JPH0629566A - 導波路集積型半導体受光素子 - Google Patents
導波路集積型半導体受光素子Info
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- JPH0629566A JPH0629566A JP4180782A JP18078292A JPH0629566A JP H0629566 A JPH0629566 A JP H0629566A JP 4180782 A JP4180782 A JP 4180782A JP 18078292 A JP18078292 A JP 18078292A JP H0629566 A JPH0629566 A JP H0629566A
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- semiconductor
- semiconductor light
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 受光素子の高速化と高効率化を図った導波路
集積型半導体受光素子を提供する。 【構成】 半導体基板上に設けられた半導体光導波路２
３と、該半導体光導波路上に積層された半導体受光素子
層２４とからなる導波路集積型半導体受光素子におい
て、前記半導体光導波路２３の光入力端部と反対側の一
端部が鉛直方向から内側へ所望角度傾斜した逆メサ状側
面２５を有する光反射部を形成してなり、入力端部から
入射されて前記半導体光導波路２３を伝搬した信号光２
２を、当該逆メサ状側面２５によって上方に反射し、か
つ当該逆メサ状側面２５を有する光反射部のほぼ上部に
積層された半導体受光素子２４で吸収する。
集積型半導体受光素子を提供する。 【構成】 半導体基板上に設けられた半導体光導波路２
３と、該半導体光導波路上に積層された半導体受光素子
層２４とからなる導波路集積型半導体受光素子におい
て、前記半導体光導波路２３の光入力端部と反対側の一
端部が鉛直方向から内側へ所望角度傾斜した逆メサ状側
面２５を有する光反射部を形成してなり、入力端部から
入射されて前記半導体光導波路２３を伝搬した信号光２
２を、当該逆メサ状側面２５によって上方に反射し、か
つ当該逆メサ状側面２５を有する光反射部のほぼ上部に
積層された半導体受光素子２４で吸収する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、一般的には半導体光導
波路と半導体受光素子とを集積化して形成され、半導体
光導波路を用いて構成された光回路内を伝搬する信号光
を半導体受光素子に導いて電気信号に変換する機能を有
する導波路集積型半導体受光素子に関し、さらに具体的
には信号光を半導体光導波路の端部で反射して受光素子
層に効率よく導くことによって受光素子の高速化と高効
率化を図った導波路集積型半導体受光素子に関するもの
である。
波路と半導体受光素子とを集積化して形成され、半導体
光導波路を用いて構成された光回路内を伝搬する信号光
を半導体受光素子に導いて電気信号に変換する機能を有
する導波路集積型半導体受光素子に関し、さらに具体的
には信号光を半導体光導波路の端部で反射して受光素子
層に効率よく導くことによって受光素子の高速化と高効
率化を図った導波路集積型半導体受光素子に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来の一般的な導波路集積型半導体受光
素子は、信号光波長が１．５５μｍの場合を例にとる
と、図６に示す様に、InP 基板１１の上面に信号光１２
を吸収しないInP 系材料からなる半導体光導波路１３が
形成されており、さらに信号光１２の導波方向端部側の
半導体光導波路１３の上面には信号光１２を吸収しうる
InGaAs層を有する半導体受光素子層１４を積層して形成
されている（C. Bornhold他、Electoronics Letters
、２３巻、２頁、１９８７年参照）。
素子は、信号光波長が１．５５μｍの場合を例にとる
と、図６に示す様に、InP 基板１１の上面に信号光１２
を吸収しないInP 系材料からなる半導体光導波路１３が
形成されており、さらに信号光１２の導波方向端部側の
半導体光導波路１３の上面には信号光１２を吸収しうる
InGaAs層を有する半導体受光素子層１４を積層して形成
