JPH0355548B2 - - Google Patents
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- JPH0355548B2 JPH0355548B2 JP59249229A JP24922984A JPH0355548B2 JP H0355548 B2 JPH0355548 B2 JP H0355548B2 JP 59249229 A JP59249229 A JP 59249229A JP 24922984 A JP24922984 A JP 24922984A JP H0355548 B2 JPH0355548 B2 JP H0355548B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/02—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material
- C23C28/023—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material only coatings of metal elements only
-
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- C23C14/34—Sputtering
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
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- C23C28/028—Including graded layers in composition or in physical properties, e.g. density, porosity, grain size
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
〔産業上の利用分野〕
この発明は、スパツタリング用金ターゲツトに
関する。 〔従来の技術〕 一般に金ターゲツトを用いてスパツタリングを
行う場合には、金ターゲツトに発生する多量の熱
を逃がすために、金ターゲツトをバツキングプレ
ートにろう付け接合するようにしている。この場
合、金ターゲツトをバツキングプレートに直接ろ
う付け接合すると、鉛、錫等のろう材が金ターゲ
ツトに浸透、拡散し、（このような浸透、拡散す
る性質を、この明細書においては、固相溶解性と
いう。）金ターゲツトの品質が損なわれてしまう。 そこで、従来の金ターゲツトにおいては、バツ
キングプレートに対する接合面に金との固相溶解
性が低いニツケルのメツキ層を形成し、このメツ
キ層によつてろう材の金ターゲツトに対する浸
透、拡散を防止するようにしている。 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかしながら、ニツケルメツキ層を有する金タ
ーゲツトにおいては、ニツケルの熱伝達性が比較
的低いため、金ターゲツトからバツキングプレー
トへ伝達される熱量が減少し、この結果金ターゲ
ツトの温度が上昇してろう材が溶融し、金ターゲ
ツトがバツキングプレートから剥離してしまう等
の問題があつた。 〔発明の目的〕 この発明は、上記問題を解決するためになされ
たもので、ろう材の金ターゲツトに対する浸透、
拡散を防止することができるのは勿論のこと、放
熱率の向上を図ることができるスパツタリング用
金ターゲツトを提供することを目的とする。 〔発明の構成〕 この発明は、上記の目的を達成するために、金
ターゲツトのバツキングプレートに対するターゲ
ツト本体の接合面に、金との固相溶解性が低い金
属からなる第１の被覆層と、この第１の被覆層の
表面にこの第１の被覆層を構成する金属より熱伝
達性の高い金属からなる第２の被覆層とを順次形
成し、しかも第１の被覆層の層厚T1第２の被覆
層の層厚T2、これら両被覆層の総和T3をそれぞ
れ次のように設定したものである。 3μ≦T1≦50μ 3μ≦T2≦250μ 15μ≦T3≦300μ 〔実施例〕 以下、この発明の一実施例について第１図およ
び第２図を参照して説明する。なお。第１図はこ
の発明に係る金ターゲツトの拡大断面図、第２図
