JPS5956971A - スパツタリング用タ−ゲツトの製造方法 - Google Patents
スパツタリング用タ−ゲツトの製造方法Info
- Publication number
- JPS5956971A JPS5956971A JP16816882A JP16816882A JPS5956971A JP S5956971 A JPS5956971 A JP S5956971A JP 16816882 A JP16816882 A JP 16816882A JP 16816882 A JP16816882 A JP 16816882A JP S5956971 A JPS5956971 A JP S5956971A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- sputtering
- holder
- target material
- soft
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K1/00—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
- B23K1/20—Preliminary treatment of work or areas to be soldered, e.g. in respect of a galvanic coating
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
木発明は、スパンタリング用ターゲ・ノドの製造方法に
関するものである。
関するものである。
スパッタリング方式には、直流二極スパンタリング、Ａ
ＫＪ波スパッタリング、マグネトロンスノ寸ツタリング
なとがあり、いずれも被膜形成物質であるターゲツト材
法いている。このターゲットは、ステンレス鋼や鉄合金
などのターゲ・ノドホルダーに金属や合金よりなるター
ゲット材が接合されている。従来このようなターゲット
を製造するには、軟ろう材をはさんでターゲツト材とタ
ーゲットホルダーを押圧して固定し真空中で加熱接合し
ていた。このようにして製造されたターゲソＩ・材はΔ
ｒイオンなどの衝突で発熱し、またターゲットホルダー
が冷却水で冷却されている。しかしながら従来の製造方
法では、ターゲット材やクーゲノトホルクーの接合面を
接合時に活性化しておくことが困ｆｆ１ｌｔなためＰ
ｂ −Ｓ ｎ基合金などの軟ろう材にＺｎ。
ＫＪ波スパッタリング、マグネトロンスノ寸ツタリング
なとがあり、いずれも被膜形成物質であるターゲツト材
法いている。このターゲットは、ステンレス鋼や鉄合金
などのターゲ・ノドホルダーに金属や合金よりなるター
ゲット材が接合されている。従来このようなターゲット
を製造するには、軟ろう材をはさんでターゲツト材とタ
ーゲットホルダーを押圧して固定し真空中で加熱接合し
ていた。このようにして製造されたターゲソＩ・材はΔ
ｒイオンなどの衝突で発熱し、またターゲットホルダー
が冷却水で冷却されている。しかしながら従来の製造方
法では、ターゲット材やクーゲノトホルクーの接合面を
接合時に活性化しておくことが困ｆｆ１ｌｔなためＰ
ｂ −Ｓ ｎ基合金などの軟ろう材にＺｎ。
Ｓｂ、Ｓｉ、Ｃｄ等の活性化金属を添加して接合面の活
性化が図られていた。それでも、ターゲラ１材とターゲ
ットボルダ−材を同時に活性化することが困ｆｅｌｔて
あり、かつ軟ろう材がターゲツト材やターゲットホルダ
ー材とのなじみが悪いため接合面を均一に活性化するこ
とが困難であった。そのため、スパッタリング用ターケ
ソトとしで使用した場合接合が完全にされていない空隙
部分で電磁力線の乱れが生じ異常発熱や異常消耗したり
、空隙部分が溶融したりするという欠点があった。
性化が図られていた。それでも、ターゲラ１材とターゲ
ットボルダ−材を同時に活性化することが困ｆｅｌｔて
あり、かつ軟ろう材がターゲツト材やターゲットホルダ
ー材とのなじみが悪いため接合面を均一に活性化するこ
とが困難であった。そのため、スパッタリング用ターケ
ソトとしで使用した場合接合が完全にされていない空隙
部分で電磁力線の乱れが生じ異常発熱や異常消耗したり
、空隙部分が溶融したりするという欠点があった。
本発明は上記欠点にかんがみなされたものであり、気泡
の巻き込みのないスパッタリング用ターケソＩ・を提供
するものである。
の巻き込みのないスパッタリング用ターケソＩ・を提供
するものである。
本発明は、ターゲツト材をターゲットホルダーに軟ろう
材を介して接合するスパッタリング用ターゲソＩ・の製
造方法において、あらかじめターゲツト材とターゲット
ホルダーの接合面に軟ろう材に可溶の金属被膜を形成し
、その後軟ろう材をはさんで加熱し、ターケラト材また
はターケン１−ホルダーの自重により接合することを特
徴とするスパッタリンク用ターケットの製造方法である
。
材を介して接合するスパッタリング用ターゲソＩ・の製
造方法において、あらかじめターゲツト材とターゲット
ホルダーの接合面に軟ろう材に可溶の金属被膜を形成し
、その後軟ろう材をはさんで加熱し、ターケラト材また
はターケン１−ホルダーの自重により接合することを特
徴とするスパッタリンク用ターケットの製造方法である
。
本発明において、あらかしめターゲツト材とターゲット
ホルダーの接合面に軟ろう材に可溶の金属被膜を形成し
ておくのは、この被膜によりターゲツト材およびターゲ
ットホルダーの接合面を清浄に保ち、かつ軟ろう材を溶
かしたときに軟ろう材がこの被膜に沿って拡がり、この
