KR100345035B1 - 무전해 도금법을 이용한 고속구리배선 칩 접속용 범프 및 ｕｂｍ 형성방법 - Google Patents

무전해 도금법을 이용한 고속구리배선 칩 접속용 범프 및 ｕｂｍ 형성방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 고속구리배선 칩 접속용 플립칩 범프(Bump) 및 UBM(Under Bump Metallurgy) 형성방법에 관한 것으로서 보다 상세하게는 구리(Cu) 입출력(I/O)패드위에 무전해 구리도금과 무전해 니켈도금 공정을 연속으로 수행하여 이루어진 구리/니켈 또는 구리/니켈/구리 등의 플립칩 범프 및 UBM 형성방법에 관한 것이다.
본 발명은 고속구리배선 칩에 플립칩 범프 또는 UBM를 형성하는 데에 있어서 구리 배선 칩의 무전해 구리/니켈 범프는 무전해 구리 도금과 무전해 니켈 도금을 함께 도입함으로써 무전해 구리 도금의 장점인 구리 칩 패드와의 우수한 선택성 및 접착력과 무전해 니켈 도금의 장점인 빠른 도금 속도를 모두 갖추고 있다.

Description

무전해 도금법을 이용한 고속구리배선 칩 접속용 범프 및 ＵＢＭ 형성방법{The Method for Preparation of Flip chip Bump and UBM for High speed Copper Interconnect Chip Using Electroless Plating Method}
본 발명은 고속구리배선 칩 접속용 플립칩 범프 및 UBM(Under Bump Metallurgy) 형성방법에 관한 것으로서 보다 상세하게는 구리(Cu) 입출력(I/O)패드위에 무전해 구리도금과 무전해 니켈도금 공정을 연속으로 수행하여 이루어진 구리/니켈 또는 구리/니켈/구리 등의 플립칩 범프 및 UBM 형성방법에 관한 것이다.
현대의 급변하는 전자산업속에서 반도체 기술은 끊임없이 고집적화, 복잡화됨에 따라 좀더 작으면서도 고기능의 시스템 구현을 위한 노력이 진행 중에 있다. 반도체의 선폭이 점차 작아질수록 내부 게이트 딜레이(gate delay)는 작아지지만 칩상의 상호접속(Interconnect)에 의한 RC 딜레이는 점차로 커지고 있는 실정이다.
현재 대부분의 금속선으로는 구리를 0.5%정도 함유한 스퍼터링법에 의하여 제조된 알루미늄에 SiO2를 유전체로 하는 Al/SiO2구조를 사용하고 있다. 알루미늄은 낮은 저항률과 SiO2및 실리콘에 대한 좋은 접착력 등의 특성을 갖고 있기 때문에 실리콘 집적회로의 도선재료로 가장 많이 사용된다. 하지만 알루미늄은 융점이 660℃이며 실리콘과 섞였을 때의 공정온도가 577℃로 낮아 유전체 박막의 증착이400∼450℃ 정도에서 행해져야 하는 제한이 있을 뿐만 아니라, 전자이탈효과, 스파이킹, 힐락(hilock), 비아홀 채우기, 스텝커버리지 등의 문제점을 갖고 있는 물질이다. 따라서 전자이탈효과와 스파이킹 제거를 위하여 알루미늄 증착시 Cu, Ti, Si등을 소량 섞어 증착하고 있다. 또한 게이트, 소스, 드레인에서의 접촉저항을 낮추기 위하여 금속성분이 SiO2에 확산된 실리사이드가 이용되고 있다.
또한 텅스텐은 최소선폭이 ≤1㎛인 실리콘 집적회로에 많이 사용되는 접속재료로서 실리콘의 열팽창계수와 비슷한 특성을 지니고 있다. 텅스텐은 알루미늄에 비하여 저항률이 높은 단점을 지니고 있음에도 불구하고 고융점 금속으로 전자이탈현상이 억제될 수 있고, 고온공정에 적용할 수 있을 뿐만 아니라 가로-세로 비가 큰 구조에도 충진특성이 우수하기 때문에 콘택트 또는 비아홀을 채우는데 있어 연구, 사용되어지고 있다.
