JP2000241985A

JP2000241985A - 集積回路に対する傾斜部の形成方法

Info

Publication number: JP2000241985A
Application number: JP4705199A
Authority: JP
Inventors: Masataka Izawa; 正隆伊澤
Original assignee: Pioneer Electronic Corp
Current assignee: Pioneer Corp
Priority date: 1999-02-24
Filing date: 1999-02-24
Publication date: 2000-09-08

Abstract

(57)【要約】【課題】光導波路デバイスの導波層の伝搬光を低損失
で受光部に導くための緩やかな傾斜角を有する傾斜部を
形成し、光伝搬特性に優れコスト低減が可能な光集積回
路等の集積回路に対する傾斜部の形成方法を提供する。【解決手段】半導体基板１１上部のエピタキシャル層
１２にフォーカスエラー検出用の第２受光部３２を形成
し、その上部に第２受光部３２以外への光を遮断するア
ルミニウム遮光膜１３を成膜した後、第１ＳＯＧ層１４
により段差を埋め込む。その上部からリフトオフ用のレ
ジストを塗布して、第２受光部３２上部の以外の領域を
除去後、加熱すると逆テーパーマスク部５２が形成され
る。この状態でスパッタ法によりＳｉＯ₂層１５を成膜
し、リフトオフして逆テーパーマスク部５２を剥離する
と、第２受光部３２上部には、平坦部４１の両側に傾斜
の緩やかな傾斜部４０が形成される。この傾斜部４０の
上部に光導波路を積層した場合、傾斜が緩やかであるた
め、伝搬損失を最小限に抑えることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板上に多
数の層を積層して集積回路を形成する製造技術に関し、
特に、光集積回路等を製造する際、所定の層の段差部に
傾斜部を形成するなどの光集積回路製造技術の技術分野
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来から、成膜工程を繰り返して多数の
層からなる集積回路を製造する場合、特定の層に段差を
設けて、その上に異なる層を成膜し、上方向又は下方向
に向かって傾斜する傾斜部を形成する手法が知られてい
る。例えば、半導体集積回路に立体的に配線を行う場合
に、このような手法が利用される。

【０００３】一方、集積回路技術は、近年では光技術を
用いた光集積回路にも応用されるようになってきてい
る。この光集積回路は、多数の層に各種機能素子を集積
化することで光部品の小型化、高性能化を実現する。そ
して、このような光集積回路においても、やはり上述の
ような傾斜部を設ける必要を生じることがある。すなわ
ち、光導波路や受光素子をそれぞれ異なる層に形成して
集積の度合を高めた光集積回路では、導波層と受光素子
が形成される層は通常離れて配置されることが多い。そ
のため、効率的に光を光導波路から受光素子に放射させ
るには、光導波路から受光素子に達する間に傾斜部を形
成し、伝搬光が受光素子に部分的に近接する構成にする
必要がある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の方法により形成される傾斜部は、その傾斜角が比較
的大きくなるのが一般的である。一方、この傾斜部に沿
って光導波路を形成した場合、傾斜角が大きな傾斜部の
前後では光導波路の曲率が大きくならざるを得ない。と
ころが、このように曲率が大きな部分を光が通過する際
には、かなりの光量損失につながるので、受光素子の受
光レベルを減少させることになる。その結果、光集積回
路の性能劣化の要因となるという点が問題となる。

【０００５】そこで、本発明はこのような問題に鑑みな
されたものであり、例えば光集積回路の伝搬光の損失を
抑える場合など、多数の層が積層された集積基板におい
て、緩やかな傾斜を形成することが可能な集積基板に対
する成膜方法、及びこの成膜方法を用いる光集積回路を
提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１に記載の集積回路に対する傾斜部の形成方
法は、基板上に多数の層が積層されてなる集積回路の所
定の層上にレジストを塗布し、所定の領域をマスクして
レジストパターンを形成するレジストパターン形成工程
と、前記レジストパターンの加熱処理を行い、レジスト
の熱膨張によって上部の幅が広くなる逆テーパー形の断
面を有する逆テーパーマスク部を形成する加熱工程と、
前記所定の層及び前記逆テーパーマスク部の上部から所
定の材料を堆積させ、前記所定の層上に成膜を行うと共
に、該所定の層上における前記逆テーパーマスク部の下
方部分では、堆積の際の前記材料の回り込みにより緩や
かな傾斜角を有する傾斜部が形成される成膜工程と、リ
フトオフ法を用いて前記逆テーパーマスク部を剥離する
剥離工程とを備えることを特徴とする。

