場合に、特に基板が導電体でない場合にも外部
から直接バイアス電圧を印加しなくとも、基板にバイア
ス電位を発生させ、イオン入射を利用したプラズマ処理
を行う方法とその装置を提供する。 【解決手段】真空装置内に載置された基板と対向して電
極を設け、電極と基板の電極側表面とを非接触とし、か
つプラズマが発生しない間隔以下にし、基板とプラズマ
を発生させる高周波回路とを電気的に絶縁された状態で
あるようにする。基板表面に電極を接触させることな
く、基板の表面に電界を発生させ、イオン入射を起こす
ことが可能であり、従来のように基板への電極の接触点
で電流が集中し、膜の蒸発とそれにともなう異常放電
や、バイアス印加不良が発生しない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば被処理基板
へのバイアススパッタ或いはＣＶＤによる薄膜形成、エ
ッチング加工及び加熱等のプラズマ処理を行う方法とそ
の装置に係わり、特に基板が導電体でない場合、或いは
基板に導電体を接触させることによる電気的な制御を行
わない場合にも、好適な基板へのプラズマ処理を行う方
法とその装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】磁気ディスクに代表される基板へのバイ
アススパッタによる薄膜形成を行うには、例えば特開平
３−２８３１１１号公報に記載されているように、対向
した二つのターゲット電極の中間に、表面をそれぞれの
ターゲット電極に向けて導電体基板を載置し、それぞれ
のターゲット電極に負電位を印加してターゲット電極上
にプラズマを発生させ、プラズマ中のイオンによりター
ゲット表面をスパッタし、飛散したターゲット材料から
成る粒子を基板表面に付着させる方法が知られている。
また、このとき基板保持機構に交流または負の直流電位
を印加することで、基板縁部に接触する導電体の保持爪
を介し、基板に交流または負の直流電位を印加する方法
が知られている。

【０００３】また、例えば特開平４−７９０２５号公報
に記載されているように、基板が絶縁体である場合に
は、基板表面にあらかじめ導電性膜を形成することで、
基板表面と導電性の保持爪との間に電気的接触を得る方
式も知られている。この保持爪を介して基板表面に与え
るバイアス電位により、プラズマ中のイオンは基板表面
にも衝突し、そのエネルギを成膜されている表面分子に
与え、形成する膜の結晶性を高め、磁気特性向上に効果
があることも知られている。

【０００４】さらに例えば特開平５−１４０７５２号公
報に記載されている様に、従来、プラズマＣＶＤによる
基板両面への炭素膜形成法は、前記二つの従来例と同様
に基板保持機構に基板を載置し、基板保持用爪との接触
により基板と電気的導通を得ている。この基板保持機構
を接地し、基板を挟んで対向する二つの電極を真空容器
に配置し、真空容器内を高真空に排気した後、成膜原料
ガスとしてメタン等の処理ガスを所定の圧力導入する。
前記二つの電極それぞれに高周波電源を接続し、接地電
位との間に高周波電力を印加する。各電極と基板との間
には印加された高周波電位によりプラズマが発生し、高
周波電源からは順次、→電極→プラズマ→基板→基板保
持機構→アース→高周波電源という経路の高周波電流が
流れ、基板とプラズマ間に電位差が発生する。この時、
イオン化した処理ガスが、基板表面に発生する電界によ
り加速され、基板表面に衝突することによって、基板表
面に高強度の炭素膜を形成するものである。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、これらの例で
は第一に基板がガラス等の絶縁材料である場合、基板保
持機構と基板間に電流が流れないので基板表面とプラズ
マ間には電位差が発生せず、従って成膜面に対するイオ
ン衝撃による膜質向上効果または成膜効果は期待できな
い。成膜する材料が金属等の導電性膜である場合、成膜
処理を行うことで基板表面は導電性になるが、基板保持
機構と基板との接触点の周りは陰になるため、接触点の
周囲には導電性膜が成膜されない。このため、基板保持
機構と基板は電気的接触ができず、基板表面にバイアス
電位を発生させることはできない。

