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Die
vorliegende Erfindung betrifft eine Trägereinrichtung zum Halten wenigstens
eines Halbleiterwafers bei einem Beschichtungsprozess.
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Zu
den wichtigsten Beschichtungsprozessen, welche in der Halbleitertechnologie
zur Anwendung kommen, ist die chemische Gasphasenabscheidung, auch
CVD („chemical
vapour deposition") genannt,
zu zählen.
Mit Hilfe der CVD-Verfahren, welche in speziellen als „CVD-Reaktoren" bezeichneten Ofenanlagen
durchgeführt
werden, lassen sich insbesondere dünne dielektrische Schichten
auf Halbleiterwafern erzeugen. Eine wichtige Rolle kommt insbesondere
der Herstellung von Siliziumnitridschichten zu, welche mit Hilfe
der bei niedrigen Drücken
durchgeführten
LPCVD-Verfahren („low pressure
chemical vapour deposition")
erzeugt werden können.
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Hierbei
werden bei Drücken
um 100Pa und Temperaturen zwischen 600 und 800°C aus silizium- und stickstoffhaltigen
Gasen wie beispielsweise Dichlorsilan und Ammoniak Siliziumnitridschichten
auf den Halbleiterwafern abgeschieden. Die Schichtabscheidung erfolgt
dabei nicht nur auf den Halbleiterwafern selbst, sondern zwangsweise
auch auf den die Halbleiterwafer umgebenden Anlageteilen, insbesondere
auf einer die Halbleiterwafer haltenden Trägereinrichtung.
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Die
bekannten Trägereineinrichtungen,
welche auch als „Waferboote" bezeichnet werden,
weisen zumeist ein Gestell aus mehreren parallel orientierten Stäben auf,
welche jeweils mit senkrecht zu den Stäben angeordneten Schlitzen
versehen sind, in welche die Halbleiterwafer gesteckt werden, so dass
die Stäbe
die Halbleiterwafer an den Seiten zum Teil umschließen. Die
Halbleiterwafer können
auf diese Weise während
eines Beschichtungsprozesses horizontal oder vertikal ausgerichtet
sein.
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Als
Material für
die bekannten Trägereinrichtungen
wird in der Regel Quarzglas eingesetzt, welches jedoch Probleme
mit sich bringt. Ein Problem besteht darin, dass Quarzglas gegenüber Siliziumnitrid
einen sehr unterschiedlichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten
aufweist. Da das Beladen einer Trägereinrichtung mit Halbleiterwafern
als auch das Entladen bei Raumtemperatur und die Beschichtung der
Halbleiterwafer bei Temperaturen zwischen 600 und 800°C erfolgt,
die Trägereinrichtung
also sehr unterschiedlichen Temperaturen ausgesetzt wird, unterliegt
die auf der Oberfläche
der Trägereinrichtung über mehrere
Beschichtungsprozesse abgeschiedene Siliziumnitridschicht starken
mechanischen Spannungen.
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Diese
thermisch induzierten Spannungen können dazu führen, dass die Siliziumnitridschicht abplatzt
und störende
Partikel erzeugt, wodurch die Defektdichte auf den Halbleiterwafern
erhöht
wird. Die Partikelgeneration tritt inbesondere ab Dicken der Siliziumnitridschicht
von ca. 10μm
auf, was etwa 50 Beschichtungsprozessen entspricht. Um die Partikelgeneration
zu vermeiden, müssen
die in den Ofenanlagen integrierten Trägereinrichtungen folglich häufig durch
unbeschichtete Trägereinrichtungen ausgewechselt
werden, was einen hohen Arbeitsaufwand und längere Ausfallzeiten der Anlagen
zur Folge hat.
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Zum
Ablösen
einer auf einer Trägereinrichtung
aufgebrachten Siliziumnitridschicht wird in der Regel Flusssäure eingesetzt.
Da Flusssäure
Quarzglas jedoch wesentlicher schneller als Siliziumnitrid löst, geht
das Entfernen der Siliziumnitridschicht stets mit einer langsamen
Zerstörung
der Trägereinrichtung
einher. Eine aus Quarzglas bestehende Trägereinrichtung weist folglich
nur eine sehr begrenzte Lebensdauer auf.