されている（C. Bornhold他、Electoronics Letters
、２３巻、２頁、１９８７年参照）。
【０００３】この導波路集積型半導体受光素子において
は、半導体光導波路１３を伝搬してきた信号光１２は、
受光素子層１４の下部領域にさしかかるや、この導波路
１３の屈折率よりも高い屈折率をもつ半導体受光素子層
１４に徐々に移行し吸収される。
は、半導体光導波路１３を伝搬してきた信号光１２は、
受光素子層１４の下部領域にさしかかるや、この導波路
１３の屈折率よりも高い屈折率をもつ半導体受光素子層
１４に徐々に移行し吸収される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、入力端部か
ら入射された信号光１２は導波路１３を伝搬しながら徐
々に受光素子層に移行するため、信号光１２の大部分を
受光素子層１４内へと導くためには、受光素子層１４の
動波方向の長さＬを、信号光１２の大部分が受光素子層
１４に移行するのに必要な導波距離と同程度の長さにす
る必要がある。しかし、移行に必要な距離（Ｌ）は１０
０μｍ以上と長いため、受光素子層１４の面積が大きく
なる結果、受光素子層１４の静電容量が増大して受光素
子層１４が高速動作できないという問題があった。
ら入射された信号光１２は導波路１３を伝搬しながら徐
々に受光素子層に移行するため、信号光１２の大部分を
受光素子層１４内へと導くためには、受光素子層１４の
動波方向の長さＬを、信号光１２の大部分が受光素子層
１４に移行するのに必要な導波距離と同程度の長さにす
る必要がある。しかし、移行に必要な距離（Ｌ）は１０
０μｍ以上と長いため、受光素子層１４の面積が大きく
なる結果、受光素子層１４の静電容量が増大して受光素
子層１４が高速動作できないという問題があった。
【０００５】本発明は、上記従来技術の問題点を解消
し、高速かつ高効率な導波路集積型半導体受光素子を提
供することを目的とする。
し、高速かつ高効率な導波路集積型半導体受光素子を提
供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成する本発
明に係る導波路集積型半導体受光素子の構成は、半導体
基板上に設けられた半導体光導波路と、該半導体光導波
路上に積層された半導体受光素子層とからなる導波路集
積型半導体受光素子において、前記半導体光導波路の光
入力端部と反対側の一端部が鉛直方向から内側へ所望角
度傾斜した逆メサ状側面を有する光反射部を形成してな
り、入力端部から入射されて前記半導体光導波路を伝搬
した信号光を、当該逆メサ状側面によって上方に反射
し、かつ当該逆メサ状側面を有する光反射部のほぼ上部
に積層された半導体受光素子層で吸収することを特徴と
する。
明に係る導波路集積型半導体受光素子の構成は、半導体
基板上に設けられた半導体光導波路と、該半導体光導波
路上に積層された半導体受光素子層とからなる導波路集
積型半導体受光素子において、前記半導体光導波路の光
入力端部と反対側の一端部が鉛直方向から内側へ所望角
度傾斜した逆メサ状側面を有する光反射部を形成してな
り、入力端部から入射されて前記半導体光導波路を伝搬
した信号光を、当該逆メサ状側面によって上方に反射
し、かつ当該逆メサ状側面を有する光反射部のほぼ上部
に積層された半導体受光素子層で吸収することを特徴と
する。
【０００７】
【作用】前記構成において、入力端部から入射され半導
体導波路を伝搬した信号光を逆メサ状に加工された逆メ
サ状側面を有する光反射部で反射させ、半導体受光子層
へ導くことができ、高速かつ高効率な導波路集積型半導
体受光素子が実現可能となる。
体導波路を伝搬した信号光を逆メサ状に加工された逆メ
サ状側面を有する光反射部で反射させ、半導体受光子層
へ導くことができ、高速かつ高効率な導波路集積型半導
体受光素子が実現可能となる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明に係る導波路集積型半導体受光
素子の好適な実施例を図面を参照して詳細に説明する。
素子の好適な実施例を図面を参照して詳細に説明する。
【０００９】実施例１ 図１は本実施例に係る導波路集積型半導体受光素子の概
略図を示す。同図に示すように、本実施例に係る導波路
集積型半導体受光素子２０は、ｎ型InP 基板２１の上面
に信号光２２を吸収しないInP 材料からなる半導体導波
路（ｎ型InGaAsP 層）２３が形成されており、さらに信
