JPS613474A - 太陽電池用金属基板材 - Google Patents
太陽電池用金属基板材Info
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- JPS613474A JPS613474A JP59123984A JP12398484A JPS613474A JP S613474 A JPS613474 A JP S613474A JP 59123984 A JP59123984 A JP 59123984A JP 12398484 A JP12398484 A JP 12398484A JP S613474 A JPS613474 A JP S613474A
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 76
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 59
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 59
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000010960 cold rolled steel Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 49
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 9
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000005098 hot rolling Methods 0.000 abstract description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 238000007670 refining Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005242 forging Methods 0.000 abstract 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 abstract 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 238000005097 cold rolling Methods 0.000 description 7
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 6
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 5
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 5
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 5
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 4
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 238000002788 crimping Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 238000010313 vacuum arc remelting Methods 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005482 strain hardening Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
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- Electromagnetism (AREA)
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- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業分野
この発明は、太陽電池用を始めとする、卓上電算機用、
腕時計、ラジオ用等の各種用途に使用される厚さ0.1
mm以下の薄膜よりなる薄膜電池用、特に気相成長によ
る薄膜電池用金属基板材に関する。
腕時計、ラジオ用等の各種用途に使用される厚さ0.1
mm以下の薄膜よりなる薄膜電池用、特に気相成長によ
る薄膜電池用金属基板材に関する。
背景技術
MIIG!電池として代表的な太陽電池を例に説明する
と、太陽電池は、新しい規模のエネルギー源の一方法と
して注目され、高効率、大容量化を目標に、低エネルギ
ー化、低コスト化による製造方法が種々開発されている
。
と、太陽電池は、新しい規模のエネルギー源の一方法と
して注目され、高効率、大容量化を目標に、低エネルギ
ー化、低コスト化による製造方法が種々開発されている
。
