DE10222609A1 - Verfahren zur Herstellung strukturierter Schichten auf Substraten - Google Patents

Verfahren zur Herstellung strukturierter Schichten auf Substraten

Info

Publication number
DE10222609A1
DE10222609A1 DE10222609A DE10222609A DE10222609A1 DE 10222609 A1 DE10222609 A1 DE 10222609A1 DE 10222609 A DE10222609 A DE 10222609A DE 10222609 A DE10222609 A DE 10222609A DE 10222609 A1 DE10222609 A1 DE 10222609A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
coating
layer
structured
substrate
glass
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE10222609A
Other languages
English (en)
Other versions
DE10222609B4 (de
Inventor
Juergen Leib
Florian Bieck
Dietrich Mund
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Schott AG
Original Assignee
Schott Glaswerke AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Schott Glaswerke AG filed Critical Schott Glaswerke AG
Priority to DE10222609A priority Critical patent/DE10222609B4/de
Priority to DE10222958A priority patent/DE10222958B4/de
Priority claimed from DE10222964A external-priority patent/DE10222964B4/de
Priority claimed from DE10222958A external-priority patent/DE10222958B4/de
Priority to KR1020047016630A priority patent/KR100616126B1/ko
Priority to CNB03808564XA priority patent/CN100359653C/zh
Priority to CNA038085844A priority patent/CN1646722A/zh
Priority to KR1020047016632A priority patent/KR100789977B1/ko
Priority to US10/511,488 priority patent/US20060051584A1/en
Priority to EP03737955A priority patent/EP1495153B1/de
Priority to JP2003585167A priority patent/JP2005527112A/ja
Priority to CA002480797A priority patent/CA2480797A1/en
Priority to US10/511,558 priority patent/US7495348B2/en
Priority to JP2003585179A priority patent/JP2005528783A/ja
Priority to CA002480854A priority patent/CA2480854A1/en
Priority to DE50309735T priority patent/DE50309735D1/de
Priority to EP03746159.7A priority patent/EP1502293B1/de
Priority to PCT/EP2003/003907 priority patent/WO2003088347A2/de
Priority to KR1020047016642A priority patent/KR100942038B1/ko
Priority to AU2003232469A priority patent/AU2003232469A1/en
Priority to JP2003584356A priority patent/JP2006503976A/ja
Priority to AU2003233973A priority patent/AU2003233973A1/en
Priority to PCT/EP2003/003882 priority patent/WO2003087424A1/de
Priority to IL16417103A priority patent/IL164171A0/xx
Priority to US10/511,557 priority patent/US7396741B2/en
Priority to EP03727306A priority patent/EP1495501A2/de
Priority to PCT/EP2003/003873 priority patent/WO2003086958A2/de
Priority to AU2003227626A priority patent/AU2003227626A1/en
Priority to AU2003245876A priority patent/AU2003245876A1/en
Priority to US10/511,566 priority patent/US7863200B2/en
Priority to CA002480691A priority patent/CA2480691A1/en
Priority to CN038133024A priority patent/CN1659720A/zh
Priority to CA002480737A priority patent/CA2480737A1/en
Priority to EP03746297.5A priority patent/EP1495493B1/de
Priority to TW092108722A priority patent/TW200407446A/zh
Priority to AU2003250326A priority patent/AU2003250326A1/en
Priority to JP2003585192A priority patent/JP2005527076A/ja
Priority to AT03737956T priority patent/ATE393839T1/de
Priority to AU2003233974A priority patent/AU2003233974A1/en
Priority to CNB038085410A priority patent/CN1329285C/zh
Priority to US10/511,315 priority patent/US7326446B2/en
Priority to IL16429003A priority patent/IL164290A0/xx
Priority to EP03737956A priority patent/EP1495154B1/de
Priority to JP2003584357A priority patent/JP2005528780A/ja
Priority to PCT/EP2003/003884 priority patent/WO2003088340A2/de
Priority to EP03725032.1A priority patent/EP1495491B1/de
Priority to JP2003585174A priority patent/JP2005528782A/ja
Priority to PCT/EP2003/003872 priority patent/WO2003087423A1/de
Priority to IL16430403A priority patent/IL164304A0/xx
Priority to CNA038085690A priority patent/CN1647276A/zh
Priority to EP03727305.9A priority patent/EP1494965B1/de
Priority to CNB038085836A priority patent/CN100387749C/zh
Priority to KR1020047016631A priority patent/KR100636414B1/ko
Priority to JP2003583927A priority patent/JP2005527459A/ja
Priority to CA002485022A priority patent/CA2485022A1/en
Priority to US10/511,334 priority patent/US7825029B2/en
Priority to PCT/EP2003/003883 priority patent/WO2003088370A2/de
Priority to AT03737955T priority patent/ATE411407T1/de
Priority to KR1020047016629A priority patent/KR100679345B1/ko
Priority to AU2003245875A priority patent/AU2003245875A1/en
Priority to KR1020117025576A priority patent/KR101178935B1/ko
Priority to CA002505014A priority patent/CA2505014A1/en
Priority to CNB038085682A priority patent/CN100397593C/zh
Priority to PCT/EP2003/003881 priority patent/WO2003088354A2/de
Priority to DE50310646T priority patent/DE50310646D1/de
Priority to KR10-2004-7016634A priority patent/KR20040111528A/ko
Priority to CA002479823A priority patent/CA2479823A1/en
Priority to US10/515,035 priority patent/US7786002B2/en
Priority to JP2004508410A priority patent/JP2005535108A/ja
Priority to IL16528203A priority patent/IL165282A0/xx
Priority to AU2003237668A priority patent/AU2003237668A1/en
Priority to US10/514,876 priority patent/US8273671B2/en
Priority to EP03755118A priority patent/EP1506578A2/de
Priority to PCT/EP2003/005414 priority patent/WO2003100846A2/de
Priority to CNA038118211A priority patent/CN1656612A/zh
Priority to CN038117983A priority patent/CN1685507B/zh
Priority to PCT/EP2003/005415 priority patent/WO2003100859A2/de
Priority to CA002485185A priority patent/CA2485185A1/en
Priority to EP03735449.5A priority patent/EP1518275B1/de
Priority to AU2003247287A priority patent/AU2003247287A1/en
Priority to JP2004508402A priority patent/JP5027992B2/ja
Priority to CA002484794A priority patent/CA2484794A1/en
Publication of DE10222609A1 publication Critical patent/DE10222609A1/de
Priority to IL16430004A priority patent/IL164300A0/xx
Priority to IL16430104A priority patent/IL164301A0/xx
Application granted granted Critical
Publication of DE10222609B4 publication Critical patent/DE10222609B4/de
Priority to JP2010086382A priority patent/JP2010153927A/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B19/00—Other methods of shaping glass
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00261—Processes for packaging MEMS devices
    • B81C1/00269—Bonding of solid lids or wafers to the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C14/00—Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix
    • C03C14/006—Glass compositions containing a non-glass component, e.g. compositions containing fibres, filaments, whiskers, platelets, or the like, dispersed in a glass matrix the non-glass component being in the form of microcrystallites, e.g. of optically or electrically active material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C15/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/02—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with glass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C4/00—Compositions for glass with special properties
    • C03C4/12—Compositions for glass with special properties for luminescent glass; for fluorescent glass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/10—Glass or silica
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
    • H01L21/02129—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC the material being boron or phosphorus doped silicon oxides, e.g. BPSG, BSG or PSG
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02142—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing silicon and at least one metal element, e.g. metal silicate based insulators or metal silicon oxynitrides
    • H01L21/02145—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing silicon and at least one metal element, e.g. metal silicate based insulators or metal silicon oxynitrides the material containing aluminium, e.g. AlSiOx
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02142—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing silicon and at least one metal element, e.g. metal silicate based insulators or metal silicon oxynitrides
    • H01L21/02161—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing silicon and at least one metal element, e.g. metal silicate based insulators or metal silicon oxynitrides the material containing more than one metal element
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314—Inorganic layers
    • H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
    • H01L21/31604—Deposition from a gas or vapour
    • H01L21/31616—Deposition of Al2O3
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314—Inorganic layers
    • H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
    • H01L21/31604—Deposition from a gas or vapour
    • H01L21/31625—Deposition of boron or phosphorus doped silicon oxide, e.g. BSG, PSG, BPSG
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
    • H01L21/76802—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/10—Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/291—Oxides or nitrides or carbides, e.g. ceramics, glass
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3114—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed the device being a chip scale package, e.g. CSP
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2203/00—Forming microstructural systems
    • B81C2203/01—Packaging MEMS
    • B81C2203/0172—Seals
    • B81C2203/019—Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2203/00—Forming microstructural systems
    • B81C2203/03—Bonding two components
    • B81C2203/031—Anodic bondings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2214/00—Nature of the non-vitreous component
    • C03C2214/16—Microcrystallites, e.g. of optically or electrically active material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00—Coatings on glass
    • C03C2217/20—Materials for coating a single layer on glass
    • C03C2217/21—Oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00—Coatings on glass
    • C03C2217/70—Properties of coatings
    • C03C2217/77—Coatings having a rough surface
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00—Methods for coating glass
    • C03C2218/10—Deposition methods
    • C03C2218/15—Deposition methods from the vapour phase
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00—Methods for coating glass
    • C03C2218/30—Aspects of methods for coating glass not covered above
    • C03C2218/32—After-treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00—Methods for coating glass
    • C03C2218/30—Aspects of methods for coating glass not covered above
    • C03C2218/32—After-treatment
    • C03C2218/328—Partly or completely removing a coating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00—Methods for coating glass
    • C03C2218/30—Aspects of methods for coating glass not covered above
    • C03C2218/32—After-treatment
    • C03C2218/328—Partly or completely removing a coating
    • C03C2218/33—Partly or completely removing a coating by etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2218/00—Methods for coating glass
    • C03C2218/30—Aspects of methods for coating glass not covered above
    • C03C2218/355—Temporary coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49866—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers characterised by the materials
    • H01L23/49894—Materials of the insulating layers or coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01027—Cobalt [Co]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12041—LED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12044—OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices

Abstract

Die Erfindung sieht ein Verfahren zur strukturierten Beschichtung eines Substrats (1) mit zumindest einer zu beschichtenden Oberfläche (2) vor, welches geeignet ist, exakte Strukturierungen schnell und kostengünstig herzustellen. Das Verfahren umfasst dazu die Schritte: DOLLAR A - Herstellen zumindest einer negativ strukturierten ersten Beschichtung (3, 31, 32), auf der zumindest einen Oberfläche (2), DOLLAR A - Abscheiden zumindest einer zweiten Schicht (7, 71, 72, 73), welche ein Material mit glasartiger Struktur aufweist, auf die mit der ersten Beschichtung (3, 31, 32) versehene Oberfläche (2), DOLLAR A - zumindest teilweise Entfernen der ersten Beschichtung (3, 31, 32).

