JPH04131379A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体装置の製造過程におけるＣＶＤ処理、
エツチング処理、スパッタリング処理などを行うプラズ
マ処理装置に係り、特に、装置内壁を洗浄する機能を備
えたプラズマ処理装置に関する。
エツチング処理、スパッタリング処理などを行うプラズ
マ処理装置に係り、特に、装置内壁を洗浄する機能を備
えたプラズマ処理装置に関する。
（従来技術）
半導体装置の製造に用いられるプラズマ処理装置では、
各種の反応処理過程で生じたプラズマ生成物が真空容器
内壁にも付着してしまう。
各種の反応処理過程で生じたプラズマ生成物が真空容器
内壁にも付着してしまう。
例えば、ＳｉＨ４ガスとＮ２ガスまたはＮＨ３ガスとを
原料ガスとして試料表面に窒化ケイ素膜（Ｓ ｉ Ｎ）
を堆積させた場合、反応室の内壁には反応生成物である
窒化ケイ素、あるいは余剰のＳｉＨ４の分解による粉末
状のケイ素が付着する。
原料ガスとして試料表面に窒化ケイ素膜（Ｓ ｉ Ｎ）
を堆積させた場合、反応室の内壁には反応生成物である
窒化ケイ素、あるいは余剰のＳｉＨ４の分解による粉末
状のケイ素が付着する。
また、フォトレジストをマスクとしてＣＦ４ガスプラズ
マにて酸化ケイ素膜、窒化ケイ素膜をエツチングすると
、ガスから電離分解したフッ化炭素がフォトレジストと
結合し、有機樹脂膜か真空容器内壁に付着してしまう。
マにて酸化ケイ素膜、窒化ケイ素膜をエツチングすると
、ガスから電離分解したフッ化炭素がフォトレジストと
結合し、有機樹脂膜か真空容器内壁に付着してしまう。
そして、このように反応室の内壁に付着した付着物が剥
離すると、反応室内に急激なガス流か生じて処理条件が
変動したり、剥離した付着物によって試料が汚染されて
しまうという問題が生じる。
離すると、反応室内に急激なガス流か生じて処理条件が
変動したり、剥離した付着物によって試料が汚染されて
しまうという問題が生じる。
そこで、このようなプラズマ処理装置では、Ｉ＼ロゲン
系のガスを導入してプラズマを発生させることによって
付着物をエツチングしたり、酸素プラズマによって付着
物をアッシングしたりすることによって、定期的に反応
室内の洗浄が行われる。
系のガスを導入してプラズマを発生させることによって
付着物をエツチングしたり、酸素プラズマによって付着
物をアッシングしたりすることによって、定期的に反応
室内の洗浄が行われる。
ところで、付着物を効率良く洗浄するためには、洗浄部
分にプラズマが達するように洗浄部近傍でプラズマを発
生させたり、イオン流を効率良く付着物に向けたりする
必要がある。そこで、従来のプラズマ処理装置では以下
のような各種の工夫がなされている。
分にプラズマが達するように洗浄部近傍でプラズマを発
生させたり、イオン流を効率良く付着物に向けたりする
必要がある。そこで、従来のプラズマ処理装置では以下
のような各種の工夫がなされている。
例えば、特開昭６２−２８７６２３号公報には、反応室
内の磁場勾配を処理時と洗浄時とで逆向きにすることに
よってイオンの引き出し方向を切り換えて、洗浄効率を
高める方法が記載されている。
内の磁場勾配を処理時と洗浄時とで逆向きにすることに
よってイオンの引き出し方向を切り換えて、洗浄効率を
高める方法が記載されている。
また、特開平１−２３１３２０号公報には、反応室の内
壁に複数の電位を選択的に印加可能な導電性保護壁を設
け、プラズマを反応室の内壁に分散投射させて洗浄効率
を高める方法が記載されている。
壁に複数の電位を選択的に印加可能な導電性保護壁を設
け、プラズマを反応室の内壁に分散投射させて洗浄効率
を高める方法が記載されている。
さらに、特開昭６３−１１１１７７号公報には、サイク
ロトロン共鳴点を変化させることによってプラズマ発生
位置を調整し、所望位置を効率良く洗浄する方法が記載
されている。
ロトロン共鳴点を変化させることによってプラズマ発生
位置を調整し、所望位置を効率良く洗浄する方法が記載
されている。
（発明が解決しようとする課題）
上記した従来技術では、いずれも真空容器内を効率良く
かつ均一に洗浄するための工夫が為されておらず、真空
容器内を効率良くかつ均一に洗浄することができないと
いう問題があった。
かつ均一に洗浄するための工夫が為されておらず、真空
容器内を効率良くかつ均一に洗浄することができないと
いう問題があった。
本発明の目的は、上記した問題点を解決して、真空容器
内を効率良く洗浄することの可能なプラズマ処理装置を
提供することにある。
内を効率良く洗浄することの可能なプラズマ処理装置を
提供することにある。
さらに、本発明の他の目的は、上記した問題点を解決し
て、真空容器内を効率良くかつ均一に洗浄することの可
能なプラズマ処理装置を提供することにある。
て、真空容器内を効率良くかつ均一に洗浄することの可
能なプラズマ処理装置を提供することにある。
（課題を解決するための手段）
上記した目的を達成するために、本発明では、電子サイ
クロトロン共鳴励起を利用し、真空容器内に反応ガスプ
ラズマを発生させて試料処理を行う機能、および真空容
器内に洗浄ガスプラズマを発生させて真空容器内壁の洗
浄処理を行う機能を備えたプラズマ処理装置において、
以下のような手段を講じた点に特徴がある。
クロトロン共鳴励起を利用し、真空容器内に反応ガスプ
ラズマを発生させて試料処理を行う機能、および真空容
器内に洗浄ガスプラズマを発生させて真空容器内壁の洗
浄処理を行う機能を備えたプラズマ処理装置において、
以下のような手段を講じた点に特徴がある。
（１）洗浄処理時のプラズマ径を試料処理時のプラズマ
径よりも大きくし、洗浄処理時のプラズマ端部が真空容
器内壁に達するようにした。
径よりも大きくし、洗浄処理時のプラズマ端部が真空容
器内壁に達するようにした。
（２）前記洗浄ガスプラズマの分布を真空容器内で走査
するようにした。
するようにした。
（作用）
上記した（１）の構成によれば、容器内壁部の付着物へ
のプラズマ種の入射効率が高まるので、効率の良い洗浄
が可能になる。
のプラズマ種の入射効率が高まるので、効率の良い洗浄
が可能になる。
上記した（２）の構成によれば、容器内壁部へのプラズ
マ種の入射位置が連続的に変化するので、容器内壁の効
率の良いかつ均一な洗浄か可能になる。
マ種の入射位置が連続的に変化するので、容器内壁の効
率の良いかつ均一な洗浄か可能になる。
（実施例）
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第１図は本発明の一実施例であるプラズマ処理装置の断
面図であり、マイクロ波３の導入窓を組み合わせて構成
された放電管１、反応室２、基板などの試料６を載置す
る試料ホルダ１１、試料ホルダ１１に高周波電界を印加
する高周波電源７、主磁界コイル４、制御磁界コイル５
、マイクロ波３の発散を防止して電子サイクロトロン共
鳴（ＥＣＲ）励起によるプラズマ生成位置を一定位置に
特定するマイクロ波発散防止筒１３、ガス供給ノズル８
，９、および排気口１２を具備し、放電管１および反応