当初1、太陽電池用基板には、シリコン単結晶が使用さ
れ、PN接合を形成後その裏面に裏面電極を、表面に透
明電極及び反射防止膜を被着した電池構造のものが開発
されたが、シリコン単結晶は製造コストが非常に高価な
ため、特殊用途に限定されていた。
れ、PN接合を形成後その裏面に裏面電極を、表面に透
明電極及び反射防止膜を被着した電池構造のものが開発
されたが、シリコン単結晶は製造コストが非常に高価な
ため、特殊用途に限定されていた。
太陽電池はその作動上、シリコン単結晶の活性領域は、
精々数ρであり、またシリコン単結晶の電池製造時の拡
散における温度が1000℃〜1500℃と高温を必要
とする。
精々数ρであり、またシリコン単結晶の電池製造時の拡
散における温度が1000℃〜1500℃と高温を必要
とする。
これに対して、アモルフフンスシリコンは300℃以下
の温度で基板上に気相成長により形成させることができ
、さらに、太陽電池の基本構成のP形膜−1形膜−n形
膜接合を容易に形成できることから、シリコン単結晶の
代替材として着目され、アモルフ?スシリコン薄膜を使
用した太陽電池がその製造工程の簡素化とともに製造コ
ストの低減化により、新しい展開がなされている。
の温度で基板上に気相成長により形成させることができ
、さらに、太陽電池の基本構成のP形膜−1形膜−n形
膜接合を容易に形成できることから、シリコン単結晶の
代替材として着目され、アモルフ?スシリコン薄膜を使
用した太陽電池がその製造工程の簡素化とともに製造コ
ストの低減化により、新しい展開がなされている。
かかる太陽電池の基板材としては、従来、ガラスが多用
されてきたが、ガラスは曲げ強度が低いため、曲げ加工
を必要とする用途の太陽電池用基板材には不適であった
。
されてきたが、ガラスは曲げ強度が低いため、曲げ加工
を必要とする用途の太陽電池用基板材には不適であった
。
そこで、曲げ強度が高く、各種曲げ加工ができ。
曲げ加工を必要とする用途の太陽電池として用いられる
と共に、その製造工程中において、従来のバッチ処理に
対して、曲げ加工ができるために帯状のままで連続的に
処理できるステンレス鋼板、冷延鋼板等の金属基板材は
、上記の電池製造工程の合理化、生産能率向上に多大の
利点を有している。
と共に、その製造工程中において、従来のバッチ処理に
対して、曲げ加工ができるために帯状のままで連続的に
処理できるステンレス鋼板、冷延鋼板等の金属基板材は
、上記の電池製造工程の合理化、生産能率向上に多大の
利点を有している。
この金属基板材を使用した電池製造工程において、該基
板材にアモルファスシリコンを形成する方法としては、
気相成長による方法が採用されている。
板材にアモルファスシリコンを形成する方法としては、
気相成長による方法が採用されている。
一例として、グロー放電法により金属基板材上にアモル
ファスシリコンを形成する゛方法を説明すると、帯状金
属基板が通過する減圧下の反応室に、原料ガスのシラン
ガス(SLH−を導入し、反応室内の電極間で高周波プ
ラズマ放電し、高周波により励起される高エネルギーの
電子は上記原料ガスに衝突し、該ガスの分解及び活性化
されたガス間同士の反応により、金属基板表面上にアモ
ルファスシリコンが気相析出して成長する。
ファスシリコンを形成する゛方法を説明すると、帯状金
属基板が通過する減圧下の反応室に、原料ガスのシラン
ガス(SLH−を導入し、反応室内の電極間で高周波プ
ラズマ放電し、高周波により励起される高エネルギーの
電子は上記原料ガスに衝突し、該ガスの分解及び活性化
されたガス間同士の反応により、金属基板表面上にアモ
ルファスシリコンが気相析出して成長する。
ところが、従来の金属基板材表面には、機械的表面疵や
基板材内の介在物等による内質疵があり、これらの疵に
よって気相析出成長したアモルファスシリコンは、該基
板表面上に均一に形成されず、金属基板材と最外面の透
明電極が短絡し、太陽電池の致命的欠陥となる。
基板材内の介在物等による内質疵があり、これらの疵に
よって気相析出成長したアモルファスシリコンは、該基
板表面上に均一に形成されず、金属基板材と最外面の透
明電極が短絡し、太陽電池の致命的欠陥となる。
以上、太陽電池を例に取り説明したが、金属基板材の上
に厚みo、imm以下の薄膜をもってなる薄膜電池にと
って、金属基板材のかかる疵は同様に致命的欠陥となる
。
に厚みo、imm以下の薄膜をもってなる薄膜電池にと
って、金属基板材のかかる疵は同様に致命的欠陥となる
。
かかる金属基板材表面の表面疵を除去するため、表面研
削あるいは表面研摩方法が実施されるが、介在物等によ
る内質疵は機械的除去方法では除去できず、金属基板材
内の非金属介在物の減少に関して種々検討されでいるが
、大型介在物を除去し、11!m以下程度の微小介在物
、特に致命的欠陥を生じないように介在物の全てを1.
0ρ以下にすることは困難で、かつ多大のコスト高を招
来する問題があった。
削あるいは表面研摩方法が実施されるが、介在物等によ
る内質疵は機械的除去方法では除去できず、金属基板材
内の非金属介在物の減少に関して種々検討されでいるが
、大型介在物を除去し、11!m以下程度の微小介在物
、特に致命的欠陥を生じないように介在物の全てを1.