はその平面図である。 第１図に示すように、この金ターゲツト１は、
金（Au）からなるターゲツト本体２と、このタ
ーゲツト本体２のバツキングプレートＡ側の面に
順次形成された第１の被覆層３および第２の被覆
層４とから構成されている。なお、図中符号Ｂは
金ターゲツト１をバツキングプレートＡに接合す
るためのろう層であつて、その材質としては、錫
（Sn）鉛（Pb）等が用いられている。 前記第１の被覆層３は、ろう層Ｂを構成する金
属がターゲツト本体２に浸透、拡散するのを防止
するためのものであつて、ニツケル（Ni）、鉄
（Fe）、コバルト（Co）等から構成されている。 この第１の被覆層３の厚さは、従来の金ターゲ
ツトと同様にスパツタ出力に応じて決定される
が、従来の金ターゲツトにおける被覆層よりも薄
く形成されるべきであり、その層厚T1は３〜50μ
に設定されている。これは層厚T1を3μより薄く
した場合には、ろう材のターゲツト本体２への浸
透、拡散を防止し得なくなるおそれがあり、他方
層T1を50μより厚くした場合には、例えばスパツ
タ出力を10W／cm3以上にしたとき金ターゲツト１
の温度が上昇し、実用に供し得なくなることがあ
るからである。なお、第１の被覆層３の形成法と
しては、メツキ法、蒸着法あるいはスパツタリン
グ法等がある。 また、前記第２の被覆層４であるが、これは金
ターゲツト１からバツキングプレートＡへの伝達
熱量の増大を図るために、いわば従来の金ターゲ
ツトの被覆層の一部に代えて形成されたものであ
る。すなわち、従来の金ターゲツトのように、ニ
ツケルからなる単一の被覆層を形成した場合に
は、ニツケルの熱伝達性が低いため、金ターゲツ
トの放熱量が減少してしまう。そこで、この発明
の金ターゲツト１においては、第１の被覆層３を
従来のものの被覆層より薄くし、その分熱伝達性
の高い第２の被覆層４を形成することにより、タ
ーゲツト本体２からバツキンググレートＡへの伝
達熱量の増大を図つている。この場合、第２の被
覆層４を構成する金属としては銅（Cu）、銅合金
あるいは銀（Ag）等が用いられるものであるが、
それらの金属はニツケルよりも固相溶解性が高い
ので、第２の被覆層４の層厚T2は、第１の被覆
層３と従来の金ターゲツトにおける被覆層との層
厚の差よりも厚くされており、３〜250μに設定
されている。これは、層厚T2を3μより薄くした
場合には、第１の被覆層が相対的に厚くなり、第
２の被覆層４を形成する意義が失われ、他方
250μより厚くすると、経済性が悪化するからで
ある。なお、第２の被覆層４の形成法としては、
メツキ法、蒸着法あるいはスパツタリング法があ
る。 また、これら第１および第２の被覆層３，４の
総和T3であるが、これはスパツタ出力、ろう材
のターゲツト本体２への浸透、拡散の防止および
熱伝達性を考慮し、第１および第２の被覆層３，
４の各層厚T1，T2との関連において決定される。
具体的には、15μ≦T3≦300μに設定される。 しかして、上記の金ターゲツト１においては、
ろう層Ｂを構成する金属のターゲツト本体１への
浸透、拡散を、第１および第２の被覆層３，４に
よつて防止することができる。また、第１の被覆
層３の層厚を第２の被覆層４の分だけ薄くするこ
とができ、しかも第２の被覆層４を熱伝達性の高
い金属によつて構成しているから、ターゲツト本
体１からバツキングプレートＡへの伝達熱量の増
大を図ることができる。 〔実施例〕 次に、この発明に係る金ターゲツトの効果を確
認するために行つた実験例を紹介する。この実験
では、スパツタ中における金ターゲツトのバツキ
ングプレートからの剥離およびろう材のターゲツ
ト本体への浸透、拡散の有無について調べた。な
お、第１、第２の被覆層をそれぞれ構成する金属
としては、ニツケル、銅とし、この発明の金ター
ゲツトを次のようにして製造した。 まず、ターゲツト本体（203φ×6t）の表面を
ゴム糸のマスキング材等によつてマスキングし、
裏面（メツキする面）をトリクレンで脱脂した。
次に、このターゲツト本体に塩化ニツケル液中で
ニツケルメツキ（電流密度5A／ｄcm2）によつて
第１の被覆層を形成し、続いて硫酸銅液中で銅メ
ツキ（電流密度5A／ｄcm2）によつて第２の被覆
層を形成し、その後マスキング材を剥離した。こ
のようにして製造された金ターゲツトを銅製のバ
ツキングプレート（250φ×10t）にろう材として