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung strukturierter Schichten auf Substraten, insbesondere zur Herstellung strukturierter Schichten mit glasartiger Struktur auf Oberflächen von Substraten.
  • Für die Fertigung insbesondere von integrierten Halbleiter- Bauelemente, optoelektronischen oder anderen Sensor- oder Emitter-Bauelementen kann es notwendig oder von Vorteil sein, genau strukturierte Passivierungsschichten zu erzeugen. Beispielsweise kann es notwendig sein, an manchen Stellen Öffnungen in eine Verkapselung einzufügen, um etwa elektrische Kontaktierungen des verpackten Teils zu ermöglichen. Insbesondere wird Glas für eine Vielzahl von Anwendungen unter anderem wegen seiner hervorragenden Passivierungseigenschaften geschätzt und eingesetzt. Die Permeabilität für Gasmoleküle aus der Luft ist beispielsweise um Größenordnungen kleiner als die von Kunststoffen, die sonst für die Verpackung und Kapselung beispielsweise von Halbleiterbauelementen eingesetzt werden, so daß sich ein Material mit glasartiger Struktur, wie insbesondere ein Glas günstig auf die Lebensdauer der Bauelemente auswirken kann. Gläser bieten darüber hinaus auch einen hervorragenden Schutz gegen Wasser, Wasserdampf und insbesondere auch gegen aggressive Stoffe, wie Säuren und Basen.
  • Die genaue Bearbeitung von Glasschichten ist jedoch problembehaftet. Beispielsweise ist es bekannt, photostrukturierbare Gläser, wie beispielsweise FOTURAN zu verwenden. Derartige Gläser sind jedoch außerordentlich teuer. Weiterhin besteht die Möglichkeit, Gläser nass- oder trockenchemisch zu ätzen. Jedoch lassen sich besonders bei Gläsern hier nur geringe Ätzraten erreichen, so daß auch ein solches Verfahren langsam und dementsprechend für eine Massenproduktion zu teuer ist. Zudem kann das nachträgliche Ätzen auch das verkapselte Teil beschädigen oder zerstören. Auch mit Laserbearbeitung lassen sich auf Gläsern genaue Strukturen herstellen, jedoch ist auch diese Technik sehr langsam und für eine Massenproduktion zu teuer. Ferner sind verschiedene mechanische Bearbeitungsverfahren bekannt, die aber im allgemeinen nicht die mit anderen Verfahren erreichbare Genauigkeit ermöglichen.
  • Die Erfindung hat sich daher die Aufgabe gestellt, eine exakte Strukturierung von Beschichtungen, welche Glas oder ein Material mit glasartiger Struktur aufweisen, bereitzustellen, welche schnell und kostengünstig durchführbar ist und dennoch die Herstellung exakt positionierter Strukturen erlaubt.
  • Diese Aufgabe wird bereits in höchst überraschender Weise durch ein Verfahren gemäß Anspruch 1, sowie ein beschichtetes Substrat gemäß Anspruch 37 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen sind Gegenstand der jeweiligen Unteransprüche.
  • Das erfindungsgemäße Verfahren zur strukturierten Beschichtung von Substraten mit zumindest einer zu beschichtenden Oberfläche umfasst dazu die Schritte:
    • - Herstellen zumindest einer negativ strukturierten ersten Beschichtung auf der zumindest einen Oberfläche,
    • - Abscheiden einer zweiten Schicht, die ein Material mit glasartiger Struktur aufweist, auf die mit der ersten Beschichtung versehene Oberfläche,
    • - zumindest teilweise Entfernen der ersten Beschichtung.
  • Das Verfahren basiert also darauf, eine Negativform der Strukturen, die erzeugt werden sollen, in Form einer strukturierten ersten Beschichtung aufzubringen. Durch Abscheiden der zweiten Schicht, die ein Material mit glasartiger Struktur aufweist auf der mit der ersten, strukturierten Schicht beschichteten Oberfläche des Substrats werden dann die positiven Strukturen in der zweiten Schicht erzeugt. In einem nachfolgenden Schritt wird dann die erste Beschichtung zumindest teilweise entfernt, so dass positive Strukturen stehen bleiben, die von der zweiten Schicht gebildet werden. Als positive und negative Strukturen werden dabei im Sinne des angegebenen Verfahrens allgemein zueinander zumindest teilweise komplementäre Strukturen bezeichnet. Dies bedeutet auch insbesondere, daß die zumindest eine zweite Beschichtung sowohl erhabene, als auch vertiefte Strukturen aufweisen kann.
  • Schichten mit glasartiger Struktur sind bekannt für ihre außerordentlich gute Barrierewirkung. Als Material mit glasartiger Struktur wird in diesem Zusammenhang ein Material mit fehlender Fernordnung der dieses Material mit glasartiger Struktur konstituierenden Elemente und/oder Stoffe und gleichzeitig vorhandener Nahordnung der Stoffe und/oder Elemente verstanden. Gegenüber nicht glasartigen, also im wesentlichen mikrokristallinen, polykristallinen oder kristallinen Schichten zeichnen sich die mittels des erfindungsgemäßen Verfahrens aufgebrachten Schichten unter anderem aufgrund der amorphen Struktur durch das weitgehende Fehlen von Korngrenzen aus. Die Zusammensetzung der Schicht, welche ein Material mit glasartiger Struktur aufweist, kann vorteilhaft so gewählt werden, daß dieser an das Material der Oberfläche des Substrats angepaßt ist.
  • Als Substrat kann für das Verfahren sowohl ein Bauelement selbst, als auch ein Substrat dienen, welches anschließend beispielsweise mit einem Bauelement verbunden wird.
  • Besonders vorteilhaft kann der Schritt des Herstellens einer negativ strukturierten ersten Beschichtung auf der Oberfläche des Substrats den Schritt des Freilegens von Bereichen der zumindest einen zu beschichtenden Oberfläche umfassen. Auf diese Weise kommt die zweite Schicht, die ein Material mit glasartiger Struktur aufweist, beim Abscheiden direkt mit der zu beschichtenden Oberfläche des Bauteils in Kontakt und zwischen der Oberfläche und der Schicht wird eine innige, direkte Verbindung geschaffen.
  • Bevorzugt wird das Verfahren im Waferverbund durchgeführt, wobei das Substrat ein Wafer oder Bestandteil eines Wafers ist. Die Durchführung des Verfahrens im Waferverbund ermöglicht eine besonders rationelle Herstellung derartiger beschichteter Substrate. Insbesondere kann das erfindungsgemäße Verfahren so auch zum Verpacken von Bauteilen im Waferverbund verwendet werden, beziehungsweise Teil einer "Wafer-Level Packaging" Prozedur sein. Dabei können Bauelemente als Dies des Substrat vorhanden sein. Ebenso kann auch ein Substrat mit einem Wafer mit Dies im Waferverbund zusammengefügt werden.
  • Für das Abscheiden der zweiten Schicht, die ein Material mit glasartiger Struktur aufweist, sind verschiedene Verfahren geeignet. Gemäß einer bevorzugten Variante des Verfahrens umfaßt der Schritt des Abscheidens einer zweiten Schicht, die ein Material mit glasartiger Struktur aufweist, dabei den Schritt des Abscheidens einer Schicht durch Aufdampfen.
  • Insbesondere bietet sich hierbei an, Material durch Elektronenstrahlverdampfung zu verdampfen. Vorteilhaft bei der Elektronenstrahlverdampfung ist unter anderem, daß die durch den Elektronenstrahl übertragene Leistung auf einem verhältnismäßig kleinen Gebiet durch Fokussierung des Strahls konzentrieren lassen. Damit können lokal auf dem Target das Verdampfers hohe Temperaturen erreicht werden, so daß sich hohe Flüsse mit relativ kleinen Leistungen erreichen lassen. Dies senkt gleichzeitig auch die Wärmebelastung durch Absorption von Wärmestrahlung, der das Substrat ausgesetzt wird.
  • Vorteilhaft kann der Schritt des Aufdampfens einer Schicht, die ein Material mit glasartiger Struktur aufweist, auch den Schritt des Verdampfens von Aufdampfmaterial, welches auf der Oberfläche abgeschieden ein Material mit glasartiger Struktur bildet, aus einer einzelnen Quelle umfassen. Dadurch, daß das Material aus einer einzelnen Quelle abgeschieden wird, läßt sich eine hohe Reproduzierbarkeit der Schichten erreichen. Veränderungen der Schichtstöchiometrie durch Leistungsschwankungen mehrerer Quellen können auf diese Weise vermieden werden.
  • Die Schicht kann auch ebenso aus zumindest zwei Quellen durch Coverdampfung abgeschieden werden. Dies ist beispielsweise vorteilhaft, um die Schichtzusammensetzung in einer Richtung senkrecht zur Oberfläche variieren zu können. Auf diese Weise können die Materialeigenschaften, wie beispielsweise der Brechungsindex oder auch der Temperaturkoeffizient in Richtung senkrecht zur Oberfläche variiert werden. Eine Variation der Zusammensetzung der Schicht ist selbstverständlich auch mit anderen Abscheideverfahren, sogar mit einer einzelnen Aufdampfquelle, etwa durch Variation der Heizleistung möglich. Der Schritt des Abscheidens einer zweiten Schicht, die ein Material mit glasartiger Struktur aufweist, kann daher allgemein mit Vorteil den Schritt des Variierens der Zusammensetzung des abscheidenden Materials während des Abscheidens, oder den Schritt des Abscheidens einer Schicht mit entlang einer Richtung senkrecht zur Oberfläche variierender Zusammensetzung umfassen.
  • Zum Beschichten mit einer Schicht mit glasartiger Struktur sind neben dem Aufdampfen auch andere Verfahren zweckmäßig einsetzbar. Beispielsweise kann der Schritt des Abscheidens einer Schicht mit glasartiger Struktur den Schritt des Aufsputterns einer Schicht mit glasartiger Struktur umfassen. Durch Aufsputtern lassen sich unter anderem auch Schichten mit glasartiger Struktur erzeugen, die erst bei hohen Temperaturen schmelzende Materialien umfassen und sich somit nicht für eine Verdampfung eignen.
  • Der Schritt des Abscheidens einer Schicht mit glasartiger Struktur kann weiterhin mit Vorteil den Schritt des Abscheidens einer Schicht mit glasartiger Struktur mittels chemischer Dampfphasenabscheidung (CVD) umfassen. Beispielsweise können auf diese Weise ebenfalls Materialien abgeschieden werden, die ansonsten für eine Verdampfung einen zu niedrigen Dampfdruck oder zu hohen Schmelzpunkt aufweisen. Da bei der CVD, insbesondere der plasmainduzierten chemischen Dampfphasenabscheidung (PICVD) die Synthese des abgeschiedenen Materials erst auf der Oberfläche stattfindet, können so etwa auch Schichten erzeugt werden, die sich nur schwer aufdampfen oder aufsputtern lassen. Beispielsweise kann es sich dabei um Stoffe handeln, die Moleküle mit hohem Molekulargewicht aufweisen, welche beim Verdampfen oder absputtern von einem Target zerstört würden.
  • Ein besonderer Vorzug des erfindungsgemäßen Verfahren ist, daß das Aufbringen einer Schicht mit glasartiger Struktur durch Abscheiden mit einer, beispielsweise im Vergleich zum Aufschmelzen einer solchen Schicht im allgemeinen sehr niedrigen Aufheizung des Substrats einhergeht. Dies gilt für das Abscheiden durch Aufdampfen ebenso, wie für das Abscheiden durch Aufsputtern. Auch bei CVD-Abscheidung kann, beispielsweise bei gepulster Plasmaanregung, beziehungsweise PICVD die Aufheizung gering gehalten werden. Aufgrund dessen ergeben sich auch nur geringe Temperaturspannungen nach dem Abscheiden. Auf diese Weise wird es daher beispielsweise möglich, auch Schichten mit glasartiger Struktur direkt mit Substraten zu verbinden, die einen zur Schicht stark unterschiedlichen Temperaturausdehnungskoeffizienten besitzen.
  • Besonders geeignet für die Herstellung der strukturierten Beschichtung des Bauteils sind Schichten mit glasartiger Struktur, die ein zumindest binäres Stoffsystem umfassen. Derartige Schichten zeichnen sich im allgemeinen durch besonders niedrige Permeabilitätsraten aus, da sie, anders als beispielsweise Quarzgläser kaum Neigung zur Bildung kristalliner Bereiche zeigen. Solche zumindest binären Stoffsysteme können sich beispielsweise aus mindestens zwei Metalloxiden oder Siliziumdioxid und einem oder mehreren Metalloxiden zusammensetzen.
  • Das Abscheiden der Schicht mit glasartiger Struktur kann außerdem in vorteilhafter Ausgestaltung des Verfahrens auch den Schritt des Coabscheidens eines organischen Materials umfassen. Das Coabscheiden, beziehungsweise die gleichzeitige Abscheidung des organischen Materials zusammen mit dem Schichtmaterial, welches eine Schicht mit glasartiger Struktur bildet, kann beispielsweise durch Coverdampfung oder Abscheiden aus der Restgasatmosphäre geschehen. Die Moleküle des organischen Materials werden dabei in die Schicht mit glasartiger Struktur mit eingebaut. Das organische Material kann die Schichteigenschaften in vielfältiger Weise positiv beeinflussen. Beispielhaft sei dazu eine höhere Flexibilität der Schicht gegen mechanische Beanspruchung, die Anpassung optischer und mechanischer Eigenschaften, die Verbesserung der Schichthaftung indem etwa die Schicht als Gradientenschicht mit Veränderung des organischen Anteils abgeschieden wird, die Änderung der Packungsdichte und des Schichtgefüges, sowie der Beeinflussung der chemischen Eigenschaften der Schicht, insbesondere durch Zusatz von hydrophoben Materialien oder Gettermaterialien genannt.
  • Der Schritt des Herstellens einer negativ strukturierten ersten Beschichtung kann vorteilhaft den Schritt des Belackens, insbesondere des Belackens mittel Spin-Coating und/oder Aufsprühen und/oder der Elektrodeposition einer ersten Beschichtung umfassen. Diese Techniken erlauben unter anderem die Herstellung von Beschichtungen mit homogener Dicke. Die Belackung kann zur Herstellung besonderer Strukturierungen außerdem auch in mehreren Schritten erfolgen.
  • Ebenso kann der Schritt des Herstellens einer negativ strukturierten ersten Beschichtung auch den Schritt des Aufbringen einer Photoresist-Folie, insbesondere für eine nachfolgende Photostrukturierung der Folie auf dem Bauteil umfassen. Das Aufbringen der Folie benötigt beispielsweise keine langen Trocknungszeiten, so daß eine schnelle Weiterverarbeitung erfolgen kann.
  • In besonders vorteilhafter Weise kann das erfindungsgemäße Verfahren auch verfeinert werden, indem der Schritt des Herstellens einer negativ strukturierten ersten Beschichtung den Schritt des strukturierten Aufdruckens einer ersten Beschichtung umfaßt. Drucktechniken können besonders kostengünstig bei gleichzeitig guter Genauigkeit eingesetzt werden, um eine strukturierte Belackung herzustellen. Beispielsweise kann die Beschichtung mittels Siebdruck hergestellt werden. Solche Drucktechniken lassen sich selbstverständlich auch mit anderen Verfahren kombinieren. Die erste Beschichtung kann ferner auch durch Prägen strukturiert werden. Die Prägung von Strukturen stellt, ebenso wie eine strukturierte Belackung eine schnelle und kostengünstige Methode für die Strukturierung der Beschichtung dar.
  • Der Schritt des Herstellens einer negativ strukturierten ersten Beschichtung kann außerdem den Schritt des lithographischen Strukturierens der ersten Beschichtung umfassen. Lithographische Strukturierung wird in vielfältiger Weise beispielsweise in der Halbleiterfertigung eingesetzt. Diese Strukturierungstechnik ist nicht zuletzt deshalb weit entwickelt, so daß sich hohe Genauigkeiten der Strukturen bei gleichzeitig hohem Durchsatz erreichen lassen. Dieses Verfahren kann unter anderem auch mit Siebdruck kombiniert werden. So lassen sich gröbere Strukturen, wie etwa die Umrisse der Bauteile auf einem Wafer durch Aufdrucken eines Photolacks strukturieren und die Feinstruktur dann lithographisch erzeugen. Diese Weiterbildung des erfindungsgemäßen Verfahrens vereint Vorteile der Lithographie mit denen der Glasstrukturierung.
  • Außerdem kann die lithographische Strukturierung auch den Schritt des lithographischen Graustufenstrukturierens umfassen. Mittels Graustufenstrukturierung lassen sich in der ersten Beschichtung Strukturen mit relativ zur Senkrechten der Oberfläche geneigten Seitenwänden herstellen. Entsprechend weist dann die zweite Schicht Strukturen mit überhängenden Seitenwänden auf.
  • Allgemein können für die erste, strukturierte Beschichtung photostrukturierbare Materialien, wie insbesondere Photolack verwendet werden, da sich durch Belichtung und Entwicklung der Schicht sehr feine und exakt positionierte Strukturen erzeugen lassen.
  • Auch für das zumindest teilweise Entfernen der ersten Beschichtung sind, auch abhängig vom Material der Beschichtung verschiedene Verfahren geeignet. Beispielsweise kann die Beschichtung in einem passenden Lösungsmittel aufgelöst werden.
  • Ebenso kann das Entfernen der ersten Beschichtung auch nasschemisch und/oder trockenchemisch, insbesondere durch Verbrennen der ersten Beschichtung in einem oxidierenden Plasma erfolgen. Allgemein kann eine chemische Reaktion, wie ein Ätzen oder Verbrennen des Materials der ersten Beschichtung vorteilhaft sein, um auch in schlecht zugänglichen Bereichen auf der Oberfläche des Bauteils, beispielsweise in mit dem erfindungsgemäßen Verfahren herstellbaren Gräben oder Kanälen die Beschichtung zu beseitigen.