室２が真空容器を構成している。
面図であり、マイクロ波３の導入窓を組み合わせて構成
された放電管１、反応室２、基板などの試料６を載置す
る試料ホルダ１１、試料ホルダ１１に高周波電界を印加
する高周波電源７、主磁界コイル４、制御磁界コイル５
、マイクロ波３の発散を防止して電子サイクロトロン共
鳴（ＥＣＲ）励起によるプラズマ生成位置を一定位置に
特定するマイクロ波発散防止筒１３、ガス供給ノズル８
，９、および排気口１２を具備し、放電管１および反応
室２が真空容器を構成している。
このような構成のプラズマ処理装置において、試料処理
時には２．４５ＧＨｚのマイクロ波３による電界と、磁
界コイル４．５による磁束密度８７５ガウス以上の磁界
とによってＥＣＲを引き起こし、反応室２内に円筒型の
反応ガスプラズマ１４を発生させる。
時には２．４５ＧＨｚのマイクロ波３による電界と、磁
界コイル４．５による磁束密度８７５ガウス以上の磁界
とによってＥＣＲを引き起こし、反応室２内に円筒型の
反応ガスプラズマ１４を発生させる。
以下、本プラズマ処理装置を用いた本発明の実施例を詳
細に説明する。
細に説明する。
［第１実施例（その１）］
本実施例では、基板６上に窒化ケイ素膜を形成した後の
洗浄方法について説明する。
洗浄方法について説明する。
ガスノズル８，９のそれぞれから、Ｎ２ガスを２４０
ｍｌ／ｓｉｎ 、 Ｓ ｉ Ｈ４を２４ ｍｌ／ｗｉｎ
づつ導入し、排気量を調整することで真空容器内の圧力
を０．３Ｐａとした。
ｍｌ／ｓｉｎ 、 Ｓ ｉ Ｈ４を２４ ｍｌ／ｗｉｎ
づつ導入し、排気量を調整することで真空容器内の圧力
を０．３Ｐａとした。
一方、出力６００Ｗのマイクロ波３を導入し、磁界コイ
ル４，５への電流を調整することによって磁束密度８７
５ガウスのＥＣＲ面１９をマイクロ波発散防止筒１３内
に発生させると共に、高周波電源７によって試料ホルダ
１１には出力１（１０Ｗの高周波電界を印加した。
ル４，５への電流を調整することによって磁束密度８７
５ガウスのＥＣＲ面１９をマイクロ波発散防止筒１３内
に発生させると共に、高周波電源７によって試料ホルダ
１１には出力１（１０Ｗの高周波電界を印加した。
これにより、磁力線の向きが基板６にほぼ垂直な円筒型
のＥＣＲプラズマ１４が発生し、基板６表面には６０秒
で厚さ３５０ｎｍのＳｉＮ膜が形成された。
のＥＣＲプラズマ１４が発生し、基板６表面には６０秒
で厚さ３５０ｎｍのＳｉＮ膜が形成された。
また、このときの真空容器内の４点（■試料ホルダ１１
上、■ＳｉＨ４導入口近傍、■、■真空容器内壁）にお
けるＳｉＮ４膜の付着量は以下の通りである。
上、■ＳｉＨ４導入口近傍、■、■真空容器内壁）にお
けるＳｉＮ４膜の付着量は以下の通りである。
■３４０ｎｍ
■２２５ｎｓ
■６５ｎｉ
■５２ｎｌ
このように、基板６上にＳｉＮ膜を３５０ｒ＋ｍ堆積す
ると、プラズマが基板を底面とする円筒状であるために
もかかわらず、位置■〜■のいずれにもＳｉＮ膜が付着
することがわかる。
ると、プラズマが基板を底面とする円筒状であるために
もかかわらず、位置■〜■のいずれにもＳｉＮ膜が付着
することがわかる。
このようにしてＳｉＮ膜を堆積させた後に、本実施例で
は、洗浄ガスとしてＮＦ３ガスをガスノズル８より導入
し、さらに、発生させるプラズマの形状を以下の２通り
とした場合について、上記した位置■〜■の４点におけ
る洗浄速度を比較した。
は、洗浄ガスとしてＮＦ３ガスをガスノズル８より導入
し、さらに、発生させるプラズマの形状を以下の２通り
とした場合について、上記した位置■〜■の４点におけ
る洗浄速度を比較した。
（Ａ）上記と同様の円筒プラズマ１４を発生させた場合
。
。
（Ｂ）磁界コイル４．５の電流を調整して、プラズマ端
部が真空容器内壁に達する発散プラズマ１５を発生させ
た場合。
部が真空容器内壁に達する発散プラズマ１５を発生させ
た場合。
なお、この際のプラズマ発生条件はＮＦ３流量１５０
ｍｌ／ｗｉｎ、マイクロ波強度６００Ｗ、反応圧力０．
３Ｐａである。比較結果を第１表に示す。
ｍｌ／ｗｉｎ、マイクロ波強度６００Ｗ、反応圧力０．
３Ｐａである。比較結果を第１表に示す。
第 １ 表
第１表から明らかなように、容器内壁部■、■の洗浄速
度は、円筒プラズマの場合の２５〜３０ｎｍ／ｓｉｎに
対して、発散プラズマの場合では８０〜９５ ｎｓ／ｓ
ｉｎとなり、発散プラズマを利用すると円筒プラズマの
場合に比べて洗浄速度が２〜３倍に達することが確認さ
れた。
度は、円筒プラズマの場合の２５〜３０ｎｍ／ｓｉｎに
対して、発散プラズマの場合では８０〜９５ ｎｓ／ｓ
ｉｎとなり、発散プラズマを利用すると円筒プラズマの
場合に比べて洗浄速度が２〜３倍に達することが確認さ
れた。
すなわち、本実施例のように、洗浄処理時のプラズマの
拡がりを基板処理時よりも拡げ、洗浄処理時にはプラズ
マ端部が真空容器内壁に達して、付着物へのプラズマ種
の入射効率が高まるようにすれば、洗浄速度を著しく向
上させることかできる。
拡がりを基板処理時よりも拡げ、洗浄処理時にはプラズ
マ端部が真空容器内壁に達して、付着物へのプラズマ種
の入射効率が高まるようにすれば、洗浄速度を著しく向
上させることかできる。
［第１実施例（その２）］
次いで、前記第１実施例の装置を用いて基板６上に５ｉ
０２膜を形成した後の洗浄方法について説明する。
０２膜を形成した後の洗浄方法について説明する。
初めに、ガスノズル８，９のそれぞれから、０２ガスを
２４０ｍｌ／ｓｊｎ 、 Ｓ ｉ Ｈ４を２４ｍ１／ｓ
ｉｎづつ導入し、他の条件を前記と同様にして５ｉ０２
１１１を形成した。
２４０ｍｌ／ｓｊｎ 、 Ｓ ｉ Ｈ４を２４ｍ１／ｓ
ｉｎづつ導入し、他の条件を前記と同様にして５ｉ０２
１１１を形成した。
次いで、前記と同様の円筒プラズマおよび発散プラズマ
を発生させて５ｔ０２付着物の洗浄効果を調べた。また
、試料ホルダ１１に４００ＫＨｚ。
を発生させて５ｔ０２付着物の洗浄効果を調べた。また
、試料ホルダ１１に４００ＫＨｚ。
出力１００Ｗの高周波電界を印加した場合の洗浄効果に
ついても調べた。結果を第２表に示す。
ついても調べた。結果を第２表に示す。
第 ２ 表
第２表から明らかなように、５ｉ０２付着物の洗浄に際
しても、プラズマ径の拡がる発散プラズマを利用すると
洗浄効率が向上することがわかる。
しても、プラズマ径の拡がる発散プラズマを利用すると
洗浄効率が向上することがわかる。
また、電界が印加される部分では洗浄効率がさらに向上
することがわかる。換言すれば、酸化膜の洗浄に際して
は、付着物へのイオン入射量を増やすことが効果的であ
ることがわかる。
することがわかる。換言すれば、酸化膜の洗浄に際して
は、付着物へのイオン入射量を増やすことが効果的であ
ることがわかる。
［第２実施例］
第１実施例の装置を用い、真空容器内をＮＦ３ガスで洗
浄する前および洗浄した後の状態において、表面にＣｒ
膜の形成されたガラス基板上にＳｉＮ膜を３５Ｏｒ＋ｍ
形成し、その後、別の装置によって真性アモルファスＳ
ｉ膜およびＮ型アモルファスＳ１膜を連続的に形成して
薄膜トランジスタ（Ｔ Ｐ Ｔ）を公知の手法によって