0ρ以下にすることは困難で、かつ多大のコスト高を招
来する問題があった。
発明の目的
この発明は、かかる現状に鑑み、表面疵が皆無で安価な
、薄膜電池用金属基板材を目的としている。
、薄膜電池用金属基板材を目的としている。
発明の開示
すなわち、この発明は、ステンレス鋼板または冷延鋼板
の片面または両面に、非金属介在物の大きさが1.0ρ
以下の内質良好なステンレス、N1゜1、A(+のうち
1種からなる厚さ200.以下の圧着層を有することを
特徴とする薄膜電池用金属基板材である。 − この発明は、金属基板材表面に上記の圧着層を設けるこ
とにより、金属基板表面の機械的疵及び非金属介在物等
による肉質疵の表面露出が防止で−き、薄膜電池製造時
、金属基板表面に均一な薄膜を形成せしめ、平滑平面を
有し、太陽電池を始め多種用途の薄膜電池用金属基板材
に最適となる。
の片面または両面に、非金属介在物の大きさが1.0ρ
以下の内質良好なステンレス、N1゜1、A(+のうち
1種からなる厚さ200.以下の圧着層を有することを
特徴とする薄膜電池用金属基板材である。 − この発明は、金属基板材表面に上記の圧着層を設けるこ
とにより、金属基板表面の機械的疵及び非金属介在物等
による肉質疵の表面露出が防止で−き、薄膜電池製造時
、金属基板表面に均一な薄膜を形成せしめ、平滑平面を
有し、太陽電池を始め多種用途の薄膜電池用金属基板材
に最適となる。
特に、気相成長による場合はかかる疵の影響が大きいた
め、より有効である。
め、より有効である。
この発明において、金属基板材には、強度・耐食性にお
いてすぐれたステンレス鋼板が好ましいが、表面内質が
良好なステンレス、 N5 At!、 、AGlの圧着
層を有することにより、耐食性を付与されるため、冷延
鋼板を使用することが可能となる。
いてすぐれたステンレス鋼板が好ましいが、表面内質が
良好なステンレス、 N5 At!、 、AGlの圧着
層を有することにより、耐食性を付与されるため、冷延
鋼板を使用することが可能となる。
また、金属基板材に圧着する金属層は、使用目的等に応
じてステンレス、NL、AI 、〜のいずれかの材質を
選定し、基板材の片面あるいは両面に圧着するが、両面
圧着の場合は同種金属を圧着するほが、異種金属を用い
るのもよい。
じてステンレス、NL、AI 、〜のいずれかの材質を
選定し、基板材の片面あるいは両面に圧着するが、両面
圧着の場合は同種金属を圧着するほが、異種金属を用い
るのもよい。
この金属基板材の厚みは、軽量化のため、0.5mm以
下が好ましい。
下が好ましい。
また、この発明における圧着層厚みは、金属基板材表面
に圧着したのち、その表面を鏡面加工したとき、基板材
表面疵が露出しない程度の厚みとする必要があるが、圧
着層の厚みの上限は、経済性を考慮して200ρとする
。
に圧着したのち、その表面を鏡面加工したとき、基板材
表面疵が露出しない程度の厚みとする必要があるが、圧
着層の厚みの上限は、経済性を考慮して200ρとする
。
この発明における圧着は、熱間加工あるいは、冷間加工
のいずれでもよい。
のいずれでもよい。
実施例
第1図a図は、Ni圧着層を有しない金属基板材表面の
疵大きさと表面欠陥数との関係図、同す図はNi圧着層
を有する金属基板材表面の疵大きさと表面欠陥数との関
係図である。第2図a図、b図は、5LI8304.5
LJS 430表面上にNi圧着層を有する金属基板材
の板厚方面断面における表面欠陥数と疵大きさとの関係
を示す関係図である。
疵大きさと表面欠陥数との関係図、同す図はNi圧着層
を有する金属基板材表面の疵大きさと表面欠陥数との関
係図である。第2図a図、b図は、5LI8304.5
LJS 430表面上にNi圧着層を有する金属基板材