被膜成分が軟ろう材中に溶けこむための結果として軟ろ
う材となじみの悪いターゲツト材やターゲットホルダー
の接合を完全にするためである。
ホルダーの接合面に軟ろう材に可溶の金属被膜を形成し
ておくのは、この被膜によりターゲツト材およびターゲ
ットホルダーの接合面を清浄に保ち、かつ軟ろう材を溶
かしたときに軟ろう材がこの被膜に沿って拡がり、この
被膜成分が軟ろう材中に溶けこむための結果として軟ろ
う材となじみの悪いターゲツト材やターゲットホルダー
の接合を完全にするためである。
また、ターゲツト材やターゲットホルダーの材質が軟ろ
う材に可溶の成分たとえばＰｂ−８ｎ系はんだに対して
Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔなどのターゲツト材を用いる場合、接
合面の境界層が不均一になるので、Ｆｅなど軟ろう材に
不溶の金属被膜を形成しておくことが好ましい。
う材に可溶の成分たとえばＰｂ−８ｎ系はんだに対して
Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔなどのターゲツト材を用いる場合、接
合面の境界層が不均一になるので、Ｆｅなど軟ろう材に
不溶の金属被膜を形成しておくことが好ましい。
ターゲツト材やターゲットボルダ−の被膜は通常の湿式
めっきや乾式めっきによりえられるが、その被膜を軟ろ
う材に溶かして接合するため被膜とターゲット材やター
ゲットボルダ−とが、強固に接合していることが必要で
イオンプレ−テインク法により被膜粒子をターゲツト材
表面に食い込ませておくことが望ましい。
めっきや乾式めっきによりえられるが、その被膜を軟ろ
う材に溶かして接合するため被膜とターゲット材やター
ゲットボルダ−とが、強固に接合していることが必要で
イオンプレ−テインク法により被膜粒子をターゲツト材
表面に食い込ませておくことが望ましい。
以下、実施例及び従来例について説明する。
直径３０ ｃｍφ、厚さ５ ｃｍのステンレス鋼よりな
るターゲットホルダーに銅を１ミクロンイオンブレーテ
ィングした。次に、直径３Ｑｃｍφ、厚さ１ｃｍの金よ
りなるターゲツト材に鉄を１００ミフロンイオンブレー
テインクた後を同を１ミクロンイオンブレーティングし
た。次にこのターゲツト材とターゲットホルダーの間に
直径３Ｑｃｍφ、厚さ０．５鮒のＰ ｂ −Ｓ ｎ共晶
はんだをはさみ大気中３００°Ｃで５分間保持しターゲ
ットの自重で接合した。
るターゲットホルダーに銅を１ミクロンイオンブレーテ
ィングした。次に、直径３Ｑｃｍφ、厚さ１ｃｍの金よ
りなるターゲツト材に鉄を１００ミフロンイオンブレー
テインクた後を同を１ミクロンイオンブレーティングし
た。次にこのターゲツト材とターゲットホルダーの間に
直径３Ｑｃｍφ、厚さ０．５鮒のＰ ｂ −Ｓ ｎ共晶
はんだをはさみ大気中３００°Ｃで５分間保持しターゲ
ットの自重で接合した。
銅被膜を用いない以外実施例と同様にしてターゲットホ
ルダーにターゲツト材を接合した。
ルダーにターゲツト材を接合した。
」二記実施例と従来例で作成したターゲットを透１ｆｆ
ｉ Ｘ線で観察した。第１図はこの透過Ｘ線横弐図てａ
は実施例を、ｂは従来例を示す。第１図からあきらかな
ように実施例は全く空隙がないのに対し、従来例は空隙
があることがわかる。
ｉ Ｘ線で観察した。第１図はこの透過Ｘ線横弐図てａ
は実施例を、ｂは従来例を示す。第１図からあきらかな
ように実施例は全く空隙がないのに対し、従来例は空隙
があることがわかる。
次に、実施例と従来例で作成したターゲットを切断して
接合面を観察したところ、いずれも８１・銅被膜は観察
されず、また鉄被膜によりＰ ｂ −Ｓ ｎ共晶はんだ
は金中に侵入していなかった。しかし、従来例の接合面
はところどころはんだがのっていないところが観察され
た。
接合面を観察したところ、いずれも８１・銅被膜は観察
されず、また鉄被膜によりＰ ｂ −Ｓ ｎ共晶はんだ
は金中に侵入していなかった。しかし、従来例の接合面
はところどころはんだがのっていないところが観察され
た。
以上詳述したように本発明のスパンタリング用ターケソ
トの製造方法によれば全く空隙のないターゲットが容易
に製造できスパックリングしたときも異常発熱や異常消
耗しないことがうかがわれる。また、軟ろう材中への可
溶な金属被膜のとけこみも微量であるのではんだの接合
性を阻害することもない。
トの製造方法によれば全く空隙のないターゲットが容易
に製造できスパックリングしたときも異常発熱や異常消
耗しないことがうかがわれる。また、軟ろう材中への可
溶な金属被膜のとけこみも微量であるのではんだの接合
性を阻害することもない。
第１図は透過Ｘ線模式図でａは実施例、ｂは従来例を示
す。 ■−空隙 出願人 口）中貴金属工業株式会社 第１図
す。 ■−空隙 出願人 口）中貴金属工業株式会社 第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）ターゲツト材をターゲットホルダーに軟ろう材を
介して接合するスパッタリング用ターゲットの製造方法
において、あらかじめターゲツト材とターゲットボルダ
−の接合面に軟ろう材に可溶の金属被膜を形成し、その
後軟ろう材をはさんで加熱し、ターゲツト材またはター
ゲットホルダーの自重により接合することを特徴とする
スパッタリング用ターゲットの製造方法。 （２、特許請求の範囲第１項記載の製造方法において、
ターゲツト材またはターゲットホルダーがその接合面に
軟ろう材に不溶の金属被膜を有していることを特徴とす