形成し、それぞれのトランジスタの移動度を調べた。
浄する前および洗浄した後の状態において、表面にＣｒ
膜の形成されたガラス基板上にＳｉＮ膜を３５Ｏｒ＋ｍ
形成し、その後、別の装置によって真性アモルファスＳ
ｉ膜およびＮ型アモルファスＳ１膜を連続的に形成して
薄膜トランジスタ（Ｔ Ｐ Ｔ）を公知の手法によって
形成し、それぞれのトランジスタの移動度を調べた。
その結果、洗浄を行う前に形成されたトランジスタの移
動度が０． ６ｃｍ２／ Ｖ−ｓｅｅてあったのに対し
て、洗浄を行った後に形成されたトランジスタの移動度
は０．３ｃｍ２／ Ｖ−ｓｅｃと低下し、トランジスタ
特性が劣っていることかわかった。
動度が０． ６ｃｍ２／ Ｖ−ｓｅｅてあったのに対し
て、洗浄を行った後に形成されたトランジスタの移動度
は０．３ｃｍ２／ Ｖ−ｓｅｃと低下し、トランジスタ
特性が劣っていることかわかった。
そして、洗浄後に形成されたトランジスタのＳｉＮ膜を
分析したところ、多量のふっ素元素が検出された。
分析したところ、多量のふっ素元素が検出された。
そこで、本実施例では第２図に示したように、洗浄ガス
であるＮＦ３ガスを導入するための洗浄ガス専用ノズル
１０を設けると共に、ノズル８゜９．１０の真空容器内
への導入口近傍にそれぞれ遮断弁３１１１． ３９．
４０を設けて、洗浄時には遮断弁３８．３９を閉じて洗
浄を行い、成膜時には遮断弁４０を閉じて前記トランジ
スタを形成したところ、その移動度は０゜６ＣＩ１２／
Ｖ−３ｅＣとなった。
であるＮＦ３ガスを導入するための洗浄ガス専用ノズル
１０を設けると共に、ノズル８゜９．１０の真空容器内
への導入口近傍にそれぞれ遮断弁３１１１． ３９．
４０を設けて、洗浄時には遮断弁３８．３９を閉じて洗
浄を行い、成膜時には遮断弁４０を閉じて前記トランジ
スタを形成したところ、その移動度は０゜６ＣＩ１２／
Ｖ−３ｅＣとなった。
以上の実験結果から、洗浄ガスの専用ノズルを設けると
共に、基板処理時と洗浄時とで各ノズル内の残留ガスの
影響を極力排除することによって、洗浄直後に基板処理
を行っても特性の優れた薄膜を形成できるようになるこ
とがわかった。
共に、基板処理時と洗浄時とで各ノズル内の残留ガスの
影響を極力排除することによって、洗浄直後に基板処理
を行っても特性の優れた薄膜を形成できるようになるこ
とがわかった。
［第３実施例］
第３図は本発明の第３実施例を説明するための図である
。
。
本実施例では、制御磁界コイル５による磁界の向きが成
膜時の逆向きとなるようにして、主磁界コイル４による
磁界と制御磁界コイル５による磁界とによって処理室内
にいわゆるカスプ磁界を発生させ、該カスプ磁界によっ
てプラズマ状態となった反応ガスにより付着物を洗浄す
るようにした点に特徴がある。
膜時の逆向きとなるようにして、主磁界コイル４による
磁界と制御磁界コイル５による磁界とによって処理室内
にいわゆるカスプ磁界を発生させ、該カスプ磁界によっ
てプラズマ状態となった反応ガスにより付着物を洗浄す
るようにした点に特徴がある。
初めに、０２ガスとＳ ｉ Ｈ４ガスとを材料ガスとし
、基板の大きさを底面とする円筒プラズマを前記と同様
にして発生させて基板６上に５ｉ０２を堆積した。
、基板の大きさを底面とする円筒プラズマを前記と同様
にして発生させて基板６上に５ｉ０２を堆積した。
一方、洗浄に際しては、洗浄ガスとしてＮＦ３を導入し
、主磁界コイル４および制御磁界コイル５を制御してカ
スプ磁界を発生させてＮＦ３プラズマによる洗浄を行っ
た。
、主磁界コイル４および制御磁界コイル５を制御してカ
スプ磁界を発生させてＮＦ３プラズマによる洗浄を行っ
た。
ＮＦ３プラズマ１７はカスプ磁界境界面１８に沿って容
器内壁方向１６に流れるので、第３図の右側に示したよ
うに、境界面１８の位置では５ｉ０２が著しく高速で洗
浄され、境界面より下側では洗浄速度が急激に衰えてし
まう。
器内壁方向１６に流れるので、第３図の右側に示したよ
うに、境界面１８の位置では５ｉ０２が著しく高速で洗
浄され、境界面より下側では洗浄速度が急激に衰えてし
まう。
そこで、本実施例では主磁界コイル４および制御磁界コ
イル５を連続的に制御して、カスプ磁界の境界面１８を
主磁界コイル４と制御磁界コイル５との間で、図中上下
方向に走査するようにした。
イル５を連続的に制御して、カスプ磁界の境界面１８を
主磁界コイル４と制御磁界コイル５との間で、図中上下
方向に走査するようにした。
第４図は、カスプ磁界位置を一定として洗浄した場合（
実線）、およびカスプ磁界位置を走査して洗浄した場合
（点線）の残留５ｉ０２の付着量を示した図である。同
図から明らかなように、カスプ磁界位置を走査すれば付
着物へのプラズマ種の入射位置が連続的に変化するので
、容器内壁を均一に洗浄することができるようになる。
実線）、およびカスプ磁界位置を走査して洗浄した場合
（点線）の残留５ｉ０２の付着量を示した図である。同
図から明らかなように、カスプ磁界位置を走査すれば付
着物へのプラズマ種の入射位置が連続的に変化するので
、容器内壁を均一に洗浄することができるようになる。
［第４実施例］
第５図は本発明の第４実施例を説明するための図である
。
。
本実施例では、主磁界コイル４による磁界の向きと制御
磁界コイル５による磁界の向きとを共に成膜時の逆向き
となるように制御して装置の上方にプラズマを発生させ
、装置上方を均一に洗浄できるようにした点に特徴があ
る。
磁界コイル５による磁界の向きとを共に成膜時の逆向き
となるように制御して装置の上方にプラズマを発生させ
、装置上方を均一に洗浄できるようにした点に特徴があ
る。
上記した第３実施例では、主磁界コイル４よりも上側位
置の放電管１付近に付着したＳｉＯｘを均一に洗浄する
ことができなかった。そこで本実施例では、主磁界コイ
ル４および制御磁界コイル５を連続的に制御し、前記第
３実施例のようなカスプ磁界発生状態から主磁界コイル
４の励磁電流を徐々に下げ、零とした後にさらに下げて
電流の向きを反転して第５図に示した上向き磁界１６を
発生させた。
置の放電管１付近に付着したＳｉＯｘを均一に洗浄する
ことができなかった。そこで本実施例では、主磁界コイ
ル４および制御磁界コイル５を連続的に制御し、前記第
３実施例のようなカスプ磁界発生状態から主磁界コイル
４の励磁電流を徐々に下げ、零とした後にさらに下げて
電流の向きを反転して第５図に示した上向き磁界１６を
発生させた。
また、主磁界コイル４および制御磁界コイル５による磁
界の向きとを共に逆向きとした状態で磁界分布を連続的
に変化させ、プラズマ種の容器内壁への入射位置を連続
的に変化させることによって容器内を均一に洗浄できる
ようにした。
界の向きとを共に逆向きとした状態で磁界分布を連続的
に変化させ、プラズマ種の容器内壁への入射位置を連続
的に変化させることによって容器内を均一に洗浄できる
ようにした。
本実施例によれば、同図右側に示したように、装置上方
での洗浄速度が速くなるので、放電管１付近に付着した
ＳｉＯｘを効率良くかつ均一に洗浄できるようになる。
での洗浄速度が速くなるので、放電管１付近に付着した