号光２２の導波方向端部側の半導体導波路２３の上面に
は、半導体受光素子層（InGaAs層）２４が積層されてい
る。
略図を示す。同図に示すように、本実施例に係る導波路
集積型半導体受光素子２０は、ｎ型InP 基板２１の上面
に信号光２２を吸収しないInP 材料からなる半導体導波
路（ｎ型InGaAsP 層）２３が形成されており、さらに信
号光２２の導波方向端部側の半導体導波路２３の上面に
は、半導体受光素子層（InGaAs層）２４が積層されてい
る。
【００１０】上記半導体受光素子層（以下「受光素子
層」という）２４を形成した端部は、鉛直方向から内側
へ所望角度（本実施例では略４５度）傾斜した逆メサ状
側面２５をエッチングにより形成し、光反射部を構成し
ている。
層」という）２４を形成した端部は、鉛直方向から内側
へ所望角度（本実施例では略４５度）傾斜した逆メサ状
側面２５をエッチングにより形成し、光反射部を構成し
ている。
【００１１】本実施例においては、上記受光素子層２４
はその中心がノンドープ型InGaAs層２４ａとすると共に
その上部をｐ型InGaAs層２４ｂとしており、受光素子は
pinフォトダイオードとして機能している。
はその中心がノンドープ型InGaAs層２４ａとすると共に
その上部をｐ型InGaAs層２４ｂとしており、受光素子は
pinフォトダイオードとして機能している。
【００１２】この導波路集積型半導体受光素子２０の製
造は以下の工程で行なう。
造は以下の工程で行なう。
【００１３】（工程１）ｎ型InP 基板２１の上に厚さ
０．５μｍでバンドギャップ波長１．３μｍのｎ型InGa
AsP 層（半導体導波路）２３、厚さ１μｍのノンドープ
InGaAsP層２４ａ、厚さ０．２μｍのｐ型InGaAs層２４
ｂをこの順に順次エピタキシャル成長する。
０．５μｍでバンドギャップ波長１．３μｍのｎ型InGa
AsP 層（半導体導波路）２３、厚さ１μｍのノンドープ
InGaAsP層２４ａ、厚さ０．２μｍのｐ型InGaAs層２４
ｂをこの順に順次エピタキシャル成長する。
【００１４】（工程２）ハロゲン系ＲＩＢＥ法を用いて
導波路端部をエッチングする。このときＲＩＢＥの入射
ビームの飛来方向に対してInP 基板２１を略４５度傾け
る。その結果、導波路端部は略４５度の逆メサ状に形成
される。尚、基板を傾ける代わりに、エッチングビーム
の飛来角度を略４５度としエッチングにより逆メサ状側
面２５を形成するようにしてもよい。
導波路端部をエッチングする。このときＲＩＢＥの入射
ビームの飛来方向に対してInP 基板２１を略４５度傾け
る。その結果、導波路端部は略４５度の逆メサ状に形成
される。尚、基板を傾ける代わりに、エッチングビーム
の飛来角度を略４５度としエッチングにより逆メサ状側
面２５を形成するようにしてもよい。
【００１５】（工程３）受光素子層のうち導波路端部上
部以外の部分をエッチングにより除去し、長さ１０μｍ
の受光素子領域を形成する。
部以外の部分をエッチングにより除去し、長さ１０μｍ
の受光素子領域を形成する。
【００１６】（工程４）ｎ型InP 基板２１にｎ型オーミ
ック電極２６、ｐ型GaAsP 層２４ｂにｐ型オーミック電
極２７を各々形成し、導波路集積型半導体受光素子２０
を得る。
ック電極２６、ｐ型GaAsP 層２４ｂにｐ型オーミック電
極２７を各々形成し、導波路集積型半導体受光素子２０
を得る。
【００１７】ここで、光反射部を形成する逆メサ状側面
とは、当該逆メサ状側面２５が、InP 基板２１を臨むよ
うに鉛直方向から内側へ略４５度（積層面から略１３５
度）エッチングビームによりエッチングされてできる側
面をいい、当該側面が反射ミラーとなって導波されてき
た信号光２２を受光素子層２４へ反射させる機能を有す
るものをいう。
とは、当該逆メサ状側面２５が、InP 基板２１を臨むよ
うに鉛直方向から内側へ略４５度（積層面から略１３５
度）エッチングビームによりエッチングされてできる側
面をいい、当該側面が反射ミラーとなって導波されてき
た信号光２２を受光素子層２４へ反射させる機能を有す
るものをいう。
【００１８】上記得られた導波路集積型半導体受光素子
において、半導体導波路（InGaAsP層）２３を伝搬して
きた信号光２２は、導波路端部の逆メサ状側面２５で上
方に反射され、受光素子層２４に導かれる。したがって
１０μｍ程度の短い受光素子においてもほとんどの信号