  • Zur Herstellung der positiv strukturierten zweiten Beschichtung kann der Schritt des zumindest teilweise Entfernens der ersten Beschichtung vorteilhaft den Schritt des Abhebens von Bereichen der zumindest einen zweiten Schicht umfassen. Dabei werden die Bereiche der zweiten Schicht, welche die erste Beschichtung bedecken, beim Entfernen der ersten Beschichtung abgehoben und so entfernt. Diese Variante des Verfahrens ist insbesondere dann sinnvoll, wenn die zweite Schicht die erste Beschichtung nicht vollständig bedeckt.
  • Eine bevorzugte Variante des Verfahrens, die auch bei vollständiger Bedeckung der ersten Beschichtung durch die zweite Schicht anwendbar ist, sieht als zusätzlichen Verfahrensschritt das zumindest teilweise Freilegen der ersten Beschichtung vor, so dass diese erste Schicht nicht mehr hermetisch von der zweiten Schicht abgedeckt wird. Auf diese Weise wird ein äußerer Zugriff auf die erste Beschichtung ermöglicht.
  • Um für das nachfolgende Entfernen der ersten Beschichtung einen Zugang zu schaffen, ist es von Vorteil, wenn der Schritt des zumindest teilweisen Freilegens der ersten Beschichtung den Schritt des Planarisierens der beschichteten Oberfläche umfaßt. Dabei wird die beschichtete Oberfläche des Bauteils so weit planarisiert, bis die Schicht mit glasartiger Struktur an den Stellen, an welchen sich Strukturen der ersten, strukturierten Beschichtung befinden, entfernt ist.
  • Das teilweise Abtragen der Schicht mit glasartiger Struktur kann zweckmäßig durch mechanisches Abtragen, insbesondere mittels Schleifen und/oder Läppen und/oder Polieren erfolgen.
  • Das Verfahren kann zusätzlich noch den Schritt des Nachbehandelns der positiv strukturierten zweiten Schicht umfassen. Das Nachbehandeln kann beispielsweise dazu dienen, Kanten der Strukturen zu verrunden. Geeignete Nachbehandlungsschritte sind dabei insbesondere nasschemischer und/oder trockenchemischer und/oder thermischer Reflow. Auch durch Dotierung können die Strukturen nachbehandelt werden, um beispielsweise optische oder elektrische Eigenschaften der Strukturen zu verändern.
  • Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren können besonders vorteilhaft die Schritte des Herstellens einer negativ strukturierten ersten Beschichtung auf die zumindest eine Oberfläche und des Abscheidens zumindest einer zweiten Schicht mit glasartiger Struktur auf die mit der ersten Beschichtung versehene Oberfläche auch mehrfach durchgeführt werden. Auf diese Weise können unter anderem mehrlagige strukturierte Schichten mit glasartiger Struktur aufgebracht werden. Der Schritt des Entfernens der ersten Beschichtung kann dabei ebenfalls jeweils nach dem zumindest teilweise Freilegen der ersten Beschichtung erfolgen. Es ist aber auch möglich, diesen Schritt nicht jedesmal, sondern nur nach Aufbringen der letzten Schicht mit glasartiger Struktur durchzuführen. Auf diese Weise kann die erste Beschichtung jeweils auch als Substrat für eine nachfolgende Beschichtung genutzt werden. Dies ermöglicht, daß sich Schichten mit glasartiger Struktur auf dem Substrat erzeugen lassen, die freitragende Bereiche, wie beispielsweise Brücken oder Röhren aufweisen.
  • Die Unterlage kann selbst als Abdeckung eines Bauelements dienen. In diesem Fall kann das Verfahren vorteilhaft außerdem den Schritt des Verbindens des Substrats mit einem weiteren Substrat, insbesondere einem Halbleiter-Bauelement und/oder einem optoelektronischen Bauelement und/oder einem mikro-elektromechanischen Bauelement umfassen.
  • Durch das erfindungsgemäße Verfahren kann in der strukturierten Schicht mit glasartiger Struktur beispielsweise ein Phasengitter und/oder zumindest eine optische Komponente und/oder zumindest ein Kanal und/oder zumindest ein Wellenleiter definiert werden. Die Strukturen der Schicht können weiterhin zumindest teilweise aufgefüllt werden. Insbesondere können die Strukturen mit leitendem Material und/oder einem transparenten Material aufgefüllt werden. Durch das Auffüllen mit leitendem Material können elektrische Verbindungen sowohl in Richtung senkrecht zur Oberfläche des Substrats als auch parallel dazu geschaffen werden. Das Auffüllen mit transparentem Material kann außerdem Wellenleiter oder andere optische Komponenten, wie etwa ein Phasengitter definieren.
  • Elektrische Verbindungen können außerdem vorteilhaft hergestellt werden, wenn das Verfahren außerdem den auch als "Plating" bekannten Schritt des Aufbringens zumindest eines leitenden Bereichs, insbesondere einer Leiterbahn auf die Oberfläche des Substrats und/oder der Schicht mit glasartiger Struktur umfaßt. Dies kann etwa durch Aufdampfen von metallischem Material auf vordefinierte Bereiche der Oberfläche geschehen.
  • Durch Auffüllen von Strukturen oder Aufbringen leitender Bereiche können auf dem Substrat außerdem passive Bauteile, wie Kondensatoren, Widerstände oder Induktivitäten hergestellt werden.
  • Eine Kombination dieser Verfahrensschritte erlaubt insbesondere bei mehrlagigen Beschichtungen die Herstellung von Multilayer-Platinen inclusive der Redistribution von Kontakten, dem Routing, der elektrischen Umverdrahtung oder dem Durchkontaktieren elektrischer Anschlüsse durch einzelne Schichten oder das Substrat. Multilayer-Platinen mit Glas als Isolatormaterial sind unter anderem wegen ihrer hervorragenden Hochfrequenzeigenschaften von besonderem Interesse. So zeichnen sich derartige Platinen durch einen niedrigen elektrischen Verlustfaktor aus. Außerdem besitzen diese Platinen eine hohe Formstabilität.
  • Nach einer Weiterbildung des Verfahrens weist das Substrat zumindest zwei zu beschichtende Oberflächen auf, welche insbesondere im wesentlichen gegenüberliegen, wobei die Schritt des Herstellens zumindest einer negativ strukturierten ersten Beschichtung auf der zumindest einen Oberfläche, des Abscheidens zumindest einer zweiten Schicht, welche ein Material mit glasartiger Struktur aufweist, auf die mit der ersten Beschichtung versehene Oberfläche und des zumindest teilweise Entfernens der ersten Beschichtung auf jeder der Oberflächen vorgenommen werden. Auf diese Weise können Substrate auf zwei Seiten strukturiert beschichtet werden. Beispielsweise können damit auf gegenüberliegenden Seiten des Substrats optische Elemente, wie etwa Gitter hergestellt werden.
  • Für eine Weiterverarbeitung des strukturiert beschichteten Substrats kann es außerdem von Vorteil sein, wenn das Verfahren zusätzlich den Schritt des Aufbringens einer Bond- Schicht auf die zweite Schicht umfaßt. Solche Bond-Schichten können beispielsweise eine Seed-Schicht für eine nachfolgende Metallisierung und/oder eine Klebstoffschicht umfassen. Mittels der Bond-Schicht kann dann das Substrat auf der beschichteten Seite mit einer Unterlage verbunden werden. Ebenso können mit einer solchen SEED-Layer strukturiert metallisierte Bereiche erzeugt werden.
  • Im Rahmen der Erfindung liegt es auch ein beschichtetes Substrat anzugeben, welches insbesondere mit dem oben beschriebenen Verfahren beschichtet wurde. Dementsprechend weist ein solches beschichtetes Substrat auf zumindest einer Seite eine strukturierte Beschichtung auf, die ein Material mit glasartiger Struktur umfaßt, wobei die Beschichtung auf einer negativ strukturierten ersten Beschichtung auf der zumindest einen Seite abgeschieden und die negativ strukturierte Beschichtung zumindest teilweise entfernt ist. Als Material mit glasartiger Struktur eignet sich dabei unter anderem ein Aufdampfglas, jedoch können beispielsweise auch andere Gläser verwendet werden, die etwa durch Sputtern oder CVD abgeschieden werden.
  • Das Substrat kann zumindest eine elektronische Schaltungsanordnung, insbesondere eine integrierte elektronische Schaltungsanordnung und/oder eine optoelektronische Schaltungsanordnung und/oder zumindest eine mikro-elektromechanische Komponente aufweisen. Ebenso kann das Substrat auch mit einem Bauelement verbunden sein, welches eine integrierte elektronische Schaltungsanordnung und/oder eine optoelektronische Schaltungsanordnung und/oder zumindest eine mikro-elektromechanische Komponente aufweist. Die strukturierte Beschichtung kann dabei eine Aussparung oder eine vollständige oder teilweise Abdeckung für diese Bauelemente darstellen.
  • Das Substrat kann ebenso mit einem Bauelement verbunden sein, welches zumindest eine elektronische Schaltungsanordnung, insbesondere eine integrierte elektronische Schaltungsanordnung und/oder zumindest eine optoelektronische Schaltungsanordnung und/oder zumindest eine mikroelektromechanische Komponente aufweist.
  • Die strukturierte Beschichtung des Substrats kann je nach Anwendungszweck verschiedene funktionelle Strukturen aufweisen. Beispielsweise kann die Beschichtung zumindest einen Kanal oder Graben aufweisen. Ein. Kanal kann beispielsweise dazu dienen, eine optische Faser aufzunehmen. Ebenso kann der Kanal mit leitendem Material aufgefüllt werden, wodurch sich elektrische Kontaktierungen herstellen lassen. Dabei kann sich der Kanal sowohl parallel zur beschichteten Oberfläche des Substrats oder auch senkrecht dazu erstrecken.
  • Vorteilhaft für bestimmte optische Anwendungen ist insbesondere, wenn das Substrat zumindest einen Wellenleiter aufweist. Darüber hinaus können in der strukturierten Beschichtung außerdem zumindest zwei miteinander gekoppelte Wellenleiter definiert werden. Für ein derartiges beschichtetes Substrat ergeben sich eine Vielzahl von Anwendungsmöglichkeiten, wie beispielsweise als integrierter optischer Multiplexer oder Demultiplexer. Allgemein kann die Kopplung mehrerer Wellenleiter auch für eine optische Umverdrahtung verwendet werden.
  • Außerdem kann durch die Beschichtung zumindest ein Hohlraum definiert sein. Der Hohlraum kann unter anderem dazu dienen, Komponenten, wie etwa mikroelektronische oder mikroelektromechanische Bauelemente oder auch beispielsweise Fluide aufzunehmen.
  • Ebenso können neben Hohlräumen auch eine oder mehrere Aussparungen in der Beschichtung vorhanden sein. Zusammen mit einer Aussparung kann die Beschichtung beispielsweise als Abstandhalter für ein weiteres Substrat oder eine optische Komponente dienen.
  • Auf der strukturierte Beschichtung können außerdem Leiterbahnen vorhanden sein, um verschiedene elektrische oder elektronische Komponenten zu verbinden. Die Leiterbahnen können zum Beispiel durch Auffüllungen von Kanälen oder Gräben in der strukturierten Beschichtung oder auch durch Aufbringen von Metallschichten, etwa durch Aufdampfen hergestellt sein. In gleicher Weise können in der Beschichtung auch passive elektronische Bauelemente, wie Kondensatoren, Widerstände oder Induktivitäten definiert sein.
  • Insbesondere kann das Substrat eine mehrlagige Beschichtung aufweisen. Dazu muß nicht notwendigerweise jede Lage ein glasartiges Material umfassen. Vielmehr können hier verschiedene Materialien und auch verschiedenen Strukturierungsverfahren miteinander kombiniert werden.
  • Das Substrat kann je nach Anwendungszweck ein Material umfassen, welches Glas und/oder Metall und/oder Kunststoff und/oder einen Halbleiter, insbesondere Silizium und/oder Galliumarsenid aufweist. Glas- oder Kunststoffsubstrate können beispielsweise als Abdeckung für integrierte elektronische, optoelektronische oder mikroelektromechanische Bauelemente dienen. Beschichtete Halbleitersubstrate können andererseits zum Beispiel selbst solche Komponenten aufweisen.
  • Die strukturierte Beschichtung muß sich selbstverständlich nicht nur auf einer Seite des Substrats befinden. Vielmehr kann ein beschichtetes Substrat vorteilhaft auf zwei insbesondere im wesentlichen gegenüberliegenden Seiten je eine strukturierte Beschichtung aufweisen, die ein Material mit glasartiger Struktur umfaßt.
  • Es liegt außerdem im Rahmen der Erfindung, eine Vorrichtung zur Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens und/oder zur Herstellung eines strukturiert beschichteten Substrats anzugeben. Eine solche Vorrichtung umfaßt demgemäß neben anderen Einrichtungen zur Bearbeitung eines Substrats eine Einrichtung zum Abscheiden einer Schicht, die ein glasartiges Material umfaßt.
  • Die Erfindung wird nachfolgend genauer anhand bevorzugter Ausführungsformen und unter Bezugnahme auf die beigefügten Figuren näher erläutert. Dabei verweisen gleiche Bezugszeichen in den Figuren auf gleiche oder ähnliche Teile.
  • Es zeigen:
  • Fig. 1A bis 1E anhand schematischer Querschnittansichten die Verfahrensschritte zur strukturierten Beschichtung von Substraten,
  • Fig. 2A und 2B eine Variante der anhand Fig. 1C bis 1E dargestellten Verfahrensschritte,
  • Fig. 3A bis 3F anhand schematischer Querschnittansichten die Verfahrensschritte zur mehrlagigen strukturierten Beschichtung eines Substrats,
  • Fig. 4A bis 4C anhand schematischer Ansichten die Verfahrensschritte zur mehrlagigen strukturierten Beschichtung eines Substrats gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung,
  • Fig. 5A bis 5C eine vorteilhafte Weiterbildung des Verfahrens zur Herstellung von Durchkontaktierungen, und
  • Fig. 6 eine Ausführungsform eines mehrlagig beschichteten Substrats,
  • Fig. 7 eine Ausführungsform eines mit einem weiteren Substrat verbundenen, beschichteten Substrats, und
  • Fig. 8 eine Ausführungsform eines auf zwei gegenüberliegenden Seiten beschichteten Substrats.
  • Im folgenden wird zunächst Bezug auf die Fig. 1A bis 1E genommen, welche anhand schematischer Querschnittansichten die Verfahrensschritte zur Herstellung eines strukturierten Substrats gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung darstellen. Zur Herstellung einer strukturierten Beschichtung wird auf das Substrat 1, wie in Fig. 1A gezeigt, zunächst auf der zu beschichtenden Oberfläche 2 eine erste Beschichtung 3 aufgebracht. Das Substrat 1 ist dabei bevorzugt mit weiteren Substraten in einem Waferverbund verbunden. Bei der in den Fig. 1A bis 1E dargestellten Variante ist das Substrat beispielhaft als passives Substrat dargestellt, welches als Abdeckung für ein aktives Substrat, wie beispielsweise einem integrierten elektronischen Bauelement, einem optoelektronischen Bauelement oder einem mikroelektromechanischen Bauelement dienen kann. Selbstverständlich ist es aber ebenso möglich, strukturierte Beschichtungen mit dem erfindungsgemäßen Verfahren direkt auf solche Bauelemente aufzubringen, die dann entsprechend als Substrat 1 dienen. Insbesondere können alle im folgenden erläuterten Ausführungsformen bevorzugt im Waferverbund durchgeführt werden.
  • Fig. 1B zeigt eine Querschnittansicht durch das Substrat nach einem weiteren Verfahrensschritt. Hierbei wurden in die erste Beschichtung Strukturen 5 eingefügt. Diese Strukturen schaffen eine zur endgültigen strukturierten Beschichtung komplementäre, negative Strukturierung. Die Strukturierung ist dabei so durchgeführt worden, daß Bereiche 6 der zu beschichtenden Oberfläche 2 des Substrats 1 freigelegt worden sind.
  • Die Strukturierung kann unter anderem photolithographisch erfolgen, wobei dazu die Beschichtung 3 beispielsweise einen Photolack umfaßt, in den anschließend durch Belichtung und Entwicklung die Strukturen 5 eingefügt worden sind.
  • Gemäß einer weiteren Variante des Verfahrens wird die Beschichtung 3 nicht nach dem Aufbringen strukturiert, sondern direkt beim Aufbringen der Schicht. Dies kann erreicht werden, indem die Schicht beispielsweise mittels eines geeignete Druckverfahrens, etwa mittels Siebdruck auf das Substrat 1 aufgedruckt wird. Bei dieser Variante des Verfahrens wird der in Fig. 1A gezeigte Verarbeitungszustand des Substrats 1 übersprungen. Selbstverständlich kann diese Variante aber auch mit einer nachträglichen Strukturierung kombiniert werden, indem zum Beispiel ein Photolack strukturiert auf die Oberfläche 2 des Substrats 1 aufgedruckt wird und die aufgedruckten Strukturen dann nachfolgend weiter strukturiert werden, etwa um zusätzliche, feinere Strukturen zu erzeugen. Mit dem anhand von Fig. 1B gezeigten Zustand des Substrates ist der Schritt des Herstellens einer negativ strukturierten Beschichtung abgeschlossen.
  • In Fig. 1C ist das Substrat nach dem Schritt des Abscheidens einer Schicht 7 mit glasartiger Struktur auf die mit der ersten Beschichtung 3 versehene Oberfläche 2 des Substrats 1 gezeigt. Die Schicht 7 umfaßt dabei bevorzugt ein Aufdampfglas, wobei das Abscheiden des Glases mittels Elektronenstrahlverdampfung auf das mit der ersten strukturierten Beschichtung 3 beschichtete Substrat 1 abgeschieden wird. Die Schicht 7 bedeckt dabei die freigelegten Bereiche 6, sowie die Schicht 3.
  • Als besonders geeignet hat sich das Aufdampfglas Typ 8329 der Firma Schott erwiesen, welches folgende Zusammensetzung in Gewichtsprozent aufweist:


