JPS62287623A - プラズマ処理方法及び装置 - Google Patents
プラズマ処理方法及び装置Info
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- JPS62287623A JPS62287623A JP13011486A JP13011486A JPS62287623A JP S62287623 A JPS62287623 A JP S62287623A JP 13011486 A JP13011486 A JP 13011486A JP 13011486 A JP13011486 A JP 13011486A JP S62287623 A JPS62287623 A JP S62287623A
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- plasma
- ions
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 7
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
本発明は、プラズマ処理方法及び装置に係り、特にil
l場と磁場とを併用するプラズマ処理方法及び装置に関
するものである。
l場と磁場とを併用するプラズマ処理方法及び装置に関
するものである。
電場と磁場とを併用するプラズマ処理技術とし4←61
では1例えば、特公昭53−3号公報に記載のよ△
うな、マイクロ波(以下、μ波と略)放電によるプラズ
マ中のイオンを磁場により試料の被処理面方向に引出し
て該試料をエツチング処理等するものが知られている。
マ中のイオンを磁場により試料の被処理面方向に引出し
て該試料をエツチング処理等するものが知られている。
上記従来技術では、イオンが引出される方向と逆方向で
は、ラジカル成分が多々なり、処理室内壁面薯こデポジ
ションが生じる。このデポジションは、塵埃発生やプロ
セスの不安定さの原因になるため、一定期間経過した時
点で処理室内壁面をクリーニングする必要がある。この
ような処理室内壁面のクリーニングは、処理室を大気開
放して実施されるため、装置の稼動率が悪くなりスルー
ブツトが上がらないといった問題を有している。
は、ラジカル成分が多々なり、処理室内壁面薯こデポジ
ションが生じる。このデポジションは、塵埃発生やプロ
セスの不安定さの原因になるため、一定期間経過した時
点で処理室内壁面をクリーニングする必要がある。この
ような処理室内壁面のクリーニングは、処理室を大気開
放して実施されるため、装置の稼動率が悪くなりスルー
ブツトが上がらないといった問題を有している。
本発明の目的は、処理室を大気開放せずに処理室内をク
リーニングできるようIこすることで、装置の稼動率の
低下を抑制してスルーブツトを向上できるプラズマ処理
方法及び装置を提供することにある。
リーニングできるようIこすることで、装置の稼動率の
低下を抑制してスルーブツトを向上できるプラズマ処理
方法及び装置を提供することにある。
上記問題は、プラズマ処理方法を、電場と磁場の併用に
よりプラズマのイオン化率を増加させる工程と、前記磁
場を切換えて前記プラズマ中のイオンの方向を変更させ
る工程とを有する方法とし、プラズマ処理装置を、減圧
排気される処理室と、該処理室内で電場を発生する電場
発生手段と、前記処理室内で磁場を発生する己場兄生手
段と、前記磁場と切換える磁場切換手段とを具備したも
のとすることにより、達成される。
よりプラズマのイオン化率を増加させる工程と、前記磁
場を切換えて前記プラズマ中のイオンの方向を変更させ
る工程とを有する方法とし、プラズマ処理装置を、減圧
排気される処理室と、該処理室内で電場を発生する電場
発生手段と、前記処理室内で磁場を発生する己場兄生手
段と、前記磁場と切換える磁場切換手段とを具備したも
のとすることにより、達成される。
試料、例えば、半導体素子基板(以下、ウェハと略)を
、例えば、エツチング処理する場合には、プラズマ中の
イオンをウェハ方向へ引出すために磁場勾配が設けられ
る。この磁場勾配を逆にしてやれば、プラズマ中のイオ
ンはウェハと逆の方向へと向い、これにより、デボジシ
ランを生じている処理室内壁面はイオン衝撃を含めたプ
ラズマ反応によりクリーニングされる。また、このイオ
ンの方向は磁場をカスブ磁場にすることでウェハの方向
と直角の方向に向けることもできる。したが゛って、こ
れらの磁場を組合せることによりいろいろな方向へのイ
オンの引出しが可能であり、処理室内のクリーニングを
効果的薔こ行うことができる。
、例えば、エツチング処理する場合には、プラズマ中の
イオンをウェハ方向へ引出すために磁場勾配が設けられ
る。この磁場勾配を逆にしてやれば、プラズマ中のイオ
ンはウェハと逆の方向へと向い、これにより、デボジシ
ランを生じている処理室内壁面はイオン衝撃を含めたプ
ラズマ反応によりクリーニングされる。また、このイオ
ンの方向は磁場をカスブ磁場にすることでウェハの方向
と直角の方向に向けることもできる。したが゛って、こ
れらの磁場を組合せることによりいろいろな方向へのイ
オンの引出しが可能であり、処理室内のクリーニングを
効果的薔こ行うことができる。
以下、本発明の一実施例を11図〜第3図により説明す
る。第1図はμ波電源を用いたドライエツチング装置で
、1はウェハ、2はテーブルで、通常冷却機構を内蔵し
ている。3は処理室で、その一部はμ波を導入するため
の石英ペルジャー4で構成され、低圧に排気できるよう
排気ポートを有している。5は導波管、6はμ波W源、
7a。
る。第1図はμ波電源を用いたドライエツチング装置で
、1はウェハ、2はテーブルで、通常冷却機構を内蔵し
ている。3は処理室で、その一部はμ波を導入するため
の石英ペルジャー4で構成され、低圧に排気できるよう
排気ポートを有している。5は導波管、6はμ波W源、
7a。
7bはソレノイドコイル、8a、8bは電流切換器、9
a、9 bi;tDcI!諒である。10は高周波電
源であり、ウェハテーブル2に与えるバイアス電圧の調
整が必要な時には接続される。第2図はこのようなエツ
チング装置の使用時におけるソレノイドコイル7a、7
bへの通電状態と発生する磁場の磁束密度Bの分布およ
びイオンの引出し方向を示している。二つのソレノイド
コイル7a、7bは共に同相で電流が流れ、その電流値
の違いによリウェハからの距離Xが小さくなるにつれて
磁束密度Bが小さくなるように設定されている。したが
って、石英ペルジャー4内で電子のサイクロトロン共鳴
(ECR)によりイオン化率が増加したプラズマ中のイ
オンはウェハ1の方向11に引出され、ウェハ1を異方
性を有してマスクパターン憂こ忠実にエツチングする。
a、9 bi;tDcI!諒である。10は高周波電
源であり、ウェハテーブル2に与えるバイアス電圧の調
整が必要な時には接続される。第2図はこのようなエツ
チング装置の使用時におけるソレノイドコイル7a、7
bへの通電状態と発生する磁場の磁束密度Bの分布およ
びイオンの引出し方向を示している。二つのソレノイド
コイル7a、7bは共に同相で電流が流れ、その電流値
の違いによリウェハからの距離Xが小さくなるにつれて
磁束密度Bが小さくなるように設定されている。したが
って、石英ペルジャー4内で電子のサイクロトロン共鳴
(ECR)によりイオン化率が増加したプラズマ中のイ
オンはウェハ1の方向11に引出され、ウェハ1を異方
性を有してマスクパターン憂こ忠実にエツチングする。
一方、このようなエツチング時においてイオンが引出さ
れる方向11と逆方向暑こ位置している石英ペルジャー
4の周辺ではラジカル成分が多(なり多くのプロセスで
はC,H系等のデポジシランが生じる。第3図はこのよ
うなテ゛ポジシ冒ンのクリーニングを説明する図である
。ソレノイドフィル7a、7bの電流の方向を逆転させ
、おのおのの電流も調整して(b)に示すようにウェハ
lのエツチング処理時と逆勾配の磁場を与える。したが
って、プラズマ中のイオンを矢印丘の方向に誘導するこ
とにより石英ペルジャー4のクリーニングが可能となる
。この時、石英ペルジャー4内へ導入されるガスは02
等デポジシ、ン成分に対応したガス種を選定する必要が
ある。
れる方向11と逆方向暑こ位置している石英ペルジャー
4の周辺ではラジカル成分が多(なり多くのプロセスで
はC,H系等のデポジシランが生じる。第3図はこのよ
うなテ゛ポジシ冒ンのクリーニングを説明する図である
。ソレノイドフィル7a、7bの電流の方向を逆転させ
、おのおのの電流も調整して(b)に示すようにウェハ
lのエツチング処理時と逆勾配の磁場を与える。したが
って、プラズマ中のイオンを矢印丘の方向に誘導するこ
とにより石英ペルジャー4のクリーニングが可能となる
。この時、石英ペルジャー4内へ導入されるガスは02
等デポジシ、ン成分に対応したガス種を選定する必要が
ある。
このようにして、ペルジャー4を適度なイオン衝撃を加
えた化学反応によりクリーニングすることができる。し
たがって、従来のように処理室3を大気開放してクリー
ニングする必要がな(なるので、装置の稼動率が上り、
スルーブツトが向上する。
えた化学反応によりクリーニングすることができる。し
たがって、従来のように処理室3を大気開放してクリー
ニングする必要がな(なるので、装置の稼動率が上り、
スルーブツトが向上する。
第4図は本発明の他の実施例を示す図であり、ソレノイ
ドコイル7a、7bへの通電状況および石英ペルジャー
4内のイオンの引出し方向13を示している。このよう
に、二つのソレノイドコイル7a、7bの電流の方向を
互い1こ逆方向に流れるよう番こすると石英ペルジャー
4内ではカスブ磁場が得られ、イオンは矢印13の方向
瘉こ誘導される。
ドコイル7a、7bへの通電状況および石英ペルジャー
4内のイオンの引出し方向13を示している。このよう
に、二つのソレノイドコイル7a、7bの電流の方向を
互い1こ逆方向に流れるよう番こすると石英ペルジャー
4内ではカスブ磁場が得られ、イオンは矢印13の方向
瘉こ誘導される。
したがって上記実施例と異なる方向に付着したヂボジシ
ッンのクリーニングに効果的である。また、これら二つ
の実施例を組み合せること1こよりいろいろな方向への
イオンの引出しが可能であり、石英ペルジャー4のより
効果的なりリーニングが可能である。
ッンのクリーニングに効果的である。また、これら二つ
の実施例を組み合せること1こよりいろいろな方向への
イオンの引出しが可能であり、石英ペルジャー4のより
効果的なりリーニングが可能である。
以上述べた二つの実施例は共にμ波を用いたエツチング
装置について説明したが、本発明の骨子はμ波を用いた
プラズマCV Dg!Iにも適用できる。また、放電も
μ波を用いたものに限定されるものではなく、RF放電
を用いたマグネトロンエツチング装置等平行平板間でプ
ラズマを作ってウェハな処理する装置においても、磁場
を二つ以上のソレノイドコイルを用いて導入することに
よりμ波を用いる場合と同様に本発明を適用することが
できる。
装置について説明したが、本発明の骨子はμ波を用いた
プラズマCV Dg!Iにも適用できる。また、放電も
μ波を用いたものに限定されるものではなく、RF放電
を用いたマグネトロンエツチング装置等平行平板間でプ
ラズマを作ってウェハな処理する装置においても、磁場