【０００６】また、第二に特開平４−７９０２５号公報
に記載されているように、絶縁体基板表面にあらかじめ
導電性膜を形成する方法では成膜行程が複雑になるだけ
ではなく、保持爪と基板との間の接触はごく微少な面積
であり、そこに集中する電流により導電性膜が急激に加
熱され、しばしば蒸発し、電気的な接触不良を起こした
り、基板を損傷するという問題があった。

【０００７】従って、本発明の目的は、これら従来の問
題点を解決することにあり、基板保持機構を介して外部
から被処理基板へ直接的にバイアス電位を与えなくと
も、実質的に被処理基板にバイアス電位を与えたのと等
価の効果が得られ、バイアススパッタ或いはＣＶＤによ
る薄膜形成、エッチング加工及び加熱等のプラズマ処理
を行える方法、及びそれを実現する処理装置を提供する
ことにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】第一の課題を解決するた
めには、電極と基板の電極側表面との間隔（以下、基板
の電極と反対側の面を基板のＡ面、基板の電極側面をＢ
面と表記する。基板のＡ面がプラズマ処理される面であ
る）をプラズマが発生しない間隔に保つことで達成でき
る。プラズマとみなせる最小の距離は一般にデバイ長と
呼ばれ次式で表される。

【０００９】

【数１】

【００１０】ここで、λｄはデバイ長、ε0は真空中の
誘電率、ｋはボルツマン定数、Ｎeは電子密度、ｑは電
子の電荷、Ｔeは電子温度である。この距離以下であれ
ばプラズマは発生しない。ただし、被処理基板を搬送す
るときの位置ずれなどにより電極と被処理基板Ｂ面の最
小間隔は0.1mmが限界である。

【００１１】真空容器内のアノード電極とカソード電極
間で高周波電力を印加し、プラズマを発生させると、高
周波電流はアノード電極からプラズマを通りカソード電
極に流れる。カソード電極と被処理基板のＢ面を0.1mm
からプラズマ状態によって定まるデバイ長の間に保ち、
この間でプラズマを発生させないと、アノード電極から
カソード電極へ流れる高周波電流は、アノード電極→プ
ラズマ→被処理基板→カソード電極という経路をたど
る。このように高周波電流が被処理基板を通して流れる
ようになるので、プラズマと被処理基板間に電位差が発
生する。基板のＡ面では、プラズマと基板表面間に発生
した電界により加速されたイオンが入射するようにな
り、基板表面にエネルギを与えることができる。

【００１２】これにより、外部から直接的にバイアス電
圧を与えなくても、実質的にバイアス電位を与えたのと
等価の効果が得られ、絶縁体基板であってもイオン入射
を利用したプラズマ処理を行うことができる。また、基
板と電極を非接触にすることにより、電極から基板表面
に異物が付着したり、基板表面に傷をつけたりすること
なくプラズマ処理ができ、片面ずつ処理することで基板
の両面をプラズマ処理することも可能である。この時、
基板は基板保持機構と電気的に絶縁された状態にある
か、また基板保持機構が基板以外の部位と電気的に絶縁
されているか、または基板保持機構がプラズマを発生さ
せるための高周波回路と電気的に絶縁されているように
すればよい。

【００１３】第二の課題は、上記構成で基板と基板保持
機構を同電位とし、基板と基板保持機構の間で電流が流
れないようにすることで解決できる。基板と基板保持機
構を同電位にするには、基板保持機構の基準電位、例え
ばアースに対する静電容量を調整することで達成でき
る。

【００１４】なお、本発明のプラズマ処理方法は、スパ
ッタリングやＣＶＤによる成膜方法、プラズマエッチン
グ方法、プラズマアッシング方法など、いずれも周知の
プラズマ処理方法一般に適用可能である。

