JPH10163404A - Ｂｇａ用入出力端子 - Google Patents
Ｂｇａ用入出力端子Info
- Publication number
- JPH10163404A JPH10163404A JP33750296A JP33750296A JPH10163404A JP H10163404 A JPH10163404 A JP H10163404A JP 33750296 A JP33750296 A JP 33750296A JP 33750296 A JP33750296 A JP 33750296A JP H10163404 A JPH10163404 A JP H10163404A
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- JP
- Japan
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- ball
- pad
- solder
- layer
- plating layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3431—Leadless components
- H05K3/3436—Leadless components having an array of bottom contacts, e.g. pad grid array or ball grid array components
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＢＧＡ用入出力端子のＣｕパッドに、めっき
用の配線が不要な無電解めっき法によるＮｉめっき層を
介して、Ａｕめっき層を表面に被覆した場合に、ハンダ
ボールの装着時に、その接合強度が低下するという問題
を解消し、すぐれた接合強度を発揮できる構成からなる
ＢＧＡ用入出力端子の提供。 【解決手段】 Ｃｕパッド表面に無電解めっき法により
Ｐ含有のＮｉめっき層を形成後、さらに無電解めっき法
によりＡｕめっき層を形成したＣｕパッド上に、従来の
ハンダボールの換わりにハンダめっきＣｕボールを装着
することにより、すぐれた接合強度の入出力端子が得ら
れる。
用の配線が不要な無電解めっき法によるＮｉめっき層を
介して、Ａｕめっき層を表面に被覆した場合に、ハンダ
ボールの装着時に、その接合強度が低下するという問題
を解消し、すぐれた接合強度を発揮できる構成からなる
ＢＧＡ用入出力端子の提供。 【解決手段】 Ｃｕパッド表面に無電解めっき法により
Ｐ含有のＮｉめっき層を形成後、さらに無電解めっき法
によりＡｕめっき層を形成したＣｕパッド上に、従来の
ハンダボールの換わりにハンダめっきＣｕボールを装着
することにより、すぐれた接合強度の入出力端子が得ら
れる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】半導体パッケージに使用され
るＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）用入出力
端子に係り、無電解めっき法により表面処理したＣｕパ
ッドにハンダめっき層を被覆したＣｕボールを装着し、
すぐれた接合強度を有するＢＧＡ用入出力端子に関す
る。
るＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）用入出力
端子に係り、無電解めっき法により表面処理したＣｕパ
ッドにハンダめっき層を被覆したＣｕボールを装着し、
すぐれた接合強度を有するＢＧＡ用入出力端子に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体パッケージはますます高密度化、
小型化され、これに伴ってＢＧＡ用入出力端子は今後、
ますます増加する傾向にある。
小型化され、これに伴ってＢＧＡ用入出力端子は今後、
ますます増加する傾向にある。
【０００３】従来、ＢＧＡ用入出力端子は、表面処理と