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Aufgrund
dieser Nachteile werden derzeit vermehrt aus Siliziumkarbid bestehende
Trägereinrichtungen
eingesetzt. Derartige Trägereinrichtungen erweisen
sich als sehr günstig
beim Ent fernen von auf den Trägereinrichtungen
abgeschiedenen Siliziumnitridschichten mit Hilfe von Flusssäure, da
Flusssäure
Siliziumkarbid nicht löst,
so dass die Lebensdauern solcher Trägereinrichtungen gegenüber den aus
Quarzglas bestehenden Trägereinrichtungen wesentlich
höher sind.
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Zudem
entspricht der Wert des thermischen Ausdehnungskoeffizientens von
Siliziumkarbid im wesentlichen demjenigen von Siliziumnitrid, so
dass eine auf einer Trägereinrichtung
aufgebrachte Siliziumnitridschicht wesentlich geringeren thermisch
induzierten mechanischen Spannungen unterliegt und infolgedessen
eine wesentlich geringere Partikelgeneration auf den Halbleiterwafern
auftreten sollte.
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Trotz
des fast gleichen thermischen Ausdehnungskoeffizientens haftet die
Siliziumnitridschicht jedoch teilweise so schlecht auf der aus Siliziumkarbid
bestehenden Trägereinrichtung,
dass es schon während
der ersten Beschichtungsprozesse zu Schichtabplatzungen und damit
zu einer hohen Partikelgeneration auf den Halbleiterwafern kommen kann.
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Aus
der
DE 39 42 931 A1 ist
eine Trägereinrichtung
aus Siliziumkarbid für
Halbleiterwafer bekannt, welche mit Silizium imprägniert ist.
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Aus
der
DE 196 49 508
A1 geht eine Trägereinrichtung
für einzelne
Halbleiterwafer hervor, deren Bestandteile aus Quarzglas, Silizium,
mit Siliziumkarbid beschichtetem Graphit oder Siliziumkarbid bestehen.
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Die
EP 807961 B1 , die
US 6,065,615 und die
US 5,179,049 beschreiben
weitere Trägereinrichtungen
für Halbleiterwafer,
welche aus mit Silizium imprägniertem
Siliziumkarbid bestehen.
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Aus
der
DE 198 33 718
A1 geht ein Verfahren zur Verringerung der Partikelabgabe
einer Oberfläche
hervor. Die betreffende Oberfläche
wird hierbei mithilfe eines ionenstrahlgestützten Aufdampfprozesses beschichtet.
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Die
Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine Trägereinrichtung
zum Halten wenigstens eines Halbleiterwafers bei einem Beschichtungsprozess
zum Aufbringen einer Siliziumnitridschicht auf dem Halbleiterwafer
bereitzustellen, bei welcher Abplatzungen der bei dem Beschichtungsprozess
auf der Trägereinrichtung
aufgebrachten Siliziumnitridschicht und damit eine Partikelgeneration auf
dem Halbleiterwafer weitgehend vermieden werden.
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Diese
Aufgabe wird durch eine Trägereinrichtung
gemäß Anspruch
1 sowie durch ein Verfahren zum Herstellen einer Trägereinrichtung
gemäß Anspruch
4 gelöst.
Weitere vorteilhafte Ausführungsformen
sind in den abhängigen
Ansprüchen
angegeben.
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Erfindungsgemäß wird eine
Trägereinrichtung
zum Halten wenigstens eines Halbleiterwafers bei einem Beschichtungspro zess
vorgeschlagen, auf deren Oberfläche
eine Haftvermittlerschicht mit einer relativ guten Anbindung an
den Werkstoff der Trägereinrichtung
vorgesehen ist, auf welcher die bei dem Beschichtungsprozess auf
dem Halbleiterwafer aufgebrachte Schicht relativ gut haftet.
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Durch
die Verwendung einer derartigen Haftvermittlerschicht, welche eine
relativ gute Anbindung sowohl an den Werkstoff der Trägereinrichtung
als auch an die aufgebrachte Schicht aufweist und somit eine zuverlässige Haftung
der auf der Trägereinrichtung
aufgebrachten Schicht ermöglicht,
werden Abplatzungen der bei dem Beschichtungsprozess bzw. über mehrere
Beschichtungsprozesse aufgebrachten Schicht und damit eine Partikelgeneration
auf dem Halbleiterwafer weitgehend vermieden. Dies gilt im wesentlichen
bis zu einer vorgegebenen maximalen Dicke der aufgebrachten Schicht.