【００１５】このように本発明によれば基板と電極とを
接触させることなく基板に電界を発生させ、イオン入射
を起こすことが可能であり、従来のように基板表面が絶
縁体であっても、その表面へイオン入射を行うことが可
能である。この手段をバイアススパッタ成膜法に用いれ
ば、イオン衝撃により膜中の結晶性が向上し、磁性膜の
保持力向上が図れる。またＣＶＤ法に用いれば、絶縁体
基板の表面に所望する膜を成膜することができる。更に
エッチング法に用いることで絶縁体基板の表面をエッチ
ング処理することができる。

【００１６】

【発明の実施の形態】図１に本発明の第１の実施例であ
る磁気記録装置用磁気ディスクのカーボン保護膜形成用
ＣＶＤ電極について示す。真空容器１には排気装置２、
及び処理ガス供給装置３を接続している。成膜対象とな
る基板４は絶縁板５により周囲と電気的に絶縁した基板
保持具６により保持する。

【００１７】プラズマ１８から基板保持具６に流れる電
流により基板保持具６の電位が決まることを利用して、
プラズマ１８が発生したときに基板４と基板保持具６が
同電位になるように絶縁板５の静電容量を定めている。
これを行わず、基板４と基板保持具６との間に電位差が
発生すると基板４と基板保持具６が接触している部分に
電流が集中し、その部分で急激に基板４が加熱され、基
板４を損傷する場合がある。

【００１８】基板保持具６には基板４に対向して設けた
電極７の面の平行な軸に対して、基板４を回転させるた
めの回転装置８を接続している。回転装置８には基板４
を真空容器１内に搬送するための搬送装置９を接続して
いる。予備室１０には予備室用排気装置１１を接続して
いる。シール板１２は基板４を真空容器１に搬送したと
きに予備室１０から真空容器１を密閉するためのもので
ある。電極７はアースに接続しており、また電極７の位
置を制御するための電極駆動装置１３を接続している。

【００１９】高周波電源１４は整合器１５を介して絶縁
材１６で電気的に絶縁されたアノード電極１７に接続し
ており、アース電位との間に高周波電位を印加し、プラ
ズマ１８を発生させる。

【００２０】次に第１の実施例による成膜方法を説明す
る。図示していない基板搬入器より予備室１０へ基板４
を搬入した後、予備室用排気装置１１により予備室１０
を１Pa以下の高真空に排気する。真空容器１はその前に
排気装置２により1Pa以下の高真空に排気しておく。排
気が終わったら搬送装置９により基板４を真空容器１内
に地面に対して垂直に搬送して載置してから、電極７と
基板４のＢ面との間隔を電極駆動装置１３により0.1mm
からプラズマ状態によって定まるデバイ長の間に調整す
る。本発明で使用するプラズマは電子温度Ｎeが10の８
乗から10の11乗立方センチメートル、電子温度Ｔeが100
00Kから100000K程度の範囲内にあるため、これを（式
１）に代入するとデバイ長λｄは0.022mmから2.2mm程度
となる。本実施例では最小値を余裕をみて0.7mmとし、
0.7mmから2.2mmの間に調整できるようにしている。間隔
の調整を行っている間に真空容器１を排気装置２により
０．０１Pa以下の高真空に排気する。この後、処理ガス
供給装置３により、例えばメタンを該真空容器１内で１
〜３０Paになるように供給する。

【００２１】高周波電源１４より整合器１５を介してア
ノード電極１７に所定の電力を供給し、処理ガスを電離
させてプラズマ１８を発生させる。高周波電流はアノー
ド電極１７からプラズマ１８を通り、電極７に流れる
が、電極７と基板４の電極７のＢ面との間ではプラズマ
が発生しないので、電極７の基板４に覆われている部分
では、基板４を介して高周波電流が電極７に流れる。こ
れにより基板４とプラズマ１８間で電位差が発生し、基
板４のＡ面にはイオンが入射する。この時、基板４のＡ
面に入射するイオンは基板４とプラズマ１８間の電界に
より加速され、該基板４表面に衝突してメタン分子を分
解して、その結晶構造が非結晶であるＣ膜を堆積する。
所望の膜厚を堆積したらいったん処理ガスと電力の供給
を止めて電極７を移動させた後、回転装置８により基板
４を電極７面に対して１８０度回転させる。この後、電
極駆動装置１３により電極７の位置を調整し、再び処理
ガス及び電力を供給してプラズマ１８を発生させ、前記
と同じように膜を堆積させることで基板４の両面に成膜
を行うことが可能である。