の板厚方面断面における表面欠陥数と疵大きさとの関係
を示す関係図である。
実施例1
金属基板として、板厚2mmX板幅200mm寸法から
なる、市販のSUS 304. SUS 430の焼鈍
し冷延コイルを用いた。
なる、市販のSUS 304. SUS 430の焼鈍
し冷延コイルを用いた。
圧着層の金属として、N、中の非金属介在物の大きさが
1.0.以下となるように、真空高周波溶解炉を用いて
、炭素脱酸にて十分精錬した後、真空中で造塊された2
50mm X 200mm X高さ500mm寸法の角
柱状NL鋳塊を熱間鍛造し、熱間圧延を経て手入した後
、冷間圧延により板厚0.22 mmX板幅200mm
の冷延コイルに仕上げ、連続焼鈍炉で、水素中、 1o
oo℃の条件で焼鈍したN(を用いた。
1.0.以下となるように、真空高周波溶解炉を用いて
、炭素脱酸にて十分精錬した後、真空中で造塊された2
50mm X 200mm X高さ500mm寸法の角
柱状NL鋳塊を熱間鍛造し、熱間圧延を経て手入した後
、冷間圧延により板厚0.22 mmX板幅200mm
の冷延コイルに仕上げ、連続焼鈍炉で、水素中、 1o
oo℃の条件で焼鈍したN(を用いた。
上記金属基板の片面に、上記NL板を冷間圧延機を用い
て冷間圧接したのち、再び水素雰囲気で1.800℃、
1時間の焼鈍しを行ない、さらに、冷間圧延して板厚0
.20 mmのこの発明による薄膜電池用基板材に仕上
げた。得られた金属基板の圧着層厚みは20.’であっ
た。
て冷間圧接したのち、再び水素雰囲気で1.800℃、
1時間の焼鈍しを行ない、さらに、冷間圧延して板厚0
.20 mmのこの発明による薄膜電池用基板材に仕上
げた。得られた金属基板の圧着層厚みは20.’であっ
た。
比較基板材として、板厚ZmmX板幅200mm寸法か
らなる、市販の5LI8304.’ 5LI84.30
の焼鈍し冷延コイルをそのまま板厚0.20mmまで冷
間圧延したものを用いた。
らなる、市販の5LI8304.’ 5LI84.30
の焼鈍し冷延コイルをそのまま板厚0.20mmまで冷
間圧延したものを用いた。
上記のこの発明による基板材コイルと比較材コイルにつ
いて、長手方向の10箇所より、長さ10mm×幅20
0mmの試料を各2枚採取した。
いて、長手方向の10箇所より、長さ10mm×幅20
0mmの試料を各2枚採取した。
上記10箇所より2枚ずつ採取したうちの1枚は、光学
顕微鏡(倍率600倍)で長さSmmX幅200mmの
試料について表面疵の大きさ及びその数を測定した。そ
の測定結果は第1図に示す。
顕微鏡(倍率600倍)で長さSmmX幅200mmの
試料について表面疵の大きさ及びその数を測定した。そ
の測定結果は第1図に示す。
また、採取試料のもう一方は、板幅方向に3等分し、フ
ェノール樹脂中に埋め込み、N2O3粉末にてパフ研摩
した後、その断面の非金属介在物の大きさ、数を測定し
、板厚方向での欠陥の分布を調べた。結果は第2図に示
す。
ェノール樹脂中に埋め込み、N2O3粉末にてパフ研摩
した後、その断面の非金属介在物の大きさ、数を測定し
、板厚方向での欠陥の分布を調べた。結果は第2図に示
す。
第1図及び第2図より明らかな如く、Ni圧着層の被着
前の金属基板は、表面に多数の欠陥を有しているが、こ
の発明による金属基板は、薄膜電池。
前の金属基板は、表面に多数の欠陥を有しているが、こ
の発明による金属基板は、薄膜電池。
において特に問題となる1、0ρより大きい表面疵の露
出が完全に防止されていることが分る。
出が完全に防止されていることが分る。
実施例2
金属基板として、板厚ZmmX板幅200mm寸法から
なる、市販のSUS 304. SUS 430の焼鈍
し冷延コイルを用いた。
なる、市販のSUS 304. SUS 430の焼鈍