るスパッタリング用ターゲットの製造方法。 （３）特許請求の範囲第１項又は第２項記載の製造方法
において、貴金属又は貴金属合金板の一面に鉄族元素が
被覆されたターゲツト材と鉄又は鉄合金板のターゲット
ホルダーの接合面に銅を被覆し、Ｐｂ−３ｎ共晶ハンダ
を用いて接合することを特徴とするスパッタリング用タ
ーゲ・ノドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16816882A JPS5956971A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | スパツタリング用タ−ゲツトの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16816882A JPS5956971A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | スパツタリング用タ−ゲツトの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5956971A true JPS5956971A (ja) | 1984-04-02 |
| JPH0140711B2 JPH0140711B2 (ja) | 1989-08-30 |
Family
ID=15863059
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16816882A Granted JPS5956971A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | スパツタリング用タ−ゲツトの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5956971A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61127861A (ja) * | 1984-11-26 | 1986-06-16 | Mitsubishi Metal Corp | スパツタリング用金タ−ゲツト |
| JPS6228063A (ja) * | 1985-07-26 | 1987-02-06 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | スパツタリング用タ−ゲツトの製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5074534A (ja) * | 1973-10-27 | 1975-06-19 | ||
| JPS5488885A (en) * | 1977-12-26 | 1979-07-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Insulator target for sputtering device |
| JPS5597472A (en) * | 1979-01-16 | 1980-07-24 | Murata Mfg Co Ltd | Target for sputtering |
| JPS5633476A (en) * | 1979-08-21 | 1981-04-03 | Siemens Ag | Fixing of target material |
-
1982
- 1982-09-27 JP JP16816882A patent/JPS5956971A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5074534A (ja) * | 1973-10-27 | 1975-06-19 | ||
| JPS5488885A (en) * | 1977-12-26 | 1979-07-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Insulator target for sputtering device |
| JPS5597472A (en) * | 1979-01-16 | 1980-07-24 | Murata Mfg Co Ltd | Target for sputtering |
| JPS5633476A (en) * | 1979-08-21 | 1981-04-03 | Siemens Ag | Fixing of target material |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61127861A (ja) * | 1984-11-26 | 1986-06-16 | Mitsubishi Metal Corp | スパツタリング用金タ−ゲツト |
| JPH0355548B2 (ja) * | 1984-11-26 | 1991-08-23 | ||
| JPS6228063A (ja) * | 1985-07-26 | 1987-02-06 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | スパツタリング用タ−ゲツトの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0140711B2 (ja) | 1989-08-30 |
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