ＳｉＯｘを効率良くかつ均一に洗浄できるようになる。
［第５実施例コ
第６図は本発明の第５実施例のプラズマ処理装置の構成
を示した図である。
を示した図である。
本実施例では、洗浄ガス（ＮＦＳ）の流量を検出して調
整する流量調整装置２３と、真空容器内の圧力を検出す
る圧力検出装置２０と、前記流量調整装置２３および圧
力検出装置２０の出力信号を検出し、検出結果に応じて
主磁界コイル４、制御磁界コイル５、洗浄ガス流量、お
よび排気ガスバルブ２２の開度等を適宜調整する制御装
置２１とを備えている。
整する流量調整装置２３と、真空容器内の圧力を検出す
る圧力検出装置２０と、前記流量調整装置２３および圧
力検出装置２０の出力信号を検出し、検出結果に応じて
主磁界コイル４、制御磁界コイル５、洗浄ガス流量、お
よび排気ガスバルブ２２の開度等を適宜調整する制御装
置２１とを備えている。
第７図は、前記圧力検出装置２０で検出される反応圧力
と洗浄速度との関係を表した図である。
と洗浄速度との関係を表した図である。
同図から、反応圧力が約２Ｐａのときの洗浄速度が最も
速いことが分る。
速いことが分る。
上記した実験結果から、本実施例では洗浄速度が最も速
くなる反応圧力として２Ｐａを選定し、制御装！２１は
洗浄処理時の反応圧力が常に２Ｐａとなるように、洗浄
ガス流量および排気ガスバルブ２２の開度を調整する。
くなる反応圧力として２Ｐａを選定し、制御装！２１は
洗浄処理時の反応圧力が常に２Ｐａとなるように、洗浄
ガス流量および排気ガスバルブ２２の開度を調整する。
同時に、Ｍ御装２２１は主磁界コイル４および制御磁界
コイル５を制御して、前記各実施例で説明したような、
洗浄処理に適した形状のプラズマを発生させるための磁
界を発生させる。
コイル５を制御して、前記各実施例で説明したような、
洗浄処理に適した形状のプラズマを発生させるための磁
界を発生させる。
なお、上記した説明では洗浄ガスとしてハロゲン系のＮ
Ｆ３を用いたが、酸素を洗浄ガスとして用いた場合には
、反応圧力が約７ Ｘ １０−”、Ｐ ａのときの洗浄
速度が最も速いことを確認した。
Ｆ３を用いたが、酸素を洗浄ガスとして用いた場合には
、反応圧力が約７ Ｘ １０−”、Ｐ ａのときの洗浄
速度が最も速いことを確認した。
本実施例によれば、常に最適な条件での洗浄が可能にな
る。
る。
［第６実施例］
第８図は本発明の第６実施例のプラズマ処理装置の構成
を示した図である。
を示した図である。
本実施例では、洗浄ガス供給ノズル１０ａの供給口を基
板ボルダ１１近傍に設けた点に特徴がある。本装置を用
いて洗浄処理を行った結果を第３表に示す。なお、■〜
■は、前記第１図に関して説明した真空容器内の位置を
表し、洗浄条件は前記第１実施例で発散プラズマを用い
た場合と同一である。
板ボルダ１１近傍に設けた点に特徴がある。本装置を用
いて洗浄処理を行った結果を第３表に示す。なお、■〜
■は、前記第１図に関して説明した真空容器内の位置を
表し、洗浄条件は前記第１実施例で発散プラズマを用い
た場合と同一である。
第３表から明らかなように、本実施例によれば、第１実
施例で発散プラズマを用いた場合（第１表）に比べて、
反応ガス導入口付近■での洗浄速度は低下したが、基板
ホルダ上■および容器内壁部■。
施例で発散プラズマを用いた場合（第１表）に比べて、
反応ガス導入口付近■での洗浄速度は低下したが、基板
ホルダ上■および容器内壁部■。
■の洗浄速度は著しく向上した。
［第７実施例コ
上記した各実施例では、本発明をＣＶＤ装置の洗浄に適
用して説明したが、本発明はこれのみに限定されるもの
ではなく、エツチング装置にも適用できる。
用して説明したが、本発明はこれのみに限定されるもの
ではなく、エツチング装置にも適用できる。
たとえば、第１図に関して説明した装置をエツチング用
に用い、ＣＦ４ガスをエツチングガスとして用いてＳｉ
基板をエツチングすると、第１図に示した位置■〜■に
炭素が付着する。
に用い、ＣＦ４ガスをエツチングガスとして用いてＳｉ
基板をエツチングすると、第１図に示した位置■〜■に
炭素が付着する。
酸素ガスを洗浄ガスとして用いて、前記と同様に円筒プ
ラズマおよび発散プラズマを発生させてときの洗浄速度
を第４表に示す。
ラズマおよび発散プラズマを発生させてときの洗浄速度
を第４表に示す。
第 ４ 表
第４表から明らかなように、エツチングによる洗浄にお
いても、容器内壁部■、■に関しては円筒プラズマより
も発散プラズマの方が洗浄速度の速いことが分った。
いても、容器内壁部■、■に関しては円筒プラズマより
も発散プラズマの方が洗浄速度の速いことが分った。
さらに、基板ホルダに４００ＫＨｚ、出力１００Ｗの高
周波電界を加えると、基板ホルダ上■の洗浄速度に関し
ても、円筒形状プラズマを用いた場合以上の洗浄速度を
得られることが確認された。
周波電界を加えると、基板ホルダ上■の洗浄速度に関し
ても、円筒形状プラズマを用いた場合以上の洗浄速度を
得られることが確認された。
（発明の効果）
以上の説明から明らかなように、本発明によれば、洗浄
処理時のプラズマ径を試料処理時のプラズマ径よりも大
きくし、洗浄処理時のプラズマ種が真空容器内壁に達す
るようにしたので、洗浄速度が向上して効率の良い洗浄
処理が可能になる。
処理時のプラズマ径を試料処理時のプラズマ径よりも大
きくし、洗浄処理時のプラズマ種が真空容器内壁に達す
るようにしたので、洗浄速度が向上して効率の良い洗浄
処理が可能になる。
さらに、洗浄処理時の主磁界コイルおよび制御磁界コイ
ルを制御して真空容器内壁へのプラズマ種の入射位置を
走査するようにすれば、容器内を均一かつ効率良く洗浄
できるようになる。
ルを制御して真空容器内壁へのプラズマ種の入射位置を
走査するようにすれば、容器内を均一かつ効率良く洗浄
できるようになる。
第１図は本発明の第１実施例の断面図、第２図は本発明
の第２実施例の断面図、第３図は本発明の第３実施例の
断面図、第４図は第３実施例を説明するための図、第５
図は本発明の第４実施例の断面図、第６図は本発明の第
５実施例の断面図、第７図は第５実施例を説明するため
の図、第８図は本発明の第６実施例の断面図である。 １・・・放電管、２・・・反応室、３・・・マイクロ波
、４・・・主磁界コイル、５・・・制御磁界コイル、６
・・・試料、７・・・高周波電源、８，９・・・ガス供
給ノズル、１０．１０ａ・・・洗浄ガス供給ノズル、１
１・・・試料ホルダ、１２・・・排気口 第３図 第４図 代理人 弁理士 平 木 道 人 桓置 第８図 第６図 第７ 図 反ＡｌＬカト
の第２実施例の断面図、第３図は本発明の第３実施例の
断面図、第４図は第３実施例を説明するための図、第５
図は本発明の第４実施例の断面図、第６図は本発明の第
５実施例の断面図、第７図は第５実施例を説明するため
の図、第８図は本発明の第６実施例の断面図である。 １・・・放電管、２・・・反応室、３・・・マイクロ波
、４・・・主磁界コイル、５・・・制御磁界コイル、６
・・・試料、７・・・高周波電源、８，９・・・ガス供
給ノズル、１０．１０ａ・・・洗浄ガス供給ノズル、１
