JPS6263670A - 一体型スパツタ−タ−ゲツト - Google Patents
一体型スパツタ−タ−ゲツトInfo
- Publication number
- JPS6263670A JPS6263670A JP20317885A JP20317885A JPS6263670A JP S6263670 A JPS6263670 A JP S6263670A JP 20317885 A JP20317885 A JP 20317885A JP 20317885 A JP20317885 A JP 20317885A JP S6263670 A JPS6263670 A JP S6263670A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- backing plate
- sputtering
- nickel
- purity nickel
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
本発明は高純度ニッケルで形成され、電力密度の高い高
効率操業が可能な一体型スパッターターゲットに関する
。
効率操業が可能な一体型スパッターターゲットに関する
。
［発明の技術的背景とその問題点］
ニッケルのスパッタリングはシリコンチップ等の半導体
裏面接合用に広く用いられている。
裏面接合用に広く用いられている。
従来よりニッケルのスパッタリングにおいては第２図に
示すように、スパッタされるターゲット材料１を銅製の
バッキングプレート２にはんだ付けまたはろう付けで接
合し、このバッキングプレート２の裏面を水冷するとい
う構造のものが用いられている。
示すように、スパッタされるターゲット材料１を銅製の
バッキングプレート２にはんだ付けまたはろう付けで接
合し、このバッキングプレート２の裏面を水冷するとい
う構造のものが用いられている。
しかしながらこの構造では操業速度を上げると電力密度
が大きくなり、基板の温度上昇が激しくなってターゲツ
ト材とバッキングプレー１〜とのバイメタル作用で両者
が剥離するという問題があった。
が大きくなり、基板の温度上昇が激しくなってターゲツ
ト材とバッキングプレー１〜とのバイメタル作用で両者
が剥離するという問題があった。
一方、ターゲット部材とバッキングプレートとを一体的
に成形することは従来は次のような理由から困難であっ
た。すなわちスパッターターゲット用ニッケルは真空誘
導溶解法（ＶＩＰ）によって溶解、鋳造されでいたため
脱酸、脱＠処理後も酸素のような成分が残留し、そのた
めに加工性が劣るので一体成形の場合のような複雑形状
に成形することは困難であった。
に成形することは従来は次のような理由から困難であっ
た。すなわちスパッターターゲット用ニッケルは真空誘
導溶解法（ＶＩＰ）によって溶解、鋳造されでいたため
脱酸、脱＠処理後も酸素のような成分が残留し、そのた
めに加工性が劣るので一体成形の場合のような複雑形状
に成形することは困難であった。
また従来のスパッターターゲットは上記したように真空
誘導溶解法によって１９られたニッケルを素材としてい
るため脱酸、脱硫のために添加したＭｎ、ＭＱ、Ｓ ｉ
等が残留しているので半導体部品の接合用に用いるには
不十分であった。ざらにスパッター効率改善の目的から
マグネトロンスパッターが多用されるが、この場合、全
体がＮｉでおると水冷中下部の磁石によりＮｉスパッタ
ーターゲットが強固に引離され、使用後の離脱が非常に
困難になるという欠点がみられ実用化に移行できなかっ
た。
誘導溶解法によって１９られたニッケルを素材としてい
るため脱酸、脱硫のために添加したＭｎ、ＭＱ、Ｓ ｉ
等が残留しているので半導体部品の接合用に用いるには
不十分であった。ざらにスパッター効率改善の目的から
マグネトロンスパッターが多用されるが、この場合、全
体がＮｉでおると水冷中下部の磁石によりＮｉスパッタ
ーターゲットが強固に引離され、使用後の離脱が非常に
困難になるという欠点がみられ実用化に移行できなかっ
た。
［発明の目的］
本発明は上記の問題点を解決するためになされたもので
ターゲット部とバッキングプレート部とを一体的に成形
することにより高効率の操業が可能でしかも高純度のニ
ッケル被膜を得ることのできる一体型２バッターターゲ
ットを提供することを目的とする。
ターゲット部とバッキングプレート部とを一体的に成形
することにより高効率の操業が可能でしかも高純度のニ
ッケル被膜を得ることのできる一体型２バッターターゲ
ットを提供することを目的とする。
［発明の概要１
すなわち本発明の一体型スパッターターゲットは、高純
度ニッケルで形成され、かつターゲット部およびバッキ
ングプレート部が一体的に形成され、かつ交換時のグリ
ップ機構を有する構造をとることを特徴とする。
度ニッケルで形成され、かつターゲット部およびバッキ
ングプレート部が一体的に形成され、かつ交換時のグリ
ップ機構を有する構造をとることを特徴とする。
本発明によるスパッターターゲラ１〜はたとえば次のよ
うにして製造することができる。原料ニッケル素材を電
子ビーム溶解した後、鍛造して高純度＜４Ｎ以上）ニッ
ケルインボッｌ〜とし、これを熱間鍛造、冷間プレス加
工して製造する。この方法によれば、原料ニッケル中に
含まれる酸素、イオウ等は真空中で除去されるため高純
度のニッケルが得られるとともに、鍛造性も改善される
。また着脱とくに離脱に際しではスパッターに支障をき
たさぬ側面に溝を新設するなどの構造を改善して治工具
で離脱することにより、実用化が可能となる。