【００２２】成膜結果の一例を図２に示す。（ａ）は電
極と基板Ｂ面間隔に対する成膜速度を示すグラフであ
り、これから間隔が狭いほど成膜速度が向上している。
これは、間隔が狭いほど電極と基板Ｂ面間の静電容量が
大きくなってインピーダンスが下り、ここで消費される
電力が小さくなり、その分成膜に費やされる電力が増加
するためである。従って、電極と基板Ｂ面間の間隔が狭
いほど生産性は向上する。（ｂ）は間隔が0.7mmのとき
の膜厚分布を示している。これから均一性は±7%以下で
あり、均一性よく成膜されていることが実証できた。

【００２３】このように本発明によれば、基板に電極を
接触させることなく基板へ電界を発生させ、イオン入射
を起こすことが可能であり、従来のように基板と電極と
の接触点で電流が集中することによる膜の蒸発とそれに
ともなう異常放電や、成膜不良が発生しない。また従来
必要であった導電性膜の事前成膜が不要であり、基板表
面が絶縁体であっても、その表面へＣ膜の成膜が可能で
ある。

【００２４】第１の実施例は、処理ガスをＡｒ等の不活
性ガスまたは処理対象基板表面組成に対して腐食性を持
つガスに変えることで基板両面へのプラズマエッチング
処理、またはプラズマアッシング処理を行うことができ
る。

【００２５】図３に本発明の第２の実施例である磁気記
録装置用磁気ディスクのカーボン保護膜形成用ＣＶＤ電
極について示す。実施例１と同じ番号を付したものは、
それと同等の機能を有している。

【００２６】回転装置８には基板支え爪２０を接続して
いる。基板支え爪２０は図４に示すような形状をしてお
り、基板４の外周部を挟み、基板４を支える。真空容器
１と予備室１０は、ゲートバルブ３０で互いに区切られ
ている。基板保持具６は電極７の中央部に配置してい
る。

【００２７】次に第２の実施例による成膜方法を説明す
る。図示していない基板搬入器より予備室１０に基板４
を搬入した後、予備室用排気装置１１により予備室１０
を１Pa以下の高真空に排気する。真空容器１はその前に
排気装置２により1Pa以下の高真空に排気しておく。排
気が終わったらゲートバルブ３０を開いて、搬送装置９
により基板４を真空容器１内に搬送した後、電極７を電
極駆動装置１３により上昇させて、基板４の中央部の穴
に基板保持具６を挿入させる。その後、基板４から基板
支え爪２０を外して、基板保持具６に基板４が載置され
たら、電極７を元の位置に移動させる。基板支え爪２０
は予備室１０に戻し、ゲートバルブ３０を閉じる。

【００２８】電極７と基板４のＢ面との間隔は、基板保
持具６のｔで示した厚みの部分であらかじめ調整してお
く。第１の実施例と同じ理由によりこの間隔は0.7mmか
ら2.2mmの間で調整できるようにしている。真空容器１
内の圧力が、０．０１Pa以下の高真空に排気されたら、
処理ガス供給装置３により、例えばメタンを該真空容器
１内で１〜３０Paになるように供給する。

【００２９】高周波電源１４より整合器１５を介してア
ノード電極１７に所定の電力を供給し、処理ガスを電離
してプラズマ１８を発生させる。高周波電流はアノード
電極１７からプラズマ１８を通り、電極７に流れるが、
電極７と基板４のＢ面との間ではプラズマが発生しない
ので、電極７の基板４に覆われている部分では、基板４
を介して高周波電流が電極７に流れる。