錫を用いてろう付けした。 実験の結果を第１表・第２表・第３図に示す。 第１表は諸々の数値を変えた場合の実験結果を
示す。第２表は一定出力をかけた場合のターゲツ
トの剥離個数を示す。第３図はどの程度の出力で
剥離するかをテストした平均値の分布を示すもの
である。これらの実験結果は、3μ前後を境とし
てターゲツト材の剥離防止がなされることを如実
に示している。
関する。 〔従来の技術〕 一般に金ターゲツトを用いてスパツタリングを
行う場合には、金ターゲツトに発生する多量の熱
を逃がすために、金ターゲツトをバツキングプレ
ートにろう付け接合するようにしている。この場
合、金ターゲツトをバツキングプレートに直接ろ
う付け接合すると、鉛、錫等のろう材が金ターゲ
ツトに浸透、拡散し、（このような浸透、拡散す
る性質を、この明細書においては、固相溶解性と
いう。）金ターゲツトの品質が損なわれてしまう。 そこで、従来の金ターゲツトにおいては、バツ
キングプレートに対する接合面に金との固相溶解
性が低いニツケルのメツキ層を形成し、このメツ
キ層によつてろう材の金ターゲツトに対する浸
透、拡散を防止するようにしている。 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかしながら、ニツケルメツキ層を有する金タ
ーゲツトにおいては、ニツケルの熱伝達性が比較
的低いため、金ターゲツトからバツキングプレー
トへ伝達される熱量が減少し、この結果金ターゲ
ツトの温度が上昇してろう材が溶融し、金ターゲ
ツトがバツキングプレートから剥離してしまう等
の問題があつた。 〔発明の目的〕 この発明は、上記問題を解決するためになされ
たもので、ろう材の金ターゲツトに対する浸透、
拡散を防止することができるのは勿論のこと、放
熱率の向上を図ることができるスパツタリング用
金ターゲツトを提供することを目的とする。 〔発明の構成〕 この発明は、上記の目的を達成するために、金
ターゲツトのバツキングプレートに対するターゲ
ツト本体の接合面に、金との固相溶解性が低い金
属からなる第１の被覆層と、この第１の被覆層の
表面にこの第１の被覆層を構成する金属より熱伝
達性の高い金属からなる第２の被覆層とを順次形
成し、しかも第１の被覆層の層厚T1第２の被覆
層の層厚T2、これら両被覆層の総和T3をそれぞ
れ次のように設定したものである。 3μ≦T1≦50μ 3μ≦T2≦250μ 15μ≦T3≦300μ 〔実施例〕 以下、この発明の一実施例について第１図およ
び第２図を参照して説明する。なお。第１図はこ
の発明に係る金ターゲツトの拡大断面図、第２図
はその平面図である。 第１図に示すように、この金ターゲツト１は、
金（Au）からなるターゲツト本体２と、このタ
ーゲツト本体２のバツキングプレートＡ側の面に
順次形成された第１の被覆層３および第２の被覆
層４とから構成されている。なお、図中符号Ｂは
金ターゲツト１をバツキングプレートＡに接合す
るためのろう層であつて、その材質としては、錫
（Sn）鉛（Pb）等が用いられている。 前記第１の被覆層３は、ろう層Ｂを構成する金
属がターゲツト本体２に浸透、拡散するのを防止
するためのものであつて、ニツケル（Ni）、鉄
（Fe）、コバルト（Co）等から構成されている。 この第１の被覆層３の厚さは、従来の金ターゲ
ツトと同様にスパツタ出力に応じて決定される
が、従来の金ターゲツトにおける被覆層よりも薄
く形成されるべきであり、その層厚T1は３〜50μ
に設定されている。これは層厚T1を3μより薄く
した場合には、ろう材のターゲツト本体２への浸
透、拡散を防止し得なくなるおそれがあり、他方
層T1を50μより厚くした場合には、例えばスパツ
タ出力を10W／cm3以上にしたとき金ターゲツト１
の温度が上昇し、実用に供し得なくなることがあ
るからである。なお、第１の被覆層３の形成法と
しては、メツキ法、蒸着法あるいはスパツタリン
グ法等がある。 また、前記第２の被覆層４であるが、これは金
ターゲツト１からバツキングプレートＡへの伝達
熱量の増大を図るために、いわば従来の金ターゲ
ツトの被覆層の一部に代えて形成されたものであ
る。すなわち、従来の金ターゲツトのように、ニ
ツケルからなる単一の被覆層を形成した場合に
は、ニツケルの熱伝達性が低いため、金ターゲツ
トの放熱量が減少してしまう。そこで、この発明