光２２を受光素子層２４内に導くことが可能となる。
において、半導体導波路（InGaAsP層）２３を伝搬して
きた信号光２２は、導波路端部の逆メサ状側面２５で上
方に反射され、受光素子層２４に導かれる。したがって
１０μｍ程度の短い受光素子においてもほとんどの信号
光２２を受光素子層２４内に導くことが可能となる。
【００１９】実際、本手法で製作した導波路集積型半導
体受光素子は従来のものと比べて、効率は約５０％と同
程度の値を保持しつつ、静電容量は約１０分の１に減少
し、その結果２GHZ 程度だった受光素子の動作速度は約
２０GHZ に改善された。
体受光素子は従来のものと比べて、効率は約５０％と同
程度の値を保持しつつ、静電容量は約１０分の１に減少
し、その結果２GHZ 程度だった受光素子の動作速度は約
２０GHZ に改善された。
【００２０】本実施例においては、ｎ型基板を用いた例
を示したが、半絶縁性基板を用いても本実施例と同様の
効果が期待できる。この場合にはｎ型オーミック電極を
導波路層上部に形成すればよい。
を示したが、半絶縁性基板を用いても本実施例と同様の
効果が期待できる。この場合にはｎ型オーミック電極を
導波路層上部に形成すればよい。
【００２１】本実施例においては、導波路端部を略４５
度の逆メサ状に形成した例を示したが、略４５度に限定
されるものではない。例えば図２に示すような略４５度
以上の逆メサ状側面２５Ａに形成することにより、信号
光２２の入射方向を受光素子に対して傾け、信号光２２
から見た受光素子層２４の実効的な厚さを増大させるこ
とが可能となり、受光素子層２４に吸収されずに透過す
る信号光２２の割合を低減することができる。
度の逆メサ状に形成した例を示したが、略４５度に限定
されるものではない。例えば図２に示すような略４５度
以上の逆メサ状側面２５Ａに形成することにより、信号
光２２の入射方向を受光素子に対して傾け、信号光２２
から見た受光素子層２４の実効的な厚さを増大させるこ
とが可能となり、受光素子層２４に吸収されずに透過す
る信号光２２の割合を低減することができる。
【００２２】また、図３に示すように信号光２２の全反
射条件を満たすように導波路２３端部を略４５度以下の
逆メサ状側面２５Ｂに形成することにより、導波路端部
での信号光２２の反射損失を低減することが可能とな
る。
射条件を満たすように導波路２３端部を略４５度以下の
逆メサ状側面２５Ｂに形成することにより、導波路端部
での信号光２２の反射損失を低減することが可能とな
る。
【００２３】本実施例では受光素子としてpin フォトダ
イオードを用いた例を示したが、ＭＳＭフォトダイオー
ドやフォトトランジスタなどの受光素子を用いても同様
の効果が期待できる。
イオードを用いた例を示したが、ＭＳＭフォトダイオー
ドやフォトトランジスタなどの受光素子を用いても同様
の効果が期待できる。
【００２４】本実施例では半導体材料としてInP 基板と
格子整合する材料を用いた例を示したが、これらの一部
または全部をInP と格子整合しない材料としても同様の
効果が期待できる。
格子整合する材料を用いた例を示したが、これらの一部
または全部をInP と格子整合しない材料としても同様の
効果が期待できる。
【００２５】また、本実施例では信号波長が１．５５μ
ｍの場合についての例を示したが、材料を適当に選ぶこ
とにより波長１．５５μｍ以外の信号光に対して本実施
例と同様の効果がある導波路型受光素子が実現できる。
ｍの場合についての例を示したが、材料を適当に選ぶこ
とにより波長１．５５μｍ以外の信号光に対して本実施
例と同様の効果がある導波路型受光素子が実現できる。
【００２６】さらに本構造を面入射型半導体レーザある
いは半導体光変調器などの他の光素子に適用することも
可能である。
いは半導体光変調器などの他の光素子に適用することも
可能である。
【００２７】実施例２ 前述した実施例１の導波路集積型半導体受光素子は光反
射部の逆メサ状側面の反射機能は、半導体と空気との屈
折率差によっているが、逆メサ状側面の外面に誘電体薄
膜を堆積させ、反射機能を増大させる一例を次に示す。
尚、実施例１の導波路集積型半導体受光素子と同一部材
については同一符号を付して重複する説明は省略する。
射部の逆メサ状側面の反射機能は、半導体と空気との屈
折率差によっているが、逆メサ状側面の外面に誘電体薄
膜を堆積させ、反射機能を増大させる一例を次に示す。