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Erfindungsgemäß ist vorgesehen,
dass als Werkstoff der Trägereinrichtung
Siliziumkarbid eingesetzt wird und die Haftvermittlerschicht aus
Silizium besteht, um eine relativ gute Haftung einer bei einem Beschichtungsprozess
aufgebrachten Siliziumnitridschicht zu erzielen. Hierbei wird die
gute Anbindung des Siliziums sowohl an Siliziumkarbid als auch an Siliziumnitrid
ausgenutzt, um Schichtabplatzungen der Siliziumnitridschicht insbesondere
während
der ersten Beschichtungsprozesse zu vermeiden, so dass die Trägereinrichtung
zum Halten des Halbleiterwafers bei der gängigen LPCVD-Siliziumnitridabscheidung
geeignet ist. Gleichzeitig erweist sich diese Ausführungsform
als sehr günstig
beim Entfernen der Siliziumnitridschicht mit Hilfe von Flusssäure, da sowohl
Siliziumkarbid als auch Silizium nicht von Flusssäure angegriffen
werden.
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In
der für
die Praxis relevanten Ausführungsform
besteht die Haftvermittlerschicht aus polykristallinem Silizium,
auch als Polysilizium bezeichnet, welches ebenfalls mit Hilfe eines
gängigen
LPCVD-Beschichtungsprozesses auf der Oberfläche der Trägereinrichtung aufgebracht
werden kann. Trotz des gegenüber
Siliziumkarbid und Siliziumnitrid unterschiedlichen thermischen
Ausdehnungskoeffizientens des Polysiliziums können Siliziumnitridschichten bis
zu einer maximalen Dicke von ca. 100μm auf der Trägereinrichtung abgeschieden
werden, was etwa 500 Beschichtungsprozessen entspricht, ohne dass Schichtabplatzungen
und eine Partikelgeneration auf dem Halbleiterwafer auftreten. Da
gegenüber
einer aus Quarzglas bestehenden Trägereinrichtung also etwa zehnfach
dickere Siliziumnitridschichten erzielbar sind, muss eine derartige
Trägereinrichtung
weniger häufig
ausgewechselt werden, wodurch der Arbeitsaufwand und die Ausfallzeit
der entsprechenden LPCVD-Anlage reduziert wird. Demzufolge lassen sich
Siliziumnitridschichten kostengünstiger
herstellen.
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Die
Haftvermittlerschicht weist erfindungsgemäß eine Dicke in einem Bereich
von 20nm und 1000nm auf. Ab einer Dicke von 20nm ist einerseits gewährleistet,
dass die gesamte Oberfläche
der Trägereinrichtung
mit der Haftvermittlerschicht bedeckt ist, wodurch eine relativ
gute Haftung der aufgebrachten Schicht auf der gesamten Oberfläche ermöglicht wird.
Andererseits wird ein Abplatzen der Haftvermittlerschicht bzw. der
auf der Haftvermittlerschicht aufgebrachten Schicht durch thermisch
induzierte mechanische Spannungen vermieden, was aufgrund unterschiedlicher
thermischer Ausdehnungskoeffizienten bei größeren Dicken der Haftvermittlerschicht
ab etwa 1000nm auftreten kann.
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Erfindungsgemäß wird weiter
ein Verfahren zum Herstellen einer Trägereinrichtung zum Halten eines
Halbleiterwafers bei einem Beschichtungsprozess vorgeschlagen, bei
dem in einem ersten Verfahrensschritt eine Trägereinrichtung bereitgestellt
wird und in einem zweiten Verfahrensschritt eine eine relativ gute
Anbindung an den Werkstoff der Trägereinrichtung aufweisende
Haftvermittlerschicht aufgebracht wird, auf welcher eine bei dem
Beschichtungsprozess auf dem Halbleiterwafer aufgebrachte Schicht
relativ gut haftet.
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Eine
derartig hergestellte Trägereinrichtung vermag
entsprechend bis zu einer vorgegebenen maximalen Dicke der aufgebrachten
Schicht ein Abplatzen der bei dem Beschichtungsprozess bzw. über mehrere
Beschichtungsprozessen aufgebrachten Schicht und damit eine Partikelgeneration
auf dem Halbleiterwafer weitgehend zu vermeiden.