してＮｉめっき層を介してＡｕめっき層を表面に被覆し
たＣｕパッド上に、Ｃｕ−Ｐｂ系、Ｓｎ−Ｐｂ−Ａｇ系
ハンダボールが装着され、プラスチック基板表面に配設
された溝部に固着されている。
してＮｉめっき層を介してＡｕめっき層を表面に被覆し
たＣｕパッド上に、Ｃｕ−Ｐｂ系、Ｓｎ−Ｐｂ−Ａｇ系
ハンダボールが装着され、プラスチック基板表面に配設
された溝部に固着されている。
【０００４】前記Ｃｕパッド表面に被覆されるＮｉめっ
き層及びＡｕめっき層は共に電解めっき法により形成さ
れている。この電解めっき法ではめっき用の配線が必要
であるが、前記配線は最終製品では不要となり、前記不
要配線が存在することにより、要求されるファインピッ
チ化が困難となる等の問題がある。
き層及びＡｕめっき層は共に電解めっき法により形成さ
れている。この電解めっき法ではめっき用の配線が必要
であるが、前記配線は最終製品では不要となり、前記不
要配線が存在することにより、要求されるファインピッ
チ化が困難となる等の問題がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】そこで表面処理として
は、無電解めっき法の適用が考えられているが、めっき
用の配線が不要な無電解めっき法によるＮｉめっき層を
介して、Ａｕめっき層を表面に被覆したＣｕパッド上
に、前記ハンダボールを装着した入出力端子の場合は、
従来の電解めっき法により得られたＮｉめっき層を介し
てＡｕめっき層を被覆したＣｕパッド上に、前記ハンダ
ボールを装着した入出力端子の場合に比し、接合強度が
小さいという問題があった。
は、無電解めっき法の適用が考えられているが、めっき
用の配線が不要な無電解めっき法によるＮｉめっき層を
介して、Ａｕめっき層を表面に被覆したＣｕパッド上
に、前記ハンダボールを装着した入出力端子の場合は、
従来の電解めっき法により得られたＮｉめっき層を介し
てＡｕめっき層を被覆したＣｕパッド上に、前記ハンダ
ボールを装着した入出力端子の場合に比し、接合強度が
小さいという問題があった。
【０００６】この発明は、ＢＧＡ用入出力端子のＣｕパ
ッドに、めっき用の配線が不要な無電解めっき法による
Ｎｉめっき層を介して、Ａｕめっき層を表面に被覆した
場合、ハンダめっき層を被覆したＣｕボールの装着時
に、その接合強度が低下するという問題を解消し、すぐ
れた接合強度を発揮できる構成からなるＢＧＡ用入出力
端子の提供を目的としている。
ッドに、めっき用の配線が不要な無電解めっき法による
Ｎｉめっき層を介して、Ａｕめっき層を表面に被覆した
場合、ハンダめっき層を被覆したＣｕボールの装着時
に、その接合強度が低下するという問題を解消し、すぐ
れた接合強度を発揮できる構成からなるＢＧＡ用入出力
端子の提供を目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】発明者は、接合強度の低
下の理由を種々検討した結果、無電解めっき法により表
面処理したＣｕパッドとハンダボールを装着時の溶着に
おいて、Ｃｕパッド表面の無電解めっき法により得られ
たＰ含有Ｎｉめっき層上に成膜したＡｕめっき層のＡｕ
はハンダボール中に拡散するとともに、前記Ｐ含有Ｎｉ
もハンダボール中のＳｎとＮｉ−Ｓｎ化合物を生成し、
前記Ｎｉの移動に伴ってＮｉめっき層に含まれるＰの表
面濃度が異常に高くなることを線分析法により知見し、
このＰの表面濃度の異常に高く濃化して、接合強度の低
下を招来することを知見した。
下の理由を種々検討した結果、無電解めっき法により表
面処理したＣｕパッドとハンダボールを装着時の溶着に
おいて、Ｃｕパッド表面の無電解めっき法により得られ
たＰ含有Ｎｉめっき層上に成膜したＡｕめっき層のＡｕ
はハンダボール中に拡散するとともに、前記Ｐ含有Ｎｉ
もハンダボール中のＳｎとＮｉ−Ｓｎ化合物を生成し、
前記Ｎｉの移動に伴ってＮｉめっき層に含まれるＰの表
面濃度が異常に高くなることを線分析法により知見し、
このＰの表面濃度の異常に高く濃化して、接合強度の低