尚、実施例１の導波路集積型半導体受光素子と同一部材
については同一符号を付して重複する説明は省略する。
【００２８】図４は、本実施例に係る導波路集積型半導
体受光素子の概略図を示す。同図に示すように、本実施
例に係る導波路集積型半導体受光素子３０は、ｎ型InP
基板２１の上面に信号光２２を吸収しないInP 材料から
なる半導体導波路（ｎ型InGaAsP 層）２３が形成されて
おり、さらに信号光２２の導波方向端部側の半導体導波
路２３の上面には、受光素子層（InGaAs層）２４が積層
されている。
体受光素子の概略図を示す。同図に示すように、本実施
例に係る導波路集積型半導体受光素子３０は、ｎ型InP
基板２１の上面に信号光２２を吸収しないInP 材料から
なる半導体導波路（ｎ型InGaAsP 層）２３が形成されて
おり、さらに信号光２２の導波方向端部側の半導体導波
路２３の上面には、受光素子層（InGaAs層）２４が積層
されている。
【００２９】上記受光素子層２４を形成した端部は、鉛
直方向から内側へ所望角度（本実施例では略４５度）傾
斜した逆メサ状側面２５をエッチングにより形成し、光
反射部を構成しており、本実施例ではこの逆メサ状側面
２５の外面にＳｉＯ2 を堆積してなる誘電体薄膜３１を
設け、反射ミラーの機能を持たせている。
直方向から内側へ所望角度（本実施例では略４５度）傾
斜した逆メサ状側面２５をエッチングにより形成し、光
反射部を構成しており、本実施例ではこの逆メサ状側面
２５の外面にＳｉＯ2 を堆積してなる誘電体薄膜３１を
設け、反射ミラーの機能を持たせている。
【００３０】この導波路集積型受光素子３０の製造法の
例を説明する。尚、前述した実施例１において説明した
（工程１）〜（工程４）は同様であるので、オーミック
電極を形成した後の（工程５）から説明する。
例を説明する。尚、前述した実施例１において説明した
（工程１）〜（工程４）は同様であるので、オーミック
電極を形成した後の（工程５）から説明する。
【００３１】（工程５）図５に示すように、オーミック
電極２５，２６を形成した後に、マグネトロンスパッタ
リング法で素子全面に信号光波長の四分の一の厚さを有
するＳｉＯ2 誘電体薄膜３１を堆積する。
電極２５，２６を形成した後に、マグネトロンスパッタ
リング法で素子全面に信号光波長の四分の一の厚さを有
するＳｉＯ2 誘電体薄膜３１を堆積する。
【００３２】（工程６）Ｃ2Ｆ6 の反応性イオンビーム
を素子上方より照射し、素子上面のＳｉＯ2 誘電体薄膜
をエッチング除去する。このエッチングの際イオンビー
ムは方向性を有しているため、逆メサ状側面２５の外面
に堆積したＳｉＯ2 誘電体薄膜３１はエッチングされず
に残り、ミラーとして機能する。
を素子上方より照射し、素子上面のＳｉＯ2 誘電体薄膜
をエッチング除去する。このエッチングの際イオンビー
ムは方向性を有しているため、逆メサ状側面２５の外面
に堆積したＳｉＯ2 誘電体薄膜３１はエッチングされず
に残り、ミラーとして機能する。
【００３３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る導波
路集積型半導体受光素子は、半導体光導波路の端部を逆
メサ状に加工した逆メサ状側面を有する光反射部とする
ことによって、効率を損なわずに受光素子を短くできる
ため、従来の、導波路から受光素子へ徐々に光を移行さ
せる導波路集積型半導体受光素子と比べ、高速かつ高効
率な受光素子を実現できるという利点がある。
路集積型半導体受光素子は、半導体光導波路の端部を逆
メサ状に加工した逆メサ状側面を有する光反射部とする
ことによって、効率を損なわずに受光素子を短くできる
ため、従来の、導波路から受光素子へ徐々に光を移行さ
せる導波路集積型半導体受光素子と比べ、高速かつ高効
率な受光素子を実現できるという利点がある。
【図１】実施例１に係る導波路集積型半導体受光素子の
概略図である。
概略図である。
【図２】実施例１に係る導波路集積型半導体受光素子の
概略図である。
概略図である。
【図３】実施例１に係る導波路集積型半導体受光素子の
概略図である。
概略図である。
【図４】実施例２に係る導波路集積型半導体受光素子の
概略図である。
概略図である。
【図５】実施例２に係る導波路集積型半導体受光素子の
概略図である。
概略図である。
【図６】従来例に係る導波路集積型半導体受光素子の概
略図である。
略図である。
