JPS63317667A - スパッタリング用タ−ゲットの接合法 - Google Patents
スパッタリング用タ−ゲットの接合法Info
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- JPS63317667A JPS63317667A JP15201887A JP15201887A JPS63317667A JP S63317667 A JPS63317667 A JP S63317667A JP 15201887 A JP15201887 A JP 15201887A JP 15201887 A JP15201887 A JP 15201887A JP S63317667 A JPS63317667 A JP S63317667A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体の製造あるいは、薄膜の生成に用いら
れるスパッタリング装置のスパッタリング用ターゲット
の接合法に関する。
れるスパッタリング装置のスパッタリング用ターゲット
の接合法に関する。
スパッタリング用ターゲットは、強度を補強するため、
あるいは装置への装着を簡単とするために、多（は銅製
のバッキングブレートに接合されている。接合の方法と
しては、低融点はんだによるはんだ付けあるいは、樹脂
による接着等の方法があるが、電気伝導性、熱伝導性の
良好な前者が多く使用されている。
あるいは装置への装着を簡単とするために、多（は銅製
のバッキングブレートに接合されている。接合の方法と
しては、低融点はんだによるはんだ付けあるいは、樹脂
による接着等の方法があるが、電気伝導性、熱伝導性の
良好な前者が多く使用されている。
このはんだ付けにおいて、ターゲット材料面とはんだ材
のぬれ性が悪い場合は、これを改善するため従来、メッ
キによるターゲツト材へのメタライズが行なわれてきた
。
のぬれ性が悪い場合は、これを改善するため従来、メッ
キによるターゲツト材へのメタライズが行なわれてきた
。
また、このメタライズを施したターゲツト材を従来空気
中にて７ラツクスを用い、バッキングブレートにはんだ
付けを行なっていた。
中にて７ラツクスを用い、バッキングブレートにはんだ
付けを行なっていた。
（発明が解決しようとする間開０
しかし前述の方法にてメタライズを行なう場合ターゲッ
ト全体をメッキ液に浸すためターゲットにメッキ液の不
純物、あるいは水分が付着する。
ト全体をメッキ液に浸すためターゲットにメッキ液の不
純物、あるいは水分が付着する。
またフラックスの使用により、フラックスがターゲット
に付着する。これらの不純物は、スパッタリングにより
成膜した薄膜等の性第に悪影響を及ぼす。また水分の存
在は、スパッタリング装置の真空伏皿を悪くする。 こ
のためスパッタリング用ターゲットを使用前に洗浄乾燥
する必要が生ずる。またこの洗浄によっても特にフラッ
クスが完全に洗浄できないという問題点を生ずる。
に付着する。これらの不純物は、スパッタリングにより
成膜した薄膜等の性第に悪影響を及ぼす。また水分の存
在は、スパッタリング装置の真空伏皿を悪くする。 こ
のためスパッタリング用ターゲットを使用前に洗浄乾燥
する必要が生ずる。またこの洗浄によっても特にフラッ
クスが完全に洗浄できないという問題点を生ずる。
また、空気中においてはんだ付けを行なった場合、活性
な金屑ターゲットは、容易に酸化が進行するという問題
点を存する。
な金屑ターゲットは、容易に酸化が進行するという問題
点を存する。
そこで本発明は、このような問題点を解決するもので、
その目的とするところは、スパッタリング用ターゲット
を、簡単で清浄に接合する方法を提供するところにある
。
その目的とするところは、スパッタリング用ターゲット
を、簡単で清浄に接合する方法を提供するところにある
。
本発明のスパッタリング用ターゲットの接合法は、
（１） スパッタリング用ターゲットをパフキングプ
レートに接合する前に真空蒸着法を用いてターゲットに
メタライズを行ない、 （２） メタライズ後、フラックスを使用せず、真空あ
るいはＡｒ等の不活性雰囲気中にて加熱はんだ付けをす
ることを特徴とする。
レートに接合する前に真空蒸着法を用いてターゲットに
メタライズを行ない、 （２） メタライズ後、フラックスを使用せず、真空あ
るいはＡｒ等の不活性雰囲気中にて加熱はんだ付けをす
ることを特徴とする。
本発明の接合法を用いると、 工程中にメタライズ金属
以外の不純物または水分は付着せず、洗浄、乾燥工程は
不要となる。また、加熱はんだ付けを不活性雰囲気中に
て行なうため、ターゲツト材の酸化は起こらない。
以外の不純物または水分は付着せず、洗浄、乾燥工程は
不要となる。また、加熱はんだ付けを不活性雰囲気中に
て行なうため、ターゲツト材の酸化は起こらない。
第１図に本接合法のフローシートを示す。
まず規定の寸法に加工したターゲツト材を、佇機溶剤を
用い超音波洗浄を施す。これを乾燥した後、真空蒸着機
にて、はんだ付は面にＣｒ、及びＣｕを蒸着させる。蒸
着を施す前に雰囲気を真空とし、またターゲットを１２
０℃程度に加熱するため、ターゲットに付着している水
分、ガス等は充分に除却される。
用い超音波洗浄を施す。これを乾燥した後、真空蒸着機
にて、はんだ付は面にＣｒ、及びＣｕを蒸着させる。蒸
着を施す前に雰囲気を真空とし、またターゲットを１２
０℃程度に加熱するため、ターゲットに付着している水
分、ガス等は充分に除却される。
この様に、メタライズを施したターゲットを、０．３ｍ
ｍ程度の厚さのＩｎシートを介し銅製パフキングプレー
トに装着する。 これを真空加熱炉にセットし、雰囲気
を真空（ＩＸＩＯ”” ｔ。
ｍ程度の厚さのＩｎシートを介し銅製パフキングプレー
トに装着する。 これを真空加熱炉にセットし、雰囲気