【００３０】これにより基板４とプラズマ１８間で電位
差が発生し、基板４のＡ面にはイオンが入射する。この
時、基板４のＡ面に入射するイオンは基板４とプラズマ
１８間の電界により加速され、該基板４表面に衝突して
メタン分子を分解して、その結晶構造が非結晶であるＣ
膜を堆積する。所望の膜厚を堆積したら処理ガスと電力
の供給を止め、電極を上昇させた後にゲートバルブ３０
を開き、基板支え爪２０を真空容器１内に搬送して、基
板４を支える。その後電極７を下降させ、回転装置８に
より基板４を電極７面に対して１８０度回転させる。

【００３１】回転させた後は、前記と同じように基板４
を載置して膜の堆積を行うことで、基板４の両面に成膜
を行うことが可能である。

【００３２】図５に本発明による磁気記録装置用磁気デ
ィスクのカーボン保護膜形成用ＣＶＤ電極の第３の実施
例を示す。

【００３３】実施例１と同じ番号、または同じ番号でア
ポストロフィを付したものは、それと同等の機能を有し
ている。真空容器１、１’は電極７、７’の電極面がそ
れぞれ逆向きになるように配置している。搬送装置９、
９’は装置間搬送装置１００に搭載されている。搬送通
路１０１には搬送通路用排気装置１０２を接続してい
る。

【００３４】次に第３の実施例による成膜方法を説明す
る。搬送通路用排気装置１０２により１Pa以下の高真空
に排気された搬送通路１０１を通って、図示されていな
い基板搬入口から装置間搬送装置１００により搬送され
てきた基板４を、搬送装置９により真空容器１内に載置
する。基板４を載置した際に、真空容器１と搬送通路１
０１はシール板１２により互いに区切られる。

【００３５】基板４を載置した後、電極７と基板４のＢ
面との間隔を電極駆動装置１３により、第１の実施例と
同じ理由によって、0.7mmから2.2mmの間となるように調
整する。この調整を行っている間に真空容器１を排気装
置２により０．０１Pa以下の高真空に排気する。この
後、処理ガス供給装置３により、例えばメタンを該真空
容器１内で１〜３０Paになるように供給する。

【００３６】高周波電源１４より整合器１５を介してア
ノード電極１７に所定の電力を供給し、処理ガスを電離
してプラズマ１８を発生させる。高周波電流はアノード
電極１７からプラズマ１８を通り電極７に流れるが、電
極７と基板４のＢ面との間ではプラズマが発生しないの
で、電極７の基板４に覆われている部分では、基板４を
介して高周波電流が電極７に流れる。これにより基板４
とプラズマ１８間で電位差が発生し、基板４の電Ａ面に
はイオンが入射する。

【００３７】この時、基板４のＡ面に入射するイオンは
基板４とプラズマ１８間の電界により加速され、該基板
４表面に衝突してメタン分子を分解して、その結晶構造
が非結晶であるＣ膜を堆積する。

【００３８】所望の膜厚を堆積したら電力の供給と処理
ガスの供給を止め、搬送装置９により基板４を降下さ
せ、装置間搬送装置１００で真空容器１’の方へ搬送す
る。真空容器１には図示していない基板搬入口から新し
い基板が搬送される。その後、前記方法と同じようにし
て真空容器１、１’で基板に成膜を行う。

【００３９】成膜を行った後、真空容器１に載置された
基板４は真空容器１’に真空容器１’に載置された基板
４’は、図示していない基板搬出口にそれぞれ搬送され
る。

【００４０】真空容器１と１’では、基板の成膜される
面が異なるので、真空容器１と１’で成膜を行うことに
より、基板を回転させることなく基板の両面に成膜を行
うことが可能である。