２０，３０ 導波路集積型半導体受光 ２１ ｎ型InP 基板 ２２ 信号光 ２３ 半導体導波路 ２４ 受光素子層 ２５，２５Ａ，２５Ｂ 逆メサ状側面 ２６ ｎ型オーミック電極 ２７ ｐ型オーミック電極 ３１ 誘電体薄膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 31/0232 7210−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 31/02 Ｃ
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体基板上に設けられた半導体光導波
路と、該半導体光導波路上に積層された半導体受光素子
層とからなる導波路集積型半導体受光素子において、前
記半導体光導波路の光入力端部と反対側の一端部が鉛直
方向から内側へ所望角度傾斜した逆メサ状側面を有する
光反射部を形成してなり、入力端部から入射されて前記
半導体光導波路を伝搬した信号光を、当該逆メサ状側面
によって上方に反射し、かつ当該逆メサ状側面を有する
光反射部のほぼ上部に積層された半導体受光素子層で吸
収することを特徴とする導波路集積型半導体受光素子。 - 【請求項２】 請求項１記載の導波路集積型半導体受光
素子において、上記光反射部の逆メサ状側面が鉛直方向
から内側へ略４５度傾斜していることを特徴とする導波
路集積型半導体受光素子。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載の導波路集積型半導
体受光素子において、上記入力端部及び光反射部に誘電
体薄膜を堆積してなることを特徴とする導波路集積型半
導体受光素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4180782A JPH0629566A (ja) | 1992-07-08 | 1992-07-08 | 導波路集積型半導体受光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4180782A JPH0629566A (ja) | 1992-07-08 | 1992-07-08 | 導波路集積型半導体受光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0629566A true JPH0629566A (ja) | 1994-02-04 |
Family
ID=16089239
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4180782A Withdrawn JPH0629566A (ja) | 1992-07-08 | 1992-07-08 | 導波路集積型半導体受光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0629566A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5701374A (en) * | 1995-05-12 | 1997-12-23 | Fujitsu Limited | Integrated optical module including a waveguide and a photoreception device |
| US6049638A (en) * | 1997-05-22 | 2000-04-11 | Fujitsu Limited | Photodetector module |
| JP2003207661A (ja) * | 2002-01-11 | 2003-07-25 | Omron Corp | 光導波路装置 |
| EP1586109A2 (en) * | 2002-10-10 | 2005-10-19 | Xponent Photonics, Inc. | Semiconductor photodetector with internal reflector |
| US7256062B2 (en) * | 1997-11-07 | 2007-08-14 | Nippon Telephone And Telegraph Corporation | Semiconductor photo-detector, semiconductor photo-detection device, and production methods thereof |