１・・・試料ホルダ、１２・・・排気口 第３図 第４図 代理人 弁理士 平 木 道 人 桓置 第８図 第６図 第７ 図 反ＡｌＬカト
Claims (10)
- （１）電子サイクロトロン共鳴励起を利用し、真空容器
内に反応ガスプラズマを発生させて試料処理を行う機能
、および真空容器内に洗浄ガスプラズマを発生させて真
空容器内壁の洗浄処理を行う機能を備えたプラズマ処理
装置において、 洗浄処理時の試料面に平行な面内での最大プラズマ径は
、試料処理時の試料面に平行な面内での最大プラズマ径
よりも大きく、洗浄処理時の前記最大プラズマ径部での
プラズマ端部は真空容器内壁に達することを特徴とする
プラズマ処理装置。 - （２）前記洗浄ガスプラズマの分布を真空容器内で走査
することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のプラ
ズマ処理装置。 - （３）真空容器内に反応ガスを供給する反応ガス供給ノ
ズルと、 サイクロトロン共鳴のための磁界を、真空容器内のプラ
ズマ生成領域に発生させる主磁界コイルと、 プラズマ流を制御するための磁界を、真空容器内のプラ
ズマ反応領域に発生させる制御磁界コイルと、 プラズマ反応領域で試料を支持する試料ホルダと、 主磁界コイルおよび制御磁界コイルの少なくとも一方を
制御して、円筒プラズマおよび該円筒プラズマより最大
プラズマ径が大きい発散プラズマのいずれか一方を選択
的に発生させる励磁制御手段とを具備し、 前記励磁制御手段は、試料処理時には円筒型反応ガスプ
ラズマを発生させ、洗浄処理時には発散型洗浄ガスプラ
ズマを発生させることを特徴とする特許請求の範囲第１
項または第２項記載のプラズマ処理装置。 - （４）真空容器内に反応ガスを供給する反応ガス供給ノ
ズルと、 サイクロトロン共鳴のための磁界を、真空容器内のプラ
ズマ生成領域に発生させる主磁界コイルと、 プラズマ流を制御するための磁界を、真空容器内のプラ
ズマ反応領域に発生させる制御磁界コイルと、 プラズマ反応領域で試料を支持する試料ホルダと、 洗浄処理時に、制御磁界コイルによる磁界向きを試料処
理時の逆向きに切り換えて、主磁界コイルと制御磁界コ
イルとの間にカスプ磁界を発生させるカスプ磁界発生手
段とを具備し、 前記洗浄ガスプラズマは、前記カスプ磁界によって発生
させられることを特徴とする特許請求の範囲第１項また
は第２項記載のプラズマ処理装置。 - （５）前記カスプ磁界発生手段は主磁界コイルおよび制
御磁界コイルの少なくとも一方を連続的に制御し、カス
プ磁界境界面を主磁界コイルと制御磁界コイルとの間で
走査させることを特徴とする特許請求の範囲第４項記載
のプラズマ処理装置。 - （６）真空容器内に反応ガスを供給する反応ガス供給ノ
ズルと、 サイクロトロン共鳴のための磁界を、真空容器内のプラ
ズマ生成領域に発生させる主磁界コイルと、 プラズマ流を制御するための磁界を、真空容器内のプラ
ズマ反応領域に発生させる制御磁界コイルと、 プラズマ反応領域で試料を支持する試料ホルダと、 前記主磁界コイルおよび制御磁界コイルの磁界向きを試
料処理時の逆向きに切り換える切り換え手段と、 主磁界コイルおよび制御磁界コイルによる磁界分布を連
続的に変化させる励磁制御手段とを具備したことを特徴
とする特許請求の範囲第１項または第２項記載のプラズ
マ処理装置。 - （７）洗浄ガスの流量を検出して調整する流量調整手段
と、 真空容器内の圧力を検出する圧力検出手段と、反応ガス
流量および排気ガス流量の少なくとも一方を制御して、
真空容器内の圧力を予定の値に保つ圧力制御手段とをさ
らに具備したことを特徴とする特許請求の範囲第１項な
いし第６項のいずれかに記載のプラズマ処理装置。 - （８）真空容器内に洗浄ガスを供給する洗浄ガス供給ノ
ズルと、 洗浄処理時に、真空容器内と反応ガス供給ノズルとを遮
断する遮断手段とをさらに具備したことを特徴とする特
許請求の範囲第１項ないし第７項のいずれかに記載のプ
ラズマ処理装置。 - （９）前記洗浄ガス供給ノズルの真空容器内への導入口
を、前記試料ホルダ近傍に設けたことを特徴とする特許
請求の範囲第１項ないし第８項のいずれかに記載のプラ
ズマ処理装置。 - （１０）前記試料ホルダに高周波電界を印加する手段を
さらに具備したことを特徴とする特許請求の範囲第１項
ないし第９項のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2253398A JP2598336B2 (ja) | 1990-09-21 | 1990-09-21 | プラズマ処理装置 |
| KR1019910016380A KR970000691B1 (ko) | 1990-09-21 | 1991-09-19 | 플라즈마 처리장치 및 이의 처리방법 |
| US07/764,161 US5211825A (en) | 1990-09-21 | 1991-09-23 | Plasma processing apparatus and the method of the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2253398A JP2598336B2 (ja) | 1990-09-21 | 1990-09-21 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04131379A true JPH04131379A (ja) | 1992-05-06 |
| JP2598336B2 JP2598336B2 (ja) | 1997-04-09 |
Family
ID=17250821
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2253398A Expired - Lifetime JP2598336B2 (ja) | 1990-09-21 | 1990-09-21 | プラズマ処理装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5211825A (ja) |
| JP (1) | JP2598336B2 (ja) |
| KR (1) | KR970000691B1 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09167755A (ja) * | 1995-12-15 | 1997-06-24 | Nec Corp | プラズマ酸化膜処理装置 |
| WO2000001007A1 (fr) * | 1998-06-30 | 2000-01-06 | Tokyo Electron Limited | Procede de traitement au plasma |
| KR100290749B1 (ko) * | 1993-05-01 | 2001-10-24 | 히가시 데쓰로 | 플라즈마처리장치 |
| JP2006169589A (ja) * | 2004-12-16 | 2006-06-29 | Shinko Seiki Co Ltd | 表面処理装置 |