  • Der elektrische Widerstand beträgt ungefähr 1010 Ω/cm (bei 100°C).
  • Dieses Glas weist in reiner Form ferner einen Brechungsindex von etwa 1,470 auf.
  • Die Dielektrizitätskonstante ε liegt bei etwa 4,8 (bei 25°C, 1 MHz), tgδ beträgt etwa 80 × 10-4 (bei 25°C, 1 MHz). Durch den Aufdampfprozeß und die unterschiedliche Flüchtigkeit der Komponenten dieses Systems ergeben sich leicht unterschiedliche Stöchiometrien zwischen dem Targetmaterial und der aufgedampften Schicht. Die Abweichungen in der aufgedampften Schicht sind in Klammern angegeben.
  • Fig. 1D zeigt das Substrat nach dem nachfolgenden Schritt des Freilegens der ersten Beschichtung 3. Das Freilegen der Beschichtung wurde in dieser Variante des Verfahrens durch Planarisieren der beschichteten Oberfläche vorgenommen. Dazu wurde die beschichtete Oberfläche soweit plan abgeschliffen, bis die Schicht 7 auf der ersten Beschichtung abgetragen ist. Dadurch wurde die darunterliegende erste Beschichtung wieder freigelegt.
  • Fig. 1E zeigt einen darauffolgenden Verfahrensschritt, bei welchem die erste Beschichtung entfernt worden ist. Durch das Aufdampfen der Schicht 7 auf die negativ strukturierte Beschichtung 3 und das Entfernen der ersten Beschichtung nach deren Freilegung bleibt auf dem Substrat schließlich eine positiv strukturierte zweite Schicht 7 zurück. Die Strukturen 9 der positiv strukturierten zweiten Schicht 7 bedecken dabei die freigelegten, beziehungsweise von der ersten Beschichtung 3 nicht bedeckten Bereiche 6.
  • Das Entfernen der ersten, negativ strukturierten Beschichtung kann beispielsweise durch Auflösen in einem geeigneten Lösungsmittel oder durch nass- oder trockenchemisches Ätzen erfolgen. Auch eine Verbrennung oder Oxidation in einem Sauerstoffplasma kann vorteilhaft für die Entfernung der Beschichtung angewendet werden.
  • Anhand der Fig. 2A und 2B wird im folgenden eine Variante der anhand der Fig. 1D und 1E gezeigten Verfahrensschritte erläutert. Bei dieser Variante des Verfahrens wird zunächst das Substrat 1 wie anhand der Fig. 1A und 1B gezeigt wurde, durch Aufbringen einer strukturierten ersten Beschichtung 3 vorbereitet. Die Beschichtung 3 weist wieder negative Strukturen 5 auf, welche Bereiche 6 der ersten Oberfläche 2 freilassen. Auf die so vorbereitete Oberfläche des Substrats wird wieder eine zweite Schicht 7, beispielsweise durch Aufdampfen eines Aufdampfglases abgeschieden. Die Schichtdicke der Schicht 7 wird hierbei allerdings nicht so groß gewählt, daß die Schicht 7 geschlossen ist. Diese Phase des Verfahrens ist in Fig. 2A gezeigt.
  • Die erste Beschichtung 3 kann dann direkt entfernt werden, ohne daß ein Freilegen, etwa durch das anhand von Fig. 1C gezeigte Planarisieren erforderlich ist, da durch die nicht geschlossene zweite Schicht 7 ein Zugang zur ersten Beschichtung 3 erhalten bleibt. Die Bereiche der Schicht 7, welche sich dabei auf der ersten Beschichtung 3 befinden, werden beim Entfernen der ersten Beschichtung 3 abgehoben und dadurch entfernt. Als Ergebnis bleibt, wie Fig. 2B zeigt, wieder eine strukturierte zweite Beschichtung 7 mit positiven Strukturen 9 zurück.
  • Auf die Strukturen 9 der strukturierten zweiten Schicht 7 der in Fig. 1E oder 2B gezeigten Ausführungsformen kann in einem zusätzlichen Schritt auch noch eine Bond-Schicht aufgebracht werden, welche die der Substratoberfläche abgewandten Oberseiten der Strukturen 9 bedeckt. Eine solche Bond-Schicht kann beispielsweise eine Seed-Schicht für eine nachfolgende Metallisierung oder etwa eine Klebstoffschicht umfassen.
  • Die Fig. 3A bis 3F zeigen eine weitere Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens, wobei diese Ausführungsform zur Herstellung mehrlagiger strukturierter Beschichtungen dient.
  • Zum Zwecke der Übersichtlichkeit sind in den Fig. 3A bis 3F dabei einige der anhand der Fig. 1A bis 1E, beziehungsweise 2A und 2B erläuterten Verfahrensschritte nicht im einzelnen dargestellt.
  • Fig. 3A zeigt ein Substrat 1, auf welchem eine strukturierte erste Beschichtung 31 hergestellt worden ist. Der Bearbeitungszustand des Substrats 1 entspricht somit weitgehend dem der Fig. 1B.
  • Fig. 3B zeigt das Ergebnis des nachfolgenden Schritts des Abscheidens einer zweiten Schicht 71, welche ein Material mit glasartiger Struktur aufweist, auf die mit der ersten Beschichtung 31 versehene Oberfläche. Die Schicht 71 wird daraufhin wieder durch Abschleifen und Planarisieren der beschichteten Oberfläche des Substrats 1 in den mit der Schicht 31 beschichteten Bereichen abgetragen und die dabei freigelegte Schicht 31 entfernt, so daß eine positiv strukturierte zweite Schicht 71 mit Strukturen 91 stehenbleibt. Dieser Bearbeitungszustand ist in Fig. 3C dargestellt.
  • Um weitere Lagen einer mehrlagigen. Beschichtung aufzubringen, wird auf der so beschichteten Oberfläche eine weitere erste strukturierte Beschichtung 32 hergestellt. Hier befinden sich, wie anhand von Fig. 3E gezeigt ist, die negativen Strukturen 52 der weiteren ersten Beschichtung 32 auf den Strukturen 91 der strukturierten zweiten Schicht 71. Daraufhin wird erneut eine Schicht 72, die ein Material mit glasartiger Struktur aufweist, aufgebracht, die Schicht 32durch Abschleifen der Schicht 72 daraufhin freigelegt und die Schicht 32 anschließend entfernt.
  • Diese Verfahrensschritte können gegebenenfalls noch mehrmals wiederholt werden. Fig. 3F zeigt das Substrat nach dem Aufbringen einer weiteren Schicht 73 mit Strukturen 92. Die mehreren Lagen 71, 72 und 73 bilden dabei als ganzes wieder eine strukturierte Beschichtung 7, welche ein glasartiges Material umfaßt und Strukturen 9A und 9B aufweist. Diese Strukturen können dabei auch nach Bedarf so hergestellt werden, daß einzelne Strukturen nicht Material jeder Beschichtung der einzelnen Lagen 71, 72, 73 aufweisen. Die Lagen können außerdem auch unterschiedliche Materialien und Schichtdicken aufweisen. Auf diese Weise können Lagen mit glasartigem Material mit Lagen kombiniert werden, die andere Materialien aufweisen, wie etwa Metall, Kunststoff oder halbleitenden Stoffen.
  • Außerdem muß bei Herstellung einer mehrlagigen strukturierten Beschichtung die negative Beschichtung nicht zwangsläufig nach jedem Aufbringen einer Lage entfernt werden. Eine solche Variante des Verfahrens zeigen die Fig. 4A bis 4C beispielhaft für eine zweilagige strukturierten Beschichtung. Fig. 4A zeigt dazu eine Ansicht des Substrats, welches auf der zu beschichtenden Seite 2 mit einer negativ strukturierten ersten Beschichtung 31 versehen wurde. Die Beschichtung 31 weist dabei beispielhaft Gräben als negative Strukturen auf. Auf der so beschichteten Oberfläche wurde wieder eine Schicht 71, die ein Material mit glasartiger Struktur aufweist, abgeschieden und die Schicht 31 durch Abschleifen der Oberfläche wieder freigelegt. Die Schicht 71 weist entsprechen zu den Gräben komplementäre Strukturen 93 in Form von erhabenen Rippen, beziehungsweise Strängen auf. Fig. 4A entspricht somit dem in Fig. 1D gezeigten Bearbeitungszustand. Derartige Rippen können bespielsweise als Wellenleiter, oder in regelmäßiger Anordnung als Gitter dienen.
  • Anschließend wird auf gleiche Weise, wie anhand von Fig. 4B gezeigt ist, beim Aufbringen einer weiteren Schicht 72 mit rippen- oder strangförmigen Strukturen 94 verfahren, die als zu Gräben in der weiteren Beschichtung 32 komplementäre, beziehungsweise positive Strukturen ausgebildet sind. Die Strukturen 93 und 94 auf der Oberfläche 2 des Substrats sind dabei beispielhaft zueinander senkrecht angeordnet.
  • Im Gegensatz zu der anhand der Fig. 3A bis 3F erläuterten Variante des erfindungsgemäßen Verfahrens wird hier jedoch die erste strukturierte Beschichtung 31 vor dem Aufbringen einer weiteren Lage 72 nicht entfernt. Beiden Varianten ist dennoch gemeinsam, daß die Schritte des Herstellens einer negativ strukturierten ersten Beschichtung auf die zumindest eine Oberfläche des Substrats 1 und des Abscheidens einer zweiten Schicht, die ein Material mit glasartiger Struktur aufweist auf die mit der ersten Beschichtung versehene Oberfläche mehrfach durchgeführt werden.
  • Fig. 4C zeigt das Substrat 1 mit der fertigen zweilagigen strukturierten Beschichtung 7, welche die Lagen 71 und 72 umfaßt. Nach dem Aufbringen der letzten Lage 72 und des Freilegens der weiteren ersten Beschichtung 32 durch Planarisieren der beschichteten Oberfläche des Substrats wurde die erste Beschichtung 31, sowie die weitere erste Beschichtung 32 entfernt.
  • Dadurch, daß die erste Beschichtung 31 vor dem Abscheiden der Schicht 72 mit glasartiger Struktur nicht entfernt wird, können die Strukturen einer oder mehrerer Lagen der mehrlagigen Beschichtung freitragende Bereiche aufweisen. Durch die zueinander senkrechte Anordnung der strangförmigen Strukturen 93 und 94 der Lagen 71, beziehungsweise 71 weisen die Strukturen 94 freitragende Bereiche 11 in der Form von Brücken auf, die somit nicht von einer Unterlage oder darunterliegenden Schicht gestützt werden. Mit der hier beschriebene Variante des Verfahrens können so mehrlagige aufeinandergestapelte Gitter erzeugt werden. Derartige Strukturen können beispielsweise vorteilhaft als photonische Kristalle verwendet werden. Die Strukturen können ebenso auch als Wellenleiter dienen. Insbesondere können in einer oder mehreren Lagen durch das erfindungsgemäße Verfahren gekoppelte Wellenleiter hergestellt werden.
  • Nachfolgend wird auf die Fig. 5A bis 5C Bezug genommen, welche eine vorteilhafte Weiterbildung des Verfahrens zur Herstellung von Durchkontaktierungen durch eine Verkapselung anhand von Querschnittansichten durch ein Substrat 1 illustrieren. In diesem Fall weist das Substrat 1 beispielhaft auf einer Seite 2 eine aktive Schicht 15 auf. Diese Schicht kann eine integrierte elektronische Schaltungsanordnung oder auch beispielsweise eine optoelektronische Schaltungsanordnung aufweisen. Mit der aktiven Schicht 15 elektrisch verbunden sind Kontaktflächen oder Bondpads 14 zur Kontaktierung der Komponenten der aktiven Schicht 15. Die Oberfläche 2 weist zusätzlich eine Diffusionsbarriere-Schicht 8 auf, welche in der Halbleiterfertigung verbreitet zum Schutz der integrierten Schaltungen der aktiven Schicht eingesetzt wird. Eine solche Diffusionsbarriereschicht kann auch bei der Abscheidung von Aufdampfglas als strukturierte Schicht von Vorteil sein, da Aufdampfglas Natrium-Ionen abgeben kann, welche für die Schaltungen der aktiven Schicht 15 schädlich sein können. Auf die Fläche 2 wurde, wie in Fig. 5A gezeigt, eine strukturierte erste Beschichtung 3 aufgebracht. Die Beschichtung 3 ist so aufgebracht, daß deren Strukturen 12 die Kontaktflächen 14 teilweise oder ganz bedecken, andere Teile der zu beschichtenden Oberfläche 2 aber freigelegt bleiben.
  • Nachfolgend wird wieder eine Schicht 7 abgeschieden, welche ein glasartiges Material umfaßt. Die beschichtete Seite des Substrats wird daraufhin soweit wieder abgeschliffen und planarisiert, bis die Strukturen 12 der ersten Beschichtung 3 freigelegt sind, woraufhin die freigelegte erste Beschichtung entfernt wird. Auf diese Weise werden, wie Fig. 5B zeigt, in der zweiten Beschichtung 7 Aussparungen 13 erzeugt, welche die zu den negativen Strukturen 12 positiven oder komplementären Strukturen darstellen.
  • In einem nachfolgenden Schritt werden die Aussparungen in der zweiten Schicht 7 dann mit einem leitenden Material aufgefüllt, so daß, wie Fig. 5C zeigt, in den Aussparungen leitende Durchkontaktierungen 17 erzeugt werden. Auf diese Weise ist auf der Seite 2 des Substrats 1 eine hermetische Verkapselung hergestellt. Zusätzlich können auf die strukturierte zweite Schicht 7 noch Leiterbahnen 19 aufgebracht werden, die mit den an der Außenseite auf den Durchkontaktierungen 17 entstandenen Kontaktflächen verbunden sind. Dies kann beispielsweise für eine Redistribution der Kontakte verwendet werden. Die Leiterbahnen können vorteilhaft durch Aufdampfen metallischer Schichten hergestellt werden.
  • Im folgenden wird Bezug auf Fig. 6 genommen, in welcher beispielhaft eine Ausführungsform eines erfindungsgemäßen beschichteten Substrats 1 mit mehrlagiger Schicht 7 dargestellt ist. Die Schicht 7 weist in dieser beispielhaften Ausführungsform die Lagen 71, 72, 73 und 74 auf. Dabei umfassen die Lagen 71 bis 73 Materialien mit glasartiger Struktur. Durch eine in Lage 73 geschaffene Aussparung und die als Abdeckung dienende Lage 74 wird in der mehrlagigen Schicht 7 unter anderem ein Hohlraum 21 definiert. Im Hohlraum ist ein Bauelement 23 untergebracht, welches über Durchkontaktierungen 17 und Leiterbahnen mit der aktiven Schicht 15 und einer in einer weiteren Aussparung 13 befindlichen Durchkontaktierung 17 angeschlossen ist. Das Bauteil kann beispielsweise einen mikro-elektromechanischen Aktuator oder ein piezoelektrisches Element oder auch einen Sensor umfassen. Ebenso können neben aktiven Bauelementen in einem solchen Hohlraum auch passive Elemente, wie beispielsweise passive Filterelemente untergebracht werden.
  • Die in Fig. 6 gezeigte Anordnung ist lediglich beispielhaft. Sie zeigt jedoch, daß sich durch Kombination von Durchkontaktierungen in den Schichten, Leiterbahnen, Hohlräumen und Aussparungen in einfacher Weise komplexe mehrlagige Beschichtungen für elektronische oder optoelektronische Anwendungen herstellen lassen. Außerdem lassen sich durch geeignete Strukturierung der Schicht oder der Schichten, die ein glasartiges Material aufweisen, optische Komponenten realisieren. Fig. 7 zeigt dazu ein Beispiel, bei welchem durch die erfindungsgemäße Strukturierung ein Phasengitter hergestellt wurde.
  • Dabei wurde zunächst wie anhand der Fig. 1A bis 1E, beziehungsweise der Fig. 2A und 2B erläutert wurde, eine zweite Beschichtung 71 auf der Seite 2 des Substrats 1 hergestellt. Zur Realisierung eines Phasengitters umfassen diese Strukturen vorteilhaft regelmäßig angeordnete Gräben 40, die sich geradlinig oder gekrümmt entlang der Oberfläche 2 in der strukturierten Schicht 71, die ein glasartiges Material umfaßt, erstrecken. Mit entlang der Oberfläche des Substrats 1 gekrümmt verlaufenden Gräben, können beispielsweise Fokussierungseffekte erreicht werden. Zur Herstellung eines Phasengitters werden die Gräben 40 in der Schicht 7 mit einem transparenten Material aufgefüllt, welches bevorzugt einen anderen Brechungsindex als die Schicht 71 aufweist. Auf das so geschaffenen Phasengitter in der Schicht 71 ist eine weitere Schicht 72 aufgebracht, die als Abstandhalter dient.
  • Das so hergestellte beschichtete Substrat 1 dient in diesem Ausführungsbeispiel selbst als Abdeckung für ein weiteres Substrat 25. Dazu wird das beschichtete Substrat 1 nach Herstellung der strukturierten Beschichtung 7 mit dem weiteren Substrat 25 mittels einer Verbindungsschicht 27 verbunden. Das Substrat 25 weist in dieser Ausführungsform eine aktive Schicht 25 auf. Beispielsweise kann das Substrat ein optoelektronisches Bauelement oder ein mikroelektromechanisches Bauelement sein, welches in seiner Funktion mit dem Phasengitter der strukturierten Beschichtung 7 zusammenwirkt.
  • Fig. 8 zeigt eine Ausführungsform eines beschichteten Substrats 1, welche auf zwei gegenüberliegenden Seiten 2, 4 jeweils strukturierte Schichten 71 und 72 aufweist. Die strukturierten Schichten 71 und 72 wurden dabei wie anhand von Fig. 7 dargestellt wurde, als Phasengitter hergestellt. Die Phasengitter auf den gegenüberliegenden Seiten weisen außerdem verschiedene Perioden auf. Ein solches beschichtetes Substrat kann beispielsweise als optischer Filter mit hoher Auflösung verwendet werden. Selbstverständlich können auch andere strukturierte Beschichtungen, wie beispielsweise eine anhand von Fig. 6 dargestellte, mehrlagige strukturierte Schicht 7 auf eine oder beide Seiten eines solchen mehrseitig beschichteten Substrats aufgebracht werden. Bezugszeichenliste 1 Substrat
    2 zu beschichtende, erste Oberfläche des Substrats
    3, 31, 32 erste Beschichtung
    4 gegenüberliegende, zweite Oberfläche des Substrats
    5, 12 negative Strukturen in erster Beschichtung 3
    6 freigelegter Bereich auf Oberfläche 2
    7 strukturierte Schicht
    8 Diffusionssperrschicht
    9, 9A, 9B positive Strukturen der Schicht 7
    93, 94 strangförmige Strukturen in zweiter Schicht 7
    71, 72, 73 Lagen einer mehrlagigen strukturierten Schicht 7
    91, 92, 93 Strukturen der Lagen 71, 72, 73
    11 freitragende Bereiche
    13 Aussparung in Schicht 7
    14 Kontaktflächen
    15 aktive Schicht
    17 Durchkontaktierung
    19 Leiterbahnen
    21 Hohlraum
    23 Bauelement
    25 weiteres Substrat
    27 Verbindungsschicht
    29 transparente Auffüllung
    40 Gräben in Schicht 7