し冷延コイルを用いた。
圧着層の金属として、非金属介在物の大きさが1.0扉
以下となるように、真空高周波溶解炉を用いて、溶解し
た母材をさらに消耗電極式真空アーク再溶解炉で再溶解
し、造塊した5LIS430鋳塊を熱間鍛造し、熱間圧
延を経て手入した後、冷間圧延により板厚0.22 m
mX板幅200mmの冷延コイルに仕上げ、連続焼鈍炉
で、水素中、 1000℃の条件で焼鈍した5US43
0を用いた。
以下となるように、真空高周波溶解炉を用いて、溶解し
た母材をさらに消耗電極式真空アーク再溶解炉で再溶解
し、造塊した5LIS430鋳塊を熱間鍛造し、熱間圧
延を経て手入した後、冷間圧延により板厚0.22 m
mX板幅200mmの冷延コイルに仕上げ、連続焼鈍炉
で、水素中、 1000℃の条件で焼鈍した5US43
0を用いた。
上記金属基板の片面に、上記ステンレス板を冷間圧延機
を用いて冷間圧接したのち、再び水素界−囲気で、90
0℃、1時間の焼鈍しを行ない、さらに、冷間圧延して
板厚0.10mmのこの発明による薄膜電池用基板材に
仕上げた。得られた金属基板の圧着層厚みは107.で
あった。
を用いて冷間圧接したのち、再び水素界−囲気で、90
0℃、1時間の焼鈍しを行ない、さらに、冷間圧延して
板厚0.10mmのこの発明による薄膜電池用基板材に
仕上げた。得られた金属基板の圧着層厚みは107.で
あった。
上記のこの発明による基板材コイルについて長手方向の
10箇所より、長さ10mm×幅200mmの試料を各
2枚採取した。
10箇所より、長さ10mm×幅200mmの試料を各
2枚採取した。
上記10箇所より2枚ずつ採取したうちの1枚は、光学
顕微鏡(倍率600倍)で長さSmmX幅200mmの
試料について表面疵の大きさ及びその数を測定し、採取
試料のもう一方は、板幅方向に3等分し、フェノール樹
脂中に埋め込み、Mt03粉末にてパフ研摩した後、そ
の断面の非金属介在物の大きさ。
顕微鏡(倍率600倍)で長さSmmX幅200mmの
試料について表面疵の大きさ及びその数を測定し、採取
試料のもう一方は、板幅方向に3等分し、フェノール樹
脂中に埋め込み、Mt03粉末にてパフ研摩した後、そ
の断面の非金属介在物の大きさ。
数を測定し、板厚方向で°の欠陥の分布を調べた。
、 実施例1と同様の結果が得られ、この発明による金
属基板は、薄膜電池において特に問題となる1、0−以
上の表面疵の露出が完全に防止されている。
属基板は、薄膜電池において特に問題となる1、0−以
上の表面疵の露出が完全に防止されている。
実施例3
金属基板材として、市販のC091%の冷延鋼板で、板
W1,8OmmX板幅200世の焼鈍された冷延コイル
を用いた。
W1,8OmmX板幅200世の焼鈍された冷延コイル
を用いた。
圧着層の金属として、非金属介在物の大きさが1.0ρ
以下となるように、真空高周波溶解炉を用いて、溶解し
た母材をさらに消耗電極式真空アーク再溶解炉で再溶解
し、造塊した3U3430鋳塊を熱間鍛造し、熱間圧延
を経て手入した後、冷間圧延により板厚0.22 mm
X板幅200mmの冷延コイルに仕上げ、連続焼鈍炉で
、水素中、 1ooo℃の条件で焼鈍した5US430
を用いた。
以下となるように、真空高周波溶解炉を用いて、溶解し
た母材をさらに消耗電極式真空アーク再溶解炉で再溶解
し、造塊した3U3430鋳塊を熱間鍛造し、熱間圧延
を経て手入した後、冷間圧延により板厚0.22 mm
X板幅200mmの冷延コイルに仕上げ、連続焼鈍炉で
、水素中、 1ooo℃の条件で焼鈍した5US430
を用いた。
上記金属基板の両面に、上記ステンレス板を冷間圧延機
を用いて冷間圧接したのち、再び水素雰囲気で、900
℃、1時間の焼鈍しを行ない、さらに、冷間圧延して板
