JPH07258820A - 導電性帯状材の連続成膜方法 - Google Patents
導電性帯状材の連続成膜方法Info
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- JPH07258820A JPH07258820A JP4851694A JP4851694A JPH07258820A JP H07258820 A JPH07258820 A JP H07258820A JP 4851694 A JP4851694 A JP 4851694A JP 4851694 A JP4851694 A JP 4851694A JP H07258820 A JPH07258820 A JP H07258820A
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- Japan
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- film forming
- conductive strip
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 マイナスの直流電位Ｖ1を印加した導電性帯
状材２を一方で送り出し、他方で巻き取りながら連続的
に走行させ、導電性帯状材２の処理面上に閉じる磁場Ｂ
を形成する磁石を有する電極２０をマイナスの直流電位
Ｖ1と同一電位または浮遊電位として導電性帯状材２を
イオンボンバードにより清浄処理し、続いて上記導電性
帯状材２のマイナスの直流電位Ｖ1をバイアスとして導
電性帯状材２にスパッタ成膜を行うことを特徴としてい
る。 【効果】 イオンボンバード清浄処理とスパッタ成膜処
理を連続して行うことができ、成膜装置１の構成を単純
化することができる。
状材２を一方で送り出し、他方で巻き取りながら連続的
に走行させ、導電性帯状材２の処理面上に閉じる磁場Ｂ
を形成する磁石を有する電極２０をマイナスの直流電位
Ｖ1と同一電位または浮遊電位として導電性帯状材２を
イオンボンバードにより清浄処理し、続いて上記導電性
帯状材２のマイナスの直流電位Ｖ1をバイアスとして導
電性帯状材２にスパッタ成膜を行うことを特徴としてい
る。 【効果】 イオンボンバード清浄処理とスパッタ成膜処
理を連続して行うことができ、成膜装置１の構成を単純
化することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、導電性帯状材の成膜方
法、詳しくは、導電性帯状材の清浄処理とスパッタ成膜
処理とを連続して行うスパッタ成膜方法に関する。
法、詳しくは、導電性帯状材の清浄処理とスパッタ成膜
処理とを連続して行うスパッタ成膜方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、導電性帯状材の清浄処理と成膜処
理を連続して行う方法として、図７に示すものが知られ
ている。この成膜装置５０は、アノードマグネトロン放
電により導電性帯状材（以下、処理材料という）５１の
処理面の清浄処理を行った後に、イオンプレーティング
により成膜処理を行うもので、送り出しロール５２と給
電ロール５３が配置された送り出し室５４と、冷却ロー
ル５５と巻き取りロール５６が配置された巻き取り室５
７との間に、加熱室５８、清浄処理室５９、イオンプレ
ーティング室６０を設けて構成されている。
理を連続して行う方法として、図７に示すものが知られ
ている。この成膜装置５０は、アノードマグネトロン放
電により導電性帯状材（以下、処理材料という）５１の
処理面の清浄処理を行った後に、イオンプレーティング
により成膜処理を行うもので、送り出しロール５２と給
電ロール５３が配置された送り出し室５４と、冷却ロー
ル５５と巻き取りロール５６が配置された巻き取り室５
７との間に、加熱室５８、清浄処理室５９、イオンプレ
ーティング室６０を設けて構成されている。