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Sofern
auf der Oberfläche
einer Trägereinrichtung
ohne Haftvermittlerschicht bereits eine bei einem Beschichtungsprozess
aufgebrachte Schicht vorhanden ist oder, um Oberflächenverunreinigungen
zu entfernen, welche die Haftung der nachfolgend aufgebrachten Haftvermittlerschicht
vermindern können,
wird die Trägereinrichtung
gemäß einer bevorzugten
Ausführungsform
zunächst
einer Oberflächenreinigung
unterzogen.
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Erfindungsgemäß ist vorgesehen,
dass als Werkstoff der Trägereinrichtung
Siliziumkarbid eingesetzt wird und die Haftvermittlerschicht aus
Silizium besteht, um eine relativ gute Haftung einer bei einem Beschichtungsprozess
aufgebrachten Siliziumnitridschicht zu erzielen. Eine aus diesen
Materialien hergestellte Trägereinrichtung
eignet sich wie oben erläutert
zum Halten des Halbleiterwafers bei der gängigen LPCVD-Siliziumnitridab-scheidung
und erweist sich ferner als sehr günstig beim Entfernen der Siliziumnitridschicht
mit Hilfe von Flusssäure.
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Die
Erfindung wird im folgenden anhand der Figuren näher erläutert. Es zeigen:
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1 eine
schematische Schnittdarstellung einer Prozesskammer einer LPCVD-Anlage,
innerhalb derer eine erfindungsgemäße mit Halbleiterwafern beladene
Trägereinrichtung
angeordnet ist, und
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2 ein
Ablaufdiagramm eines erfindungsgemäßen Verfahrens zum Herstellen
der in 1 dargestellten erfindungsgemäßen Trägereinrichtung.
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1 zeigt
eine schematische Schnittdarstellung einer Prozesskammer 1 einer
LPCVD-Anlage, welche ausgelegt ist zur Abscheidung von Siliziumnitridschichten
auf Halbleiterwafern 10. Hierzu weist die LPCVD-Anlage
eine integrierte Trägereinrichtung 6 auf,
welche bei Raumtemperatur mit den Halbleiterwafern 10 beladen
wird und für
den Beschichtungsprozess über
eine Schleuse 5 mit Hilfe einer geeigneten in 1 nicht
dargestellten mechanischen Hebevorrichtung in die Prozesskammer 1 hineingefahren
werden kann.
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Die
Trägereinrichtung 6 weist
ein Gestell aus mehreren parallel orientierten Stäben 7 auf,
welche über
Querstreben 8 miteinander verbunden sind. Die Stäbe 7 sind
an den den Halbleiterwafern 10 zugewandten Seiten jeweils
mit senkrecht zu den Stäben 7 angeordneten
Schlitzen versehen, in welche die Halbleiterwafer 10 gesteckt
werden, so dass die Stäbe 7 die
Halbleiterwafer 10 halbkreisförmig umschließen. Aufgrund
der gewählten
Schnittdarstellung sind in 1 lediglich
zwei dieser Stäbe 7 abgebildet.
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Bei
einem Beschichtungsprozess gelangen silizium- und stickstoffhaltige
Gase, wie z. B. Dichlorsilan und Ammoniak über einen mit einem Ventil
versehenen Gaseinlass 3 in die Prozesskammer 1.
Um die für
den Beschichtungsprozess erforderliche Temperatur von etwa 600 bis
800°C zu
erzeugen, weist die Prozesskammer 1 an den Seitenwänden Heizelemente 2 auf,
welche die Seitenwände
und damit den Innenraum der Prozesskammer 1 aufheizen.
Die Heizelemente 2 können
als Heizwiderstände
oder als Wärmestrahler
ausgebildet sein.
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Auf
den auf diese Weise aufgeheizten Oberflächen der Halbleiterwafer 10 kommt
es zur Reaktion der silizium- und strickstoffhaltigen Prozessgase, so
dass als Reaktionsprodukte die gewünschte Siliziumnitridschicht
auf den Halbleiterwafern 10 sowie Gase entstehen, die aus
der Prozesskammer 1 über einen
mit einem Ventil versehenen Gasaustritt 4 abgeführt werden.
Der Gasaustritt 4 ist weiter an eine nicht dargestellte
Vaku umpumpe angeschlossen, um den für diesen Beschichtungsprozess
erforderlichen niedrigen Druck von etwa 100Pa zu erzeugen.
