DE19833718A1 - Verfahren zur Verringerung der Partikelabgabe und Partikelaufnahme einer Oberfläche - Google Patents
Verfahren zur Verringerung der Partikelabgabe und Partikelaufnahme einer OberflächeInfo
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Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Verringerung der Partikelabgabe und Partikelaufnahme einer Oberfläche, insbesondere der Oberfläche einer Waferauflage bei der Halbleiterfertigung. DOLLAR A Die Verringerung der Partikelübertragung wird durch eine Beschichtung der Oberfläche erreicht, die in einem Hochvakuum durch gleichzeitige Bedampfung der Oberfläche mit Feststoffatomen und Beschuß mit Ionen erzeugt wird. Die Feststoffatome und die Ionen werden hierbei in einem stöchiometrischen Verhältnis auf die Oberfläche aufgebracht und sind so gewählt, daß sie eine harte Schicht bilden. Vor der Beschichtung wird die Oberfläche gereinigt und gegebenenfalls entfettet. DOLLAR A Durch das erfindungsgemäße Verfahren verlängert sich die Standzeit der beschichteten Oberfläche bei der Halbleiterfertigung, da der Reinigungsaufwand aufgrund verminderter Kontaminationen seltener erforderlich ist.
Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Verringe
rung der Partikelabgabe und Partikelaufnahme einer
Oberfläche, insbesondere der Oberfläche einer Wafer
auflage bei der Halbleiterfertigung.
Im Bereich der Halbleitertechnologie, beispiels
weise bei der Bearbeitung und Kontrolle der Fertigung
von Schaltkreisen, die unter Reinraumbedingungen
erfolgen müssen, stellt die Partikelabgabe von Ober
flächen ein großes Problem dar. Es sind daher eine
Vielzahl von Reinigungsschritten erforderlich, die die
Standzeit der Halbleiterprodukte deutlich erhöhen.
Insbesondere metallische Oberflächen zeigen eine
erhöhte Partikelabgabe. Zur Verringerung der durch die
Partikelabgabe hervorgerufenen Kontamination und ihrer
Auswirkungen wurden Optimierungen an den metallischen
Oberflächen vorgenommen, wie beispielsweise das
Polieren der metallischen Flächen oder die Verringerung
der Berührungsfläche zu den Halbleiterscheiben bzw.
Wafern. Mechanische Verbesserungen führen zwar in
einigen Fällen zum Erfolg, scheitern jedoch bei
Systemen, die besonders empfindlich auf metallische
Kontaminationen reagieren oder bei denen eine große
Kontaktfläche unvermeidbar ist. Gerade dies ist bei der
Halbleiterfertigung der Fall, bei der eine möglichst
ebene Auflage einer Silizium-Scheibe auf einem
Vakuum-Tisch erforderlich ist. In diesem Fall scheidet daher
die Verwendung von Edelstahl und Aluminium, selbst mit
polierten Oberflächen, aufgrund der Übertragung
metallischer Kontamination aus. Reinst-Aluminium ist
zudem wegen seiner nachteiligen mechanischen Eigen
schaften kaum einsetzbar, und Aluminiumlegierungen
enthalten für eine Dotierung von Silizium unerwünschte
Elemente wie z. B. Eisen, Magnesium, Kupfer, Zink oder
Chrom.
Ein weiterer Ansatz zur Verminderung der Partikel
übertragung besteht darin, Träger und Objekt möglichst
materialähnlich auszuführen. So ist beispielsweise der
Einsatz eines Quarzträgers als Auflage für einen
Silizium-Wafer besonders aussichtsreich. Beim Einsatz
dieser Systeme in der Praxis zeigt sich jedoch, daß
gerade der Einsatz von Materialien mit ähnlicher Härte
infolge eines erhöhten Abriebs zu hoher Partikelüber
tragung führt.
Es ist weiterhin bekannt, die Partikelabgabe und
Partikelaufnahme durch Aufbringen einer Beschichtung
auf die Oberfläche des Trägers zu verringern.
Insbesondere weiche Beschichtungen, wie beispiels
weise eine Teflon-Beschichtung, können chemisch
widerstandsfähig ausgebildet sein und das unerwünschte
Abplatzen von kleinen Teilen der Beschichtung weit
gehend vermeiden. Weiche Beschichtungen haben jedoch
den grundsätzlichen Nachteil, daß vom Objekt einge
brachte Partikel in die weiche Oberfläche eingearbeitet
werden. Eine wirksame Reinigung ist hier wegen der
besonderen Gefahr einer weiteren Oberflächenschädigung
nicht oder nur eingeschränkt möglich. In der Praxis
entsteht beim Einsatz weicher Beschichtungen ein
Pseudogleichgewicht, bei dem besonders saubere Objekte
verunreinigt werden, wenn in Bereichen einer Partikel
sättigung der Beschichtung nicht gut genug gereinigt
werden kann. Hinzu kommen bei weichen Schichten
Nachteile durch elektrostatische Effekte, die gerade
beim häufigen Trennen der Objekte von den Oberflächen
unvermeidlich scheinen.
Der Einsatz harter Beschichtungen ist vor allem in
Verbindung mit Eloxierverfahren bekannt. Zu den harten
Beschichtungsverfahren können hierbei alle Verfahren
gezählt werden, die eine veränderte Zusammensetzung der
Oberfläche gegenüber dem ursprünglichen Trägermaterial
ergeben.
Eines der am häufigsten angewendeten Verfahren ist
das Eloxieren. Genauere Untersuchungen haben jedoch
ergeben, daß eloxierte Oberflächen aufgrund von
Haftungsproblemen zwischen Eloxal und Träger das
Problem der Partikelabgabe ebenfalls nicht zufrieden
stellend lösen können. Bei eloxierten Oberflächen tritt
insbesondere an Kanten, wie beispielsweise an den
Grenzen von Vakuumkanälen bei Waferauflagen, eine
erhöhte Partikelabgabe auf.
Fig. 1 zeigt eine Messung der Partikelverteilung
und Anzahl der Partikel auf einem Wafer, der auf einer
Eloxalunterlage auflag, in graphischer Darstellung. In
der Figur sind die Stellen mit hoher Partikelanhäufung
deutlich zu erkennen. Es zeichnen sich die Kanten
verläufe (Vakuumkanäle) und eine große Aussparung der
Unterlage ab. Bei der Betrachtung der Figur muß
berücksichtigt werden, daß gewöhnlich kleine Partikel
(0,1 µm bis ca. 1 µm) für eine graphische Darstellung
um den Faktor 10 bis 1000 vergrößert dargestellt werden
müssen. Dies führt bei hohen Partikelzahlen oft zum
falschen Eindruck einer flächenhaften Betroffenheit.
Bei der dargestellten Messung kann eine Fehlinterpre
tation aufgrund einer Waferbeschädigung einschließlich
Waferrauhigkeit (Haze) ausgeschlossen werden, so daß es
sich bei den geschwärzten Bereichen überwiegend um
Partikel handelt. Dies konnte dadurch verifiziert
werden, daß nur Messungen an den polierten Vorderseiten
der Wafer durchgeführt wurden, und zwar vor und nach
dem Kontakt mit der Beschichtung.
Wie bereits einleitend angeführt können Reini
gungsschritte zwar kurzzeitige Besserung erzielen,
vergrößern jedoch unerwünschterweise die Standzeiten
bei der Fertigung.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht
darin, ein Verfahren zur Verringerung der Partikel
abgabe und Partikelaufnahme einer Oberfläche anzugeben.
Die Aufgabe wird mit dem Verfahren gemäß Patent
anspruch 1 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen des
Verfahrens sind Gegenstand der Unteransprüche.
Erfindungsgemäß wurde trotz der bei harten
Schichten, wie der obigen eloxierten Schicht, weiterhin
auftretenden Probleme der Partikelübertragung erkannt,
daß ein besonderes Verfahren der Schichterzeugung von
harten Schichten die Partikelabgabe und Partikel
aufnahme der Beschichtung deutlich verringern kann.
Diese deutliche Verringerung der Partikelübertragung
wird durch eine Beschichtung der Oberfläche erreicht,
die in einem Hochvakuum durch gleichzeitige Bedampfung
der Oberfläche mit Feststoffatomen und Beschuß mit
Ionen erzeugt wird. Die Feststoffatome und die Ionen
werden hierbei in einem stöchiometrischen Verhältnis
auf die Oberfläche aufgebracht. Vor der Beschichtung
wird die Oberfläche gereinigt und gegebenenfalls
entfettet.
Vorzugsweise werden bei Oberflächen, die scharfe
Kanten oder Grate aufweisen, diese Kanten oder Grate
vor der Beschichtung abgerundet. Dies kann beispiels
weise mit einem Glasperlengebläse erfolgen.
Die erfindungsgemäße Verwendung des dargestellten
Beschichtungsverfahrens ermöglicht in vorteilhafter
Weise die Verringerung der Partikelabgabe und Partikel
aufnahme einer Oberfläche. Hierdurch verringert sich
beispielsweise bei der Halbleiterfertigung der Reini
gungsaufwand der Arbeitsfläche und die Standzeit, d. h.
die Gebrauchszeit bis zur nächsten Überholung/Wartung,
der beschichteten Oberfläche verlängert sich. Selbst
bei vergleichbarer Anzahl von Reinigungsschritten im
Vergleich zu bisher eingesetzten Beschichtungen wird
die Standzeit verlängert, da der Reinigungsaufwand
aufgrund verminderter Kontaminationen geringer
ausfällt.
Insbesondere für die Anwendung in der Halbleiter
technologie ist es von Vorteil, daß die Beschichtung
auch auf einer handelsüblichen Vakuumauflage (Chuck)
ohne weitere Vorbereitungen aufgebracht werden kann.
Das erfindungsgemäße Verfahren beruht auf einer
gleichmäßigen Aufbringung der Schicht bzw. Beschich
tung, wobei die Ionen und Feststoffatome in stöchiome
trischem Verhältnis, vorzugsweise mit jeweils gleichen
Anteilen im stöchiometrischen Verhältnis 1 : 1, aufge
bracht werden. Ein wesentliches Merkmal ist dabei die
gleichzeitige Bedampfung und der Beschuß mit Ionen.
Dadurch wird ein Eindringen der Ionen und des Verdamp
fungsmaterials in die Oberfläche, beispielsweise des
Auflagerohlings, erreicht. Es entsteht somit keine
scharfe Trennung zwischen der Materialoberfläche des
Rohlings und der Bedampfungsschicht, sondern infolge
des gleichzeitigen Ionenbeschusses ein Vermischen der
Komponenten in den oberflächennahen Schichten. Es
handelt sich hierbei um ein ionenstrahlgestütztes
Aufdampfen (IBAD - ion beam assisted deposition).
Das erfindungsgemäße Verfahren wird nachfolgend
anhand eines Ausführungsbeispiels in Verbindung mit den
Zeichnungen näher erläutert. Hierbei zeigen:
Fig. 1 in graphischer Darstellung eine Messung der
Partikelverteilung und der Anzahl der Partikel
auf einem Wafer, der auf einer Eloxalunterlage
gemäß dem Stand der Technik auflag;
Fig. 2 in graphischer Darstellung eine Messung der
Partikelverteilung und der Anzahl der Partikel
auf einem Wafer, der auf einer gemäß der vor
liegenden Erfindung beschichteten Unterlage
auflag; und
Fig. 3 eine beispielhafte Anordnung zur Beschichtung
einer Oberfläche gemäß dem erfindungsgemäßen
Verfahren.
Im folgenden Ausführungsbeispiel wird ein Auflage
rohling in Form einer handelsüblichen Vakuumauflage für
Wafer mit dem erfindungsgemäßen Verfahren behandelt.
Die wesentlichen Vorteile der mit dem Verfahren
erzeugten Beschichtung werden durch die Verwendung der
besonderen Beschichtungstechnik erzielt. Bei der
Anwendung des erfindungsgemäßen Verfahrens wird
vorzugsweise zunächst eine Abrundung von üblicherweise
scharfen Kanten der Oberfläche des Rohlings durchge
führt. Dies führt in vorteilhafter Weise zu einer
zusätzlich verbesserten Haftung der Schicht. Danach ist
eine sorgfältige Entfettung mit Reinigung des Rohlings
notwendig. Dies ist Voraussetzung für das Gelingen der
Beschichtung unter Hochvakuumbedingungen.
Das Prinzip der Erzeugung der Beschichtung wird
anhand von Fig. 3 dargestellt. Fig. 3 zeigt in
Seitenansicht eine beispielhafte Anordnung zur Be
schichtung einer Oberfläche gemäß dem erfindungsgemäßen
Verfahren. In einer Vakuumkammer 1 ist der Rohling 2
mit der zu beschichtenden Oberfläche auf einer dreh
baren Halterung 3 angeordnet. Über eine Elektronen-Ver
dampfungseinheit 4 in einem wassergekühlten Gehäuse
5 wird der in einem Tiegel 6 befindliche Feststoff
verdampft, so daß die Feststoffatome über eine Öffnung
7 zur Oberfläche des Rohlings gelangen können. Die
Entwicklung der Schichtdicke und die Aufdampfrate
können über einen Detektor 8 erfaßt werden. Gleich
zeitig mit der Bedampfung der Oberfläche wird diese mit
einem in der Figur gestrichelt dargestellten Ionen
strahl 9 beaufschlagt.
Als Beschichtungsanlage für das Ausführungsbei
spiel dient ein Ionenimplanter, der zusätzlich mit
einer handelsüblichen Elektronenstrahlverdampfungs
einheit ausgerüstet ist. Der gereinigte und entfettete
Auflagerohling wird mittels eines mechanischen Verfahr
tisches sowohl horizontal als auch vertikal unter dem
Ionenstrahl bewegt. Der Ionenstrahl wird im vorliegen
den Beispiel mit einer Beschleunigungsspannung von ca.
50 kV beschleunigt und weist eine Stromstärke von ca.
5 mA auf. Die Aufdampfrate beträgt 7 Angström/s. Mit
diesen Parametern können Schichtdicken bis zu einigen
µm erzeugt werden. Im vorliegenden Beispiel wurde mit
Stickstoff-Ionen und verdampften Titan-Atomen unter
Einhaltung einer 1 : 1 Stöchiometrie eine Titannitrid-Schicht
mit einer Schichtdicke von 0,3 µm auf einem
Werkstückträger (Chuck) aus einer Aluminiumlegierung
erzeugt.
Das Material der aufgebrachten Schicht, TiN, das
im Bereich des Maschinenbaus weithin zur Oberflächen
veredelung eingesetzt wird, erhält bei dieser besonde
ren Art der Schichterzeugung außerordentlich gute
Eigenschaften in bezug auf Haftfestigkeit und Verzah
nung mit dem Untergrund. Voraussetzung für die sehr
gute Haftfestigkeit ist in diesem Beispiel der Einsatz
von Ionenenergien im Bereich von 50 keV, wodurch das
schon erzeugte Schichtmaterial ständig atomar in das
Substrat eingemischt wird. Hinzu kommt der Effekt, daß
die Materialeigenschaften der Oberflächenschicht
gleitend in die des Substrats übergehen.
Für die Schichtdicke genügen wenige zehntel Mikro
meter, um die gewünschten Eigenschaften hinsichtlich
der Verringerung der Partikelaufnahme und -abgabe zu
erreichen.
Als Material für die Beschichtung eignet sich
weiterhin insbesondere Silizium in Verbindung mit
Kohlenstoff zur Erzeugung einer SiC-Schicht.
Die Auswirkung des Einsatzes der auf diese Weise
erzeugten TiN-Schicht auf die Partikelübertragung zeigt
Fig. 2, die in Vergleich zu Fig. 1 zu sehen ist.
Die in Fig. 1 gezeigte graphische Darstellung
einer Messung der Partikelverteilung und Anzahl der
Partikel auf einem Wafer, der auf einer Eloxalunterlage
gemäß dem Stand der Technik auflag, wurde einleitend
bereits eingehend erläutert.
Im Vergleich hierzu zeigt Fig. 2 in graphischer
Darstellung eine Messung der Partikelverteilung und der
Anzahl der Partikel auf einem Silizium-Wafer, der auf
der gemäß dem Ausführungsbeispiel beschichteten
Unterlage auflag. Hierbei sind bei vergleichbarer
Meßempfindlichkeit deutlich kleinere Partikelanhäufun
gen und insgesamt wesentlich weniger Partikel auf der
Waferoberfläche zu finden. Konkret wurden auf dem Wafer
der Fig. 1 33159 Partikel gemessen, auf dem Wafer der
Fig. 2 bei leicht erhöhter Empfindlichkeit 772
Partikel. Somit ergibt sich bei Einsatz des erfindungs
gemäßen Verfahrens eine Verminderung der Gesamtpar
tikelzahl um etwa den Faktor 40. Außerdem ist in Fig.
2 deutlich erkennbar, daß sich die Partikelanhäufung um
die Vakuumkanäle stark reduziert hat. Aufgrund der sehr
guten Verbindung der Schicht mit dem Untergrund ist
auch hier selbst an kritischen Stellen eine deutliche
Partikelreduzierung zu erkennen. Die Beschichtung ist
auch für Vakuumauflagen geeignet, bei denen ein
erhöhter Auflagedruck gewünscht wird.
Das erfindungsgemäße Verfahren ermöglicht somit
die Erzeugung einer Beschichtung, die sich äußerst
partikelarm verhält. Die Beschichtung enthält keine
schädlichen Legierungselemente für die Halbleiter
technologie und ist chemisch beständig. Sie kann auf
handelsüblichen Grundmaterialien (Rohlingen), wie z. B.
Aluminium, Titan u. a., aufgebracht werden und erfordert
keine aufwendigen Vorbereitungen oder stellt keine
besonderen Anforderungen an die Untergrundoberfläche.
Die nach dem erfindungsgemäßen Verfahren erzeugte
Beschichtung haftet nicht nur auf dem Untergrund,
sondern geht mit dem Untergrund eine Tiefenverbindung
ein. Aufgrund dieser Tiefenverbindung zeigt die
Beschichtung keine Rißbildung. Durch ihre günstigen
Oberflächeneigenschaften ist die Partikelaufnahme und
-abgabe der Oberfläche deutlich reduziert. Einge
schleppte Partikel lassen sich mit einfachsten Reini
gungsmethoden ohne Beschädigung der Schicht leicht
entfernen.
Claims (7)
1. Verfahren zur Verringerung der Partikelabgabe und
Partikelaufnahme einer Oberfläche, insbesondere der
Oberfläche einer Waferauflage, mit folgenden
Schritten:
- - Reinigen und/oder Entfetten der Oberfläche;
- - Erzeugen eines Hochvakuums; und
- - Gleichzeitige Bedampfung der Oberfläche mit Fest stoffatomen und Beschuß mit Ionen, wobei die Feststoffatome und die Ionen in einem stöchiometrischen Verhältnis zueinander auf die Oberfläche aufgebracht werden und so gewählt sind, daß sie eine harte Schicht bilden.
2. Verfahren nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß vor dem Reinigen und/oder Entfetten scharfe
Kanten an der Oberfläche abgerundet werden.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Bedampfung der Oberfläche mittels einer
Elektronen-Verdampfungseinheit erfolgt.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Feststoffatome und die Ionen so gewählt
sind, daß die harte Schicht einen Wärmeausdehnungs
koeffizienten aufweist, der dem der Oberfläche ähn
lich ist.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Feststoffatome und die Ionen so gewählt
sind, daß sie eine TiN- oder eine SiC-Schicht auf
der Oberfläche bilden.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5,
dadurch gekennzeichnet,
daß die harte Schicht mit einer Schichtdicke von
weniger als einem Mikrometer gebildet wird.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Oberfläche die Oberfläche eines Auflageroh
lings für Wafer ist.
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