【０００３】上記清浄処理室５９には、電極６１と電界
シールド６２とが設けてあり、電極６１の内部には、複
数の磁石６３が隣り合う磁極を異にして処理材料５１の
処理面５１ａに対向して設けてある。また、上記イオン
プレーティング室６０の内部には、成膜材料６４が処理
材料５１の処理面５１ａに対向して設けてあり、さら
に、エレクトロンビームイオンガン６５が、上記成膜材
料５１に照射可能に設けてある。
シールド６２とが設けてあり、電極６１の内部には、複
数の磁石６３が隣り合う磁極を異にして処理材料５１の
処理面５１ａに対向して設けてある。また、上記イオン
プレーティング室６０の内部には、成膜材料６４が処理
材料５１の処理面５１ａに対向して設けてあり、さら
に、エレクトロンビームイオンガン６５が、上記成膜材
料５１に照射可能に設けてある。
【０００４】上記構成の成膜装置５０では、図示しない
真空排気装置により、送り出し室５４、巻き取り室５
７、加熱室５８、清浄処理室５９及びイオンプレーティ
ング室６０がそれぞれ所定の真空度に排気され、清浄処
理室５９、イオンプレーティング室６０には放電ガスが
導入される。さらに、上記処理材料５１は給電ロール５
３によってマイナスの直流電圧Ｖ3が印加され、上記電
極６１にはプラスの直流電圧Ｖ4が印加されている。そ
して、上記送り出しロール５２と巻き取りロール５６と
を矢印の方向に回転駆動させ、処理材料５１を加熱室５
８、清浄処理室５９、イオンプレーティング室６０に走
行させ、それぞれ加熱処理、清浄処理、成膜処理を行っ
た後、冷却ロール５５を介して巻き取りロール５６で巻
き取っていた。
真空排気装置により、送り出し室５４、巻き取り室５
７、加熱室５８、清浄処理室５９及びイオンプレーティ
ング室６０がそれぞれ所定の真空度に排気され、清浄処
理室５９、イオンプレーティング室６０には放電ガスが
導入される。さらに、上記処理材料５１は給電ロール５
３によってマイナスの直流電圧Ｖ3が印加され、上記電
極６１にはプラスの直流電圧Ｖ4が印加されている。そ
して、上記送り出しロール５２と巻き取りロール５６と
を矢印の方向に回転駆動させ、処理材料５１を加熱室５
８、清浄処理室５９、イオンプレーティング室６０に走
行させ、それぞれ加熱処理、清浄処理、成膜処理を行っ
た後、冷却ロール５５を介して巻き取りロール５６で巻
き取っていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記構
成の成膜装置５０では、清浄処理室５９において、上記
磁石６３から発生する磁力線によって形成された磁場Ｂ
が電極６１に対して閉じている（電極６１側から発生し
た磁力線が電極６１側に戻ることをいう。）。つまり、
処理材料５１の処理面５１ａ側に対して磁場Ｂが開いて
いるため、処理面５１ａから飛び出した電子は、上記磁
場Ｂで効率良く捕捉されないため、プラズマＰの密度を
高くすることができないばかりか、低インピーダンスに
ならないため、低電圧で大電流の放電を安定して行え
ず、清浄効果が小さかった。
成の成膜装置５０では、清浄処理室５９において、上記
磁石６３から発生する磁力線によって形成された磁場Ｂ
が電極６１に対して閉じている（電極６１側から発生し
た磁力線が電極６１側に戻ることをいう。）。つまり、
処理材料５１の処理面５１ａ側に対して磁場Ｂが開いて
いるため、処理面５１ａから飛び出した電子は、上記磁
場Ｂで効率良く捕捉されないため、プラズマＰの密度を
高くすることができないばかりか、低インピーダンスに
ならないため、低電圧で大電流の放電を安定して行え
ず、清浄効果が小さかった。
【０００６】また、清浄処理室５９の内部には異常放電
を防止するために電界シールド６２を設ける必要があっ
た。さらに、上記電極６１には処理材料５１に印加され
たマイナスの直流電圧Ｖ3との電位差を必要とするた
め、新たにプラスの直流電圧Ｖ4を印加しなければなら
ず、このため、成膜装置５０が複雑化するという問題点
があった。