下を招来することを知見した。
【０００８】そこで発明者は、接合強度の高い入出力端
子の構成について、種々検討した結果、Ｃｕパッド表面
に無電解めっき法によりＰ含有のＮｉめっき層を形成
後、さらに無電解めっき法によりＡｕめっき層を形成し
たＣｕパッド上に、従来のハンダボールの換わりにハン
ダめっきＣｕボールを装着することにより、すぐれた接
合強度の入出力端子が得られることを知見し、この発明
を完成した。
子の構成について、種々検討した結果、Ｃｕパッド表面
に無電解めっき法によりＰ含有のＮｉめっき層を形成
後、さらに無電解めっき法によりＡｕめっき層を形成し
たＣｕパッド上に、従来のハンダボールの換わりにハン
ダめっきＣｕボールを装着することにより、すぐれた接
合強度の入出力端子が得られることを知見し、この発明
を完成した。
【０００９】すなわち、この発明は、Ｐ含有の無電解Ｎ
ｉめっき層を介して表面に無電解Ａｕめっき層を被覆し
たＣｕパッドに、表面にハンダめっき層を被覆したＣｕ
ボールを装着してなることを特徴とするＢＧＡ用入出力
端子である。
ｉめっき層を介して表面に無電解Ａｕめっき層を被覆し
たＣｕパッドに、表面にハンダめっき層を被覆したＣｕ
ボールを装着してなることを特徴とするＢＧＡ用入出力
端子である。
【００１０】
【発明の実施の形態】この発明において、Ｐ含有の無電
解Ｎｉめっき層を介して無電解Ａｕめっき層を表面に被
覆したＣｕパッドに、Ｓｎ−Ｐｂ系、Ｓｎ−Ｐｂ−Ａｇ
系等のハンダめっき被覆のＣｕボールを装着する際、溶
着により、前記Ｃｕパッドに対向するＣｕボールの表面
のハンダ層にＣｕボールのＣｕ、ハンダ中のＳｎ及びＣ
ｕパッド表面のＡｕが拡散した層厚１μｍ〜２μｍの拡
散層と、この拡散層表面にＣｕボール表面のハンダ層に
ＣｕボールのＣｕ及びＣｕパッド表面のＡｕが拡散した
層厚２μｍ〜３μｍの拡散層が積層形成される。
解Ｎｉめっき層を介して無電解Ａｕめっき層を表面に被
覆したＣｕパッドに、Ｓｎ−Ｐｂ系、Ｓｎ−Ｐｂ−Ａｇ
系等のハンダめっき被覆のＣｕボールを装着する際、溶
着により、前記Ｃｕパッドに対向するＣｕボールの表面
のハンダ層にＣｕボールのＣｕ、ハンダ中のＳｎ及びＣ
ｕパッド表面のＡｕが拡散した層厚１μｍ〜２μｍの拡
散層と、この拡散層表面にＣｕボール表面のハンダ層に
ＣｕボールのＣｕ及びＣｕパッド表面のＡｕが拡散した
層厚２μｍ〜３μｍの拡散層が積層形成される。
【００１１】また、前記Ｃｕボールに対向する前記Ｃｕ
パッド表面のＰ含有の無電解めっき層表面上に、Ｃｕボ
ールよりＣｕ又Ｃｕパッド表面のＡｕめっき層よりのＡ
ｕ及びＰ含有の無電解Ｎｉ層よりＰが拡散した層厚１．
５μｍ以下のＮｉ−Ｓｎ合金層が形成され、前記合金層
表面に前記ＣｕボールよりのＣｕ及び無電解Ａｕめっき
層よりのＡｕの拡散した層厚２μｍ〜３μｍの拡散層か
らなる積層が形成される。
パッド表面のＰ含有の無電解めっき層表面上に、Ｃｕボ
ールよりＣｕ又Ｃｕパッド表面のＡｕめっき層よりのＡ
ｕ及びＰ含有の無電解Ｎｉ層よりＰが拡散した層厚１．
５μｍ以下のＮｉ−Ｓｎ合金層が形成され、前記合金層
表面に前記ＣｕボールよりのＣｕ及び無電解Ａｕめっき
層よりのＡｕの拡散した層厚２μｍ〜３μｍの拡散層か
らなる積層が形成される。
【００１２】さらに、前記積層間にはハンダ層が介在し
た組織となり、従来の入出力端子に生成される無電解Ｎ
ｉめっき層とハンダボール間に形成されるＰの表面濃度
の異常増大並びに異常増大による濃化が解消されること
を線分析法により解明した。
た組織となり、従来の入出力端子に生成される無電解Ｎ
ｉめっき層とハンダボール間に形成されるＰの表面濃度
の異常増大並びに異常増大による濃化が解消されること
を線分析法により解明した。
【００１３】この発明によるＢＧＡ用入出力端子の製造
方法について以下に詳記する。まず、ハンダめっき被覆
Ｃｕボールは、線引加工によって径０．０５μｍ〜１．
０μｍのＣｕ線を製作後、所要長さに切断して個片化
し、セラミックス製又はカーボン製治具中に配没された
穴部に前記Ｃｕ個片を振込み、不活性ガス中で１１５０