の金ターゲツト１においては、第１の被覆層３を
従来のものの被覆層より薄くし、その分熱伝達性
の高い第２の被覆層４を形成することにより、タ
ーゲツト本体２からバツキンググレートＡへの伝
達熱量の増大を図つている。この場合、第２の被
覆層４を構成する金属としては銅（Cu）、銅合金
あるいは銀（Ag）等が用いられるものであるが、
それらの金属はニツケルよりも固相溶解性が高い
ので、第２の被覆層４の層厚T2は、第１の被覆
層３と従来の金ターゲツトにおける被覆層との層
厚の差よりも厚くされており、３〜250μに設定
されている。これは、層厚T2を3μより薄くした
場合には、第１の被覆層が相対的に厚くなり、第
２の被覆層４を形成する意義が失われ、他方
250μより厚くすると、経済性が悪化するからで
ある。なお、第２の被覆層４の形成法としては、
メツキ法、蒸着法あるいはスパツタリング法があ
る。 また、これら第１および第２の被覆層３，４の
総和T3であるが、これはスパツタ出力、ろう材
のターゲツト本体２への浸透、拡散の防止および
熱伝達性を考慮し、第１および第２の被覆層３，
４の各層厚T1，T2との関連において決定される。
具体的には、15μ≦T3≦300μに設定される。 しかして、上記の金ターゲツト１においては、
ろう層Ｂを構成する金属のターゲツト本体１への
浸透、拡散を、第１および第２の被覆層３，４に
よつて防止することができる。また、第１の被覆
層３の層厚を第２の被覆層４の分だけ薄くするこ
とができ、しかも第２の被覆層４を熱伝達性の高
い金属によつて構成しているから、ターゲツト本
体１からバツキングプレートＡへの伝達熱量の増
大を図ることができる。 〔実施例〕 次に、この発明に係る金ターゲツトの効果を確
認するために行つた実験例を紹介する。この実験
では、スパツタ中における金ターゲツトのバツキ
ングプレートからの剥離およびろう材のターゲツ
ト本体への浸透、拡散の有無について調べた。な
お、第１、第２の被覆層をそれぞれ構成する金属
としては、ニツケル、銅とし、この発明の金ター
ゲツトを次のようにして製造した。 まず、ターゲツト本体（203φ×6t）の表面を
ゴム糸のマスキング材等によつてマスキングし、
裏面（メツキする面）をトリクレンで脱脂した。
次に、このターゲツト本体に塩化ニツケル液中で
ニツケルメツキ（電流密度5A／ｄcm2）によつて
第１の被覆層を形成し、続いて硫酸銅液中で銅メ
ツキ（電流密度5A／ｄcm2）によつて第２の被覆
層を形成し、その後マスキング材を剥離した。こ
のようにして製造された金ターゲツトを銅製のバ
ツキングプレート（250φ×10t）にろう材として
錫を用いてろう付けした。 実験の結果を第１表・第２表・第３図に示す。 第１表は諸々の数値を変えた場合の実験結果を
示す。第２表は一定出力をかけた場合のターゲツ
トの剥離個数を示す。第３図はどの程度の出力で
剥離するかをテストした平均値の分布を示すもの
である。これらの実験結果は、3μ前後を境とし
てターゲツト材の剥離防止がなされることを如実
に示している。
【表】
【表】
以上説明したように、この発明のスパツタリン
グ用金ターゲツトによれば、ターゲツト本体のバ
ツキングプレートに対するターゲツト本体の接合
面に、金との固相溶解性が低い金属からなる第１
の被覆層と、この第１の被覆層の表面にこの第１
の被覆層を構成する金属より熱伝達性の高い金属
からなる第２の被覆層を形成するようにしている
から、ターゲツト本体に対するろう材の浸透、拡
散を防止することができ、しかもターゲツト本体
からパツキングプレートへの伝達熱量の増大を図
つて、ターゲツト本体の剥離を防止することがで
きる等の効果が得られる。
グ用金ターゲツトによれば、ターゲツト本体のバ
ツキングプレートに対するターゲツト本体の接合
面に、金との固相溶解性が低い金属からなる第１
の被覆層と、この第１の被覆層の表面にこの第１
の被覆層を構成する金属より熱伝達性の高い金属
からなる第２の被覆層を形成するようにしている
から、ターゲツト本体に対するろう材の浸透、拡
散を防止することができ、しかもターゲツト本体
からパツキングプレートへの伝達熱量の増大を図
つて、ターゲツト本体の剥離を防止することがで
きる等の効果が得られる。
第１図および第２図はこの発明の一実施例を示
し、第１図はその拡大断面図、第２図はその平面
図、第３図はどの程度の出力で剥離するかをテス