【０００７】この発明によれば、集積回路に対し、レジ
ストパターン形成工程において、所定の層上にレジスト
が塗布され、露光や現像などを施して適切にパターニン
グを行ってレジストパターンが形成される。そして、加
熱工程における加熱処理によりレジストパターンに熱が
伝達する。すると、最終的には逆テーパー形の断面を有
する逆テーパーマスク部が形成される。そして、成膜工
程において、所定の材料を上部から堆積させると、所定
の層上では、逆テーパーマスク部に覆われない部分は通
常に成膜されるが、逆テーパーマスク部に覆われた下方
部分では、材料がある程度回り込んで逆テーパーマスク
部の側部に至るまで成膜がなされる。このとき、回り込
みの距離が大きくなると堆積量が減少するため、緩やか
な傾斜角を有する傾斜部が形成される。最後に、剥離工
程ではリフトオフ法が用いられ、逆テーパーマスク部が
剥離されて、集積回路の表面上には傾斜部が形成され
る。

【０００８】従って、集積回路の層上に比較的簡単な処
理により傾斜部を形成することができると共に、レジス
トパターンの大きさや加熱条件の制御により、傾斜角を
微妙に調整し、しかも傾斜角を緩やかに設定することが
できる。そのため、この傾斜部の上部に形成される層も
緩やかに傾斜させることができ、例えば光導波路の伝搬
損失を低減させる場合など、集積回路における多様な用
途に利用可能となる。

【０００９】請求項２に記載の集積回路に対する傾斜部
の形成方法は、請求項１に記載の集積回路に対する傾斜
部の形成方法において、前記成膜工程では、スパッタ法
を用いて成膜を行うことを特徴とする。

【００１０】この発明によれば、成膜工程ではスパッタ
法が採用され、例えばＡｒガス等を用いて集積回路を基
板としてスパッタが行われ、成膜がされると共に傾斜部
が形成される。従って、スパッタ法によれば、上部から
堆積される材料の直進性はそれほどよくないため、逆テ
ーパーマスク部に覆われた下方部分での回り込みが比較
的大きくなり、より広い範囲にわたる緩やかな傾斜部を
形成することができる。

【００１１】請求項３に記載の集積回路に対する傾斜部
の形成方法は、請求項１又は請求項２に記載の集積回路
に対する傾斜部の形成方法において、前記集積回路は、
光を伝搬させる光導波路を備える光集積回路であると共
に、該光導波路は、前記形成された傾斜部の上層として
積層されることを特徴とする。

【００１２】この発明によれば、光導波路を備える光集
積回路に対し、上述のように、レジストパターン形成工
程と、加熱工程と、成膜工程と、剥離工程が施され、形
成された傾斜部の上層に光導波路が積層される。従っ
て、光集積回路において、光導波路を異なる層にわたっ
て設ける場合でも、緩やかな傾斜によって接続されるた
め、伝搬光の損失を最小限に抑えることができる。

【００１３】請求項４に記載の集積回路に対する傾斜部
の形成方法は、請求項３に記載の集積回路に対する傾斜
部の形成方法において、前記光集積回路は、前記光導波
路の伝搬光を受光する受光部が形成された層を具備し、
前記光導波路の下面と前記受光部の受光面とを結ぶ段差
部分に前記傾斜部が形成されることを特徴とする。

【００１４】この発明によれば、傾斜部の上層に積層さ
れた光導波路は、その下層の受光部に結ばれ、受光部に
て伝搬光が受光される。そして、光導波路と受光部の間
の本来段差部分となるべき位置に傾斜部が形成される配
置になっている。従って、異なる層にある光導波路と受
光部の間を緩やかな傾斜部で結び、伝搬光の損失を最小
限に抑え、受光部における受光量を十分に確保すること
ができる。