厚0.10mmのこの発明による薄膜電池用基板材に仕
上げた。得られた金属基板の圧着層厚みは10ρであっ
た。
を用いて冷間圧接したのち、再び水素雰囲気で、900
℃、1時間の焼鈍しを行ない、さらに、冷間圧延して板
厚0.10mmのこの発明による薄膜電池用基板材に仕
上げた。得られた金属基板の圧着層厚みは10ρであっ
た。
上記のこの発明による基板材コイルについて長手方向の
10箇所より、長さ10mmX幅200mmの試料を各
2枚採取した。
10箇所より、長さ10mmX幅200mmの試料を各
2枚採取した。
上記10箇所より2枚ずつ採取したうちの1枚は、光学
顕微鏡(倍率600倍)で長さSmmX幅200mmの
試料について表面疵の大きさ及びその数を測定し、採取
試料のもう一方は、板幅方向に3等分し、フェノール樹
脂中に埋め込み、N2O3粉末にてパフ研摩した後、そ
の断面の非金属介在物の大きさ。
顕微鏡(倍率600倍)で長さSmmX幅200mmの
試料について表面疵の大きさ及びその数を測定し、採取
試料のもう一方は、板幅方向に3等分し、フェノール樹
脂中に埋め込み、N2O3粉末にてパフ研摩した後、そ
の断面の非金属介在物の大きさ。
数を測定し、板厚方向での欠陥の分布を調べた。
実施例1と同様の結果が得られ、この発明による金属基
板は、薄膜電池において特に問題となる1、0証より大
きい表面疵の露出が完全に防止されている。
板は、薄膜電池において特に問題となる1、0証より大
きい表面疵の露出が完全に防止されている。
実施例4
金属基板として、板厚ZmmX板幅200mm寸法から
なる、市販の5tJS 304.5LIS 430の焼
鈍し冷延コイルを用いた。
なる、市販の5tJS 304.5LIS 430の焼
鈍し冷延コイルを用いた。
圧着層の金属として、非金属介在物の大きさが1.0庫
以下となるように、真空高周波溶解炉を用いて、真空下
で溶解し、非金属介在物除去のためセラミックフィルタ
ーを通して鋳込み、造塊されたAll!tr塊を、熱間
圧延を経て手入した後、冷間圧延により板厚0.04
mmX板幅200mmの冷延コイルに仕上げたN板を用
いた。
以下となるように、真空高周波溶解炉を用いて、真空下
で溶解し、非金属介在物除去のためセラミックフィルタ
ーを通して鋳込み、造塊されたAll!tr塊を、熱間
圧延を経て手入した後、冷間圧延により板厚0.04
mmX板幅200mmの冷延コイルに仕上げたN板を用
いた。
上記金属基板の片面に、上記アルミ板を冷間圧延機を用
いて冷間圧接し、板厚0.1mmのこの発明による薄膜
電池用基板材に仕上げた。得られた金属基板の圧着層厚
みは91slであった。
いて冷間圧接し、板厚0.1mmのこの発明による薄膜
電池用基板材に仕上げた。得られた金属基板の圧着層厚
みは91slであった。
上記のこの発明による基板材コイルについて長手方向の
10箇所より、長さ10mmX幅200mmの試料を各
2枚採取した。
10箇所より、長さ10mmX幅200mmの試料を各
2枚採取した。
上記10箇所より2枚ずつ採取したうちの1枚は、光学
顕微鏡(倍率600倍)で長さSmmX幅200mmの
試料について表面疵の大きさ及びその数を測定し、採取
試料のもう一方は、板幅方向に3等分し、フェノール樹
脂中に埋め込み、All to a粉末にてパフ研摩し
た後、その断面の非金属介在物の大きさ。
顕微鏡(倍率600倍)で長さSmmX幅200mmの
試料について表面疵の大きさ及びその数を測定し、採取
試料のもう一方は、板幅方向に3等分し、フェノール樹
脂中に埋め込み、All to a粉末にてパフ研摩し
た後、その断面の非金属介在物の大きさ。
数を測定し、板厚方向での欠陥の分布を調べた。
実施例1と同様の結果が得られ、この発明による金属基