を防止するために電界シールド６２を設ける必要があっ
た。さらに、上記電極６１には処理材料５１に印加され
たマイナスの直流電圧Ｖ3との電位差を必要とするた
め、新たにプラスの直流電圧Ｖ4を印加しなければなら
ず、このため、成膜装置５０が複雑化するという問題点
があった。
【０００７】さらにまた、処理材料５１に形成される膜
質、膜厚の再現性が、イオンプレーティング法よりも優
れたスパッタ法では、処理材料５１のバイアス電圧印加
の目的がイオンプレーティング法と相違するため、高イ
ンピーダンスによる清浄処理を前処理に行う際、印加電
圧が過大であると、成膜レートの低下を招くとともに、
スパッタ放電が不安定となる。したがって、アノードマ
グネトロンによる清浄処理とスパッタ法による成膜処理
とを連続して行うことができなかった。
質、膜厚の再現性が、イオンプレーティング法よりも優
れたスパッタ法では、処理材料５１のバイアス電圧印加
の目的がイオンプレーティング法と相違するため、高イ
ンピーダンスによる清浄処理を前処理に行う際、印加電
圧が過大であると、成膜レートの低下を招くとともに、
スパッタ放電が不安定となる。したがって、アノードマ
グネトロンによる清浄処理とスパッタ法による成膜処理
とを連続して行うことができなかった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明は上記問
題点を解決するためになされたもので、マイナスの直流
電位を印加した導電性帯状材を一方で送り出し、他方で
巻き取りながら連続的に走行させ、上記導電性帯状材の
処理面上に閉じる磁場を形成する磁石を有する電極を上
記マイナスの直流電位と同一電位または浮遊電位として
導電性帯状材をイオンボンバードにより清浄処理し、続
いて上記導電性帯状材のマイナスの直流電位をバイアス
として導電性帯状材にスパッタ成膜を行うことを特徴と
している。
題点を解決するためになされたもので、マイナスの直流
電位を印加した導電性帯状材を一方で送り出し、他方で
巻き取りながら連続的に走行させ、上記導電性帯状材の
処理面上に閉じる磁場を形成する磁石を有する電極を上
記マイナスの直流電位と同一電位または浮遊電位として
導電性帯状材をイオンボンバードにより清浄処理し、続
いて上記導電性帯状材のマイナスの直流電位をバイアス
として導電性帯状材にスパッタ成膜を行うことを特徴と
している。
【０００９】
【実施例】以下、添付図面を参照して本発明の実施例に
ついて説明する。図１は、成膜装置１の側面図である。
この成膜装置１は、例えば、ステンレス（ＳＵＳ３０
４）等の導電性帯状材（以下、処理材料という）２の表
面清浄処理と成膜処理を連続して行う装置で、概略、処
理材料２の送り出し室３と巻き取り室４との間に、仕切
りバルブ５、差圧シール室６、加熱室７、清浄処理室８
及びスパッタ成膜室９を設けて構成されている。
ついて説明する。図１は、成膜装置１の側面図である。
この成膜装置１は、例えば、ステンレス（ＳＵＳ３０
４）等の導電性帯状材（以下、処理材料という）２の表
面清浄処理と成膜処理を連続して行う装置で、概略、処
理材料２の送り出し室３と巻き取り室４との間に、仕切
りバルブ５、差圧シール室６、加熱室７、清浄処理室８
及びスパッタ成膜室９を設けて構成されている。
【００１０】上記送り出し室３には、巻回された処理材
料２を送り出す送り出しロール１０と、上記処理材料２
に電圧を印加する給電ロール１１とが設けてあり、上記
給電ロール１１にはマイナスの直流電圧Ｖ1が接続して
ある。また、上記送り出し室３は、アース１２に接地さ
れ、成膜装置１全体を接地電位としている。さらに、上
記巻き取り室４には、処理材料２を冷却する冷却ロール
１４と、処理材料２を巻き取る巻き取りロール１５とが
設けてある。さらにまた、上記送り出し室３の出口部分
と巻き取り室４の入口部分には、仕切りバルブ５，５が
設けてあり、処理材料２を交換する際に、上記差圧シー
ル室６、加熱室７、清浄処理室８、スパッタ成膜室９の
気密を保持可能としてある。
料２を送り出す送り出しロール１０と、上記処理材料２
に電圧を印加する給電ロール１１とが設けてあり、上記
給電ロール１１にはマイナスの直流電圧Ｖ1が接続して
ある。また、上記送り出し室３は、アース１２に接地さ
れ、成膜装置１全体を接地電位としている。さらに、上
記巻き取り室４には、処理材料２を冷却する冷却ロール
１４と、処理材料２を巻き取る巻き取りロール１５とが
設けてある。さらにまた、上記送り出し室３の出口部分
と巻き取り室４の入口部分には、仕切りバルブ５，５が
設けてあり、処理材料２を交換する際に、上記差圧シー
ル室６、加熱室７、清浄処理室８、スパッタ成膜室９の
気密を保持可能としてある。
【００１１】上記差圧シール室６には、ガイドロール１
６と、スリットシール１７とが配置されている。また、
上記差圧シール室６は、送り出し室３、加熱室７、清浄
処理室８、スパッタ成膜室９、巻き取り室４の間、４カ
所に設けられており、各室の気圧を保持できるようにな
っている。
６と、スリットシール１７とが配置されている。また、
上記差圧シール室６は、送り出し室３、加熱室７、清浄
処理室８、スパッタ成膜室９、巻き取り室４の間、４カ
所に設けられており、各室の気圧を保持できるようにな
っている。
【００１２】上記加熱室７には複数のランプヒータ１９
が設置され、処理材料２を加熱できるようになってい
る。また、上記清浄処理室８には、処理材料２の非処理
面２ｂ（図面上上側）に対向して電極部２０，２０が設
けてあり、この電極部２０，２０は、上記マイナスの直
流電圧Ｖ1に接続されており、かつ、内部には複数の磁
石２１，２１が隣り合う磁極を異にして配設されてい
る。なお、上記電極部２０，２０は浮遊電位としてもよ
い。
が設置され、処理材料２を加熱できるようになってい
る。また、上記清浄処理室８には、処理材料２の非処理
面２ｂ（図面上上側）に対向して電極部２０，２０が設
けてあり、この電極部２０，２０は、上記マイナスの直
流電圧Ｖ1に接続されており、かつ、内部には複数の磁
石２１，２１が隣り合う磁極を異にして配設されてい
る。なお、上記電極部２０，２０は浮遊電位としてもよ
い。
【００１３】上記スパッタ成膜室９には、処理材料２の
処理面２ａに対向して電極部２３，２３が設けてあり、
この電極部２３，２３の上部には、例えば、クロム等の
成膜材料（ターゲット）２４，２４が設けられ、内部に
は隣り合う磁極を異にして複数の磁石２５，２５が設け
てある。そして、上記電極部２３，２３は、マイナスの
直流電圧Ｖ2に接続されている。
処理面２ａに対向して電極部２３，２３が設けてあり、
この電極部２３，２３の上部には、例えば、クロム等の
成膜材料（ターゲット）２４，２４が設けられ、内部に
は隣り合う磁極を異にして複数の磁石２５，２５が設け
てある。そして、上記電極部２３，２３は、マイナスの
直流電圧Ｖ2に接続されている。
【００１４】上記構成の成膜装置１では、送り出し室
３、巻き取り室４、差圧シール室６、加熱室７、清浄処
理室８、スパッタ成膜室９を図示しない真空ポンプに接
続し、それぞれ所定の気圧になるよう真空排気され、清
浄処理室８とスパッタ成膜室９にはＡｒガス等の放電ガ
スが導入される。上記清浄処理室８内部の圧力を１０ｍ
Ｔｏｒｒ、上記スパッタ成膜室９内部の圧力を３ｍＴｏ
ｒｒとすることが望ましい。そして、送り出しロール１
０と巻き取りロール１５を矢印の方向に回転させ、処理
材料２を加熱室７、清浄処理室８及びスパッタ成膜室９
の内部を走行させながら、加熱処理、清浄処理、成膜処
理を行う。
３、巻き取り室４、差圧シール室６、加熱室７、清浄処
理室８、スパッタ成膜室９を図示しない真空ポンプに接
続し、それぞれ所定の気圧になるよう真空排気され、清
浄処理室８とスパッタ成膜室９にはＡｒガス等の放電ガ
スが導入される。上記清浄処理室８内部の圧力を１０ｍ
Ｔｏｒｒ、上記スパッタ成膜室９内部の圧力を３ｍＴｏ
ｒｒとすることが望ましい。そして、送り出しロール１