| JP2012023098A (ja) * | 2010-07-12 | 2012-02-02 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
| JP2014099619A (ja) * | 2006-10-19 | 2014-05-29 | Quantam Global Technologies Llc | 基板処理構成部品からの残留物の除去 |
Families Citing this family (40)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6784033B1 (en) | 1984-02-15 | 2004-08-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for the manufacture of an insulated gate field effect semiconductor device |
| US6786997B1 (en) | 1984-11-26 | 2004-09-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Plasma processing apparatus |
| JPH0752718B2 (ja) | 1984-11-26 | 1995-06-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 薄膜形成方法 |
| US6113701A (en) | 1985-02-14 | 2000-09-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, manufacturing method, and system |
| US6230650B1 (en) | 1985-10-14 | 2001-05-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Microwave enhanced CVD system under magnetic field |
| US6673722B1 (en) | 1985-10-14 | 2004-01-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Microwave enhanced CVD system under magnetic field |
| US5633192A (en) * | 1991-03-18 | 1997-05-27 | Boston University | Method for epitaxially growing gallium nitride layers |
| US7235819B2 (en) * | 1991-03-18 | 2007-06-26 | The Trustees Of Boston University | Semiconductor device having group III nitride buffer layer and growth layers |
| JP3042127B2 (ja) * | 1991-09-02 | 2000-05-15 | 富士電機株式会社 | 酸化シリコン膜の製造方法および製造装置 |
| JP2987663B2 (ja) * | 1992-03-10 | 1999-12-06 | 株式会社日立製作所 | 基板処理装置 |
| JPH0711446A (ja) * | 1993-05-27 | 1995-01-13 | Applied Materials Inc | 気相成長用サセプタ装置 |
| US6007637A (en) * | 1993-06-11 | 1999-12-28 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Process and apparatus for the dry treatment of metal surfaces |
| US5458725A (en) * | 1993-08-17 | 1995-10-17 | Motorola, Inc. | Gas distribution system |
| US5759922A (en) * | 1993-08-25 | 1998-06-02 | Micron Technology, Inc. | Control of etch profiles during extended overetch |
| JPH07245193A (ja) * | 1994-03-02 | 1995-09-19 | Nissin Electric Co Ltd | プラズマ発生装置及びプラズマ処理装置 |
| US5503676A (en) * | 1994-09-19 | 1996-04-02 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for magnetron in-situ cleaning of plasma reaction chamber |
| JP2962181B2 (ja) * | 1995-02-01 | 1999-10-12 | ヤマハ株式会社 | ドライエッチング方法及び装置 |
| JPH08335573A (ja) * | 1995-04-05 | 1996-12-17 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ成膜方法及びその装置 |
| US5674321A (en) * | 1995-04-28 | 1997-10-07 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for producing plasma uniformity in a magnetic field-enhanced plasma reactor |
| US5988187A (en) | 1996-07-09 | 1999-11-23 | Lam Research Corporation | Chemical vapor deposition system with a plasma chamber having separate process gas and cleaning gas injection ports |
| DE19644150A1 (de) * | 1996-10-24 | 1998-04-30 | Roland Dr Gesche | Magnetfeldunterstütztes Reinigen, Entfetten und Aktivieren mit Niederdruck-Gasentladungen |
| KR100502945B1 (ko) * | 1996-11-14 | 2005-11-23 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 플라즈마처리장치의세정방법 |