【００１５】請求項５に記載の集積回路に対する傾斜部
の形成方法は、請求項４に記載の集積回路に対する傾斜
部の形成方法において、前記光集積回路は、光ピックア
ップ用デバイスであることを特徴とする。

【００１６】この発明によれば、上述のように光導波路
と受光部を備え、傾斜部が形成される光集積回路を光ピ
ックアップ用デバイスとして機能させる。従って、複雑
な作製方法によらずに、伝搬光の損失が少なく受光部に
て十分な受光量が確保される光ピックアップが実現でき
る。

【００１７】請求項６に記載の集積回路に対する傾斜部
の形成方法は、請求項３から請求項５の何れかに記載の
集積回路に対する傾斜部の形成方法において、前記傾斜
部の傾斜角は、１０度から１５度の範囲内であることを
特徴とする。

【００１８】この発明によれば、傾斜部の傾斜角が１０
度から１５度の範囲内となるように設定される。従っ
て、光集積回路において、光導波路の伝搬損失を十分に
小さく抑えることができ、高性能の光集積回路を実現す
ることができる。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施の形態
を図面に基づいて説明する。なお、本実施形態では、本
発明を光ピックアップ用の光集積回路に対して適用する
場合について説明する。

【００２０】図１は、本実施形態に係る光集積回路とし
ての光導波路デバイス１の断面構造を示す図である。図
１に示す光導波路デバイス１は、下から順に半導体基板
１１、半導体板基板１１上部のエピタキシャル層１２、
アルミ遮光膜１３、第１ＳＯＧ（Spin on glass）層１
４、ＳiＯ₂層１５、導波層１６、第２ＳＯＧ層１７、往
路復路分離膜１８が積層される構造を有する。また、導
波層１６上部にはグレーティング２０が形成されてい
る。更に、エビタキシャル層１２には、第1受光部３
１、第２受光部３２が形成されている。

【００２１】図１において、半導体基板１１に対し、後
述する製造方法に従って、各層を順次積層していくこと
で光導波路デバイス１が作製される。この光導波路１に
おける各層は、導波層１６が光ビームを導波モードで伝
搬させる光導波路として機能し、ＳiＯ₂層１５がクラッ
ド層として機能し、第１ＳＯＧ層１４、第２ＳＯＧ層１
７が、多層構造間のバッファとして機能する。また、往
路復路分離膜１８は光源と情報記録媒体の間に配置され
るビームスプリッタとして機能し、グレーティング２０
は光ビームを導波層１６に入力結合させるカップラとし
て機能する。

【００２２】そして、このような光導波路デバイス1の
各層がその機能を発揮するには、適切な屈折率の設定を
行う必要がある。具体的には、導波層１６が屈折率１．
５３、ＳiＯ₂層１５が屈折率１．４７、第１ＳＯＧ層１
４及び第２ＳＯＧ層１７が屈折率１．４３、グレーティ
ング２０が屈折率２．０をそれぞれ有している。

【００２３】次に、上述の光導波路デバイス１を用いて
光ピックアップを実現する場合の動作について説明す
る。なお、図１では、光ビームが進行する方向を点線矢
印で示している。

【００２４】図１において、光源から所定の波長を有す
る光ビームが出射され、往路復路分離膜１８に斜め方向
から入射される。この往路復路分離膜１８に対して、Ｔ
Ｅモードの光ビームを反射し、ＴＭモードの光ビームを
透過するような特性を付与すると共に、往路復路分離膜
１８に入射される光ビームがＴＥモードになるよう調整
しておく。すると、ＴＥモードの光ビームが、いったん
往路復路分離膜１８により反射されて、図１の光学系を
介して情報記録媒体の情報記録面に集光される。そし
て、図示しないλ／４波長板を光学形に含めて配置すれ
ば、反射された光ビームは、λ／４波長板の作用によっ
てＴＭモードの光ビームに変換されるので、往路復路分
離膜１８を透過する。

【００２５】次いで、光ビームは直下のグレーティング
２０により、導波層１６にその一部が所望の結合効率で
入力結合され、残りはグレーティング２０を透過して第
１受光部３１に到達する。グレーティング２０には、チ
ャーピングした曲線グレーティングが施され、反射され
た収束光線の照射状態や集光位置に適合してグレーティ
ングパターンの周期及び曲率が微妙に調整されている。
併せて、グレーティング２０から導波層１６に所望の結
合効率で光ビームを入力結合させるため、グレーティン
グ構造の高さが適切に調整されている。

【００２６】導波層１６に入力結合された光ビームは、
矢印方向に導波モードで伝搬されて、傾斜部４０におい
て下方に緩やかに傾斜した後、平坦部４１で再び水平と
なり、第２受光部３２によって受光される。この傾斜部
４０は、比較的緩やかなスロープとなるように形成され
るが、詳しい形成方法については後述する。

【００２７】ここで、本実施形態において、図１に示す
ような傾斜部４０を設けているのは、導波層１６と第２
受光部３２とを互いに近接して配置するためである。す
なわち、第２受光部３２で高い受光効率を得るには、導
波モードを放射モードに変換して受光する必要があり、
導波層１６と第２受光部３２の間の距離が十分小さくな
る配置としたものである。一方、導波層１６の他の部分
では、光ビームを導波モードで伝搬させるために、Ｓi
Ｏ₂層１５の厚さをある程度確保しなければならず、そ
のため、傾斜部４０により高さの調整を図ったものであ
る。

【００２８】なお、本実施形態に係る光導波路デバイス
１を用いた光ピックアップでは、ＲＦ信号やトラッキン
グエラー信号を第１受光部３１の受光信号に基づき生成
し、フォーカスエラー信号を第２受光部３２の受光出力
に基づき生成することを想定している。これは、ＲＦ信
号やトラッキングエラー信号の生成は、光量や安定性を
確保するため、入力結合後の光路長をできるだけ短くす
る方が好ましいのに対し、例えばよく知られたビームサ
イズ法等によるフォーカスエラー信号の生成は、各ビー
ムのフォーカス状態に差異を生じさせるだけの光路長を
とる必要があるからである。

【００２９】次に、図２〜図４を参照して、本実施形態
に係る光導波路デバイス１の製造方法について説明す
る。ここでは、光導波路デバイス１の製造工程におい
て、主にＳｉＯ₂層１５上部の傾斜部４０の形成方法に
着目して説明を行う。よって、以下の説明では、図１の
光導波路デバイス１全体のうち、傾斜部４０と第２受光
部３２の周辺部分の断面構造のみを図示しつつ説明を行
うまず、図２（ａ）に示すように、Ｎ型シリコンからな
る半導体基板１１を用意し、エピタキシャル成長により
エピタキシャル層１２を形成する。そして、その上部の
所定の領域に対してＰ型拡散を施し、ＰＩＮフォトダイ
オードとしての第２受光部３２を形成する。この第２受
光部３２に図示しないアルミ配線を設けることにより、
外部に受光出力を取り出すことができる。

【００３０】次に、図２（ｂ）に示すように、エピタキ
シャル層１２の上に成膜した熱酸化膜を挟んで、第２受
光部３２が形成されていない領域の上部にアルミニウム
を成膜する。これにより、上部からの光を遮断する機能
を有するアルミニウム遮光膜１３が形成される。

【００３１】次に、図２（ｃ）に示すように、アルミニ
ウム遮光膜１３上面と第２受光部３２の受光面によって
生じた段差を埋め込むため、ＳＯＧを塗布してバッファ
層としての第１ＳＯＧ層１４を成膜する。第２受光部３
２上部での第１ＳＯＧ層１４の厚さは、第２受光部３２
において必要な受光量に応じて適切に設定される。な
お、第１ＳＯＧ層１４の成膜後も、図２（ｃ）に示すよ
うに、第２受光部３２上部での第１ＳＯＧ層１４の上面
は、周囲より僅かに低くなっている。

【００３２】次に、図３（ａ）に示すように、第１ＳＯ
Ｇ層１４の上部にレジスト５１を塗布する。このレジス
ト５１はリフトオフ法に用いられるレジストであり、本
実施形態では、日本ゼオン製のＺＰＮ１１００を使用し
た。まず、第１ＳＯＧ層１４の上部に、３０００ｒｐｍ
で３０秒間のスピンコートを行ってレジスト５１を塗布
し、厚さ約１．８μｍに成膜した後、プリベークを行っ
た。

【００３３】次に、成膜したレジスト５１に対し、第２
受光部３２上部の領域を残すようなマスクパターンを用
いて露光を行った後、加熱処理を施して現像を行う。露
光及び現像により第２受光部３２の上部以外の領域で
は、レジスト５１が除去される。そして、光導波路デバ
イス１の上方では、図３（ｂ）に示すように、残ったレ
ジスト５１の断面は逆テーパー形状となって逆テーパー
マスク部５２が形成される。すなわち、この逆テーパー
マスク部５２は、第２受光部３２をマスクする役割を担
うと共に、上部ではオーバーハングが生じる一方、下部
に行くほど幅が狭くなり、下端の幅Ｗ１と上端の幅Ｗ２
の関係がＷ１＜Ｗ２となる。なお、逆テーパーマスク部
５２における下端の幅Ｗ１の部分は、上述の平坦部４１
に対応する。

【００３４】次に、図４（ａ）に示すように、図３
（ｂ）の状態の光導波路デバイス１に対し、スパッタ法
によりＳｉＯ₂を成膜して、厚さ０．７μｍ程度のＳｉ
Ｏ₂層１５を形成する。本実施形態では、Ａｒガスを用
いて、ＲＦパワー３００Ｗ程度で駆動されるスパッタ装
置により、ターゲットから半導体基板１１までの距離７
５ｍｍにセットしてスパッタを行った。これにより、逆
テーパーマスク部５２の上部と、それ以外の第１ＳＯＧ
層１４の上部とに、ＳｉＯ₂が成膜される。

【００３５】このとき、逆テーパーマスク部５２の周囲
において、平坦部４１に隣接して傾斜部４０が形成され
る。これは、スパッタ法はそれほど直進性がよくないの
で、レジスト５１上部の幅Ｗ２の近傍からの回り込みが
生じ、下部では幅Ｗ１〜Ｗ２の範囲内に成膜が行われ、
傾斜部４０を生じたものである。この回り込みの度合は
幅Ｗ１の両端部に近づくほど、直線的に減少する傾向が
あるため、図４（ａ）に示すような断面形状を有する傾
斜部４０が形成されるのである。なお、既に述べたよう
に、光ピックアップの動作上は、主に一方の側の傾斜部
４０の役割が重要であるが、製造の都合上、平坦部４０
の両側において傾斜部４０が対称的に形成されるものと
して以下の説明を行う。

【００３６】次に、図４（ｂ）に示すように、光導波路
デバイス１に対しリフトオフを施す。すなわち、図４
（ａ）の状態の光導波路デバイス１を有機溶剤などのレ
ジスト剥離液に一定時間浸すことにより、レジスト５１
が剥離されて逆テーパーマスク部５２が取り除かれると
共に、その上部に堆積されたＳｉＯ₂も併せて取り除か
れる。従って、第２受光部３２の上部を除いた領域に
は、ＳｉＯ₂層１５がそのままの状態で保持され、第２
受光部３２の上部付近には、平坦部４１とその両側の傾
斜部４０とが形成されることになる。

【００３７】その後は、光導波路デバイス１に対し、図
１に示す上部の構造を順次作製すればよい。すなわち、
図４（ｂ）の状態から、コーニング７０５９を材料とし
て厚さ０．６５μｍの導波層１６を成膜する。そして、
導波層１６の一部にＴｉＯ₂からなるグレーティング２
０を厚さ０．１μｍで形成する。次いで、導波層１６の
上部に、バッファ層としての第２ＳＯＧ層１７を成膜す
る。最後に、第２ＳＯＧ層１７を表面研磨した後、誘電
体などの多層膜を蒸着して往路復路分離膜１８を成膜す
る。このようにして、本実施形態に係る光導波路デバイ
ス１を作製することができる。