【００４１】図６に本発明による磁気記録装置用磁気デ
ィスクのカーボン保護膜形成用ＣＶＤ電極の第４の実施
例を示す。

【００４２】第１の実施例に対して、第２のガス供給装
置２００からガス供給管２０１を通して、電極７の中心
からガスを噴出できる点が異なる。

【００４３】プラズマから発生したラジカルが電極と基
板のＢ面との間に侵入し、基板４のＢ面に付着すると膜
が形成されるか、またはエッチングされる。基板のＢ面
ではプラズマが発生しないのでイオンの入射がなく、膜
が形成される場合は基板のＡ面とは膜質が異なる。従っ
て、基板の両面に処理を行う場合、膜剥離、膜質の低下
の原因となる。また、成膜もしくはエッチングの均一性
低下の原因となる。基板のＢ面がエッチングされた場合
でも同様の問題が発生する。

【００４４】第４の実施例の特徴は電極７と基板４のＢ
面との間にガスを噴出させ、プラズマ１８から電極７と
基板４のＢ面との間にラジカルが侵入することを防ぎ、
基板４のＢ面に膜が形成されることを防止できることで
ある。

【００４５】噴出させるガスとしては、イオン化ポテン
シャルが処理ガスよりも高く、基板表面を処理するのに
必要なラジカルを発生させないものを用いることが必要
である。

【００４６】処理ガスよりも噴出させるガスのイオン化
ポテンシャルが低いと、電極と基板のＢ面との間でプラ
ズマが発生しやすくなり、プロセス条件のマージンが狭
くなる。

【００４７】また、電極と基板のＢ面との間ではプラズ
マが発生しないまでも、ガス粒子同士の衝突等により噴
出されたガスが励起される。これによって噴出したガス
からラジカルが発生すると、プラズマからのラジカル防
止効果が相殺される。図７は処理ガスとしてCH4を使用
し、噴出させるガスとしてCH4またはHeを用いた場合
に、基板のＢ面に堆積したＣ膜の膜厚を示したグラフで
ある。Ｙ軸はＢ面に堆積した膜厚、Ｘ軸は噴出させるガ
スの圧力を表している。Ｂ面の膜厚はＡ面の膜厚に対す
る割合で示しており、CH4（処理に必要な原子を含む）
の場合、基板のＢ面に堆積するＣ膜の低減効果はない
が、Heを用いた場合は、圧力を高くするほど低減効果が
現れている。

【００４８】図８に本発明による磁気記録装置用磁気デ
ィスクのカーボン保護膜形成用ＣＶＤ電極の第５の実施
例を示す。

【００４９】第１の実施例に対して、リングカバー３０
０を電極７に取り付け、電極７面に凹部を設け、その中
に基板４を載置するようにしたものである。第５の実施
例の特徴は、ラジカルが侵入する方向を制限できること
である。例えば、Ａから矢印の方向へ飛来してくるラジ
カルはリングカバー３００ではじかれるため、電極７と
基板４のＢ面との間に侵入できない。このため、基板４
の電Ｂ面に膜が形成されることを防止できる。

【００５０】図９にリングカバーを設置した場合としな
い場合に、基板のＢ面に堆積する膜の膜厚を示したグラ
フである。Ｙ軸はＢ面に堆積した膜厚、Ｘ軸は電極と基
板Ｂ面との間隔を表している。Ｂ面の膜厚はＡ面の膜厚
に対する割合で示している。CH4ガスにより処理を行っ
た例であるが、リングカバーを設置した場合、基板Ｂ面
のＣ膜堆積が低減しており、ラジカルの侵入防止に効果
があることが実証できた。また、図１０に示すようにリ
ングカバーを設置したことによる膜厚分布に対する影響
は見られない。

【００５１】図１１に本発明による磁気記録装置用磁気
ディスクのカーボン保護膜形成用ＣＶＤ電極の第６の実
施例を示す。

【００５２】第１の実施例に対し、電極７の表面の一部
を絶縁体で構成された絶縁カバー４００で覆い、電極７
の面積を基板４の面積以下とし、電極７の面がすべてプ
ラズマ１８に直接晒されない点が異なる。第６の実施例
の特徴は電極７の面積を小さくし、高周波電流を集束さ
せたことにより、成膜速度を向上できることと、絶縁カ
バー４００にはほとんど高周波電流が流れないため、絶
縁カバー４００上には膜が形成されにくく、真空容器１
内の異物発生を低減でき、真空容器１内のクリーニング
間隔を伸長できることである。