板は、薄膜電池において特に問題となる1、OJlより
大きい表面疵の露出が完全に防止されている。
板は、薄膜電池において特に問題となる1、OJlより
大きい表面疵の露出が完全に防止されている。
実施例5
金属基板として、市販の5US304の塊状のものを切
削し、板厚95mmX幅、200mm×長さ500mm
に仕上げた5LIS304板を用いた。
削し、板厚95mmX幅、200mm×長さ500mm
に仕上げた5LIS304板を用いた。
圧着層の金属として、非金属介在物の大きさが1.0I
s1以下となるように、真空高周波溶解炉を用いて、溶
解した母材をさらにエレクトロスラグ再溶解炉で再溶解
し、造塊した5US304鋳塊を熱間鍛造し、熱間圧延
を経て手入した後、冷間圧延により板厚5mmX幅20
0mmX長さ500mmの板に仕上げた5US304板
を用いた。
s1以下となるように、真空高周波溶解炉を用いて、溶
解した母材をさらにエレクトロスラグ再溶解炉で再溶解
し、造塊した5US304鋳塊を熱間鍛造し、熱間圧延
を経て手入した後、冷間圧延により板厚5mmX幅20
0mmX長さ500mmの板に仕上げた5US304板
を用いた。
上記基板用5LIS304と内質のすぐれた圧着層用5
US304板を密着させ、密着面が酸化しないように、
端面部をアルゴンガス雰囲気で、電極ワイヤに5US3
04を用いたMIG溶接により完全に溶着した。
US304板を密着させ、密着面が酸化しないように、
端面部をアルゴンガス雰囲気で、電極ワイヤに5US3
04を用いたMIG溶接により完全に溶着した。
その後、一体化した上記の板を熱間圧延して表面を手入
し、冷間圧延機により、板厚0.50mmまで冷間圧延
してこの発明による薄膜電池用基板材に仕上げた。得ら
れた基板材の圧着層厚みは25ρであった。
し、冷間圧延機により、板厚0.50mmまで冷間圧延
してこの発明による薄膜電池用基板材に仕上げた。得ら
れた基板材の圧着層厚みは25ρであった。
上記のこの発明による基板材コイルについて長手方向の
10箇所より、長さ10rrbを各2枚採取した。
10箇所より、長さ10rrbを各2枚採取した。
上記10箇所より2枚ずつ採取したうちの1枚は、光学
顕微鏡(倍率600倍)で長さSmmX幅200mmの
試料について表面疵の大きさ及びその数を測定し、採取
試料のもう一方は、板幅方向に3等分し、フェノール樹
脂中に埋め込み、M2O3粉末にてパフ研摩した後、そ
の断面の非金属介在物の大きさ。
顕微鏡(倍率600倍)で長さSmmX幅200mmの
試料について表面疵の大きさ及びその数を測定し、採取
試料のもう一方は、板幅方向に3等分し、フェノール樹
脂中に埋め込み、M2O3粉末にてパフ研摩した後、そ
の断面の非金属介在物の大きさ。
数を測定し、板厚方向での欠陥の分布を調べた。
実施例1と同様の結果が得られ、この発明による金属基
板は、薄膜電池において特に問題となる1、0ρJこり
人きい表面疵の露出が完全に防止されている。
板は、薄膜電池において特に問題となる1、0ρJこり
人きい表面疵の露出が完全に防止されている。
以上の実施例から明らかなように、この発明による基板
材は、表面欠陥がなく、安価に平滑平面が得られるもの
で、アモルファスシリコン太陽電池を代表とする薄膜電
池用、特に、気相成長による薄膜電池用に最適の基板材
を提供できる。
材は、表面欠陥がなく、安価に平滑平面が得られるもの
で、アモルファスシリコン太陽電池を代表とする薄膜電
池用、特に、気相成長による薄膜電池用に最適の基板材
を提供できる。
第1図a図は、NL圧着層を有しない金属基板材表面の
疵大きさと表面欠陥数との関係図、同す図はN、圧着層
を有する金属基板材表面の疵大きさと表面欠陥数との関
係図である。第2図a図、b図は、SUS 304.