０と巻き取りロール１５を矢印の方向に回転させ、処理
材料２を加熱室７、清浄処理室８及びスパッタ成膜室９
の内部を走行させながら、加熱処理、清浄処理、成膜処
理を行う。
【００１５】ここで、上記清浄処理室８における清浄処
理と、上記スパッタ成膜室９におけるスパッタ処理につ
いて詳細に説明する。図２に示すように、上記清浄処理
室８では、上記磁石２１から発生した磁力線は、処理材
料２を透過して磁石２１に戻る。つまり、上記磁石２１
によって発生した磁場Ｂは、処理材料２の非処理面２ｂ
に対して閉じているので、処理面２ａから飛び出した電
子は上記磁場Ｂに有効に捕捉される。これより、上記磁
場Ｂで発生するプラズマＰの密度が高まり、イオンボン
バード清浄処理が効率良く行われるので、処理面２ａに
対する成膜の密着性、膜質が向上する。また、プラズマ
Ｐの密度が高まることで、放電が低インピーダンスとな
り、低圧力・低電圧放電が可能となる。さらに、アース
１２をアノード極として放電させるのでアノード用の電
源が不要であり、かつ、アノード側にシールドを設ける
必要はない。
理と、上記スパッタ成膜室９におけるスパッタ処理につ
いて詳細に説明する。図２に示すように、上記清浄処理
室８では、上記磁石２１から発生した磁力線は、処理材
料２を透過して磁石２１に戻る。つまり、上記磁石２１
によって発生した磁場Ｂは、処理材料２の非処理面２ｂ
に対して閉じているので、処理面２ａから飛び出した電
子は上記磁場Ｂに有効に捕捉される。これより、上記磁
場Ｂで発生するプラズマＰの密度が高まり、イオンボン
バード清浄処理が効率良く行われるので、処理面２ａに
対する成膜の密着性、膜質が向上する。また、プラズマ
Ｐの密度が高まることで、放電が低インピーダンスとな
り、低圧力・低電圧放電が可能となる。さらに、アース
１２をアノード極として放電させるのでアノード用の電
源が不要であり、かつ、アノード側にシールドを設ける
必要はない。
【００１６】また、図３に示すように、スパッタ成膜室
９では、処理面２ａに成膜材料２４が対向配置され、電
極部２３内の磁石２５によって発生した磁場Ｂが成膜材
料２４の表面で閉じている。したがって、放電ガスのプ
ラスイオンが成膜材料２４に加速衝突することでスパッ
タされた原子が処理面２ａに付着する。また、処理材料
２にはバイアス電圧が印加されているので、処理面２ａ
にも、放電ガスのプラスイオンが加速衝突する。この結
果、成膜された処理面２ａから、付着力の弱い成膜材料
原子やガスがたたき出される。つまり、処理面２ａは成
膜されると同時に、付着力の強い原子を残してエッチン
グされるので成膜される処理面２ａの膜の性質や密着性
が飛躍的に向上する。
９では、処理面２ａに成膜材料２４が対向配置され、電
極部２３内の磁石２５によって発生した磁場Ｂが成膜材
料２４の表面で閉じている。したがって、放電ガスのプ
ラスイオンが成膜材料２４に加速衝突することでスパッ
タされた原子が処理面２ａに付着する。また、処理材料
２にはバイアス電圧が印加されているので、処理面２ａ
にも、放電ガスのプラスイオンが加速衝突する。この結
果、成膜された処理面２ａから、付着力の弱い成膜材料
原子やガスがたたき出される。つまり、処理面２ａは成
膜されると同時に、付着力の強い原子を残してエッチン
グされるので成膜される処理面２ａの膜の性質や密着性
が飛躍的に向上する。
【００１７】上記構成のスパッタ成膜装置では、処理材
料２の一側面のみを処理面２ａとしたが、図４に示すよ
うに、処理材料２を挟んで清浄処理室８内部に、処理材
料２の走行方向に向かって、上方後部と下方前部に電極
部２０を設ければ処理材料２の両面を清浄処理するとと
もに、スパッタ成膜室９内部にも処理材料２を挟んで電
極部２３を上方前部と下方後部に設ければ、処理材料２
の両面に成膜処理をすることができる。
料２の一側面のみを処理面２ａとしたが、図４に示すよ
うに、処理材料２を挟んで清浄処理室８内部に、処理材