하지만 상기와 같은 개선책은 Al/SiO2구조의 금속선 공정을 2000년대까지 지속시킬 수 있을지는 모르지만 칩 스피드를 높이는 데에는 아주 제한적일 수 밖에 없다. 따라서, 저항이 작은 상호접속도선의 중요성이 커지고 있으며, 이로 인해 기존의 알루미늄(2.66uohm-cm)에 비하여 비저항이 낮을 뿐만 아니라(1.67uohm-cm), 전자이탈에 대한 저항성이 우수한 구리를 사용하는 구리 상호접속(copper intercon nect) 기술이 각광을 받고 있다. 또한 구리선을 사용하는 경우 속도 면에서의 효율을 50%정도 밖에 증가시킬 수 없지만 만일 유전상수가 SiO2보다 훨씬 낮은 대체 저유전율 폴리머 재료를 사용한다면 400%이상까지의 증가효과를 기대할 수 있다. 따라서, 동과 저유전상수를 갖는 폴리머 절연체를 사용할 경우 실제 칩에서의 금속층의 개수를 효과적으로 줄일 수 있다.
하지만 실제로 이용하는 전자시스템은 칩만이 초소형, 고집적화 된다고 해서 그것이 시스템이 고집적화로 그대로 반영되지는 않는다. 칩들은 상호간의 접속을 필요로 하고 안정적으로 동작하도록 전기를 공급해주고 발생되는 열을 효과적으로 방출시켜 주는 효과적인 패키징을 필요로 한다. 실제로 시스템의 총 딜레이(total delay)는 온-칩 딜레이(on-chip delay)와 오프-칩 패키지 딜레이(off-chip package delay, 상호접속 딜레이)로 인해 발생하는 데, 초고속 시스템에 있어 현재 총 딜레이의 50%이상이 오프-칩 패키지 딜레이이고 2000년대에는 현재의 집적기술의 양상으로 볼 때, 총 딜레이의 80%정도가 패키징 딜레이가 될 것으로 예측되고 있다. 따라서, 전기적으로 더 빠른 구리 칩의 패키지에 있어 구리상호접속의 장점을 최대한 활용할 수 있는 새로운 구리 칩 상호접속 기술의 필요성이 매우 크다 하겠다.
반도체 칩 상호접속에 있어 기존의 접속방식인 와이어 본딩, 테이프 오토매이티드 본딩(Tape Automated Bonding, TAB), 플립 칩기술이 있다. 이중에서 고속 고밀도 상호접속 기술인 플립 칩 기술을 사용한 Direct Chip Attach(DCA)기술, 칩 사이즈 패키지(CSP), Multichip Module(MCM)기술은 핵심 패키징 기술로서 그 필요성이 점차 커지고 있다. 기존의 플립 칩 기술은 IBM에 의해 기존의 알루미늄 패드에 고용융점 솔더(95Pb-5Sn)을 사용하여 무기기판에 사용하도록 개발되었으며 근래에는 저가형으로 유기기판을 사용하기 위해 녹는점이 낮은 솔더 물질을 이용한 플립 칩 범핑기술을 미국의 IBM, 모토로라, 델코, 플립 칩 테크날러지나 일본의 히타치, 도시바 등의 회사들이 앞장서 개발하고 있다.
그러나 기존의 알루미늄 상호접속에 비해 새로운 구리 상호접속 칩 기술에 대해서는 지금 전 세계적으로 연구 및 개발 초기 단계에 있으며 또한 구리 패드의 와이어 본드 또는 플립 칩 기술 부분은 현재 알려져 있는 연구 결과가 전혀 보고되어 있지 않은 분야로서 장차 구리 칩이 보편적으로 상용화 될 때 그 기술의 중요성과 경제적 파급효과가 매우 높은 분야가 될 것이다.
본 발명자는 종래의 알루미늄 상호접속을 대체하는 방안을 모색하여 오던 중 고속용 구리 패드 위에 플립 칩 접속을 할 수 있도록 비 솔더 범프 또는 UBM을 형성함에 있어서, 비교적 저가의 공정인 무전해 구리(Cu) 도금/무전해 니켈(Ni) 도금 기술을 반복적으로 사용함으로써 전자소자의 요구특성에 부합하는 구리/니켈 범프 또는 UBM을 형성할 수 있다는 사실을 알아내고 본 발명을 완성하게 되었다.
따라서 본 발명의 목적은 구리칩 패드와의 선택성 및 접착력이 우수할 뿐만 아니라, 빠른 도금속도를 지니는 구리배선 칩의 무전해 구리/니켈 범프 또는 UBM의 형성방법을 제공함과 동시에, 공정단계에서 무전해 도금법을 도입함으로써 공정시간의 단축 및 비용의 절감으로 생산성을 높이고자 하는 데에 있다.
도 1은 본 발명의 구리 패드 위에 무전해 구리/니켈 도금 형성 공정도.
도 2(a)(b)(c)는 본 발명에 의한 구리 패드 위에 무전해 구리/니켈 도금을 이용한 범프 형성 사진.
도 3(a)은 구리 패드 위에 형성한 무전해 Cu/Ni 범프의 전도성 폴리머를 이용한 플립칩 접속 상태도.
도 3(b)는 ACF 플립 칩 접속의 전체를 나타낸 사진.
도 4(a)는 구리 패드 위에 형성한 무전해 Cu/Ni UBM 위에 솔더 볼을 올린 상태도.
도 4(b)는 솔더 플립 칩 접속의 전체를 나타낸 사진이다.
< 도면의 주요부분에 대한 부호설명의 설명 >
1: 구리패드 2: 무전해질 구리도금층
3: 무전해질 니켈 도금층 4:기판 패드
5: 전도성 입자
본 발명의 고속구리배선 칩의 비솔더 범프 또는 UBM(Under Bump Metallurgy) 형성 방법은 구리패드 위에 무전해 도금방법에 의해 구리를 도금하는 단계와, 전기 단계에 의해 형성된 구리도금 상부에 무전해 도금방법에 의하여 니켈을 도금하는 단계로 구성되어진다.
이하 본 발명의 무전해 구리(Cu)/니켈(Ni) 도금법을 이용한 구리 칩 접속용 구리/니켈 범프 또는 UBM의 형성 방법을 첨부한 도면에 의하여 상세히 설명하기로 한다.
도 1은 본 발명의 구리패드위에 무전해 구리도금/무전해 니켈도금을 형성하는 과정을 보여주고 있다. 먼저 웨이퍼 위에 형성된 구리패드(1)를 나타내며, 범프와 UBM 형성을 위한 상기 구리패드(1)위에 무전해 구리도금층(2)을 나타내고 있다. 상기 구리도금층은 무전해도금법을 이용하여 이루어지므로 리소그라피(lithography )공정을 필요로 하지 않는다.
무전해 구리도금층(2) 형성에 사용하는 도금액은 주성분으로 구리가 1∼4g/ℓ, 수산화나트륨이 5∼18g/ℓ, 포름알데히드가 4∼12g/ℓ를 사용할 수 있는 데 보다 바람직하기로는 구리 2∼3g/ℓ, 수산화나트륨 8∼10g/ℓ, 포름알데히드 6∼8g/ℓ포함된 용액을 사용하는 것이 좋다. 상기에서 용액의 성분비가 달라질 경우에는 구리의 환원이 어려워 정상적인 구리막의 형성이 저해되며, 또한 각 성분의 함량이 상기 범위 이하의 조건이면 도금 속도가 너무 느려서 상업적 이용이 어려우며, 각 성분의 함량이 상기 범위를 넘게 되면 반대로 도금속도가 너무 빨라 절연층에도 도금이 되는 등 구리 패드에의 선택적 도금을 어렵게 하므로 바람직하지 않다.
무전해 구리 도금은 포름알데히드를 환원제로 하여 하기의 반응에 의해 구리가 환원됨으로써 이루어진다.
Cu2++ 2HCHO + 4OH-→ Cu + 2H2O + 2HCO2 -
상기의 무전해 구리도금은 구리 배선 칩상의 구리패드(1) 표면을 핵으로 하여 일어날 수 있으므로 전처리과정 없이도 구리패드만을 선택적으로 도금할 수 있으며 범프용으로는 최대 5㎛, UBM 용으로는 최대 1㎛의 균일한 도금높이를 얻을 수 있다.
다음 공정으로 상기 구리패드(1)위에 형성된 무전해 구리도금층(2)의 상부에 무전해 니켈도금층(3)을 형성한다.
상기 무전해 니켈도금층(3) 형성에 사용되는 도금액은 니켈이 5∼10g/ℓ, 차아인산나트륨(H2PO2 -)이 20∼45g/ℓ을 함유할 수 있는데 바람직하기로는 니켈이 5∼7g/ℓ, 차아인산나트륨이 25∼35g/ℓ가 포함된 용액을 사용하는 것이 좋다. 차아인산나트륨을 이용한 무전해 니켈 도금시의 반응은 다음의 주반응과 2차 반응으로 나눌 수 있다.
주반응 Ni+2+ H2PO2 -+ H2O → Ni + H2PO3 -+ 2H+(Ⅰ)
H2PO2 -+ H2O → H2PO3 -+ H2(Ⅱ)
2차 반응 2H++ 2e-→ H2(Ⅲ)
H2PO2 -+ H+→ P + OH-+ H2O (Ⅳ)
상기 반응식 중 (Ⅰ)식에 의해 니켈의 환원이 이루어지며 (Ⅱ)식은 차아인산나트륨의 소모, (Ⅲ)식은 수소의 발생, (Ⅳ)식은 인(P)의 생성을 나타낸다.
상기 무전해 니켈도금은 무전해 도금된 구리를 핵으로 하여 일어날 수 있으므로 별도의 전처리 과정없이도 구리/니켈 범프 또는 UBM을 형성할 수 있으며, 니켈범프의 경우 15㎛정도의 균일한 높이를 사용하며 UBM의 경우에는 수 ㎛정도의 두께를 사용할 수 있다.
여러 가지 무전해 도금법 중에서 무전해 구리 도금은 구리 패드 위에 선택성이 뛰어나고 접착력이 우수한 장점을 가지는 반면 도금 속도가 느리다는 단점이 있다. 상대적으로 무전해 니켈 도금은 도금 속도가 빠른 반면 구리 패드 위에 직접 형성이 매우 어려우며 또한 도금시 환원 반응에 의해 인(P)이 상당히 함유되기 때문에 막에 응력(stress)이 많이 걸리는 바람직하지 않은 단점이 있다. 그러나 무전해 도금된 구리는 불순물 함유가 거의 없어 니켈막보다 응력이 작아 응력에 의해 범프 또는 UBM이 패드에서 떨어져 나가는 것을 감소시킬 수 있고 무전해 도금된 구리 위에는 직접 무전해 니켈 도금이 가능하므로 이 두 가지 무전해 도금법을 이용하여 구리 배선 칩의 구리 패드 위에 구리/니켈 범프 또는 UBM을 형성하는 것이 가능하다. 또한 구리/니켈 무전해 도금법을 2회 이상 반복적으로 사용함으로써 특정한 요구특성에 부합하는 범프 특성을 갖는 다층 구리/니켈 범프를 형성할 수 있으며, 구리/니켈의 두께를 얇게 무전해 도금함으로써 솔더 범프의 UBM층으로 사용할 수도 있다.
상기와 같은 무전해 구리/니켈 도금방법은 기존의 알루미늄에 비해 전기적으로 더 빠른 구리 배선 칩의 플립 칩 패키지에 있어 구리 접속의 장점을 최대한으로 활용할 수 있는 새로운 비솔더 플립 칩 범프 형성 또는 UBM 형성 방법이라고 할 수 있다. 또한 이러한 기술은 구리, 니켈 도금시 모두 무전해 도금법을 이용하기 때문에 공정의 일관성을 지니며, 저가의 공정으로도 형성할 수 있는 장점이 있다.
도 2는 본 발명에 따른 실시예로서 구리패드 위에 무전해 구리도금과 무전해 니켈도금을 이용한 범프형성사진을 나타내고 있다. 상기 도 2는 100㎛ 지름의 구리 패드(도2a)에 무전해 구리도금층(도2b), 무전해 니켈도금층(도2c)을 차례로 형성해 나가는 과정을 나타내고 있다. 상기 무전해 구리도금층 형성은 구리가 2g/ℓ, 수산화 나트륨이 9g/ℓ, 포름알데히드가 7g/ℓ의 조성을 갖는 도금액을 사용하고, 도금 온도는 50℃로 항온조에서 일정하게 유지시켜 2시간 동안 수행한 것이다. 또한 도금시 도금액 내로 질소 가스를 이용한 버블을 주입하여 균일한 도금층이 형성되도록 하였으며, 도금조 내부의 압력은 가스 버블로 인해 대기압보다 높았다. 상기 과정에 의하여 얻어진 구리 도금 층의 두께는 5.2㎛ 이다.
상기 무전해 니켈도금층의 형성은 니켈이 6g/ℓ, 차아인산나트륨이 30g/ℓ함유된 도금액을 사용하였으며, 도금 온도는 90℃로 항온조에서 일정하게 유지시켜 45분 동안 수행한 것이다.무전해 구리도금층에서와 마찬가지로 도금시 도금액 내로 질소 가스를 이용한 버블을 주입하여 균일한 도금층이 형성되도록 하였다. 이 때 얻어진 니켈 도금 층의 두께는 15㎛ 이었다.
상기와 같이 본 발명에 의한 방법은 구리 패드 위에만 선택적으로 범프를 형성할 수 있고, 뿐만 아니라 범프의 높이도 일정하여 전도성 폴리머 플립 칩 접속시유리하게 작용할 수 있다.
도 3은 구리패드 위에 형성한 무전해 구리/니켈 범프의 전도성 폴리머를 이용한 플립칩 접속 단계를 나타내는 것으로서, 도 3a는 이방성 전도성 접착제(Anis otropic Conductive Adhesive, ACA)를 이용하여 구리 배선 칩 위에 본 발명에 따른 방법을 사용하여 무전해 구리/니켈 범프를 형성기킨 후 기판과 플립 칩 접속을 행한 결과를 나타내는 단면을 나타낸다. 기판패드와 범프가 형성된 칩의 접속은 상기 칩을 뒤집어 ACA를 통해 기판의 패드(4)와 연결하게 된다. ACA는 전도성 입자(5)를 포함하고 있어 무전해 도금된 구리/니켈 범프와 기판 패드 사이를 상기 전도성 입자(5)를 통해 연결해 준다. 한편 도 3b는 ACF 플립 칩 접속의 전체를 나타낸 사진이다.
도 4a는 구리패드(1) 위에 형성한 무전해 구리/니켈 UBM 위에 솔더볼을 올려놓은 상태를 나타내고 있다. 솔더볼이 형성된 칩의 접속은 상기 칩을 뒤집어 aliign 접속 후 reflow를 통해 기판의 패드(도 3a의 4)와 연결하게 된다. 도 4b는 솔더 플립 칩 접속의 전체를 나타낸 사진이다.
본 발명은 고속구리배선 칩에 플립칩 범프 또는 UBM을 형성하는 데에 있어서
구리 배선 칩의 무전해 구리/니켈 범프는 무전해 구리 도금과 무전해 니켈 도금을 함께 도입함으로써 무전해 구리 도금의 장점인 구리 칩 패드와의 우수한 선택성 및 접착력과 무전해 니켈 도금의 장점인 빠른 도금 속도를 모두 갖추고 있다. 또한 본발명은 무전해 구리 및 니켈 도금법을 2번 이상 반복적으로 이용하여 특별한 요구특성에 부합하는 범프를 제작할 수 있는 다양성을 지닌다.
본 발명은 무전해 도금법을 이용하므로 리소그래피(lithography)의 공정 없이도 선택적으로 범프 형성이 가능하며 웨이퍼(Wafer) 단위로 범프를 형성시킬 수 있어 공정 시간의 단축 및 비용의 절감으로 생산성을 높일 수 있는 경제적인 이점도 지니고 있어 향후 다양한 관련 전자 패키징 기술에 널리 활용될 것이 기대된다.

Claims (8)

  1. 고속구리배선 칩의 비솔더 범프 형성방법에 있어서,
    구리패드(1)상에 무전해 도금방법에 의해 구리를 도금하여 구리도금층(2)를 형성하는 단계와,
    상기 구리도금층(2)에 무전해 도금방법에 의해 니켈을 도금하여 니켈도금층( 3)을 형성하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 무전해 도금법을 이용한 고속 구리 배선 칩의 플립칩 접속용 범프 형성방법.
  2. 제 1항에 있어서, 무전해 도금방법에 위해 형성된 무전해 구리/니켈 도금층위에 추가로 1회 이상 동일과정을 반복적으로 실시함으로써 다층구조의 구리/니켈 도금층을 구비하도록 하는 것을 특징으로 하는 무전해 도금법을 이용한 고속 구리 배선 칩의 플립칩 접속용 범프 형성방법.
  3. 제 1항에 있어서, 무전해 구리도금층(1) 형성시 사용하는 구리도금액은 구리가 1∼4g/ℓ, 수산화 나트륨이 5∼18g/ℓ, 포름알데히드가 4∼12g/ℓ포함된 용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 무전해 도금법을 이용한 고속 구리 배선 칩의 플립칩 접속용 범프 형성방법.
  4. 제 1항에 있어서, 무전해 니켈도금층(2) 형성시 사용하는 니켈도금액은 니켈이 5∼10g/ℓ, 차아인산나트륨(H2PO2 -)이 20∼45g/ℓ가 포함된 용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 무전해 도금법을 이용한 고속 구리 배선 칩의 플립칩 접속용 범프 형성방법.
  5. 고속구리배선 칩의 비솔더 UBM 형성방법에 있어서,
    구리패드(1)상에 무전해 도금방법에 의해 구리를 도금하여 구리도금층(2)를 형성하는 단계와,
    상기 구리도금층(2)에 무전해 도금방법에 의해 니켈을 도금하여 니켈도금층( 3)을 형성하는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 무전해 도금법을 이용한 고속 구리 배선 칩의 플립칩 접속용 UBM 형성방법.
  6. 제 5항에 있어서, 무전해 도금방법에 위해 형성된 무전해 구리/니켈 도금층위에 추가로 1회 이상 동일과정을 반복적으로 실시함으로써 다층구조의 구리/니켈 도금층을 구비하도록 하는 것을 특징으로 하는 무전해 도금법을 이용한 고속 구리 배선 칩의 플립칩 접속용 UBM 형성방법.
  7. 제 5항에 있어서, 무전해 구리도금층(1) 형성시 사용하는 구리도금액은 구리가 1∼4g/ℓ, 수산화 나트륨이 5∼18g/ℓ, 포름알데히드가 4∼12g/ℓ포함된 용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 무전해 도금법을 이용한 고속 구리 배선 칩의 플립칩 접속용 UBM 형성방법.
  8. 제 5항에 있어서, 무전해 니켈도금층(2) 형성시 사용하는 니켈도금액은 니켈이 5∼10g/ℓ, 차아인산나트륨(H2PO2 -)이 20∼45g/ℓ가 포함된 용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 무전해 도금법을 이용한 고속 구리 배선 칩의 플립칩 접속용 UBM 형성방법.
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