うにして製造することができる。原料ニッケル素材を電
子ビーム溶解した後、鍛造して高純度＜４Ｎ以上）ニッ
ケルインボッｌ〜とし、これを熱間鍛造、冷間プレス加
工して製造する。この方法によれば、原料ニッケル中に
含まれる酸素、イオウ等は真空中で除去されるため高純
度のニッケルが得られるとともに、鍛造性も改善される
。また着脱とくに離脱に際しではスパッターに支障をき
たさぬ側面に溝を新設するなどの構造を改善して治工具
で離脱することにより、実用化が可能となる。
［発明の実施例］
次に本発明を実施例によって説明する。
実施例
原料の電界ニッケル素材を４Ｘ１０’Ｔｏｒｒの真空中
で電子ビーム溶解した後鋳造してインゴットとした。こ
のインゴットの材料分析値は次表に示すとおりであった
。なお比較のため従来の真空誘導溶解法によって１ｑら
れたインゴットの材料分析値もあわせて示す。
で電子ビーム溶解した後鋳造してインゴットとした。こ
のインゴットの材料分析値は次表に示すとおりであった
。なお比較のため従来の真空誘導溶解法によって１ｑら
れたインゴットの材料分析値もあわせて示す。
（以下余白）
得られたインゴットを熱間ｒＬ造し、次いで冷間プレス
加工を施すことによって第１図に示すような直径１２７
ｍｍ、厚ざ６■の一体型スパッターターゲット４を製造
した。また使用後のターゲット交換には、Ｎ１一体ター
ゲットは磁石に強く吸引されてこのままでは離脱して非
常に困難である。
加工を施すことによって第１図に示すような直径１２７
ｍｍ、厚ざ６■の一体型スパッターターゲット４を製造
した。また使用後のターゲット交換には、Ｎ１一体ター
ゲットは磁石に強く吸引されてこのままでは離脱して非
常に困難である。
そこでターゲット側面を図３のように溝を説けて治工具
を用いて簡単に引き離すことができるように工夫（）た
。
を用いて簡単に引き離すことができるように工夫（）た
。
なお前記の表における比較例の分析値を有するインゴッ
トを用いて実施例と同様の方法により直径１２７ｍｍ、
厚さ３ｍｍのスパッターターゲットを製造し、厚ざ９ｎ
＋＋ｎの銅板にはんだ付【プした。
トを用いて実施例と同様の方法により直径１２７ｍｍ、
厚さ３ｍｍのスパッターターゲットを製造し、厚ざ９ｎ
＋＋ｎの銅板にはんだ付【プした。
本発明の一体型スパッターターゲットは比較例で製造し
たスパッターターゲットに比べてその操業速度が３０〜
５０％以上向セした。
たスパッターターゲットに比べてその操業速度が３０〜
５０％以上向セした。
［発明の効果１
以上説明したように本発明の一体型スパッターターゲッ
トを使用すると操業速度を従来よりも大幅に上げること
ができる。また高純度のニッケルで形成されているので
、高純度ニッケル被膜が必要とされる半導体接合用のス
パッターターゲットとして適している。
トを使用すると操業速度を従来よりも大幅に上げること
ができる。また高純度のニッケルで形成されているので
、高純度ニッケル被膜が必要とされる半導体接合用のス
パッターターゲットとして適している。
第１図は本発明の一実施例を概略的に示す断面図、第２
図は従来のスバッターターゲッ１〜を概略的に示す断面
図、第３図は本発明の一実施例を概略的に示１一部断面
図である。 １・・・・・・・・・スパッターターゲット２−−−−
−− ・−バッキングプレート３．５・・・水冷部
図は従来のスバッターターゲッ１〜を概略的に示す断面
図、第３図は本発明の一実施例を概略的に示１一部断面
図である。 １・・・・・・・・・スパッターターゲット２−−−−
−− ・−バッキングプレート３．５・・・水冷部
Claims (3)
- （１）ターゲットおよびバッキングプレートが高純度ニ
ッケルで形成され、かつターゲット部およびバッキング
プレート部が一体的に形成されてなり交換時のグリップ
機構を有する構造をとることを特徴とする一体型スパッ
ターターゲット。 - （２）スパッターターゲットは半導体裏面接合用である
特許請求の範囲第１項記載の一体型スパッターターゲッ
ト。 - （３）高純度ニッケルは電子ビーム溶解によって得られ
たものである特許請求の範囲第１項記載の一体型スパッ
ターターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20317885A JPS6263670A (ja) | 1985-09-12 | 1985-09-12 | 一体型スパツタ−タ−ゲツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20317885A JPS6263670A (ja) | 1985-09-12 | 1985-09-12 | 一体型スパツタ−タ−ゲツト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6263670A true JPS6263670A (ja) | 1987-03-20 |
Family
ID=16469747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20317885A Pending JPS6263670A (ja) | 1985-09-12 | 1985-09-12 | 一体型スパツタ−タ−ゲツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6263670A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05211326A (ja) * | 1991-01-25 | 1993-08-20 | Toshiba Corp | 半導体素子用高純度導電性膜およびそれを用いた半導体素子 |