Claims (49)

1. Verfahren zur strukturierten Beschichtung eines Substrats (1) mit zumindest einer zu beschichtenden Oberfläche (2), umfassend die Schritte:
- Herstellen zumindest einer negativ strukturierten ersten Beschichtung (3, 31, 32) auf der zumindest einen Oberfläche (2),
- Abscheiden zumindest einer zweiten Schicht (7, 71, 72, 73), welche ein Material mit glasartiger Struktur aufweist, auf die mit der ersten Beschichtung (3, 31, 32) versehene Oberfläche (2),
- zumindest teilweise Entfernen der ersten Beschichtung (3, 31, 32).
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt des Herstellens einer negativ strukturierten ersten Beschichtung (3, 31, 32) auf der zumindest einen Oberfläche (2) den Schritt des Freilegens von Bereichen (6) der zumindest einen zu beschichtenden Oberfläche (2) umfaßt.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat (1) Bestandteil eines Wafers ist und das Verfahren im Waferverbund durchgeführt wird.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei der Schritt des Abscheidens einer zweiten Schicht (7, 71, 72, 73), welche ein Material mit glasartiger Struktur aufweist, den Schritt des Abscheidens durch Aufdampfen umfaßt.
5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Aufdampfen den Schritt des Elektronenstrahlverdampfens umfaßt.
6. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt des Aufdampfens einer Schicht, welche ein Material mit glasartiger Struktur aufweist, den Schritt des Verdampfens von Aufdampfmaterial, welches auf der Oberfläche (2) abgeschieden ein Material mit glasartiger Struktur bildet, aus einer einzelnen Quelle umfaßt.
7. Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt des Aufdampfens einer Schicht, welche ein Material mit glasartiger Struktur aufweist, den Schritt des Coverdampfens aus zumindest zwei Quellen umfaßt.
8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt des Abscheidens einer zweiten Schicht (7, 71, 72), welche ein Material mit glasartiger Struktur aufweist, durch Aufdampfen, den Schritt des Abscheidens eines Aufdampfglases umfaßt.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt des Abscheidens einer zweiten Schicht (7, 71, 72), welche ein Material mit glasartiger Struktur aufweist, den Schritt des Abscheidens einer Schicht mit entlang einer Richtung senkrecht zur Oberfläche variierender Zusammensetzung umfaßt.
10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt des Abscheidens einer zweiten Schicht (7, 71, 72, 73) den Schritt des Aufsputterns einer Schicht (7, 71, 72, 73) umfaßt, welche ein Material mit glasartiger Struktur, aufweist.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt des Abscheidens einer zweiten Schicht (7, 71, 72, 73) den Schritt des Abscheidens einer Schicht (7, 71, 72, 73) mittels CVD umfaßt.
12. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt des Abscheidens einer zweiten Schicht (7, 71, 72, 73) den Schritt des Abscheidens einer Schicht (7, 71, 72, 73) umfaßt, welche ein zumindest binäres Stoffsystem aufweist.
13. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt des Abscheidens einer zweiten Schicht (7, 71, 72, 73) den Schritt des Coabscheidens von organischem Material umfaßt.
14. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt des Herstellens einer negativ strukturierten ersten Beschichtung (3, 31, 32) den Schritt des Belackens, insbesondere des Belackens mittel Spin-Coating und/oder Aufsprühen und/oder der Elektrodeposition einer ersten Beschichtung (3, 31, 32) umfaßt.
15. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt des Herstellens einer negativ strukturierten ersten Beschichtung (3, 31, 32) den Schritt des Prägens einer ersten Beschichtung (3, 31, 32) umfaßt.
16. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt des Herstellens einer negativ strukturierten ersten Beschichtung (3, 31, 32) den Schritt des Aufbringen einer Photoresist-Folie umfaßt.
17. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt des Herstellens einer negativ strukturierten ersten Beschichtung (3, 31, 32) den Schritt des strukturierten Aufdruckens einer ersten Beschichtung (3, 31, 32), insbesondere des strukturierten Aufdruckens mittels Siebdruck umfaßt.
18. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 17, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt des Herstellens einer negativ strukturierten ersten Beschichtung (3, 31, 32) den Schritt des lithographischen Strukturierens der ersten Beschichtung (3, 31, 32) und/oder den Schritt des lithographischen Graustufenstrukturierens umfaßt.
19. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 18, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt des Herstellens einer negativ strukturierten ersten Beschichtung (3, 31, 32) auf die zumindest eine Oberfläche (2) den Schritt des Aufbringens einer photostrukturierbaren Schicht (3, 31, 32) umfaßt.
20. Verfahren nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt des Aufbringens einer photostrukturierbaren Schicht (3, 31, 32) den Schritt des Aufbringens eines Photolacks umfaßt.
21. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 20, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt des zumindest teilweise Entfernens der ersten Beschichtung (3, 31, 32) den Schritt des Auflösens der Beschichtung (3, 31, 32) in einem Lösungsmittel umfaßt.
22. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 21, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt des zumindest teilweise Entfernens der ersten Beschichtung (3, 31, 32) den Schritt des nasschemischen Entfernens der Beschichtung umfaßt.
23. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 22, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt des zumindest teilweise Entfernens der ersten Beschichtung (3, 31, 32) den Schritt des trockenchemischen Entfernens der Beschichtung (3, 31, 32), insbesondere den Schritt des Verbrennens der ersten Beschichtung in einem oxidierenden Plasma umfaßt.
24. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 23, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt des zumindest teilweise Entfernens der ersten Beschichtung (3, 31, 32) den Schritt des Abhebens von Bereichen der zumindest einen zweiten Schicht (7, 71, 72, 73) umfaßt.
25. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 24, gekennzeichnet durch den Schritt des zumindest teilweise Freilegens der ersten Beschichtung (3, 31, 32).
26. Verfahren nach Anspruch 25, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt des zumindest teilweise Freilegens der ersten Beschichtung (3, 31, 32) den Schritt des Planarisierens der beschichteten Oberfläche umfaßt.
27. Verfahren nach Anspruch 25 oder 26, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt des teilweise Freilegens der zweiten Schicht (7, 71, 72, 73), welche ein Material mit glasartiger Struktur aufweist, den Schritt des mechanischen Abtragens, insbesondere mittels Schleifen und/oder Läppen und/oder Polieren umfaßt.
28. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 27, gekennzeichnet durch den Schritt des Nachbehandelns der positiv strukturierten zweiten Schicht, insbesondere mittels nasschemischem und/oder trockenchemischem und/oder thermischem Reflow und/oder Dotierung.
29. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 28, dadurch gekennzeichnet, daß die Schritte des Herstellens einer negativ strukturierten ersten Beschichtung (3, 31, 32) auf der zumindest einen Oberfläche (2) und des Abscheidens zumindest einer zweiten Schicht (7, 71, 72, 73), welche ein Material mit glasartiger Struktur aufweist, mehrfach durchgeführt werden.
30. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 29, gekennzeichnet durch den Schritt des Verbindens des Substrats (1) mit einem weiteren Substrat (25), insbesondere einem Halbleiter-Bauelement und/oder einem optoelektronischen Bauelement und/oder einem mikro- elektromechanischen Bauelement.
31. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 30, dadurch gekennzeichnet, daß durch das Verfahren zumindest ein Phasengitter und/oder zumindest eine optische Komponente und/oder zumindest ein Kanal (40) und/oder zumindest ein Wellenleiter (93, 94) in der strukturierten Schicht (7, 71, 72), welche ein Material mit glasartiger Struktur aufweist, definiert wird.
32. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 31, gekennzeichnet durch den Schritt des zumindest teilweise Auffüllens von Strukturen der zweiten Schicht, welche ein Material mit glasartiger Struktur aufweist, insbesondere des Auffüllens mit leitendem Material und/oder eines transparenten Materials (29).
33. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 32, gekennzeichnet durch den Schritt des Aufbringens zumindest eines leitenden Bereichs, insbesondere einer Leiterbahn (19) auf die Oberfläche des Substrats und/oder der zumindest einen zweiten Schicht (7, 71, 72, 73).
34. Verfahren nach Anspruch 32 oder 33, dadurch gekennzeichnet, daß der Schritt des Auffüllens von Strukturen der zweiten Schicht und/oder der Schritt des Aufbringens zumindest eines leitenden Bereichs den Schritt des Herstellens zumindest eines passiven elektronischen Bauteils, insbesondere eines Kondensators und/oder eines Widerstands und/oder einer Induktivität umfaßt.
35. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 34, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat zumindest zwei zu beschichtende Oberflächen (2, 4) aufweist, welche insbesondere im wesentlichen gegenüberliegen, wobei die Schritte des Herstellens zumindest einer negativ strukturierten ersten Beschichtung (3, 31, 32) auf der zumindest einen Oberfläche (2),
des Abscheidens zumindest einer zweiten Schicht (7, 71, 72, 73), welche ein Material mit glasartiger Struktur aufweist, auf die mit der ersten Beschichtung (3, 31, 32) versehene Oberfläche (2), und des
zumindest teilweise Entfernens der ersten Beschichtung (3, 31, 32) auf jeder der Oberflächen (2, 4) vorgenommen werden.
36. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 35, gekennzeichnet durch den Schritt des Aufbringens einer Bond-Schicht auf die zweite Schicht (7, 71, 72, 73), insbesondere einer Bond-Schicht, welche eine Seed- Schicht für eine nachfolgende Metallisierung und/oder eine Klebstoffschicht umfaßt.
37. Beschichtetes Substrat, insbesondere beschichtet nach einem der Ansprüche 1 bis 26, welches auf zumindest einer Seite (2) eine strukturierte Beschichtung (7, 71, 72, 73, 74) aufweist, die ein Material mit glasartiger Struktur umfaßt, dadurch gekennzeichnet, daß die Beschichtung (7, 71, 72, 73, 74) auf einer negativ strukturierten ersten Beschichtung (3, 31, 32) auf der zumindest einen Seite (2) abgeschieden und die negativ strukturierte erste Beschichtung (3, 31, 32) zumindest teilweise entfernt ist.
38. Beschichtetes Substrat nach Anspruch 37 dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat (1) zumindest eine elektronische Schaltungsanordnung, insbesondere eine integrierte elektronische Schaltungsanordnung und/oder zumindest eine optoelektronische Schaltungsanordnung und/oder zumindest eine mikro-elektromechanische Komponente aufweist.
39. Beschichtetes Substrat nach einem der Ansprüche 37 bis 38, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat (1) mit einem Bauelement (25) verbunden ist, welches zumindest eine elektronische Schaltungsanordnung, insbesondere eine integrierte elektronische Schaltungsanordnung und/oder zumindest eine optoelektronische Schaltungsanordnung und/oder zumindest eine mikroelektromechanische Komponente aufweist.
40. Beschichtetes Substrat nach einem der Ansprüche 37 bis 41, dadurch gekennzeichnet, daß durch die strukturierte Beschichtung des Substrats zumindest ein Kanal (40) definiert ist.
41. Beschichtetes Substrat nach einem der Ansprüche 37 bis 40, dadurch gekennzeichnet, daß durch die strukturierte Beschichtung des Substrats zumindest ein Hohlraum (21) definiert ist.
42. Beschichtetes Substrat nach einem der Ansprüche 37 bis 41, dadurch gekennzeichnet, daß durch die strukturierte Beschichtung des Substrats zumindest eine Aussparung (13) definiert ist.
43. Beschichtetes Substrat nach einem der Ansprüche 37 bis 42, dadurch gekennzeichnet, daß die strukturierte Beschichtung (7, 71, 72, 73) zumindest eine Leiterbahn (19) und/oder zumindest ein passives elektronisches Bauteil, insbesondere einen Kondensator und/oder einen Widerstand und/oder eine Induktivität aufweist.
44. Beschichtetes Substrat nach einem der Ansprüche 37 bis 43, dadurch gekennzeichnet, daß die strukturierte Beschichtung (7, 71, 72, 73) zumindest einen Wellenleiter (93, 94), insbesondere zumindest zwei miteinander gekoppelte Wellenleiter (93, 94) aufweist.
45. Beschichtetes Substrat nach einem der Ansprüche 37 bis 44, gekennzeichnet durch eine mehrlagige strukturierte Beschichtung.
46. Beschichtetes Substrat nach einem der Ansprüche 37 bis 45, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat (1) ein Material umfaßt, welches Glas und/oder Metall und/oder Kunststoff und/oder einen Halbleiter, insbesondere Silizium und/oder Galliumarsenid aufweist.
47. Beschichtetes Substrat nach einem der Ansprüche 37 bis 46, dadurch gekennzeichnet, daß das Material mit glasartiger Struktur ein Glas, insbesondere ein Aufdampfglas umfaßt.
48. Beschichtetes Substrat nach einem der Ansprüche 37 bis 47, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat auf zwei insbesondere im wesentlichen gegenüberliegenden Seiten (2, 4) je eine strukturierte Beschichtung (7, 71, 72, 73, 74) aufweist, die ein Material mit glasartiger Struktur umfaßt.
49. Vorrichtung zur Durchführung eines Verfahrens gemäß einem der Ansprüche 1 bis 36 und/oder zur Herstellung eines beschichteten Substrats gemäß einem der Ansprüche 37 bis 48.
DE10222609A 2002-04-15 2002-05-23 Verfahren zur Herstellung strukturierter Schichten auf Substraten und verfahrensgemäß beschichtetes Substrat Expired - Lifetime DE10222609B4 (de)