【００３８】ここで、図５は、上述の逆テーパーマスク
部５２の形状とＳｉＯ₂層１５上部の傾斜部４０の形状
の関係を示す図である。上述したように、導波層１６か
ら第２受光部３２に達するまでは、伝搬光の損失を抑え
るため傾斜を緩やかにする必要があるので、傾斜部４０
の傾斜角を小さくすることが望ましい。一方、クラッド
層として機能するＳｉＯ₂層１５の厚さの制約から、傾
斜部４０の傾斜角を緩やかにするには、Ｗ２−Ｗ１を大
きくとる必要がある。Ｗ２−Ｗ１が大きいと、スパッタ
時に回り込み可能な距離が確保され、相対的に傾斜部４
０の傾斜角を緩やかにすることができる。そのため、逆
テーパーマスク部５２の傾斜角をかなり大きくする必要
があり、レジスト５１には、加熱時の膨張の度合が大き
い特性が要求されることになる。

【００３９】実際には、図５に示すように、逆テーパー
マスク部５２は、その側面部の傾斜角は約５０°となっ
ている。これは、レジスト５１の材質や第１ＳＯＧ層１
４に対する付着力の面からの制限である。また、このと
きの傾斜部４０の傾斜角は、概ね１０°から１５°の範
囲になっている。この範囲内で、スパッタ条件などに依
存して傾斜角が変動するが、伝搬光の損失を抑えるため
には十分な値である。

【００４０】また、塗布されるレジスト５１の厚さは約
１．８μｍであるのに対し、ＳｉＯ ₂層１５の厚さは、
平坦部４１において約０．７μｍとなっている。よっ
て、図１の断面構造を実現する場合に、第１受光部３１
上部では導波層１６からの距離を十分にとる一方、第２
受光部３２上部では導波層１６に十分に近接させること
ができるため受光量が確保される。よって、本実施形態
に係る光導波路デバイス１を光ピックアップとして有効
に機能させるために、第２受光部３２にて十分な受光出
力を確保することできる。なお、レジスト５１は更に厚
く塗布してもよく、例えば５μｍ以上としてもよい。

【００４１】以上説明したように、本実施形態係る光導
波路デバイス１の製造方法によれば、レジスト５１を用
いて逆テーパーマスク部５２を形成し、リフトオフ法を
利用してＳｉＯ₂層１５を挟んで第２受光部３２の上部
に傾斜部４０を形成するようにしたので、この傾斜部４
０の傾斜を緩やかにすることができる。従って、上述の
ように、光ピックアップとしての良好な性能を保持しつ
つ、量産性に優れ調整不要で、しかも小型化に好適な光
ピックアップを実現できる。

【００４２】なお、上述の実施形態では、本発明を光ピ
ックアップ用の光導波路デバイス１に適用する場合を説
明したが、これに限られることなく、一般的に基板に多
数の層が積層された集積回路に傾斜部を形成する場合に
は、広く本発明を適用することができる。より緩やかな
傾斜を有する傾斜部を形成する必要があるときは、本発
明を適用する有用性が高い。

【００４３】

【発明の効果】請求項１に記載の発明によれば、集積回
路の所定の層上に逆テーパーマスク部を形成して、所定
の材料を用いて成膜を行い、緩やかな傾斜角を有する傾
斜部を形成するようにしたので、この傾斜部の上層を緩
やかに傾斜させることにより、光導波路の伝搬損失の低
減などに有用で、各種の用途に利用可能となる。

【００４４】請求項２に記載の発明によれば、成膜工程
ではスパッタ法を用いるようにしたので、逆テーパーマ
スク部下方での回り込みが比較的大きくなり、集積回路
におて、より広い範囲にわたって緩やかな傾斜部を形成
することができる。