【００５３】

【発明の効果】本発明によれば、基板をプラズマ処理す
る場合に、基板表面に電極を接触させることなく、基板
の表面に電界を発生させ、イオン入射を起こすことが可
能であり、従来のように基板への電極の接触点で電流が
集中し、膜の蒸発とそれにともなう異常放電や、バイア
ス印加不良が発生しない。また、従来必要であった導電
性膜の事前成膜が不要であり、特に絶縁体基板及び表面
が絶縁体で覆われた基板であってもその表面へイオン入
射を行うことが可能である。またＣＶＤ法を用いれば絶
縁体基板表裏面に所望する膜を成膜することができる。
更にエッチング法に用いることで絶縁体基板の表裏面を
エッチング処理することができる。また、基板と基板保
持機構を同電位にすることで、基板への損傷をなくすこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例である磁気ディスク基板
用プラズマＣＶＤ成膜装置の基本構成を示す断面図であ
る。

【図２】本発明の第１の実施例である磁気ディスク基板
用プラズマＣＶＤ成膜装置による成膜速度と膜厚分布の
一例を示すグラフである。

【図３】本発明の第２の実施例である磁気ディスク基板
用プラズマＣＶＤ成膜装置の基本構成を示す断面図であ
る。

【図４】本発明の第２の実施例で使用する基板支え爪の
形状を示す正面図である。

【図５】本発明の第３の実施例である磁気ディスク基板
用プラズマＣＶＤ成膜装置の基本構成を示す断面図であ
る。

【図６】本発明の第４の実施例である磁気ディスク基板
用プラズマＣＶＤ成膜装置の基本構成を示す断面図であ
る。

【図７】本発明の第４の実施例である磁気ディスク基板
用プラズマＣＶＤ成膜装置による基板Ｂ面に対する膜堆
積の低減効果を示すグラフである。

【図８】本発明の第５の実施例である磁気ディスク基板
用プラズマＣＶＤ成膜装置の基本構成を示す断面図であ
る。

【図９】本発明の第５の実施例である磁気ディスク基板
用プラズマＣＶＤ成膜装置による基板Ｂ面に対する膜堆
積の低減効果を示すグラフである。

【図１０】本発明の第５の実施例である磁気ディスク基
板用プラズマＣＶＤ成膜装置による成膜分布の結果を示
すグラフである。

【図１１】本発明の第６の実施例である磁気ディスク基
板用プラズマＣＶＤ成膜装置の基本構成を示す断面図で
ある。

【符号の説明】

１‥‥真空容器 ２‥‥排気装置 ３‥‥処理ガス
供給装置 ４‥‥基板 ６‥‥基板保持具 ７‥‥電極 ８‥‥回転装置
９‥‥搬送装置 １３‥‥ 電極駆動装置 １４‥‥高周波電源
１７‥‥アノード電極 １８‥‥プラズマ １００‥‥装置間搬送装置 ２
００‥‥ガス供給装置 ２０１‥‥ガス供給管 ３００ リングカバー ４
００‥‥絶縁カバー

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 稲葉 宏 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地株式 会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 小角 雄一 神奈川県小田原市国府津2880番地株式会社 日立製作所ストレージシステム事業部内 (72)発明者 片岡 宏之 神奈川県小田原市国府津2880番地株式会社 日立製作所ストレージシステム事業部内 (72)発明者 本田 好範 神奈川県小田原市国府津2880番地株式会社 日立製作所ストレージシステム事業部内 (72)発明者 藤巻 成彦 東京都国分寺市東恋ヶ窪一丁目280番地株 式会社日立製作所中央研究所内