Priority Applications (83)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10222609A DE10222609B4 (de) 2002-04-15 2002-05-23 Verfahren zur Herstellung strukturierter Schichten auf Substraten und verfahrensgemäß beschichtetes Substrat
DE10222958A DE10222958B4 (de) 2002-04-15 2002-05-23 Verfahren zur Herstellung eines organischen elektro-optischen Elements und organisches elektro-optisches Element
KR1020047016630A KR100616126B1 (ko) 2002-04-15 2003-04-15 전자 모듈의 하우징 형성 방법 및 이러한 방식으로 밀봉 캡슐화된 전자 모듈
CNB03808564XA CN100359653C (zh) 2002-04-15 2003-04-15 用于连结基片的处理和复合元件
CNA038085844A CN1646722A (zh) 2002-04-15 2003-04-15 金属表面的涂层方法和具有涂层的金属表面的基片
KR1020047016632A KR100789977B1 (ko) 2002-04-15 2003-04-15 복제 방지체 형성 방법, 상기 복제 방지체를 구비한 전자 부품, 및 상기 전자 부품을 구비하는 해독 디바이스
US10/511,488 US20060051584A1 (en) 2002-04-15 2003-04-15 Process for producing a product having a structured surface
EP03737955A EP1495153B1 (de) 2002-04-15 2003-04-15 Verfahren zur beschichtung von metalloberflächen
JP2003585167A JP2005527112A (ja) 2002-04-15 2003-04-15 基体上へのパターン層作製方法
CA002480797A CA2480797A1 (en) 2002-04-15 2003-04-15 Method for producing a copy protection for an electronic circuit and corresponding component
US10/511,558 US7495348B2 (en) 2002-04-15 2003-04-15 Process for producing copy protection for an electronic circuit
JP2003585179A JP2005528783A (ja) 2002-04-15 2003-04-15 電子回路用のコピー防止を作成する方法
CA002480854A CA2480854A1 (en) 2002-04-15 2003-04-15 Method for producing a product having a structured surface
DE50309735T DE50309735D1 (de) 2002-04-15 2003-04-15 Verfahren zur gehäusebildung bei elektronischen bauteilen so wie so hermetisch verkapselte elektronische bauteile
EP03746159.7A EP1502293B1 (de) 2002-04-15 2003-04-15 Verfahren zur herstellung strukturierter schichten auf substraten
PCT/EP2003/003907 WO2003088347A2 (de) 2002-04-15 2003-04-15 Verfahren zum verbinden von substraten und verbundelement
KR1020047016642A KR100942038B1 (ko) 2002-04-15 2003-04-15 유기 광전 소자 및 유기 광전 소자 제조 방법
AU2003232469A AU2003232469A1 (en) 2002-04-15 2003-04-15 Method for the production of structured layers on substrates
JP2003584356A JP2006503976A (ja) 2002-04-15 2003-04-15 金属表面を被覆する方法および被覆された金属表面を有する基板
AU2003233973A AU2003233973A1 (en) 2002-04-15 2003-04-15 Method for producing a product having a structured surface
PCT/EP2003/003882 WO2003087424A1 (de) 2002-04-15 2003-04-15 Verfahren zur gehäusebildung bei elektronischen bauteilen sowie so hermetisch verkapselte elektronische bauteile
IL16417103A IL164171A0 (en) 2002-04-15 2003-04-15 Method for the production of structured layers on substrates
US10/511,557 US7396741B2 (en) 2002-04-15 2003-04-15 Method for connecting substrate and composite element
EP03727306A EP1495501A2 (de) 2002-04-15 2003-04-15 Hermetische verkapselung von organischen elektro-optischen elementen
PCT/EP2003/003873 WO2003086958A2 (de) 2002-04-15 2003-04-15 Verfahren zur herstellung eines erzeugnisses mit einer strukturierten oberfläche
AU2003227626A AU2003227626A1 (en) 2002-04-15 2003-04-15 Method for connecting substrates and composite element
AU2003245876A AU2003245876A1 (en) 2002-04-15 2003-04-15 Method for forming housings for electronic components and electronic components that are hermetically encapsulated thereby
US10/511,566 US7863200B2 (en) 2002-04-15 2003-04-15 Process of vapor depositing glass layers for wafer-level hermetic encapsulation of electronic modules
CA002480691A CA2480691A1 (en) 2002-04-15 2003-04-15 Method for forming housings for electronic components and electronic components that are hermetically encapsulated thereby
CN038133024A CN1659720A (zh) 2002-04-15 2003-04-15 有机电光元件的气密封装
CA002480737A CA2480737A1 (en) 2002-04-15 2003-04-15 Method for coating metal surfaces and substrate having a coated metal surface
EP03746297.5A EP1495493B1 (de) 2002-04-15 2003-04-15 Verwendung einer Borosilikatglasschicht
TW092108722A TW200407446A (en) 2002-04-15 2003-04-15 Method for producing patterned layers on substrates
AU2003250326A AU2003250326A1 (en) 2002-04-15 2003-04-15 Method for producing a copy protection for an electronic circuit and corresponding component
JP2003585192A JP2005527076A (ja) 2002-04-15 2003-04-15 有機電気光学素子の気密封止
AT03737956T ATE393839T1 (de) 2002-04-15 2003-04-15 Verfahren zur gehäusebildung bei elektronischen bauteilen so wie so hermetisch verkapselte elektronische bauteile
AU2003233974A AU2003233974A1 (en) 2002-04-15 2003-04-15 Hermetic encapsulation of organic electro-optical elements
CNB038085410A CN1329285C (zh) 2002-04-15 2003-04-15 用于制造一种具有构造表面的产品的方法
US10/511,315 US7326446B2 (en) 2002-04-15 2003-04-15 Method for coating metal surfaces and substrate having a coated metal surface
IL16429003A IL164290A0 (en) 2002-04-15 2003-04-15 Method for forming housings for electronic components and electronic components that are hermetically encapsulated thereby
EP03737956A EP1495154B1 (de) 2002-04-15 2003-04-15 Verfahren zur gehäusebildung bei elektronischen bauteilen so wie so hermetisch verkapselte elektronische bauteile
JP2003584357A JP2005528780A (ja) 2002-04-15 2003-04-15 電子部品用のハウジングを形成する方法およびそれによって密封カプセル封止される電子部品
PCT/EP2003/003884 WO2003088340A2 (de) 2002-04-15 2003-04-15 Verfahren zur herstellung strukturierter schichten auf substraten
EP03725032.1A EP1495491B1 (de) 2002-04-15 2003-04-15 Verfahren zum verbinden von substraten und verbundelement
JP2003585174A JP2005528782A (ja) 2002-04-15 2003-04-15 基板およびコンポジット要素の接続方法
PCT/EP2003/003872 WO2003087423A1 (de) 2002-04-15 2003-04-15 Verfahren zur beschichtung von metalloberflächen und substrat mit beschichteter metalloberfläche
IL16430403A IL164304A0 (en) 2002-04-15 2003-04-15 Method for producing a product having a structured surface
CNA038085690A CN1647276A (zh) 2002-04-15 2003-04-15 用于为电子电路制作复制保护的方法以及相应元件
EP03727305.9A EP1494965B1 (de) 2002-04-15 2003-04-15 Verfahren zur herstellung eines erzeugnisses mit einer strukturierten oberfläche
CNB038085836A CN100387749C (zh) 2002-04-15 2003-04-15 用于形成电子组件外壳的方法和以这种方法密封封装的电子组件
KR1020047016631A KR100636414B1 (ko) 2002-04-15 2003-04-15 기판 결합 방법 및 복합 부품
JP2003583927A JP2005527459A (ja) 2002-04-15 2003-04-15 構造化された表面を有する製品を作製する方法
CA002485022A CA2485022A1 (en) 2002-04-15 2003-04-15 Method for connecting substrates and composite element
US10/511,334 US7825029B2 (en) 2002-04-15 2003-04-15 Method for the production of structured layers on substrates
PCT/EP2003/003883 WO2003088370A2 (de) 2002-04-15 2003-04-15 Hermetische verkapselung von organischen elektro-optischen elementen
AT03737955T ATE411407T1 (de) 2002-04-15 2003-04-15 Verfahren zur beschichtung von metalloberflächen
KR1020047016629A KR100679345B1 (ko) 2002-04-15 2003-04-15 금속 표면 코팅 방법 및 코팅된 금속 표면을 구비한 기판
AU2003245875A AU2003245875A1 (en) 2002-04-15 2003-04-15 Method for coating metal surfaces and substrate having a coated metal surface
KR1020117025576A KR101178935B1 (ko) 2002-04-15 2003-04-15 구조화된 표면을 구비한 제품 생산 방법
CA002505014A CA2505014A1 (en) 2002-04-15 2003-04-15 Hermetic encapsulation of organic electro-optical elements
CNB038085682A CN100397593C (zh) 2002-04-15 2003-04-15 在衬底上形成图案层的方法
PCT/EP2003/003881 WO2003088354A2 (de) 2002-04-15 2003-04-15 Verfahren zur herstellung eines kopierschutzes für eine elektronische schaltung und entsprechendes bauteil
DE50310646T DE50310646D1 (de) 2002-04-15 2003-04-15 Verfahren zur beschichtung von metalloberflächen
KR10-2004-7016634A KR20040111528A (ko) 2002-04-15 2003-04-15 구조화된 표면을 구비한 제품 생산 방법
CA002479823A CA2479823A1 (en) 2002-04-15 2003-04-15 Method for the production of structured layers on substrates
US10/515,035 US7786002B2 (en) 2002-05-23 2003-05-23 Method for producing a component comprising a conductor structure that is suitable for use at high frequencies
JP2004508410A JP2005535108A (ja) 2002-05-23 2003-05-23 高周波用途に適した導体構成を有する構成要素を製造する方法
IL16528203A IL165282A0 (en) 2002-05-23 2003-05-23 Method for producing a component comprising a conductor structure that issuitable for use at high frequencies
AU2003237668A AU2003237668A1 (en) 2002-05-23 2003-05-23 Method for producing a component comprising a conductor structure that is suitable for use at high frequencies and corresponding component
US10/514,876 US8273671B2 (en) 2002-05-23 2003-05-23 Glass material for radio-frequency applications
EP03755118A EP1506578A2 (de) 2002-05-23 2003-05-23 Glasmaterial für hochfrequenzanwendungen
PCT/EP2003/005414 WO2003100846A2 (de) 2002-05-23 2003-05-23 Glasmaterial für hochfrequenzanwendungen
CNA038118211A CN1656612A (zh) 2002-05-23 2003-05-23 用于高频的玻璃材料
CN038117983A CN1685507B (zh) 2002-05-23 2003-05-23 带有适合射频应用的导体结构的元件的制造方法
PCT/EP2003/005415 WO2003100859A2 (de) 2002-05-23 2003-05-23 Verfahren zur herstellung eines bauelements mit hochfrequenztauglicher leiteranordnung und entsprechendes bauelement
CA002485185A CA2485185A1 (en) 2002-05-23 2003-05-23 Method for producing a component comprising a conductor structure that is suitable for use at high frequencies
EP03735449.5A EP1518275B1 (de) 2002-05-23 2003-05-23 Verfahren zur herstellung eines bauelements mit hochfrequenztauglicher leiteranorndnung und entsprechendes bauelement
AU2003247287A AU2003247287A1 (en) 2002-05-23 2003-05-23 Glass material for use at high frequencies
JP2004508402A JP5027992B2 (ja) 2002-05-23 2003-05-23 高周波用途のためのガラス材料
CA002484794A CA2484794A1 (en) 2002-05-23 2003-05-23 Glass material for use at high frequencies
IL16430004A IL164300A0 (en) 2002-04-15 2004-09-27 Method for coating metal surfaces and substrate having a coated metal surface
IL16430104A IL164301A0 (en) 2002-04-15 2004-09-27 Method for connecting substrates and composite element
JP2010086382A JP2010153927A (ja) 2002-05-23 2010-04-02 高周波用途のためのガラス材料