を真空（ＩＸＩＯ”” ｔ。
ｒｒ程度）とした後に、１６０℃〜２６０℃に加熱、保
蟲しはんだ付けを行なう。加熱保温時には雰囲気は、真
空あるいはＡｒガス等の不活性雰囲気であるが、真空中
よりもＡｒ中の方がＩｎのＣＵへのぬれ性は良い。保温
後の冷却は、空気中でも良いが、表面酸化防止等を考慮
し、不活性雰囲気中でそのまま冷却を行なった。
蟲しはんだ付けを行なう。加熱保温時には雰囲気は、真
空あるいはＡｒガス等の不活性雰囲気であるが、真空中
よりもＡｒ中の方がＩｎのＣＵへのぬれ性は良い。保温
後の冷却は、空気中でも良いが、表面酸化防止等を考慮
し、不活性雰囲気中でそのまま冷却を行なった。
以上に述べたように発明によれば、スパッタリング用タ
ーゲットをパフキングプレートに接合する前に真空蒸着
法を用いてターゲットにメタライズを行ない、フラック
スを使用せず真空あるいはＡｒ等の不活性雰囲気中にて
加熱はんだ付けをすることにより、清浄なターゲットが
得られ、 洗浄、乾燥工程が省略できるという効果を有
する。
ーゲットをパフキングプレートに接合する前に真空蒸着
法を用いてターゲットにメタライズを行ない、フラック
スを使用せず真空あるいはＡｒ等の不活性雰囲気中にて
加熱はんだ付けをすることにより、清浄なターゲットが
得られ、 洗浄、乾燥工程が省略できるという効果を有
する。
第１図は本発明の接合法のフローシートを示す図である
。 以 上
。 以 上
Claims (2)
- （１）スパッタリング用ターゲットをバッキングブレー
トに接合する前に、真空蒸着法を用いてターゲットにメ
タライズすることを特徴とするスパッタリング用ターゲ
ットの接合法。 - （２）上記メタライズ後、フラックスを使用せず、真空
あるいはＡｒ等の不活性雰囲気中にて加熱はんだ付けを
することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のスパ
ッタリング用ターゲットの接合法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15201887A JPS63317667A (ja) | 1987-06-18 | 1987-06-18 | スパッタリング用タ−ゲットの接合法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15201887A JPS63317667A (ja) | 1987-06-18 | 1987-06-18 | スパッタリング用タ−ゲットの接合法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63317667A true JPS63317667A (ja) | 1988-12-26 |
Family
ID=15531260
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15201887A Pending JPS63317667A (ja) | 1987-06-18 | 1987-06-18 | スパッタリング用タ−ゲットの接合法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63317667A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5428882A (en) * | 1993-04-05 | 1995-07-04 | The Regents Of The University Of California | Process for the fabrication of aluminum metallized pyrolytic graphite sputtering targets |
| USRE41266E1 (en) | 1990-09-18 | 2010-04-27 | Lam Research Corporation | Composite electrode for plasma processes |
| WO2015008864A1 (ja) * | 2013-07-18 | 2015-01-22 | 三菱マテリアル株式会社 | シリコンターゲット構造体の製造方法およびシリコンターゲット構造体 |
-
1987
- 1987-06-18 JP JP15201887A patent/JPS63317667A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| USRE41266E1 (en) | 1990-09-18 | 2010-04-27 | Lam Research Corporation | Composite electrode for plasma processes |
| US5428882A (en) * | 1993-04-05 | 1995-07-04 | The Regents Of The University Of California | Process for the fabrication of aluminum metallized pyrolytic graphite sputtering targets |
| WO2015008864A1 (ja) * | 2013-07-18 | 2015-01-22 | 三菱マテリアル株式会社 | シリコンターゲット構造体の製造方法およびシリコンターゲット構造体 |
| JP6068642B2 (ja) * | 2013-07-18 | 2017-01-25 | 三菱マテリアル電子化成株式会社 | シリコンターゲット構造体の製造方法およびシリコンターゲット構造体 |
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