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】真空容器内にプラズマを発生させて被処理
   基板をプラズマ処理する方法であって、前記真空容器内
   で前記被処理基板を該被処理基板の前記プラズマ処理さ
   れる側と反対の側の面と該反対側の面と対向する電極と
   の間隔をプラズマの状態によって定まるデバイ長より小
   さい間隔に維持して前記被処理基板を前記電極と非接触
   の状態で保持し、前記真空容器内で前記被処理基板の前
   記プラズマ処理される側にプラズマを発生させ、該発生
   させたプラズマにより前記被処理基板を処理することを
   特徴とするプラズマ処理方法。
2. 【請求項２】前記被処理基板と前記電極との間隔を、
   ０.１ｍｍより大きい間隔で保持して、被処理基板をプ
   ラズマ処理することを特徴とする請求項１記載のプラズ
   マ処理方法。
3. 【請求項３】前記被処理基板を、片面ずつ順次プラズマ
   処理することにより、両面をプラズマ処理することを特
   徴とする請求項１記載のプラズマ処理方法。
4. 【請求項４】前記被処理基板を、前記電極との間隔を保
   った状態で回転させながらプラズマ処理することを特徴
   とする請求項１乃至３の何れかに記載のプラズマ処理方
   法。
5. 【請求項５】真空容器と、該真空容器の内部を排気して
   所定の圧力に維持する排気手段と、前記真空容器の内部
   に処理ガスを供給するガス供給手段と、前記真空容器の
   内部に設けられた平板面を有する電極手段と、前記真空
   処理室の内部で被処理基板を前記電極手段の平板面に対
   してプラズマの状態によって定まるデバイ長より小さい
   間隔をあけて前記被処理基板を前記電極手段に対して非
   接触の状態で保持する基板保持手段と、高周波電力によ
   り前記真空容器内にプラズマを発生させるプラズマ発生
   手段とを備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
6. 【請求項６】真空容器と、該真空容器の内部を排気して
   所定の圧力に維持する排気手段と、前記真空容器の内部
   に処理ガスを供給するガス供給手段と、前記真空容器の
   内部に設けられた平板面を有する電極手段と、前記真空
   処理室の内部で被処理基板を前記電極手段の平板面に対
   してプラズマの状態によって定まるデバイ長より小さい
   間隔をあけて前記被処理基板を前記電極手段に対して非
   接触の状態で保持する基板保持手段と、高周波電力によ
   り前記真空容器内にプラズマを発生させるプラズマ発生
   手段とを備えたプラズマ処理室手段を２つ以上備え、該
   ２つ以上のプラズマ処理室手段の間を接続する真空に排
   気された搬送通路手段と、該搬送通路手段の真空に排気
   された内部を通して前記被処理基板を前記２つ以上のプ
   ラズマ処理室手段の間で搬送する搬送手段とを備えたこ
   とを特徴とするプラズマ処理装置。
7. 【請求項７】前記基板保持手段が、前記電極手段に対し
   て非接触の状態を維持しながら前記被処理基板を回転さ
   せる基板回転駆動部を更に備えたことを特徴とする請求
   項５又は６の何れかに記載のプラズマ処理装置。
8. 【請求項８】前記基板保持手段が、前記被処理基板を前
   記電極手段に対して０.１ｍｍより大きい間隔で保持す
   ることを特徴とする請求項５又は６の何れかに記載のプ
   ラズマ処理装置。
9. 【請求項９】前記電極手段被が、該電極手段被の前記処
   理基板に対向する面と前記被処理基板との間に、ガスを
   供給するガス供給部を備えたことを特徴とする請求項５
   又は６の何れかに記載のプラズマ処理装置。
10. 【請求項１０】前記電極手段被の前記処理基板に対向す
    る面と前記被処理基板との間に供給するガスが、プラズ
    マ処理に必要とする原子または分子を含まず、また、前
    記供給するガスのイオン化ポテンシャルが前記処理ガス
    のイオン化ポテンシャルよりも大きいことを特徴とする
    請求項９記載のプラズマ処理装置。