【００４５】請求項３に記載の発明によれば、光導波路
を備える光集積回路に対し、傾斜部の上層に光導波路を
積層するようにしたので、光導波路を異なる層にわたっ
て設ける場合でも、これらの層間を緩やかな傾斜によっ
て接続し、伝搬光の損失を最小限に抑えることができる
請求項４に記載の発明によれば、光集積回路において互
いに異なる層にある光導波路と受光部とを結ぶ段差部分
に、上述の傾斜部を形成したので、伝搬光の損失を最小
限に抑え、受光部における受光量を十分に確保すること
ができる。

【００４６】請求項５に記載の発明によれば、傾斜部が
形成される光集積回路を光ピックアップ用デバイスとし
て機能させるようにしたので、複雑な製造方法を用いる
ことなく、伝搬光の損失が少なく受光部にて十分な受光
量が確保される光ピックアップを実現することが可能と
なる。

【００４７】請求項６に記載の発明によれば、傾斜部の
傾斜角を１０度から１５度の範囲内に設定したので、光
集積回路における光導波路の伝搬損失を十分に小さく抑
え、高性能の光集積回路を実現することが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本実施形態に係る光導波路デバイスの断面構造
を示す図である。

【図２】本実施形態に係る光導波路デバイスの製造方法
を示す図であり、半導体基板に対するエピタキシャル層
の形成から第１ＳＯＧ層の成膜までの工程を説明する図
である。

【図３】本実施形態に係る光導波路デバイスの製造方法
を示す図であり、リフトオフ用のレジストの塗布から逆
テーパーマスク部の形成までの工程を説明する図であ
る。

【図４】本実施形態に係る光導波路デバイスの製造方法
を示す図であり、ＳｉＯ₂の成膜から逆テーパーマスク
部の除去までの工程を説明する図である。

【図５】逆テーパーマスク部の形状と傾斜部の形状の関
係を示す図である。

【符号の説明】

１…光導波路デバイス１１…半導体基板１２…エピタキシャル層１３…アルミ遮光膜１４…第１ＳＯＧ層１５…ＳiＯ₂層１６…導波層１７…第２ＳＯＧ層１８…往路復路分離膜２０…グレーティング３１…第1受光部３２…第２受光部４０…傾斜部４１…平坦部５１…レジスト５２…逆テーパーマスク部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に多数の層が積層されてなる集積
回路の所定の層上にレジストを塗布し、所定の領域をマ
スクしてレジストパターンを形成するレジストパターン
形成工程と、前記レジストパターンの加熱処理を行い、レジストの熱
膨張によって上部の幅が広くなる逆テーパー形の断面を
有する逆テーパーマスク部を形成する加熱工程と、前記所定の層及び前記逆テーパーマスク部の上部から所
定の材料を堆積させ、前記所定の層上に成膜を行うと共
に、該所定の層上における前記逆テーパーマスク部の下
方部分では、堆積の際の前記材料の回り込みにより緩や
かな傾斜角を有する傾斜部が形成される成膜工程と、リフトオフ法を用いて前記逆テーパーマスク部を剥離す
る剥離工程と、を備えることを特徴とする集積回路に対する傾斜部の形
成方法。
【請求項２】前記成膜工程では、スパッタ法を用いて
成膜を行うことを特徴とする請求項１に記載の集積回路
に対する傾斜部の形成方法。
【請求項３】前記集積回路は、光を伝搬させる光導波
路を備える光集積回路であると共に、該光導波路は、前
記形成された傾斜部の上層として積層されることを特徴
とする請求項１又は請求項２に記載の集積回路に対する
傾斜部の形成方法。
【請求項４】前記光集積回路は、前記光導波路の伝搬
光を受光する受光部が形成された層を具備し、前記光導
波路の下面と前記受光部の受光面とを結ぶ段差部分に前
記傾斜部が形成されることを特徴とする請求項３に記載
の集積回路に対する傾斜部の形成方法。
【請求項５】前記光集積回路は、光ピックアップ用デ
バイスであることを特徴とする請求項４に記載の集積回
路に対する傾斜部の形成方法。
【請求項６】前記傾斜部の傾斜角は、１０度から１５
度の範囲内であることを特徴とする請求項３から請求項
５の何れかに記載の集積回路に対する傾斜部の形成方
法。