SUS 430表面上にN、圧着層を有する金属基板材
の板厚方向断面における表面欠陥数と疵大きさとの関係
を示す関係図である。 表面欠陥数(個) 欠陥#(個数/601B2) IIl(b) 表面欠陥数(個) 欠陥数(個数/60謀2)
疵大きさと表面欠陥数との関係図、同す図はN、圧着層
を有する金属基板材表面の疵大きさと表面欠陥数との関
係図である。第2図a図、b図は、SUS 304.
SUS 430表面上にN、圧着層を有する金属基板材
の板厚方向断面における表面欠陥数と疵大きさとの関係
を示す関係図である。 表面欠陥数(個) 欠陥#(個数/601B2) IIl(b) 表面欠陥数(個) 欠陥数(個数/60謀2)
Claims (1)
- 1 ステンレス鋼板または冷延鋼板の片面または両面に
、非金属介在物の大きさが1.0μm以下の内質良好な
ステンレス、Ni、Al、Agのうち1種からなる厚さ
200μm以下の圧着層を有することを特徴とする薄膜
電池用金属基板材。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59123984A JPS613474A (ja) | 1984-06-15 | 1984-06-15 | 太陽電池用金属基板材 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59123984A JPS613474A (ja) | 1984-06-15 | 1984-06-15 | 太陽電池用金属基板材 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS613474A true JPS613474A (ja) | 1986-01-09 |
JPH0478030B2 JPH0478030B2 (ja) | 1992-12-10 |
Family
ID=14874162
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59123984A Granted JPS613474A (ja) | 1984-06-15 | 1984-06-15 | 太陽電池用金属基板材 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS613474A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012097341A (ja) * | 2010-11-05 | 2012-05-24 | Jfe Steel Corp | 太陽電池基板用クロム含有フェライト系鋼板 |
JP2012097343A (ja) * | 2010-11-05 | 2012-05-24 | Jfe Steel Corp | 太陽電池基板用クロム含有フェライト系鋼板 |
JP2012097342A (ja) * | 2010-11-05 | 2012-05-24 | Jfe Steel Corp | 太陽電池基板用クロム含有フェライト系鋼板 |
US8586190B2 (en) | 2003-03-27 | 2013-11-19 | Nippon Steel & Sumikin Materials Co., Ltd. | Inorganic—organic hybrid-film-coated stainless-steel foil |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012095954A1 (ja) * | 2011-01-12 | 2012-07-19 | 株式会社Neomaxマテリアル | 太陽電池用金属基板および太陽電池用金属基板の製造方法 |
-
1984
- 1984-06-15 JP JP59123984A patent/JPS613474A/ja active Granted
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8586190B2 (en) | 2003-03-27 | 2013-11-19 | Nippon Steel & Sumikin Materials Co., Ltd. | Inorganic—organic hybrid-film-coated stainless-steel foil |
JP2012097341A (ja) * | 2010-11-05 | 2012-05-24 | Jfe Steel Corp | 太陽電池基板用クロム含有フェライト系鋼板 |
JP2012097343A (ja) * | 2010-11-05 | 2012-05-24 | Jfe Steel Corp | 太陽電池基板用クロム含有フェライト系鋼板 |
JP2012097342A (ja) * | 2010-11-05 | 2012-05-24 | Jfe Steel Corp | 太陽電池基板用クロム含有フェライト系鋼板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0478030B2 (ja) | 1992-12-10 |
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