Applications Claiming Priority (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE20205830 2002-04-15
DE20205830.1 2002-04-15
DE10222609A DE10222609B4 (de) 2002-04-15 2002-05-23 Verfahren zur Herstellung strukturierter Schichten auf Substraten und verfahrensgemäß beschichtetes Substrat
DE10222964A DE10222964B4 (de) 2002-04-15 2002-05-23 Verfahren zur Gehäusebildung bei elektronischen Bauteilen sowie so hermetisch verkapselte elektronische Bauteile
DE10222958A DE10222958B4 (de) 2002-04-15 2002-05-23 Verfahren zur Herstellung eines organischen elektro-optischen Elements und organisches elektro-optisches Element
DE10252787A DE10252787A1 (de) 2002-04-15 2002-11-13 Verfahren zur Herstellung eines Kopierschutzes für eine elektronische Schaltung
DE10301559A DE10301559A1 (de) 2002-04-15 2003-01-16 Verfahren zur Herstellung eines Erzeugnisses mit einer strukturierten Oberfläche
PCT/EP2003/003884 WO2003088340A2 (de) 2002-04-15 2003-04-15 Verfahren zur herstellung strukturierter schichten auf substraten

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE10222609A1 true DE10222609A1 (de) 2003-11-06
DE10222609B4 DE10222609B4 (de) 2008-07-10

Family

ID=44243025

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10222609A Expired - Lifetime DE10222609B4 (de) 2002-04-15 2002-05-23 Verfahren zur Herstellung strukturierter Schichten auf Substraten und verfahrensgemäß beschichtetes Substrat

Country Status (9)

Country Link
US (1) US7825029B2 (de)
EP (1) EP1502293B1 (de)
JP (1) JP2005527112A (de)
CN (1) CN100397593C (de)
AU (1) AU2003232469A1 (de)
CA (1) CA2479823A1 (de)
DE (1) DE10222609B4 (de)
IL (1) IL164171A0 (de)
WO (1) WO2003088340A2 (de)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005016751B3 (de) * 2005-04-11 2006-12-14 Schott Ag Verfahren zur Herstellung gehäuster elektronischer Bauelemente
US7326446B2 (en) 2002-04-15 2008-02-05 Schott Ag Method for coating metal surfaces and substrate having a coated metal surface
US7396741B2 (en) 2002-04-15 2008-07-08 Schott Ag Method for connecting substrate and composite element
US7825029B2 (en) 2002-04-15 2010-11-02 Schott Ag Method for the production of structured layers on substrates
WO2011009444A1 (de) * 2009-07-23 2011-01-27 Msg Lithoglas Ag Verfahren zum herstellen einer strukturierten beschichtung auf einem substrat, beschichtetes substrat sowie halbzeug mit einem beschichteten substrat
DE102005047566C5 (de) * 2005-10-05 2011-06-09 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Anordnung mit einem Leistungshalbleiterbauelement und mit einem Gehäuse sowie Herstellungsverfahren hierzu
DE102009056756A1 (de) 2009-12-04 2011-06-09 Schott Ag Material für Batterie-Elektroden, dieses enthaltende Batterie-Elektroden sowie Batterien mit diesen Elektroden und Verfahren zu dessen Herstellung
US8741550B2 (en) 2004-06-09 2014-06-03 Schott Ag Building up diffractive optics by structured glass coating
US10061198B2 (en) 2013-07-25 2018-08-28 Acquandas GmbH Method for producing a medical device or a device with structure elements, method for modifying the surface of a medical device or of a device with structure elements, medical device and laminated composite with a substrate

