JPS62207573A - アモルフアス合金の接合方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分計 本発明は表面加工した金属製基板とア七μファヌ合金と
を接合する方法に関する。・　゛従来の技術 一般に、耐食性材料としてステンレス鋼、Ｃｕ合金、Ｔ
ｉおよびその合金が化学プラント機器に広く使用されて
いる。特に、塩素発生用電極には上述した材料よシも耐
食性の良好な結晶質合金のＰｉメッキ電極あるいはＰｔ
にＩｒ、Ｒｕ等の元素を加えて合金にした貴金属および
それ等の酸化物電極が使用されている。しかし、それら
の材料を使用しても依然として耐食性に問題があシ、耐
食性の大なるアモルファス合金が最近注目されている。

アモルファス合金は、特に塩素電解環境下において優れ
た塩素発生触媒と高い酸素過電圧を有してお夛、上述し
た結晶質合金で実現し得ない耐食性を持っている。従っ
て、耐食性材料にアモルファス合金を接合すれば耐食性
はさらに向上する。

ところで、耐食性材料の表面には、酸化被膜があるため
、ろう付のように低温で接合することは困難であｐｌま
たアモルファス合金は、結晶化温度以上に加熱されると
結晶化するため、高温での接合はできない。

そして、既に、アモルファス合金の接合について、超音
波接合についての研究が進められている。

例えば、「塑性と加工」（日本塑性加工学会誌）第２６
巻第２８８号（１９８５−１）のＰ９４〜Ｐ９８には、
超音波振動を利用してアモルファス合金薄板と金属板と
を接合した結果について報告されている。これは、超音
波の振動エネルギーによシ、酸化被膜１Ｆｒ：破壊分散
して金属材料表面を清浄化して互いの接合を図るもので
ある。

発明が解決しようとする問題点 ところで、上記の接合方法によると、金属材料の酸化被
膜を破壊分散させるために、その振動子を金属材料表面
に加圧する必要があり、どうしてもスポット的な接合し
かできず、従って電極のような広い面積を有するものに
、アモルファス合金を均一に接合できないという問題が
あった。

そこで、本発明は上記問題を解消し得るアモルファス合
金の接合方法を提供することを目的とする。

問題を解決するための手段 上記問題を解決するため、本発明のアモルファス合金の
接合方法は、金属製基板およびアモルファス合金の接合
表面上に、アモルファス合金の結晶化温度より低い融点
を有する低融点金属を溶融させた状態で超音波振動子に
よりその上面をなぞり、その後冷却して低融点金属を金
属製基板およびアモルファス合金表面上に付着させ、次
に上記金属性基板とアモルファス合金とを、それぞれの
低融点金属側を対向させ、次に低融点金属の融点以上で
かつアモルファス合金の結晶化温度より低い温度となる
ように加熱するとともに加圧保持し、低融点金属を介し
て金属性基板とアモルファス合金とを接合する方法であ
る。この接合方法によると、広い面積に亘って均一な接
合が得られる。

実施例 以下、本発明の一実施例全図面に基づき説明する。本発
明の接合方法は、金属製基板とアモルファス合金とを、
アモルファス合金の結晶化温度より低い融点を有する低
融点金属を介して接合する方法である。

以下、詳細に説明する。

まず、第１図に示すように、表面加工した金属製基板（
１）ヲヒータプレート（２）上に載せて、低融点金属（
３）ヲ、基板（１）上にて溶融する。そして、次に超音
波振動子（４）を基板（１）上全体になぞるように移動
させて、偏動エネルギーにより酸化被膜を破壊分散し表
面全体の低融点金属との濡れ性（なじみ性）および清浄
化を図シ、低融点金属（３）を基板（１）上に均一に付
着させる。このように、超音波振動子（４）は、溶融し
た低融点金属（３）上を移動するためスムースに移動で
き、従って基板（１）全面の濡れ性および清浄性を容易
に達成し得る。上記低融点金属（３）として、例えばＣ
ｄ（融点３２０℃）、Ｐｂ　（融点３２７℃）、Ｂｉ　
（融点２７０〜２８０℃）等の純金属およびこれらの合
金が使用される。また、低融点金属（３）の形状として
は、帯状、粉状、粒状であってもよい。

そして、上記と同じ要領で、アモルファス合金（５）の
表面に低融点金属（３）を均一に付着させる。（第２図
参照）。

次に、第２図に示すように、上記工程にて低融点金属（
３）が付着された基板（１）を、電気炉（６）内のプレ
ス台（７）上にしかも低融点金属（３）が上面にくるよ
うに載置するとともに、同じくアモルファス合金（５）
ラミ完溶（６）内のプレス押し板（８）側にしかも低融
点金属（３）が下面にくるように取付ける。次に、プレ
ス押し板（８）全下方に降下させて両低融点金属（３）
度より低い湿度の範囲内の温度に加熱、保持し、その後
プレス押し板（８）全下方に押付けてプレスし、そして
冷却を行なえば、低融点金属（３）を介して基板（１）
とアモルファス合金（５）は均一に接合される。

ここで具体例について述べる。

長さ１００　ｆｉｌｌ、幅ＩＱＱｍｍ、厚さ１閣のＴｉ
板（金属性基板）をヒータの上に載せ、さらにこのＴｉ
板の上にＣｄ（低融点金属）粉末を置いてＴｉ板を約３
２０℃に加熱しく先にＴｉ板を加熱し、その後Ｃｄ粉末
を置いてもよい。）、Ｃｄ　ｔ−溶融させる。次に、超
音波振動子を振動（５９，５ＫＨｚ　、　１５Ｗ）させ
ながら、Ｃｄ上をなぞＦ）　、　Ｃｄ１Ｔｉ板に付着さ
せる。次に、Ｐｄ−Ｐ合金（アモルファス合金）も同様
の方法でＣｄｔ−付着させる。そして、上記Ｔｉ板とＰ
ｄ−Ｐ合金とを、電気炉にて３２０℃に加熱し、プレス
（荷重１０に９．１０分間）を行なった。この場合の接
合部を調べてみると、健全な接合面が得られており、そ
の接着強度は２、５　Ｋｆ／−であった。なお、Ｃｄは
電導度がよいため、電極に都合がよい。

発明の効果 上記本発明の接合方法によると、金属製基板とアモルフ
ァス合金とを接合するのに、アモルファス合金の結晶化
温度より低い融点を有する低融点金属を介在させている
ので、広い面積に亘って均一な接合が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は本発明の接合方法の工程を示す側
面図である。 （１）・・・金属製基板、（２）・・・ヒータプレー）
　、　（３）・・・低融点金属、（４）・・・超音波振
動子、（５）・・・アモルファス合金、（６）・・・電
気炉、（７）・・・プレート台、（８）・・・プレス第
１ 押し板 代理人　　　森　　本　　義　　弘 図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、金属製基板およびアモルファス合金の接合表面上に
   、アモルファス合金の結晶化温度より低い融点を有する
   低融点金属を溶融させた状態で超音波振動子によりその
   上面をなぞり、その後冷却して低融点金属を金属製基板
   およびアモルファス合金表面上に付着させ、次に上記金
   属性基板とアモルファス合金とを、それぞれの低融点金
   属側を対向させ、次に低融点金属の融点以上でかつアモ
   ルファス合金の結晶化温度より低い温度となるように加
   熱するとともに加圧保持し、低融点金属を介して金属性
   基板とアモルファス合金とを接合することを特徴とする
   アモルファス合金の接合方法。