料２の走行方向に向かって、上方後部と下方前部に電極
部２０を設ければ処理材料２の両面を清浄処理するとと
もに、スパッタ成膜室９内部にも処理材料２を挟んで電
極部２３を上方前部と下方後部に設ければ、処理材料２
の両面に成膜処理をすることができる。
【００１８】また、図５に示すように、スパッタ成膜室
９の内部に設けた電極部２３を基準電圧としてもよく、
図６に示すように、処理材料２に印加する電圧Ｖ1を基
準電圧として、成膜材料２４に印加する電圧Ｖ2を独立
して印加する方式としても良い。なお、図６のようにす
れば、清浄処理時の電位に関係なく、スパッタのレート
を制御することができる。さらに、本実施例では処理材
料２を水平方向に移動させるものとしたが、送り出し室
３と巻き取り室４を上下に配置して、処理材料２を垂直
方向に移動しながら処理することも可能である。
９の内部に設けた電極部２３を基準電圧としてもよく、
図６に示すように、処理材料２に印加する電圧Ｖ1を基
準電圧として、成膜材料２４に印加する電圧Ｖ2を独立
して印加する方式としても良い。なお、図６のようにす
れば、清浄処理時の電位に関係なく、スパッタのレート
を制御することができる。さらに、本実施例では処理材
料２を水平方向に移動させるものとしたが、送り出し室
３と巻き取り室４を上下に配置して、処理材料２を垂直
方向に移動しながら処理することも可能である。
【００１９】
【効果】以上の説明から明らかなように、本発明に係る
成膜方法では、導電性帯状材の清浄処理において、上記
導電性帯状材を透過した磁力線が上記帯状材の処理面上
に閉じる磁場を形成するので、上記磁場に導電性帯状材
から飛び出した電子が効率良く捕らえられる。したがっ
て、イオンボンバードにより清浄処理を安定して低イン
ピーダンス、低圧力で行うことができ、清浄処理効果が
向上する。また、清浄処理を低インピーダンスで行うの
で、従来、清浄処理に連続して行うことが困難であった
スパッタ成膜を、清浄処理に連続して効率よく処理する
ことが可能になる。
成膜方法では、導電性帯状材の清浄処理において、上記
導電性帯状材を透過した磁力線が上記帯状材の処理面上
に閉じる磁場を形成するので、上記磁場に導電性帯状材
から飛び出した電子が効率良く捕らえられる。したがっ
て、イオンボンバードにより清浄処理を安定して低イン
ピーダンス、低圧力で行うことができ、清浄処理効果が
向上する。また、清浄処理を低インピーダンスで行うの
で、従来、清浄処理に連続して行うことが困難であった
スパッタ成膜を、清浄処理に連続して効率よく処理する
ことが可能になる。
【００２０】さらに、スパッタ成膜時には、処理材料に
バイアス電位を印加しているので、処理材料に成膜処理
が行われると同時に、処理材料の成膜は放電ガスによっ
てイオンボンバードされるので、付着力の弱い粒子やガ
スが成膜からたたき出される（成膜とエッチングが同時
に進行する）。このため、成膜の密着性、膜質が飛躍的
に向上する。また、スパッタ成膜に使用する電極に印加
するマイナスの直流電圧を上記清浄処理に使用する電極
に印加した電圧をバイアスとして使用することができる
ので、スパッタ成膜装置の構成を単純化することがで
き、製造コストを削減することができる。
バイアス電位を印加しているので、処理材料に成膜処理
が行われると同時に、処理材料の成膜は放電ガスによっ
てイオンボンバードされるので、付着力の弱い粒子やガ
スが成膜からたたき出される（成膜とエッチングが同時
に進行する）。このため、成膜の密着性、膜質が飛躍的
に向上する。また、スパッタ成膜に使用する電極に印加
するマイナスの直流電圧を上記清浄処理に使用する電極
に印加した電圧をバイアスとして使用することができる
ので、スパッタ成膜装置の構成を単純化することがで
き、製造コストを削減することができる。
【図１】 本発明の成膜装置の断面図である。
【図２】 清浄処理室の断面図である。
【図３】 スパッタ成膜室の断面図である。
【図４】 本発明の第２実施例の断面図である。
【図５】 本発明の第３実施例の断面図である。
【図６】 本発明の第４実施例の断面図である。
【図７】 従来の成膜装置の断面図である。
１…成膜装置、２…導電性帯状材（処理材料）、８…清
浄処理室、９…スパッタ成膜室、１２…アース、２０…
電極部、２３…電極部、Ｂ…磁場、Ｐ…プラズマ、
Ｖ1，Ｖ2…マイナスの直流電圧。
浄処理室、９…スパッタ成膜室、１２…アース、２０…
電極部、２３…電極部、Ｂ…磁場、Ｐ…プラズマ、
Ｖ1，Ｖ2…マイナスの直流電圧。
Claims (1)
- 【請求項１】 マイナスの直流電位を印加した導電性帯
状材を一方で送り出し、他方で巻き取りながら連続的に
走行させ、上記導電性帯状材の処理面上に閉じる磁場を
形成する磁石を有する電極を上記マイナスの直流電位と
同一電位または浮遊電位として導電性帯状材をイオンボ
ンバードにより清浄処理し、続いて上記導電性帯状材の
マイナスの直流電位をバイアスとして導電性帯状材にス
パッタ成膜を行うことを特徴とする導電性帯状材の連続
成膜方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4851694A JPH07258820A (ja) | 1994-03-18 | 1994-03-18 | 導電性帯状材の連続成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4851694A JPH07258820A (ja) | 1994-03-18 | 1994-03-18 | 導電性帯状材の連続成膜方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07258820A true JPH07258820A (ja) | 1995-10-09 |
Family
ID=12805539
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4851694A Pending JPH07258820A (ja) | 1994-03-18 | 1994-03-18 | 導電性帯状材の連続成膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07258820A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998028952A1 (de) * | 1996-12-24 | 1998-07-02 | C.M.T.M. Dr. Müller Verfahrenstechnik Gmbh | Oberflächenbehandlung von metallischen bändern mittels magnetisch bewegten lichtbogen |
| JP2021080538A (ja) * | 2019-11-21 | 2021-05-27 | 日本電気硝子株式会社 | 導電膜の成膜装置および導電膜の成膜方法 |
-
1994
- 1994-03-18 JP JP4851694A patent/JPH07258820A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998028952A1 (de) * | 1996-12-24 | 1998-07-02 | C.M.T.M. Dr. Müller Verfahrenstechnik Gmbh | Oberflächenbehandlung von metallischen bändern mittels magnetisch bewegten lichtbogen |
| JP2021080538A (ja) * | 2019-11-21 | 2021-05-27 | 日本電気硝子株式会社 | 導電膜の成膜装置および導電膜の成膜方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040106 |