℃にて加熱溶融後、凝固して球状化してＣｕボールとな
した後、前記Ｃｕボールに３μｍ〜１００μｍのＳｎ−
Ｐｂ系ハンダを電解めっき法にて被覆する。
方法について以下に詳記する。まず、ハンダめっき被覆
Ｃｕボールは、線引加工によって径０．０５μｍ〜１．
０μｍのＣｕ線を製作後、所要長さに切断して個片化
し、セラミックス製又はカーボン製治具中に配没された
穴部に前記Ｃｕ個片を振込み、不活性ガス中で１１５０
℃にて加熱溶融後、凝固して球状化してＣｕボールとな
した後、前記Ｃｕボールに３μｍ〜１００μｍのＳｎ−
Ｐｂ系ハンダを電解めっき法にて被覆する。
【００１４】また、プラスチック基板に配没された溝部
に固着するためのＣｕパッド表面上に、無電解めっき法
にて７％〜８％Ｐ含有のＮｉめっき層を５μｍ〜６μｍ
被覆した後、さらに無電解めっき法にて０．１μｍ〜
０．５μｍのＡｕめっき層を被覆する。
に固着するためのＣｕパッド表面上に、無電解めっき法
にて７％〜８％Ｐ含有のＮｉめっき層を５μｍ〜６μｍ
被覆した後、さらに無電解めっき法にて０．１μｍ〜
０．５μｍのＡｕめっき層を被覆する。
【００１５】表面処理した前記Ｃｕパッド表面にフラッ
クスを塗布後、Ｓｎ−Ｐｂ系ハンダめっき被覆Ｃｕボー
ルを載置し、不活性ガス中で、１８５℃〜２５０℃に１
分〜２分溶着して、ＢＧＡ用入出力端子を製作する。
クスを塗布後、Ｓｎ−Ｐｂ系ハンダめっき被覆Ｃｕボー
ルを載置し、不活性ガス中で、１８５℃〜２５０℃に１
分〜２分溶着して、ＢＧＡ用入出力端子を製作する。
【００１６】この発明において、Ｃｕパッド表面に被覆
するＰ含有の無電解Ｎｉめっきは、一般にニッケル塩−
次亜リン酸型無電解めっき液を用い、また、前記Ｐ含有
の無電解Ｎｉめっき層上に被覆する無電解Ａｕめっきは
シアン系めっき液を用いることが好ましい。
するＰ含有の無電解Ｎｉめっきは、一般にニッケル塩−
次亜リン酸型無電解めっき液を用い、また、前記Ｐ含有
の無電解Ｎｉめっき層上に被覆する無電解Ａｕめっきは
シアン系めっき液を用いることが好ましい。
【００１７】この発明において、Ｃｕボール表面にＳｎ
−Ｐｂ系、Ｓｎ−Ｐｂ−Ａｇ系ハンダめっきする条件と
しては、電解めっき法あるいは無電解めっき法の何れで
もよいが、ハンダめっき層厚としてはＣｕボール径によ
り異なるが２０μｍ〜８０μｍが好ましい。
−Ｐｂ系、Ｓｎ−Ｐｂ−Ａｇ系ハンダめっきする条件と
しては、電解めっき法あるいは無電解めっき法の何れで
もよいが、ハンダめっき層厚としてはＣｕボール径によ
り異なるが２０μｍ〜８０μｍが好ましい。
【００１８】
実施例１ 径０．６ｍｍのＣｕ線状コイルを長さ０．５７ｍｍに切
断して個片化し、ボロンナイトライト系治具に径１．２
ｍｍ、深さ２．５ｍｍの穴部を多数配没し、前記穴部に
Ｃｕ個片を振込み、Ｎ2ガス中で１１５０℃に５分間、
加熱溶融後、冷却して径０．６７ｍｍのＣｕ球を作製し
た、前記Ｃｕ球表面にアルカーノールスルホン酸のハン
ダめっき液を用いて電解めっき法にて層厚３５μｍの６
３Ｓｎ−３７Ｐｂ系ハンダ層を被着した。
断して個片化し、ボロンナイトライト系治具に径１．２
ｍｍ、深さ２．５ｍｍの穴部を多数配没し、前記穴部に
Ｃｕ個片を振込み、Ｎ2ガス中で１１５０℃に５分間、
加熱溶融後、冷却して径０．６７ｍｍのＣｕ球を作製し
た、前記Ｃｕ球表面にアルカーノールスルホン酸のハン
ダめっき液を用いて電解めっき法にて層厚３５μｍの６
３Ｓｎ−３７Ｐｂ系ハンダ層を被着した。
【００１９】プラスチック基板に配設された径０．６ｍ
ｍ寸法の溝部に装入固着するＣｕパッド表面に、ニッケ
ル塩−次亜リン酸型めっき液を用いて無電解めっき法に
て７％〜８％Ｐ含有のＮｉめっき層を５μｍ厚被着した
後、前記めっき層上にシアン系めっき液を用いて無電解
めっき法にてＡｕめっき層を０．３μｍ厚被着した。
ｍ寸法の溝部に装入固着するＣｕパッド表面に、ニッケ
ル塩−次亜リン酸型めっき液を用いて無電解めっき法に
て７％〜８％Ｐ含有のＮｉめっき層を５μｍ厚被着した