| US6079426A (en) * | 1997-07-02 | 2000-06-27 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for determining the endpoint in a plasma cleaning process |
| US6068783A (en) * | 1998-04-28 | 2000-05-30 | Winbond Electronics Corp | In-situ and non-intrusive method for monitoring plasma etch chamber condition utilizing spectroscopic technique |
| US8617351B2 (en) * | 2002-07-09 | 2013-12-31 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with minimal D.C. coils for cusp, solenoid and mirror fields for plasma uniformity and device damage reduction |
| US8048806B2 (en) * | 2000-03-17 | 2011-11-01 | Applied Materials, Inc. | Methods to avoid unstable plasma states during a process transition |
| US20070048882A1 (en) * | 2000-03-17 | 2007-03-01 | Applied Materials, Inc. | Method to reduce plasma-induced charging damage |
| JP2002055662A (ja) * | 2000-08-11 | 2002-02-20 | Nec Corp | 液晶表示装置及びその駆動方法 |
| JP4009087B2 (ja) * | 2001-07-06 | 2007-11-14 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 半導体製造装置における磁気発生装置、半導体製造装置および磁場強度制御方法 |
| US7374636B2 (en) * | 2001-07-06 | 2008-05-20 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for providing uniform plasma in a magnetic field enhanced plasma reactor |
| US20030150475A1 (en) * | 2002-02-11 | 2003-08-14 | Lorne Abrams | Method and apparatus for sanitizing reusable articles |
| US7056416B2 (en) * | 2002-02-15 | 2006-06-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Atmospheric pressure plasma processing method and apparatus |
| TWI283899B (en) * | 2002-07-09 | 2007-07-11 | Applied Materials Inc | Capacitively coupled plasma reactor with magnetic plasma control |
| US7458335B1 (en) | 2002-10-10 | 2008-12-02 | Applied Materials, Inc. | Uniform magnetically enhanced reactive ion etching using nested electromagnetic coils |
| US7422654B2 (en) * | 2003-02-14 | 2008-09-09 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for shaping a magnetic field in a magnetic field-enhanced plasma reactor |
| JP5011631B2 (ja) * | 2004-06-01 | 2012-08-29 | 富士ゼロックス株式会社 | 半導体製造装置および半導体製造システム |
| JP4943047B2 (ja) | 2006-04-07 | 2012-05-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
| US8092605B2 (en) * | 2006-11-28 | 2012-01-10 | Applied Materials, Inc. | Magnetic confinement of a plasma |
| US20090014644A1 (en) * | 2007-07-13 | 2009-01-15 | Inficon, Inc. | In-situ ion source cleaning for partial pressure analyzers used in process monitoring |
| US8247812B2 (en) * | 2009-02-13 | 2012-08-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor, semiconductor device including the transistor, and manufacturing method of the transistor and the semiconductor device |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01230496A (ja) * | 1987-10-15 | 1989-09-13 | Canon Inc | 新規なダイヤモンド状炭素膜及びその製造方法 |
| JPH01298170A (ja) * | 1988-05-25 | 1989-12-01 | Tel Sagami Ltd | Ｅｃｒプラズマ処理装置 |
| JPH02174229A (ja) * | 1988-12-27 | 1990-07-05 | Sumitomo Metal Ind Ltd | プラズマ装置およびその使用方法 |
| JPH0375373A (ja) * | 1989-08-18 | 1991-03-29 | Fujitsu Ltd | プラズマ処理装置の清浄化方法 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4576698A (en) * | 1983-06-30 | 1986-03-18 | International Business Machines Corporation | Plasma etch cleaning in low pressure chemical vapor deposition systems |