トした平均値の分布を示す図である。 １……金ターゲツト、２……ターゲツト本体、
３……第１の被覆層、４……第２の被覆層、Ａ…
…バツキングプレート、Ｂ……ろう層。
し、第１図はその拡大断面図、第２図はその平面
図、第３図はどの程度の出力で剥離するかをテス
トした平均値の分布を示す図である。 １……金ターゲツト、２……ターゲツト本体、
３……第１の被覆層、４……第２の被覆層、Ａ…
…バツキングプレート、Ｂ……ろう層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ バツキングプレートにろう付け接合されて用
いられるスパツタリング用金ターゲツトであつ
て、前記バツキングプレートに対するターゲツト
本体の接合面に、金との固相溶解性が低い金属か
らなる第１の被覆層と、この第１の被覆層の表面
にこの第１の被覆層を構成する金属より熱伝達性
の高い金属からなる第２の被覆層とを順次形成
し、しかも第１の被覆層の層厚T1、第２の被覆
層の層厚T2、両被覆層の総和T3をそれぞれ次の
ように設定したことを特徴とするスパツタリング
用金ターゲツト。 3μ≦T1≦50μ 3μ≦T2≦250μ 15μ≦T3≦300μ
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24922984A JPS61127861A (ja) | 1984-11-26 | 1984-11-26 | スパツタリング用金タ−ゲツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24922984A JPS61127861A (ja) | 1984-11-26 | 1984-11-26 | スパツタリング用金タ−ゲツト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61127861A JPS61127861A (ja) | 1986-06-16 |
| JPH0355548B2 true JPH0355548B2 (ja) | 1991-08-23 |
Family
ID=17189838
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24922984A Granted JPS61127861A (ja) | 1984-11-26 | 1984-11-26 | スパツタリング用金タ−ゲツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61127861A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63270460A (ja) * | 1987-04-27 | 1988-11-08 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | スパツタリング・タ−ゲツト |
| CN109196137B (zh) * | 2016-06-02 | 2021-11-30 | 田中贵金属工业株式会社 | 金溅射靶 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5956971A (ja) * | 1982-09-27 | 1984-04-02 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | スパツタリング用タ−ゲツトの製造方法 |
-
1984
- 1984-11-26 JP JP24922984A patent/JPS61127861A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5956971A (ja) * | 1982-09-27 | 1984-04-02 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | スパツタリング用タ−ゲツトの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61127861A (ja) | 1986-06-16 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |