KR950015620A - 마이크로파 플라즈마 처리장치 및 처리방법 - Google Patents

마이크로파 플라즈마 처리장치 및 처리방법 Download PDF

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Abstract

〔목 적〕고밀도, 균일한 프라즈마를 발생시켜 시료에 대하여 균일성등이 향상된 고성능한 처리를 행한다.
〔구 성〕원형 도파관(5)내를 통하여 전파하는 마이크로파를 그 공간내에서 임피던스정합하는데 가장 적합한 형상으로 설정된 마이크로파 튜닝판(53)에 의하여 튜닝하고, 균일하고 가장 효율이 좋은 상태에서 마이크로파 도입창(4)을 거쳐 테이퍼상으로 확대한 내면을 가지는 방전블록(3)내에 도입한다. 이로써, 가스공급수단(21)및 진공배기기수단(13)에 의하여 소정 압력으로 제어된 처리가스가 효율좋게 도입된 마이크로파의 전계와 솔레노이드코일(91)에 의한 자계와의 상호 작용에 의하여 더욱 균일하고 고밀도하게 플라즈마화 된다.

Description

마이크로파 플라즈마 처리장치 및 처리방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 일실시예인 마이크로파 플라즈마 처리장치를 나타낸 종단면도.

Claims (14)

  1. 마이크로 프라즈마 처리장치에 있어서, 피처리기판이 배치되는 시료대; 상기 시료대를 내부에 가지고 있으며 상기 피처리기판이 배치되어 있는 상기 시료대의 표면에 대향하는 개구부를 가지는 처리실과; 상기 처리실의 상기 개구부 외측에 설치되며 상기 시료대방향에 대하여 테이퍼상으로 확대된 내면을 가지는 비자성 도전재료제 중공 원통상의 방전블록과; 상기 방전블록의 타단 개구부에 마이크로파 도입창을 거쳐 접속된 원형 도파관과; 상기 원형 도파관내에 설치되어 마이크로파의 튜닝을 행하는 튜닝수단과; 상기 방전블록의 외측에 설치된 솔레노이드코일과; 상기 방전블록내에 처리가스를 공급하는 가스공급수단과; 상기 처리실내를 소정압력으로 감압배기하는 진공배기수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 가스공급수단은 가스공급구가 상기 방전블록의 마이크로파 진행방향에서 상기 방전블록 앞에 형성되어 있고, 복수의 가스분출구가 상기 방전블록의 내주면에 균등하게 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리장치.
  3. 마이크로 플라즈마 처리장치에 있어서, 피처리기판이 배치되는 시료대; 상기 시료대를 내부에 가지고 있으며 상기 피처리기판이 배치되어 있는 상기 시료대의 표면에 대향하는 개구부를 가지는 처리실과; 상기 처리실의 상기 개구부 외측에 설치되며 상기 시료대방향에 대하여 테이퍼상으로 확대된 내면을 가지는 비자성 도전재료제 중공 원통상의 방전블록과; 상기 방전블록의 타단 개구부에 마이크로파 도입창을 거쳐 접속된 원형 도파관과; 상기 원형 도파관내에 설치되어 마이크로파의 튜닝을 행하는 튜닝수단과; 상기 방전블록의 외측에 설치된 솔레노이드코일과; 상기 방전블록내에 처리가스를 공급하는 가스공급수단과; 상기 처리실내를 소정 압력으로 감압배기하는 진공배기 수단을 포함하고, 상기 방전블록의 내벽면상에 보호부재가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 보호부재가 내플라즈마성 재료인 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리장치.
  5. 마이크로 플라즈마 처리장치에 있어서, 피처리기판이 배치되는 시료대; 상기 시료대를 내부에 가지고 있으며 상기 피처리기판이 배치되어 있는 상기 시료대의 표면에 대향하는 개구부를 가지는 처리실과; 상기 처리실의 상기 개구부 외측에 설치되며 상기 시료대방향에 대하여 테이퍼상으로 확대된 내면을 가지는 비자성 도전재료제 중공 원통상의 방전블록과; 상기 방전블록의 타단 개구부에 마이크로파 도입창을 거쳐 접속된 원형 도파관과; 상기 원형 도파관내에 설치되어 마이크로파의 튜닝을 행하는 튜닝수단과; 상기 방전블록의 외측에 설치된 솔레노이드코일과; 상기 방전블록내에 처리가스를 공급하는 가스공급수단과; 상기 처리실내를 소정 압력으로 감압배기하는 진공배기 수단을 포함하고, 상기 방전블록의 온도조절가능한 가열기가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 방전블록부에는 가스를 이용한 냉각기구가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  7. 제5항에 있어서, 상기 원형 도파관이 설치된 상기 방전블록과 상기 솔레노이드코일을 함께 결합지지하여, 상기 방전블록의 대기 개방시에 바로 상승될 수 있는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리장치.
  8. 제5항에 있어서, 상기 처리실내 압력을 측정하는 압력 검출기를 격리벨브를 거쳐 설치한 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리장치.
  9. 제5항에 있어서, 상기 진공배기수단은, 고진공펌프와 백업펌프를 직렬로 접속하여 가지고, 상기 고진공펌프와 상기 백업펌프 사이에 가열기구를 갖춘 밸브를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 미이크로파 플라즈마 처리장치.
  10. 제1항 또는 3항 또는 5항에 있어서, 상기 튜닝수단에는 원형 도판관 슬롯안테나와 마이크로파 튜닝판이 설치되어 있는 것을 특징으로 한는 마이크로파 플라즈마 처리장치.
  11. 마이크로 프라즈마 처리방법에 있어서, 프라즈마 발생실을 소정의 온도로 일정하게 유지하면서 피처리기판을 플라즈마 처리하는 단계와; 상기 피처리기판이 플라즈마 처리되어 처리실로부터 반출된후, 시료대에 어떠한 피처리기판도 배치하지 않고 상기 처리실내를 플라즈마 클리닝하는 단계와; 상기 플라즈마 클리닝 단계의 종료후, 새로운 피처리기판을 상기 처리실로 반입하는 단계와; 상기 새로운 피처리기판을 처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 플라즈마 클리닝의 사이클은 매 n(n=1,···n)개의 피처리 기판마다 선택되어 실시되는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리방법.
  13. 제11항에 있어서, 소정 횟수의 플라즈마 처리 종료 후, 상기 플라즈마 발생실을 냉각하고 대기중으로 개방하여 클리닝하는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리방법.
  14. 제13항에 있어서, 상기 대기개방 클리닝시, 상기 시료대 중앙부에서 웨이퍼 푸시-업이 설치되어 있는 극간내로 클리닝용 불활성가스가 흘러가게 하는 것을 특징으로 하는 마이크로파 플라즈마 처리방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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