後、前記めっき層上にシアン系めっき液を用いて無電解
めっき法にてＡｕめっき層を０．３μｍ厚被着した。
【００２０】さらに、前記Ｃｕパッド表面上にフラック
スを塗布後、前記Ｃｕボールを載置し、Ｎ2ガス中で２
００〜２１５℃に１分のリフロ条件で加熱して溶着して
被着した。その後、表面処理したＣｕパッド上に前記Ｃ
ｕボールを装着した溶着部を線分析法にて測定した結
果、Ｐの表面濃化はなかった。また、得られた前記入出
力端子をシャー試験（ボール引き剥がれ評価）にて接合
強度の測定を行い、その結果を表１に表す。
スを塗布後、前記Ｃｕボールを載置し、Ｎ2ガス中で２
００〜２１５℃に１分のリフロ条件で加熱して溶着して
被着した。その後、表面処理したＣｕパッド上に前記Ｃ
ｕボールを装着した溶着部を線分析法にて測定した結
果、Ｐの表面濃化はなかった。また、得られた前記入出
力端子をシャー試験（ボール引き剥がれ評価）にて接合
強度の測定を行い、その結果を表１に表す。
【００２１】比較例１ 表面処理したＣｕパッドとして実施例と同一のＣｕパッ
ドを用い、またハンダボールとして６３Ｓｎ−３７Ｐｂ
組成からなり、径０．７６ｍｍのボールを作成し、前記
Ｃｕパッド上に前記ハンダボールを載置し、加熱溶着条
件として実施例と同一条件にて行い、さらに実施例１と
同一の接合強度測定を行い、その結果を表１に表す。
ドを用い、またハンダボールとして６３Ｓｎ−３７Ｐｂ
組成からなり、径０．７６ｍｍのボールを作成し、前記
Ｃｕパッド上に前記ハンダボールを載置し、加熱溶着条
件として実施例と同一条件にて行い、さらに実施例１と
同一の接合強度測定を行い、その結果を表１に表す。
【００２２】比較例２ 実施例と同一のＣｕパッド表面にワット浴の電解めっき
にて膜厚５μｍのＮｉめっき層を被着した後、前記Ｎｉ
めっき層表面にシアン系Ａｕめっき液の電解めっきにて
膜厚０．３μｍのＡｕめっきを施して、表面処理したＣ
ｕパッドを作成した。また、ハンダボールは比較例１と
同一のハンダボールを用い、前記Ｃｕパッド表面に前記
ハンダボールを装着するため、実施例と同一条件にて加
熱接合し、実施例と同一の接合強度測定を行い、その結
果を表１に表す。
にて膜厚５μｍのＮｉめっき層を被着した後、前記Ｎｉ
めっき層表面にシアン系Ａｕめっき液の電解めっきにて
膜厚０．３μｍのＡｕめっきを施して、表面処理したＣ
ｕパッドを作成した。また、ハンダボールは比較例１と
同一のハンダボールを用い、前記Ｃｕパッド表面に前記
ハンダボールを装着するため、実施例と同一条件にて加
熱接合し、実施例と同一の接合強度測定を行い、その結
果を表１に表す。
【００２３】
【表１】
【００２４】
【発明の効果】この発明によるＢＧＡ用入出力端子は、
無電解めっき法によりＰ含有のＮｉめっき層を形成後、
さらに無電解めっき法によりＡｕめっき層を形成したＣ
ｕパッド上に、従来のハンダボールの換わりにハンダめ
っきＣｕボールを装着することにより、Ｃｕボールの表
面のハンダ層にＣｕボールのＣｕ、ハンダ中のＳｎ及び
Ｃｕパッド表面のＡｕが拡散した層厚１μｍ〜２μｍの
拡散層と、この拡散層表面にＣｕボール表面のハンダ層
にＣｕボールのＣｕ及びＣｕパッド表面のＡｕが拡散し
た層厚２μｍ〜３μｍの拡散層が積層形成され、さらに
Ｐ含有の無電解めっき層表面上に、ＣｕボールよりのＣ
ｕ又Ｃｕパッド表面のＡｕめっき層よりのＡｕ及びＰ含
有の無電解Ｎｉ層よりＰが拡散した層厚１．５μｍ以下
のＮｉ−Ｓｎ合金層が形成され、前記合金層表面に前記
ＣｕボールよりのＣｕ及び無電解Ａｕめっき層よりのＡ
ｕの拡散した層厚２μｍ〜３μｍの拡散層からなる積層
が形成され、かつ前記積層間にはハンダ層が介在した組
織となり、従来の入出力端子に生成される無電解Ｎｉめ
っき層とハンダボール間に形成されるＰの表面濃度の異
常増大並びに異常増大による濃化が解消され、すぐれた
接合強度を発揮する。
無電解めっき法によりＰ含有のＮｉめっき層を形成後、
さらに無電解めっき法によりＡｕめっき層を形成したＣ
ｕパッド上に、従来のハンダボールの換わりにハンダめ