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7524431B2 (en) 2004-12-09 2009-04-28 President And Fellows Of Harvard College Lift-off patterning processing employing energetically-stimulated local removal of solid-condensed-gas layers
US7435353B2 (en) 2004-12-09 2008-10-14 President And Fellows Of Harvard College Patterning by energetically-stimulated local removal of solid-condensed-gas layers and solid state chemical reactions produced with such layers
US20060202118A1 (en) 2005-02-25 2006-09-14 Axel Engel Standard for referencing luminescence signals
JP2007227715A (ja) * 2006-02-24 2007-09-06 Stanley Electric Co Ltd パターニング基板の製造方法
CN100449336C (zh) * 2006-02-28 2009-01-07 佳能株式会社 光学元件及制造光学元件的方法
JP5162854B2 (ja) * 2006-07-18 2013-03-13 富士電機株式会社 半導体装置の製造方法
US7465681B2 (en) 2006-08-25 2008-12-16 Corning Incorporated Method for producing smooth, dense optical films
DE102008030815A1 (de) * 2008-06-30 2009-12-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von optoelektronischen Bauelementen
FR2937181B1 (fr) * 2008-10-10 2011-01-14 Commissariat Energie Atomique Structuration en surface de couches minces par ejection localisee de liquide immiscible.
US20100294526A1 (en) * 2009-05-21 2010-11-25 General Electric Company Hermetic electrical package
US8427845B2 (en) * 2009-05-21 2013-04-23 General Electric Company Electrical connectors for optoelectronic device packaging
KR20140143214A (ko) * 2012-03-30 2014-12-15 엠에스지 리토글라스 게엠베하 반도체 장치 및 유리질 층의 제조 방법
US9443993B2 (en) 2013-03-28 2016-09-13 Seiko Epson Corporation Spectroscopic sensor and method for manufacturing same
KR20140142005A (ko) * 2013-06-03 2014-12-11 삼성디스플레이 주식회사 기판 상에 막을 코팅하는 방법
US8975735B2 (en) * 2013-08-08 2015-03-10 Infineon Technologies Ag Redistribution board, electronic component and module
US9666451B2 (en) 2013-09-27 2017-05-30 Intel Corporation Self-aligned via and plug patterning for back end of line (BEOL) interconnects
US9793163B2 (en) 2013-09-27 2017-10-17 Intel Corporation Subtractive self-aligned via and plug patterning for back end of line (BEOL) interconnects
EP3050086A4 (de) * 2013-09-27 2017-05-03 Intel Corporation Subtraktive selbstjustierende durchführung und steckerstrukturierung für beol-verbindungen
DE102015201927A1 (de) * 2015-02-04 2016-08-04 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zum Kaltgasspritzen mit Maske
CN111519166A (zh) * 2015-02-13 2020-08-11 恩特格里斯公司 衬底部分上的复合原子层沉积ald涂层及在衬底部分上形成经图案化ald涂层的方法
FR3039930B1 (fr) * 2015-08-06 2017-09-08 Armor Procede de raccordement d'un dispositif electronique flexible a un fil electrique
CN116282904A (zh) 2016-09-13 2023-06-23 Ａｇｃ株式会社 高频器件用玻璃基板和高频器件用电路基板
US10211072B2 (en) * 2017-06-23 2019-02-19 Applied Materials, Inc. Method of reconstituted substrate formation for advanced packaging applications
US10515896B2 (en) * 2017-08-31 2019-12-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Interconnect structure for semiconductor device and methods of fabrication thereof
CN109346556B (zh) * 2018-09-21 2020-02-21 中国科学院半导体研究所 一种光学粗糙且电学平坦型透明导电衬底的制备方法
CN109712930B (zh) 2018-11-27 2020-10-30 合肥鑫晟光电科技有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置
CN110183113B (zh) * 2019-05-22 2022-03-22 湖南天羿领航科技有限公司 防眩光玻璃的制备方法
CN111575653A (zh) * 2020-05-10 2020-08-25 兰州大学 一种x射线吸收光栅及其制作方法
CN111470784A (zh) * 2020-06-01 2020-07-31 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司 一种高透过宽色系盖板玻璃
DE102021002187A1 (de) 2021-04-26 2022-10-27 Mercedes-Benz Group AG Verfahren zum Herstellen eines Lötverbindungsteils sowie Lötverbindungsteil

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3723277A (en) * 1971-07-14 1973-03-27 Molekularelektronik Method for the production of masks in the manufacture of semiconductor components
US4029562A (en) * 1976-04-29 1977-06-14 Ibm Corporation Forming feedthrough connections for multi-level interconnections metallurgy systems
US4328263A (en) * 1979-07-31 1982-05-04 Fujitsu Limited Method of manufacturing semiconductor devices using lift-off technique
EP0052901A1 (de) * 1980-11-25 1982-06-02 Koninklijke Philips Electronics N.V. Verfahren zur Herstellung integrierter optischer Wellenleiterkreise und Kreise, die mit Hilfe dieses Verfahrens hergestellt werden
DE19600400A1 (de) * 1996-01-08 1997-07-17 Siemens Ag Mikromechanisches Bauteil mit planarisiertem Deckel auf einem Hohlraum und Herstellverfahren
US5865865A (en) * 1994-08-18 1999-02-02 Honjo Sorex Co., Ltd Process for production of glass substrate coated with finely patterned nesa glass membrane
DE19846751A1 (de) * 1997-10-12 1999-06-02 Poly Optik Gmbh Anordnung zur gesteuerten Tiefenstrukturierung von fotostrukturierbarem Glas
US6030829A (en) * 1995-11-22 2000-02-29 Corning Incorporated High density test plate and process of making
US6221562B1 (en) * 1998-11-13 2001-04-24 International Business Machines Corporation Resist image reversal by means of spun-on-glass
WO2001032575A1 (en) * 1999-11-04 2001-05-10 Corning Incorporated High aspect ratio patterning of glass film
DE4314251C2 (de) * 1993-04-30 2002-02-21 Unaxis Deutschland Holding Verfahren und Vorrichtung zum Aufdampfen absorbierender dünner Schichten auf ein Substrat

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4035276A (en) * 1976-04-29 1977-07-12 Ibm Corporation Making coplanar layers of thin films
US4506435A (en) * 1981-07-27 1985-03-26 International Business Machines Corporation Method for forming recessed isolated regions
US4396458A (en) * 1981-12-21 1983-08-02 International Business Machines Corporation Method for forming planar metal/insulator structures
JPS58172679A (ja) * 1982-04-01 1983-10-11 Fuji Photo Film Co Ltd ホログラム作成方法
JP2000241985A (ja) * 1999-02-24 2000-09-08 Pioneer Electronic Corp 集積回路に対する傾斜部の形成方法
US6262464B1 (en) * 2000-06-19 2001-07-17 International Business Machines Corporation Encapsulated MEMS brand-pass filter for integrated circuits
DE10222609B4 (de) 2002-04-15 2008-07-10 Schott Ag Verfahren zur Herstellung strukturierter Schichten auf Substraten und verfahrensgemäß beschichtetes Substrat
DE10222958B4 (de) 2002-04-15 2007-08-16 Schott Ag Verfahren zur Herstellung eines organischen elektro-optischen Elements und organisches elektro-optisches Element
DE10222964B4 (de) 2002-04-15 2004-07-08 Schott Glas Verfahren zur Gehäusebildung bei elektronischen Bauteilen sowie so hermetisch verkapselte elektronische Bauteile

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3723277A (en) * 1971-07-14 1973-03-27 Molekularelektronik Method for the production of masks in the manufacture of semiconductor components
US4029562A (en) * 1976-04-29 1977-06-14 Ibm Corporation Forming feedthrough connections for multi-level interconnections metallurgy systems
US4328263A (en) * 1979-07-31 1982-05-04 Fujitsu Limited Method of manufacturing semiconductor devices using lift-off technique
EP0052901A1 (de) * 1980-11-25 1982-06-02 Koninklijke Philips Electronics N.V. Verfahren zur Herstellung integrierter optischer Wellenleiterkreise und Kreise, die mit Hilfe dieses Verfahrens hergestellt werden
DE4314251C2 (de) * 1993-04-30 2002-02-21 Unaxis Deutschland Holding Verfahren und Vorrichtung zum Aufdampfen absorbierender dünner Schichten auf ein Substrat
US5865865A (en) * 1994-08-18 1999-02-02 Honjo Sorex Co., Ltd Process for production of glass substrate coated with finely patterned nesa glass membrane
US6030829A (en) * 1995-11-22 2000-02-29 Corning Incorporated High density test plate and process of making
DE19600400A1 (de) * 1996-01-08 1997-07-17 Siemens Ag Mikromechanisches Bauteil mit planarisiertem Deckel auf einem Hohlraum und Herstellverfahren
DE19846751A1 (de) * 1997-10-12 1999-06-02 Poly Optik Gmbh Anordnung zur gesteuerten Tiefenstrukturierung von fotostrukturierbarem Glas
US6221562B1 (en) * 1998-11-13 2001-04-24 International Business Machines Corporation Resist image reversal by means of spun-on-glass
WO2001032575A1 (en) * 1999-11-04 2001-05-10 Corning Incorporated High aspect ratio patterning of glass film

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7326446B2 (en) 2002-04-15 2008-02-05 Schott Ag Method for coating metal surfaces and substrate having a coated metal surface
US7396741B2 (en) 2002-04-15 2008-07-08 Schott Ag Method for connecting substrate and composite element
US7825029B2 (en) 2002-04-15 2010-11-02 Schott Ag Method for the production of structured layers on substrates
US8741550B2 (en) 2004-06-09 2014-06-03 Schott Ag Building up diffractive optics by structured glass coating
EP1754083B1 (de) * 2004-06-09 2020-08-05 Schott AG Verfahren zur herstellung einer mehrlagigen fresnel-linse
DE102005016751B3 (de) * 2005-04-11 2006-12-14 Schott Ag Verfahren zur Herstellung gehäuster elektronischer Bauelemente
DE102005047566C5 (de) * 2005-10-05 2011-06-09 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Anordnung mit einem Leistungshalbleiterbauelement und mit einem Gehäuse sowie Herstellungsverfahren hierzu
WO2011009444A1 (de) * 2009-07-23 2011-01-27 Msg Lithoglas Ag Verfahren zum herstellen einer strukturierten beschichtung auf einem substrat, beschichtetes substrat sowie halbzeug mit einem beschichteten substrat
DE102009034532A1 (de) * 2009-07-23 2011-02-03 Msg Lithoglas Ag Verfahren zum Herstellen einer strukturierten Beschichtung auf einem Substrat, beschichtetes Substrat sowie Halbzeug mit einem beschichteten Substrat
JP2012533686A (ja) * 2009-07-23 2012-12-27 エムエスゲー リトグラス アクチエンゲゼルシャフト 構造化被覆部を基板上に形成する方法、被覆済み基板、および、被覆済み基板を備えた半完成品
DE102009056756A1 (de) 2009-12-04 2011-06-09 Schott Ag Material für Batterie-Elektroden, dieses enthaltende Batterie-Elektroden sowie Batterien mit diesen Elektroden und Verfahren zu dessen Herstellung
US10061198B2 (en) 2013-07-25 2018-08-28 Acquandas GmbH Method for producing a medical device or a device with structure elements, method for modifying the surface of a medical device or of a device with structure elements, medical device and laminated composite with a substrate

Also Published As

Publication number Publication date
CN100397593C (zh) 2008-06-25
CN1647258A (zh) 2005-07-27
WO2003088340A2 (de) 2003-10-23
US20050233503A1 (en) 2005-10-20
DE10222609B4 (de) 2008-07-10
AU2003232469A1 (en) 2003-10-27
AU2003232469A8 (en) 2003-10-27
CA2479823A1 (en) 2003-10-23
US7825029B2 (en) 2010-11-02
WO2003088340A3 (de) 2004-05-27
EP1502293B1 (de) 2015-09-09
IL164171A0 (en) 2005-12-18
JP2005527112A (ja) 2005-09-08
EP1502293A2 (de) 2005-02-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE10222609B4 (de) Verfahren zur Herstellung strukturierter Schichten auf Substraten und verfahrensgemäß beschichtetes Substrat
DE3339957C2 (de)
EP0008359B1 (de) Verfahren zum Herstellen einer Dünnfilmstruktur
DE4434321C2 (de) Optischer Wellenleiter mit einem Polymerkern und dessen Herstellungsverfahren
EP0012859B1 (de) Verfahren zum Aufbringen eines Dünnfilmmusters auf ein Substrat
DE102005029425A1 (de) Bilden einer Mehrzahl von Dünnfilmbauelementen
WO2011009444A1 (de) Verfahren zum herstellen einer strukturierten beschichtung auf einem substrat, beschichtetes substrat sowie halbzeug mit einem beschichteten substrat
DE10349692A1 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben
DE102004059252A1 (de) Aufbau diffraktiver Optiken durch strukturierte Glasbeschichtung
DE10222964A1 (de) Verfahren zur Gehäusebildung bei elektronischen Bauteilen sowie so hermetisch verkapselte elektronische Bauteile
DE102006005419B4 (de) Mikroelektromechanisches Halbleiterbauelement mit Hohlraumstruktur und Verfahren zur Herstellung desselben
WO2009003565A1 (de) Verfahren zum verpacken von halbleiter-bauelementen und verfahrensgemäss hergestellten erzeugnis
WO2003100846A2 (de) Glasmaterial für hochfrequenzanwendungen
DE2709933A1 (de) Verfahren zum herstellen durchgehender metallischer verbindungen zwischen mehreren metallisierungsebenen in halbleitervorrichtungen
EP1495153B1 (de) Verfahren zur beschichtung von metalloberflächen
DE102008034372B4 (de) Verfahren zum Herstellen einer dielektrischen Schicht in einem elektroakustischen Bauelement sowie elektroakustisches Bauelement
WO2003100859A9 (de) Verfahren zur herstellung eines bauelements mit hochfrequenztauglicher leiteranordnung und entsprechendes bauelement
WO2005024972A2 (de) Verfahren zur herstellung von elektronischen bauelementen
WO2002059981A2 (de) Herstellen elektrischer verbindungen in substratöffnungen von schaltungseinheiten mittels schräg gerichteter abscheidung leitfähiger schichten
DE102006046364A1 (de) ARC-Schicht mit geringerer Neigung zum Ablösen und Verfahren zur Herstellung derselben
EP1704606B1 (de) Verfahren zur Herstellung eines organischen Transistors mit selbstjustierender Gate-Elektrode
DE102006057568A1 (de) Mikrooptisches Element mit einem Substrat und Verfahren zu seiner Herstellung
DE102005037875B3 (de) Verfahren zur Herstellung von Vielschichtbauelementen in Dünnschicht-Technologie
EP1161766A1 (de) Keramischer mehrlagen-dünnschichtkondensator
DE102007022748B4 (de) Verfahren zur Strukturierung eines Materials und strukturiertes Material

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: SCHOTT AG, 55122 MAINZ, DE

8363 Opposition against the patent
8331 Complete revocation
8368 Opposition refused due to inadmissibility
8380 Miscellaneous part iii

Free format text: DIE RECHTSKRAFT DES WIDERRUFS VOM 21.01.2010 WURDE GELOESCHT.

R071 Expiry of right