| US9151664B2 (en) | 2012-08-03 | 2015-10-06 | Hoya Corporation Usa | Submount for optoelectronic, optical, or photonic components |
| CN106662706A (zh) * | 2014-07-18 | 2017-05-10 | 英特尔公司 | 光耦合器 |
-
1992
- 1992-07-08 JP JP4180782A patent/JPH0629566A/ja not_active Withdrawn
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5701374A (en) * | 1995-05-12 | 1997-12-23 | Fujitsu Limited | Integrated optical module including a waveguide and a photoreception device |
| US6049638A (en) * | 1997-05-22 | 2000-04-11 | Fujitsu Limited | Photodetector module |
| US7575949B2 (en) | 1997-11-07 | 2009-08-18 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Semiconductor photo-detector, semiconductor photo-detection device, and production method thereof |
| US7256062B2 (en) * | 1997-11-07 | 2007-08-14 | Nippon Telephone And Telegraph Corporation | Semiconductor photo-detector, semiconductor photo-detection device, and production methods thereof |
| JP2003207661A (ja) * | 2002-01-11 | 2003-07-25 | Omron Corp | 光導波路装置 |
| US7148465B2 (en) | 2002-10-10 | 2006-12-12 | Xponent Photonics Inc | Semiconductor photodetector with internal reflector |
| EP1586109A4 (en) * | 2002-10-10 | 2006-05-31 | Xponent Photonics Inc | SEMICONDUCTOR PHOTODETECTOR WITH INTERNAL REFLECTOR |
| JP2006511933A (ja) * | 2002-10-10 | 2006-04-06 | イクスポーネント フォトニクス，インコーポレイティド | 内部リフレクターを備えた半導体光検出器 |
| EP1586109A2 (en) * | 2002-10-10 | 2005-10-19 | Xponent Photonics, Inc. | Semiconductor photodetector with internal reflector |
| JP2011238948A (ja) * | 2002-10-10 | 2011-11-24 | Hoya Corp Usa | 光学装置 |
| US9151664B2 (en) | 2012-08-03 | 2015-10-06 | Hoya Corporation Usa | Submount for optoelectronic, optical, or photonic components |
| CN106662706A (zh) * | 2014-07-18 | 2017-05-10 | 英特尔公司 | 光耦合器 |
| JP2017524961A (ja) * | 2014-07-18 | 2017-08-31 | インテル・コーポレーション | 光結合器 |
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