KR910019125A - 플라즈마 처리 장치 - Google Patents

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KR910019125A
KR910019125A KR1019910004957A KR910004957A KR910019125A KR 910019125 A KR910019125 A KR 910019125A KR 1019910004957 A KR1019910004957 A KR 1019910004957A KR 910004957 A KR910004957 A KR 910004957A KR 910019125 A KR910019125 A KR 910019125A
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KR
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plasma
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excitation solenoid
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plasma processing
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기요시 오오이와
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나까오 다께시
후지 덴끼 가부시끼가이샤
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    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H—ELECTRICITY
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Abstract

내용 없음

Description

플라즈마 처리 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제8도는 본 발명에 따른 플라즈마 처리 장치의 실시예를 도시하는 개략적 단면도.

Claims (6)

  1. 초단파 발생 수단과, 상기 초단파 발생 수단으로 생성된 초단파를 전송하는 초단파 전송 수단과, 상기 초단파 전송 수단과 연통되고 가스 보급 수단 및 상기 초단파 전송 수단과 대향관계인 단부에 한정된 개구를 갖는 플라즈마 발생 챔버와, 상기 플라즈마 발생 챔버와 동축 관계로 그 둘레에 배치되며 초단파 공진 효과에 의해 상기 플라즈마 발생 챔버에 도입된 가스의 플라즈마를 생성하는 자장을 한정하는 제1여기 솔레노이드와, 상기 개구를 통하여 상기 플라즈마 발생 챔버와 연통되고 거기에 배치된 기판의 표면을 플라즈마로 처리하는 처리챔버와, 상기 제1여기 솔레노이드와 대향 관계로 배치되고, 극성이 상기 기관 표면 근처의 상기 제1여기 솔레노이드로 생성된 자자오가 반대인 자장을 생성하는 제2여기 솔레노이드 및, 상기 기판에 RF전력을 가하는 전원을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1및 제2여기 솔레노이드가 상기 기판 표면 근처에 첨예 자장을 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제2여기 솔레노이드가 상기 제1여기 솔레노이드의 반대편에 배치되어 그 사이에 상기 기판을 매개시키는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  4. 제2항에 있어서, 상기 제2여기 솔레노이드가 상기 기판을 둘러싸도록 배치되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 전원은 상기 기판이 플라즈마에 대하여 음의 포텐셜을 갖게 하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 플라즈마는 상기 제1여기 솔레노이드를 통하여 전류의 증가와 함께 플라즈마 밀도가 급격히 감소하는 범위내에서 상기 범위의 중간치보다 낮은 전류를 흘림으로써 생성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910004957A 1990-04-02 1991-03-29 플라즈마 처리 장치 KR910019125A (ko)

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