っきＣｕボールを装着することにより、Ｃｕボールの表
面のハンダ層にＣｕボールのＣｕ、ハンダ中のＳｎ及び
Ｃｕパッド表面のＡｕが拡散した層厚１μｍ〜２μｍの
拡散層と、この拡散層表面にＣｕボール表面のハンダ層
にＣｕボールのＣｕ及びＣｕパッド表面のＡｕが拡散し
た層厚２μｍ〜３μｍの拡散層が積層形成され、さらに
Ｐ含有の無電解めっき層表面上に、ＣｕボールよりのＣ
ｕ又Ｃｕパッド表面のＡｕめっき層よりのＡｕ及びＰ含
有の無電解Ｎｉ層よりＰが拡散した層厚１．５μｍ以下
のＮｉ−Ｓｎ合金層が形成され、前記合金層表面に前記
ＣｕボールよりのＣｕ及び無電解Ａｕめっき層よりのＡ
ｕの拡散した層厚２μｍ〜３μｍの拡散層からなる積層
が形成され、かつ前記積層間にはハンダ層が介在した組
織となり、従来の入出力端子に生成される無電解Ｎｉめ
っき層とハンダボール間に形成されるＰの表面濃度の異
常増大並びに異常増大による濃化が解消され、すぐれた
接合強度を発揮する。
Claims (1)
- 【請求項１】 Ｐ含有の無電解Ｎｉめっき層を介して表
面に無電解Ａｕめっき層を被覆したＣｕパッドに、表面
にハンダめっき層を被覆したＣｕボールを装着してなる
ことを特徴とするＢＧＡ用入出力端子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33750296A JPH10163404A (ja) | 1996-12-02 | 1996-12-02 | Ｂｇａ用入出力端子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33750296A JPH10163404A (ja) | 1996-12-02 | 1996-12-02 | Ｂｇａ用入出力端子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10163404A true JPH10163404A (ja) | 1998-06-19 |
Family
ID=18309266
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33750296A Pending JPH10163404A (ja) | 1996-12-02 | 1996-12-02 | Ｂｇａ用入出力端子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10163404A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002018569A (ja) * | 2000-07-06 | 2002-01-22 | Denso Corp | はんだ接合方法及びはんだ接合部の合金層構造 |
| KR100345035B1 (ko) * | 1999-11-06 | 2002-07-24 | 한국과학기술원 | 무전해 도금법을 이용한 고속구리배선 칩 접속용 범프 및 ｕｂｍ 형성방법 |
| US7798389B2 (en) | 2002-02-15 | 2010-09-21 | Harima Chemicals, Inc. | Flux for soldering, soldering method, and printed circuit board |
| US8110245B2 (en) * | 1999-02-18 | 2012-02-07 | Seiko Epson Corporation | Semiconductor device, mounting substrate and method of manufacturing mounting substrate, circuit board, and electronic instrument |
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-
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