| JP2002069610A (ja) * | 2000-08-30 | 2002-03-08 | Toshiba Corp | スパッタリングターゲットとそれを用いたスパッタリング装置 |
| JP2008101275A (ja) * | 2007-12-26 | 2008-05-01 | Nikko Kinzoku Kk | 高純度ニッケル又はニッケル合金ターゲット及びその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57207176A (en) * | 1981-06-17 | 1982-12-18 | Hitachi Ltd | Sputtering target |
-
1985
- 1985-09-12 JP JP20317885A patent/JPS6263670A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57207176A (en) * | 1981-06-17 | 1982-12-18 | Hitachi Ltd | Sputtering target |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05211326A (ja) * | 1991-01-25 | 1993-08-20 | Toshiba Corp | 半導体素子用高純度導電性膜およびそれを用いた半導体素子 |
| JP2002069610A (ja) * | 2000-08-30 | 2002-03-08 | Toshiba Corp | スパッタリングターゲットとそれを用いたスパッタリング装置 |
| JP2008101275A (ja) * | 2007-12-26 | 2008-05-01 | Nikko Kinzoku Kk | 高純度ニッケル又はニッケル合金ターゲット及びその製造方法 |
| JP4582465B2 (ja) * | 2007-12-26 | 2010-11-17 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | 高純度ニッケル又はニッケル合金ターゲット及びその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN100474642C (zh) | 含有金属铬基板的铟镓铝氮半导体发光元件及其制造方法 | |
| US5593082A (en) | Methods of bonding targets to backing plate members using solder pastes and target/backing plate assemblies bonded thereby | |
| US6955852B2 (en) | Method of manufacturing sputter targets with internal cooling channels | |
| US4643875A (en) | Tin based ductile brazing alloys | |
| CN113084289B (zh) | 一种靶材与背板的高性能焊接方法 | |
| JP2001507407A (ja) | 高純度銅製スパッタリングターゲットの製造方法 | |
| CN101861647A (zh) | 电源模块用基板的制造方法、电源模块用基板、和电源模块 | |
| JP5175978B2 (ja) | ガドリニウム製スパッタリングターゲット及び同ターゲットの製造方法 | |
| KR960010146B1 (ko) | 리드프레임 및 그를 이용한 반도체 패키지 | |
| CN101186979B (zh) | 高纯度Ni-V合金的制造方法 | |
| JP3971171B2 (ja) | 銅スパッターターゲットの加工方法 | |
| JPS6263670A (ja) | 一体型スパツタ−タ−ゲツト | |
| JP4487225B2 (ja) | Ｎｉ−Ｎｂ系ターゲット材およびロウ材用下地膜 | |
| JP2008057032A (ja) | Ｃｒ−Ｃｕ合金およびその製造方法ならびに半導体用放熱板と半導体用放熱部品 | |
| KR19980024894A (ko) | 납땜 재료층을 갖는 반도체 바디 | |
| JP4057436B2 (ja) | 銅基合金およびその銅基合金を使用する放熱板用材料 | |
| JP3915112B2 (ja) | 濡れ性に優れた金錫合金ロウ材 | |
| JPH08218166A (ja) | スパッタリング用ターゲットの接合方法 | |
| JP2000256081A (ja) | 半導体実装用絶縁基板の改質方法 | |
| JPS5784140A (en) | Semiconductor device | |
| JPS613474A (ja) | 太陽電池用金属基板材 | |
| JPS58157968A (ja) | 低融点スパッタリング・タ−ゲットの固定方法 | |
| JPH1046327A (ja) | スパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
| JPH01180975A (ja) | スパッタリング用バッキングプレート | |
| JPH06192828A (ja) | 半導体ターゲット |