| US4657616A (en) * | 1985-05-17 | 1987-04-14 | Benzing Technologies, Inc. | In-situ CVD chamber cleaner |
| JPS62261125A (ja) * | 1986-05-08 | 1987-11-13 | Fuji Electric Co Ltd | 乾式薄膜加工装置 |
| JPH0715899B2 (ja) * | 1986-06-06 | 1995-02-22 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理方法及び装置 |
| JPS63111177A (ja) * | 1986-10-29 | 1988-05-16 | Hitachi Ltd | マイクロ波プラズマ薄膜形成装置 |
| JPS63119225A (ja) * | 1986-11-06 | 1988-05-23 | Fujitsu Ltd | プラズマｃｖｄ装置 |
| US4960488A (en) * | 1986-12-19 | 1990-10-02 | Applied Materials, Inc. | Reactor chamber self-cleaning process |
| JPS63210275A (ja) * | 1987-02-24 | 1988-08-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | プラズマ反応装置内を清浄にする方法 |
| JP2595002B2 (ja) * | 1988-01-13 | 1997-03-26 | 株式会社日立製作所 | マイクロ波プラズマ処理方法及び装置 |
| JP2696892B2 (ja) * | 1988-03-11 | 1998-01-14 | 住友金属工業株式会社 | プラズマプロセス装置 |
| JP2696891B2 (ja) * | 1988-03-11 | 1998-01-14 | 住友金属工業株式会社 | プラズマプロセス装置 |
| US4975144A (en) * | 1988-03-22 | 1990-12-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of plasma etching amorphous carbon films |
| JP2654996B2 (ja) * | 1988-08-17 | 1997-09-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置 |
| JPH07101685B2 (ja) * | 1989-01-26 | 1995-11-01 | 富士通株式会社 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
| US5084125A (en) * | 1989-09-12 | 1992-01-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Apparatus and method for producing semiconductor substrate |
-
1990
- 1990-09-21 JP JP2253398A patent/JP2598336B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-09-19 KR KR1019910016380A patent/KR970000691B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1991-09-23 US US07/764,161 patent/US5211825A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01230496A (ja) * | 1987-10-15 | 1989-09-13 | Canon Inc | 新規なダイヤモンド状炭素膜及びその製造方法 |
| JPH01298170A (ja) * | 1988-05-25 | 1989-12-01 | Tel Sagami Ltd | Ｅｃｒプラズマ処理装置 |
| JPH02174229A (ja) * | 1988-12-27 | 1990-07-05 | Sumitomo Metal Ind Ltd | プラズマ装置およびその使用方法 |
| JPH0375373A (ja) * | 1989-08-18 | 1991-03-29 | Fujitsu Ltd | プラズマ処理装置の清浄化方法 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100290749B1 (ko) * | 1993-05-01 | 2001-10-24 | 히가시 데쓰로 | 플라즈마처리장치 |
| JPH09167755A (ja) * | 1995-12-15 | 1997-06-24 | Nec Corp | プラズマ酸化膜処理装置 |
| WO2000001007A1 (fr) * | 1998-06-30 | 2000-01-06 | Tokyo Electron Limited | Procede de traitement au plasma |
| US6392350B1 (en) | 1998-06-30 | 2002-05-21 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing method |
| JP2006169589A (ja) * | 2004-12-16 | 2006-06-29 | Shinko Seiki Co Ltd | 表面処理装置 |
| JP2014099619A (ja) * | 2006-10-19 | 2014-05-29 | Quantam Global Technologies Llc | 基板処理構成部品からの残留物の除去 |
| JP2012023098A (ja) * | 2010-07-12 | 2012-02-02 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR970000691B1 (ko) | 1997-01-18 |
| JP2598336B2 (ja) | 1997-04-09 |
| US5211825A (en) | 1993-05-18 |
| KR920007128A (ko) | 1992-04-28 |
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