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Da
bei dem Beschichtungsprozess die Abscheidung der Siliziumnitridschicht
nicht nur auf den Halbleiterwafern 10 selbst erfolgt, sondern
auch zwangsweise auf der die Halbleiterwafer 10 haltenden
Trägereinrichtung 6,
besteht die Gefahr, dass eine auf der Oberfläche der Trägereinrichtung 6 gebildete
Siliziumnitridschicht aufgrund einer ungenügenden Haftung oder thermisch
induzierter mechanischer Spannungen infolge der unterschiedlichen Temperaturen,
die die Trägereinrichtung 6 beim
Be- und Entladen der Halbleiterwafer 10 sowie beim Beschichtungsprozess
ausgesetzt ist, abplatzt und damit eine Partikelgeneration auf den
Halbleiterwafern 10 hervorruft. Um diese Gefahr zu vermeiden,
ist als Werkstoff für
die Trägereinrichtung 6 Siliziumkarbid und
auf der Oberfläche
der Trägereinrichtung 6 eine Polysiliziumschicht 9 zur
Haftvermittlung vorgesehen.
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Hierbei
wird die gute Anbindung des Siliziums sowohl an Siliziumkarbid als
auch an Siliziumnitrid ausgenutzt, so dass einerseits die Polysiliziumschicht 9 auf
dem Werkstoff der Trägereinrichtung 6 und
andererseits auch die abgeschiedene Siliziumnitridschicht auf der
Polysiliziumschicht 9 und damit auf der Trägereinrichtung 6 relativ
gut haftet. Dadurch werden Abplatzungen der Siliziumnitridschicht
und damit einhergehend eine Partikelgeneration auf den Halbleiterwafern 10 bereits
während
der ersten Beschichtungsprozesse gegenüber einer lediglich aus Siliziumkarbid
bestehenden Trägereinrichtung
ohne eine solche haftvermittelnde Polysiliziumschicht wirksam vermieden.
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Obwohl
sich der Wert des thermischen Ausdehnungskoeffizientens von Polysilizium
von den im wesentlichen entsprechenden Werten des thermischen Ausdehnungskoeffizientens
von Siliziumkarbid und Siliziumnitrid unterscheidet, können trotz
der unterschiedlichen Temperaturen, die die Trägereinrichtung 6 beim
Be- und Entladen der Halbleiterwafer 10 sowie beim Beschichtungsprozess
ausgesetzt ist, Siliziumnitridschichten bis zu einer maximalen Dicke von
ca. 100μm
auf die Trägereinrichtung 6 abgeschieden
werden, was etwa 500 Beschichtungsprozessen entspricht, ohne dass
Schichtabplatzungen auftreten.
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Gegenüber einer
aus Quarzglas bestehenden Trägereinrichtung,
bei welcher es bereits bei etwa zehnfach geringeren Siliziumnitridschichten
zu Schichtabplatzungen kommen kann, muss eine derartige Trägereinrichtung 10 weniger
häufig
ausgewechselt werden, wodurch der hierfür erforderliche Arbeitsaufwand
und die Ausfallzeit der LPCVD-Anlage reduziert wird.
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Diese
haftvermittelnde Wirkung der Polysiliziumschicht 9 wird
insbesondere bei einer Dicke der Polysiliziumschicht 9 in
einem Bereich von 20nm bis 1000nm erzielt. Ab einer Dicke von 20nm
ist gewährleistet,
dass die gesamte Oberfläche
der Trägereinrichtung 6 mit
der Polysiliziumschicht 9 bedeckt ist, um eine zuverlässige Haftung
der aufgebrachten Siliziumnitridschicht auf der gesamten Oberfläche der Trägereinrichtung 6 zu
ermöglichen.
Die Polysiliziumschicht 9 sollte keine größere Dicke
als etwa 1000nm aufweisen, um ein Abplatzen der Polysiliziumschicht 9 bzw.
der auf der Polysiliziumschicht 9 aufgebrachten Siliziumnitridschicht
aufgrund thermisch induzierter mechanischer Spannungen infolge der
unterschiedlichen thermischen Ausdehnungskoeffizienten zu vermeiden.
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Die
erfindungsgemäße Trägereinrichtung 6 erweist
sich ferner als günstig
beim Entfernen der Siliziumnitridschicht, was ab einer maximalen
Dicke der Siliziumnitridschicht von etwa 100μm durchgeführt werden muss. Das Entfernen
der Siliziumnitridschicht erfolg in der Regel mit Hilfe von Flusssäure. Da
sowohl Siliziumkarbid als auch Polysilizium resistent gegenüber Flusssäure sind,
wird die Trägereinrichtung 6 und
auch die auf der Oberfläche
ausgebildete Polysiliziumschicht 9 bei einem derartigen
Reinigungsprozess nicht angegriffen.
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Gegenüber einer
aus Quarzglas bestehenden Trägereinrichtung,
welche bei einem solchen Reinigungsprozess langsam zerstört wird,
weist die erfindungsgemäße Trägereinrichtung 6 folglich
eine wesentlich höhere
Lebensdauer auf.
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Alternativ
kann als Material für
die Haftvermittlerschicht anstelle des polykristallinen Siliziums auch
amorphes Silizium eingesetzt werden. Während des ersten Beschichtungsprozesses
erfährt
das amorphe Silizium aufgrund der vorherrschenden hohen Temperaturen
eine Umwandlung in polykristallines Silizium, welches die oben beschriebenen
vorteilhaften Wirkungen entfaltet.
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Wie
in 1 dargestellt, sind die Halbleiterwafer 10 innerhalb
der Prozesskammer 1 durch die Trägereinrichtung 6 horizontal
ausgerichtet. Alternativ ist es möglich, die Halbleiterwafer
innerhalb einer Prozesskammer auch beispielsweise vertikal anzuordnen.
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Die
abgebildete sowie beschriebene Trägereinrichtung 6 ist
nur beispielhaft als Gestell mit parallel orientierten Stäben 7 und
die Stäbe 7 verbindenden
Querstreben 8 ausgeführt.
Entsprechend sind alternative Ausgestaltungen vorstellbar, die zum
Halten der Halbleiterwafer 10 bei einem Beschichtungsprozess
geeignet sind. Erfindungswesentliches Merkmal ist die auf der Oberfläche der
aus dem Werkstoff Siliziumkarbid bestehenden Trägereinrichtung 6 ausgebildete
Polysiliziumschicht 9 zur Haftvermittlung.
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2 zeigt
abschließend
ein erfindungsgemäßes Verfahren
zum Herstellen der in 1 dargestellten Trägereinrichtung.
Hierbei wird in einem ersten Verfahrensschritt 21 eine
Trägereinrichtung
aus Siliziumkarbid bereitgestellt, in einem zweiten Verfahrensschritt 22 die
Trägereinrichtung
einer Oberflächenreinigung
unterzogen und in einem dritten Verfahrensschritt 23 auf
der Oberfläche
der Trägereinrichtung
eine polykristalline Siliziumschicht aufgebracht. Das Aufbringen der
Polysiliziumschicht kann mit Hilfe eines in einer LPCVD-Anlage durchgeführten Beschichtungsprozesses
erfolgen.
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Durch
die Oberflächenreinigung
können Oberflächenverunreinigungen
entfernt werden, welche die Haftung der nachfolgend aufgebrachten
Polysiliziumschicht vermindern könnten.
Eine Oberflächenreinigung
sollte auch dann durchgeführt
werden, wenn eine bereits bei Beschichtungsprozessen verwendete
aus Siliziumkarbid bestehende Trägereinrichtung
bereitgestellt wird, auf deren Oberfläche beispielsweise eine Siliziumnitridschicht
aufgebracht ist.
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Entsprechend
den obigen Erläuterungen
ist es vorzuziehen, dass bei dem Verfahren eine Polysiliziumschicht
in einem Dickenbereich von 20 bis 1000nm auf der Oberfläche der
bereitgestellten Trägereinrichtung
abgeschieden wird. Alternativ ist es auch möglich, anstelle des polykristallinen
Siliziums amorphes Silizium abzuscheiden.
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- 1
- Prozesskammer
- 2
- Heizelement
- 3
- Gaseinlass
- 4
- Gasaustritt
- 5
- Schleuse
- 6
- Trägereinrichtung
- 7
- Stab
- 8
- Querstrebe
- 9
- Polysiliziumschicht
- 10
- Halbleiterwafer
- 21,
22, 23
- Verfahrensschritt