を二つ以上のソレノイドコイルを用いて導入することに
よりμ波を用いる場合と同様に本発明を適用することが
できる。
本発明によれば、処理室を大気開放せずに処理室内をク
リーニングできるので、装置の稼動率の低下を抑制でき
スルーブツトを向上できるという効果がある。
リーニングできるので、装置の稼動率の低下を抑制でき
スルーブツトを向上できるという効果がある。
第1図は本発明の一実施例を示すドライエツチング装置
の装置構成図、m2図、第3図は第1図における磁場の
状態とプラズマ中のイオンの引出し方向との関係を示す
模式図、第4図は本発明の他の実施例を示す模式構成図
である。 3・・・・・・処理室、4・・・・・・石英ペルジャー
、5・・・・・・導波管、6・・・・・・μ波電源、7
a、7b・曲・ソレノイドコイル、8a、8b・・・・
・・電流切換器、9a。 第1図 第2図 才3図
の装置構成図、m2図、第3図は第1図における磁場の
状態とプラズマ中のイオンの引出し方向との関係を示す
模式図、第4図は本発明の他の実施例を示す模式構成図
である。 3・・・・・・処理室、4・・・・・・石英ペルジャー
、5・・・・・・導波管、6・・・・・・μ波電源、7
a、7b・曲・ソレノイドコイル、8a、8b・・・・
・・電流切換器、9a。 第1図 第2図 才3図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、電場と磁場の併用によりプラズマのイオン化率を増
加させる工程と、前記磁場を切換えて前記プラズマ中の
イオンの方向を変更させる工程とを有することを特徴と
するプラズマ処理方法。 2、減圧排気され処理ガスが導入される処理室と、該処
理室内で電場を発生する電場発生手段と、前記処理室内
で磁場を発生する磁場発生手段と、前記磁場を切換える
磁場切換手段とを具備したことを特徴とするプラズマ処
理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13011486A JPH0715899B2 (ja) | 1986-06-06 | 1986-06-06 | プラズマ処理方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13011486A JPH0715899B2 (ja) | 1986-06-06 | 1986-06-06 | プラズマ処理方法及び装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62287623A true JPS62287623A (ja) | 1987-12-14 |
JPH0715899B2 JPH0715899B2 (ja) | 1995-02-22 |
Family
ID=15026285
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP13011486A Expired - Fee Related JPH0715899B2 (ja) | 1986-06-06 | 1986-06-06 | プラズマ処理方法及び装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0715899B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01220445A (ja) * | 1988-02-29 | 1989-09-04 | Tel Sagami Ltd | プラズマ処理装置 |
JPH0214522A (ja) * | 1988-06-13 | 1990-01-18 | Tel Sagami Ltd | 熱処理装置のクリーニング方法 |
US5211825A (en) * | 1990-09-21 | 1993-05-18 | Hitachi, Ltd. | Plasma processing apparatus and the method of the same |
JPH05160073A (ja) * | 1991-12-03 | 1993-06-25 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | プラズマ処理装置及び方法 |
-
1986
- 1986-06-06 JP JP13011486A patent/JPH0715899B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01220445A (ja) * | 1988-02-29 | 1989-09-04 | Tel Sagami Ltd | プラズマ処理装置 |
JPH0214522A (ja) * | 1988-06-13 | 1990-01-18 | Tel Sagami Ltd | 熱処理装置のクリーニング方法 |
US5211825A (en) * | 1990-09-21 | 1993-05-18 | Hitachi, Ltd. | Plasma processing apparatus and the method of the same |
JPH05160073A (ja) * | 1991-12-03 | 1993-06-25 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | プラズマ処理装置及び方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0715899B2 (ja) | 1995-02-22 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |