KR100476301B1 - 전기도금법에 의한 반도체 소자의 플립칩 접속용 ｕｂｍ의형성방법 - Google Patents

전기도금법에 의한 반도체 소자의 플립칩 접속용 ｕｂｍ의형성방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 플립칩 접속용 UBM의 형성방법으로서,
니켈이온공급원 및 구리이온공급원을 함유하는 도금액에 패턴이 형성된 웨이퍼를 담그는 단계와, 소정의 전류밀도를 가하여 칩의 패드와 솔더범프간의 접속과 응력완화를 위한 구리층을 형성하는 단계, 및 전류밀도를 증가시켜 솔더와 패드간의 확산방지층인 니켈-구리합금층을 형성하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 플립칩 접속용 UBM의 형성방법을 개시한다.
상기 구성에 의하면 패턴이 형성된 웨이퍼상에서 UBM을 형성시 요구되는 젖음성, 확산방지기능, 저응력의 조건을 만족하면서 식각과정을 생략할 수 있어 저가의 공정 방법을 제공한다.

Description

전기도금법에 의한 반도체 소자의 플립칩 접속용 ＵＢＭ의 형성방법 {Fabrication Method of multilayer UBM by Electroplating for Flip chip Interconnections}
본 발명은 반도체 소자의 플립칩 접속용 UBM의 형성방법으로서, 보다 상세하게는 UBM 형성시 전기도금법을 적용하여 식각공정에 의하지 않고서도 단순한 전류밀도만을 변화시키는 방법으로 원하는 UBM을 형성할 수 있는 방법에 관한 것이다.
반도체 집적회로 칩과 기판간의 상호 접속을 위한 방법으로서 플립칩(flip chip) 법은 기존의 와이어 본딩이나 TAB(Tape Automated Bonding)에 비해 접속밀도가 높고 접속거리가 짧아 고속 고밀도 접속을 가능하게 한다. 플립칩 기술에는 칩의 패드(알루미늄 또는 구리)에 UBM 층을 접합시키고 UBM을 다시 도전성 솔더 범프와 접합하는 공정이 포함된다. 범프가 형성된 칩은 다시 솔더 범프와 기판의 금속층을 접합시킴으로써 칩과 기판과의 전기적 신호를 주고받을 수 있으며, 기계적인 접합도 이루어진다. 여기서 UBM은 솔더와 칩의 패드와의 우수한 접합력을 갖도록 하고, 솔더와 기판간의 상호 확산을 방지하는 역할을 한다.
이러한 플립칩 접속 기술은 1960년대 IBM에 의하여 처음 고안되었다. 당시의 제조방법은 칩의 패드 위에 기상증착법(evaporation)을 이용하여 크롬/크롬-구리합금/구리층을 갖는 UBM을 형성시키고 그 위에 역시 기상증착법으로 Sn-95%Pb 솔더 범프를 형성시키는 방법을 도입하고 있다. 위 구조에서 크롬은 패드와의 접합력을 부여하기 위한 것이며, 크롬-구리 합금층은 솔더와 패드간의 확산을 방지하며, 구리층은 솔더와의 젖음성 및 접합성을 좋게 하기 위해 도입된다. 상기 방법은 오래된 역사를 가지고 있으며, 우수한 신뢰성을 갖고 있었다. 그러나 일반적인 전자부품에서는 Sn-95%Pb 솔더에 비해 Sn이 다량 함유된 63-37%Pb 공정조성의 솔더를 사용하고 있으며, 특히 최근에는 환경친화적인 재료를 사용하려는 변화로 인해 납이 없는 무연솔더를 사용하고자 하는데 있어서 IBM의 플립칩 형성법은 많은 문제점을 갖는다. 그 이유는 상기 UBM 구조는 63-37%Pb 공정솔더 및 무연솔더, 이중에서 특히 무연솔더와 사용시 확산 방지의 역할을 효과적으로 수행하지 못하기 때문이다. 최근 여러 연구자들에 의하여 스퍼터 증착법이나 전기도금법, 무전해 도금법 등의 방법을 이용하여 무연솔더에 사용하기 적합한 UBM의 개발이 진행되고 있다.
현재까지 개발된 무연솔더는 거의 대부분 주석을 다량 함유하고 있다. 플립칩 접속용으로 적합한 무연솔더의 대표적인 재료로 알려진 Sn-3.5%Ag, Sn-0.7%Cu, Sn-3.8%Ag-0.7%Cu는 모두 95% 이상의 주석을 함유하고 있다. 주석은 구리와 반응속도가 빠르므로, 플립칩을 리플로하는 과정이나 칩의 사용 중에 발생하는 열에 의하여 솔더의 주석과 UBM의 구리가 반응하여 그 계면에는 금속간화합물이 생성되고 구리는 소진된다. 금속간화합물이 필요 이상으로 성장하거나 UBM 내의 구리층이 완전히 소모되면, 솔더와 패드간의 접합강도는 급격히 감소한다. 따라서 주석이 다량 함유된 무연솔더와 같이 사용할 UBM은 새로운 확산방지층이 필요한데, 이에 적합한 재료로서 니켈이 있다. 니켈은 주석과의 반응속도가 구리에 비하여 느리다. 지금까지 스퍼터법, 전기도금법, 무전해도금법 등을 이용하여 니켈 또는 니켈 합금 확산방지층을 형성하는 여러 공정이 제시되어 왔다. 그러나 니켈층을 포함하는 UBM 구조는 다음과 같은 두가지 문제점을 가지고 있다. 첫째는 니켈의 땜납성이 좋지 않은 문제점인데 니켈은 솔더와의 젖음성 및 접합성이 좋지 않기 때문에, 대부분 니켈 위에 금이나 구리를 입혀서 충분한 젖음성을 주도록 하고 있다. 두번째 문제점은 니켈층의 응력이다. 구리와 달리 니켈층은 재료나 공정의 특성상 많은 응력을 가지고 있다. 니켈을 실리콘 칩의 UBM에 적용할 경우 니켈을 포함하는 UBM의 응력으로 인하여 종종 실리콘 칩의 균열을 야기한다. 따라서 UBM의 응력으로 인한 칩의 균열을 막기 위해서는 UBM 층의 응력을 줄이거나 두께를 줄여야 한다. 그러나, UBM의 두께를 너무 많이 줄이면, 솔더와의 계면반응에서 UBM 층이 완전히 소진될 위험이 있으므로 일정 수준 이상의 두께를 유지하여야 한다.
따라서 플립칩 접속에서 무연솔더를 사용하기 위한 UBM의 요구조건으로는 솔더와의 젖음성이 좋아야 하고 솔더와의 접합력이 좋아야 하며, 솔더와 칩의 패드간의 확산을 방지할 수 있도록 솔더와의 반응속도가 느려야 하며 칩의 균열을 일으키지 않도록 응력이 작아야 한다. 이와 같은 요구조건을 만족하기 위한 UBM 구조는 대체로 하기 표 1과 같은 다층구조를 갖는다.
<표 1>
하부층 알루미늄 또는 크롬 또는 티타늄
중간층 1 알루미늄 또는 구리
중간층 2 니켈 또는 그의 합금
상부층 금 또는 구리
여기서 하부층인 알루미늄, 크롬, 티타늄 등은 칩의 패드와 접합력을 유지하는 역할을 하며, 중간층 1인 알루미늄 또는 구리는 UBM의 응력을 줄여주는 역할을 하고, 중간층 2인 니켈 또는 니켈 합금은 확산방지층의 역할을 하며, 상부층인 금 또는 구리는 솔더와의 젖음성을 주는 역할을 한다.
지금까지 개발된 대표적인 플립칩용 UBM 구조로는 크롬/구리-크롬 합금/구리, 티타늄-텅스텐 합금/구리/전해구리, 알루미늄/니켈-바냐듐 합금/구리, 무전해 니켈-인 합금/금과 같은 것들이 있다. 이중에서 크롬/구리-크롬 합금/구리의 구조는 과거 IBM에서 개발한 것으로서 무연솔더와 사용할 수 없음이 알려졌다. 티타늄-텅스텐 합금/구리/전해구리의 구조는 Sn-37%Pb 솔더와 사용하기 위하여 개발된 것으로 무연솔더와 같이 주석함량이 높아지면 전해구리층을 매우 두껍게 하여야 하고, 이에 따라 응력이 커져서 사용할 수 없게 된다. 알루미늄/니켈-바냐듐 합금/구리의 구조는 무연솔더와의 사용을 위하여 Delco에서 개발한 방법으로서 니켈-바나듐 층이 무연솔더와의 반응속도가 매우 느리다고 알려져 있으나, 스퍼터법을 이용하므로 식각공정을 필요로 하며 전기도금법에 비해 공정단가가 비싼 문제점이 있다. 무전해 니켈-인 합금/금의 구조는 저가의 공정으로 제조가 가능하나 무연솔더와의 반응시 무전해 니켈층이 취화되는 단점이 있다.
본 발명의 목적은 기존의 UBM 구조와 제조방법의 문제점을 해결하기 위한 방안으로 전기도금법에 의한 구리/니켈-구리 합금/구리의 구조를 갖는 다층구조 UBM의 형성방법을 제공함에 있다.
본 발명은 반도체 소자의 플립칩 접속용 UBM의 형성방법으로서,
니켈이온공급원 및 구리이온공급원을 함유하는 도금액에 패턴이 형성된 웨이퍼를 담그는 단계와, 소정의 전류밀도를 가하여 칩의 패드와 솔더범프간의 접속과 응력완화를 위한 구리층을 형성하는 단계, 및 전류밀도를 증가시켜 솔더와 패드간의 확산방지층인 니켈-구리합금층을 형성하는 단계를 포함한다.
또한 본 발명은 전류밀도를 다시 감소시켜 상기 니켈-구리합금층 위에 솔더와의 젖음성 개선을 위한 구리층을 형성하는 단계가 추가로 포함되는 플립칩 접속용 UBM의 형성방법을 포함한다.
본 발명의 UBM 형성방법은 니켈이온 공급원 및 구리이온 공급원을 함유하는 도금액 내에 소정의 패턴이 형성된 웨이퍼를 담궈 식각공정에 의하지 않고서 단순한 전류밀도만을 변화시키는 방법으로 원하는 UBM을 형성할 수 있다.
상기 니켈이온 공급원 및 구리이온 공급원이 될 수 있는 물질로는 전기도금에 통상적으로 사용가능한 어떠한 물질도 포함하며 특별한 종류의 물질로 한정될 것을 요하지 않는다. 니켈이온 공급원이 될 수 있는 물질의 예로는 NiSO4, NiCl2, Ni(SO3NH2)2 등이 있으며, 구리이온 공급원이 될 수 있는 물질의 예로는 CuSO4, CuCN, Cu2P2O7 등이 있다. 상기 이온 공급원을 포함하는 구체적인 도금액의 조성은 이 분야에 속하는 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 사항이다. 따라서 원하는 도금층의 조성에 따라 니켈 이온이나, 구리 이온의 농도를 증가 또는 감소시킬 수 있을 것이다.
또한 도금액의 pH 및 온도 조건도 특정될 것을 요하지는 아니한다. 본 발명의 실시예에서는 염기조건인 pH 8.5∼9.0, 45℃∼50℃의 온도 조건하에 실시하고 있으나 이는 어디까지나 본 발명의 실시를 위한 하나의 바람직한 예시에 불과한 것일 뿐 당업자에 의한 또 다른 선택을 배제하고자 하는 것은 아니다.
전기도금과정에서 가해지는 전류밀도는 매우 중요한 요소이다. 도금층의 합금조성은 도금시의 전류밀도에 따라 변하는 성질을 가진다. 높은 전류밀도에서는 니켈 함량이 많은 니켈-구리 합금층이 얻어지고, 보다 낮은 전류밀도에서는 구리의 함량이 높아져서 일정 전류밀도 이하에서는 순수한 구리층이 얻어진다.
본 발명에 의하면 순수 구리층과 합금층의 형성에 요구되는 전류밀도의 비는 1:2.5∼1:10 정도의 비가 적당하리라 사료된다. 하지만 상기 비율은 어디까지나 실시를 위한 예시에 불과한 것으로 적용되는 전류밀도는 구체적인 도금액의 조성 및 환경에 따라 달라질 수 있다. 또한 개별적인 도금액에 있어서도 니켈 또는 구리의 함량을 어느 정도로 결정할 것이냐는 실험적으로 결정될 수 있다.
후술하는 본 발명의 바람직한 실시예로서 선택된 도금조건하에서는 구리층 형성을 위한 전류밀도는 0.2∼1 A/dm2 정도의 범위내에서, 또한 니켈-구리 합금층 형성을 위한 전류밀도는 0.3∼4 A/dm2 정도의 범위내에서 선택하여 실시하였다.
이하에서는 본 발명의 이해를 돕기 위해 플립칩 접속용 UBM의 형성방법에 대하여 첨부된 도면에 따라 보다 상세히 설명하기로 한다.
먼저 도 1(a)에서와 같이 패드 및 패시배이션 층이 형성된 칩(11)의 전면적에 걸쳐서 스퍼터법으로 크롬, 티타늄 또는 티타늄-텅스텐 합금층(13)을 접합층으로서 얇게 도포한다. 이는 패드(12)와의 접합성을 주기 위함이다. 상기 접합층 위에 UBM의 전기도금을 위한 씨앗층인 구리층(13)을 스퍼터법으로 얇게 도포한 후 UBM 층 및 솔더를 형성시킬 위치에 포토레지스트(14)로 패턴을 형성한다. 패턴된 웨이퍼를 하기 표 2와 같은 조성의 도금액에 담가 UBM 도금을 실시한다.
<표 2> 도금액의 조성 및 조건
도금액 조성
NiSO46H2O, 0.3M
CuSO46H2O 0.04M
구연산 소다(Na citrate) 0.2M
pH 9.0
도금온도 50℃
양극 주석
교반여부 무교반
구연산 소다는 구리와 니켈이 동시에 도금되도록 하는 착화물로 제공된다.
패턴된 웨이퍼의 패드 위에 순수한 구리가 도금되는 낮은 전류 밀도에서 도금을 실시하여 일정 두께의 순수한 구리층(15)을 웨이퍼의 패드 위에 형성시킨다(도면 1(b)). 상기 구리층(15)은 칩의 패드와 솔더 범프와의 접속 및 UBM 구조의 잔류응력을 감소시키기 위함이다. 그 후 전류밀도를 바로 올려서 도금하여 니켈-구리 합금층(16)을 구리층(15) 위에 형성시킨다(도면 1(c)). 이 때 전류밀도의 변화 외에는 다른 도금 조건의 변화는 없으며 동일 도금액에서 연속적으로 행해지므로 작업속도가 빠르다. 형성된 니켈-구리 합금층(16)은 솔더와 패드간의 확산방지층의 역할을 한다. 그 후 다시 전류밀도를 내려서 순수한 구리층(17)을 니켈-구리 합금층 위에 형성시킨다(도면 1(d)). 이 때 구리층(17)은 솔더와의 젖음성과 접합성을 부여하기 위해 형성된다. 다만 니켈-구리 합금층(16)의 젖음성이 충분할 경우 최상부 구리층(17)의 형성은 생략될 수 있다.
도 2는 상기 도금 조건으로 전류밀도를 달리하여 얻어진 니켈-구리 합금층(16)의 전류밀도에 따른 조성을 나타낸다. 이와 같이 전류밀도를 달리함으로써 순수한 구리층(15)(17)과 니켈-구리 합금층(16)을 동일 도금조를 사용하여 도금할 수 있으며, 니켈-구리 합금층(16)의 조성을 자유롭게 조절할 수도 있다.
전기도금으로 얻어진 니켈-구리 합금층(16)의 응력은 조성에 따라 달라지는데, 일반적으로 구리는 응력이 낮다. 도 3은 상기 도금조건으로 도금하였을 때, 도금층의 조성에 따른 응력을 측정한 것이다. 도금층 내에 구리 함량이 증가할수록 응력은 감소하여, 순수한 구리는 약간의 압축응력을 갖는다. 따라서 하부에 형성한 구리층(15)이 구리-니켈 합금층(16)의 인장응력을 흡수하고 상쇄시켜 응력완화의 역할을 충분히 수행한다.
위와 같이 형성된 UBM 구조에서 니켈-구리 합금층(16)이 확산 방지의 역할을 하는지 알아보기 위하여 Sn-3.5%Ag 솔더를 니켈-구리 합금층 위에 도포하고 250℃에서 리플로를 수행하여 계면 반응을 관찰하였다(이때, 비교 재료로는 순수한 니켈 도금층을 사용하였다). 리플로 중에 니켈-구리 합금층은 솔더와 반응하여 금속간화합물을 생성하고 자신은 소진되었다.
도 4는 니켈-구리 합금층 및 순수한 니켈층의 솔더 리플로 수행 후 소진 정도를 나타낸다. 실시한 니켈-구리 합금은 니켈 함량이 100%에서 47%의 범위를 갖는다. 니켈함량을 47%까지 감소시킨 니켈-구리 합금층에서도 솔더와의 반응에 의한 소진 정도가 순수한 니켈에 비하여 크지 않다.
실제 플립칩 공정에서 리플로 시간은 수 분 이내이므로 도 4의 니켈-구리합금의 소진 정도를 기준으로 하여 UBM의 두께를 결정할 수 있으며, UBM의 두께를 줄이기 위해서는 니켈 함량이 많은 것이 바람직하다.
이하, 본 발명을 하기 실시예에 의거하여 보다 구체적으로 설명한다. 그러나, 이들 실시예는 본 발명에 대한 이해를 돕기 위한 것으로서 이들에 의해 본 발명의 권리범위가 한정되는 것은 아니다.
<실시예 1> 구리층/니켈-구리 합금층 구조의 UBM의 형성
하기 샘플에서와 같이 구리층의 두께를 변화시키면서 구리층/니켈-구리 합금층 구조의 UBM을 제조하고, 구리층 두께의 변화에 따른 응력변화를 관찰하였다.
◎ 샘플 1: 상기 표 2의 도금액을 이용하여 순수한 구리층 없이 20분 동안 1A/dm2의 전류밀도로 4μm 두께의 니켈-30% 구리 합금층을 형성하였다.
◎ 샘플 2: 초기에 0.2 A/dm2의 전류밀도에서 25분 동안 도금하여 1μm 두께의 순수한 구리층을 형성하고 그 위에 1 A/dm2의 전류밀도로 15분 동안 도금하여 3μm 두께의 니켈-30% 구리 합금층을 형성하였다.
◎ 샘플 3: 0.2 A/dm2의 전류밀도에서 구리층에 대한 도금시간을 50분으로 증가시켜 2μm 구리층을 형성하고 그 위에 1 A/dm2의 전류밀도로 10분 동안 도금하여 2μm 두께의 니켈-30% 구리 합금층을 형성하였다.
◎ 샘플 4: 0.2 A/dm2의 전류밀도에서 구리층에 대한 도금시간을 75분으로 증가시켜 3μm 구리층을 형성하고 그 위에 1 A/dm2의 전류밀도로 5분 동안 도금하여 1μm 두께의 니켈-30% 구리 합금층을 형성하였다.
도 5는 상기 각 샘플을 대상으로 한 응력 측정 결과 그래프로서 순수한 구리층의 두께 증가에 의해 UBM의 응력이 감소함을 확인할 수 있다.
이에 의하면 하부 구리층의 두께에 따라서 UBM의 응력을 변화시킬 수 있으며, 적당한 두께를 갖는 구리층을 형성하여 UBM의 응력을 일정 수준 이하로 줄일 수 있음을 알 수 있다.
<실시예 2> 구리층/니켈-구리 합금층/구리층 구조의 UBM의 형성Ⅰ
상기 표 2의 도금액을 이용하여 초기에 0.2 A/dm2의 전류밀도에서 50분 동안 도금하여 2μm 두께의 순수한 구리층을 형성하고 그 위에 0.5 A/dm2의 전류밀도로 50분 동안 도금하여 4μm 두께의 니켈-50% 구리 합금층을 형성한 후 전류밀도를 0.2 A/dm2로 변화시켜 5분 동안 도금하여 그 위에 0.2 μm 두께의 순수한 구리층을 형성하였다. 도 6은 상기 과정으로 형성한 UBM의 주사전자현미경 사진이다(여기서 포토레지스트는 제거된 상태이다).
위의 경우 니켈-50%구리 합금층에 대한 무연솔더의 젖음성이 우수하기 때문에 구리층/니켈-구리 합금층/구리층 구조의 UBM에서 최상부의 순수한 구리층의 형성 과정을 생략한 구리/니켈-구리 구조의 UBM이 가능하다.
<실시예 3> 구리층/니켈-구리 합금층/구리층 구조의 UBM의 형성Ⅱ
상기 표 2의 도금액을 이용하여 포토레지스트로 패턴된 웨이퍼 패드 위에 초기 0.2 A/dm2의 전류 밀도에서 25분간 도금하여 순수한 구리층을 형성하여 패드와 접합시키고, 그 위에 1 A/dm2의 전류밀도로 20분간 도금하여 니켈-30% 구리층을 형성하고, 다시 그 위에 0.2 A/dm2의 전류밀도로 5분간 도금하여 순수한 구리층을 형성시켰다. 도 7은 상기 과정으로 형성한 UBM의 주사전자현미경 사진이다(여기서 포토레지스트는 제거된 상태이다).
본 발명은 패턴이 형성된 웨이퍼상에서 UBM을 형성시 요구되는 젖음성, 확산방지기능, 저응력의 조건을 만족하면서 식각과정을 생략할 수 있어 저가의 공정 방법을 제공한다. 또한 무연솔더뿐만 아니라 기존의 공정솔더 모두에 대해 적용이 가능한 신뢰성 있는 UBM의 형성이 가능하다.
도 1은 본 발명에 따른 구리/니켈-구리 합금/구리 UBM의 형성과정을 나타낸 개략도.
a)는 웨이퍼 칩(11)의 패드(12)위에 접합층 및 구리 씨앗층(13)이 순차적으로 형성되고, 포토레지스트(14)로 패턴된 형태,
(b)는 (a) 위에 전기도금으로 구리(15)를 형성한 단계 및 도금조건
c)는 (b) 위에 전기도금으로 니켈-구리 합금(16)을 형성한 단계 및 도금조건
(d)는 (c) 위에 전기도금으로 구리(17)를 형성한 단계 및 도금조건
도 2는 본 발명에 따라 전기도금시 전류밀도에 따른 니켈-구리 합금층의 조성변화그래프
도 3은 본 발명에 따라 전기도금으로 형성한 니켈-구리 합금층의 조성에 따른 응력변화그래프
도 4는 본 발명에 따라 전기도금으로 형성한 UBM에 있어서 니켈-구리 합금층의 조성에 따른 솔더 리플로 후의 소진 정도를 나타낸 그래프
도 5는 본 발명에 따라 전기도금으로 형성한 UBM의 하부 구리층의 두께에 따른 응력 변화그래프
도 6은 실시예 2에 따라 형성한 구리층/니켈-구리 합금층/구리층 구조의 UBM을 주사전자현미경으로 관찰한 사진
도 7은 실시예 3에 따라 형성한 구리층/니켈-구리 합금층/구리층 구조의 UBM을 주사전자현미경으로 관찰한 사진
<도면의 주요부분에 대한 부호 설명>
11 : 웨이퍼 칩 12 : 금속 패드
13 : 접합층 및 구리 씨앗층 14 : 포토레지스트
15 : 전기도금 구리층 16 : 전기도금 니켈-구리 합금층
17 : 전기도금 구리층

Claims (7)

  1. 반도체 소자의 플립칩 접속용 UBM의 형성방법에 있어서,
    니켈이온공급원 및 구리이온공급원을 함유하는 도금액에 패턴이 형성된 웨이퍼를 담그는 단계와,
    소정의 전류밀도를 가하여 칩의 패드와 솔더범프간의 접속과 응력완화를 위한 구리층을 형성하는 단계와,
    전류밀도를 증가시켜 솔더와 패드간의 확산방지층인 니켈-구리합금층을 형성하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 플립칩 접속용 UBM의 형성방법
  2. 제 1항에 있어서,
    전류밀도를 다시 감소시켜 상기 니켈-구리합금층 위에 솔더와의 젖음성 개선을 위한 구리층을 형성하는 단계를 추가로 포함함을 특징으로 하는 플립칩 접속용 UBM의 형성방법
  3. 제 1항에 있어서,
    순수 구리층과 니켈-구리 합금층의 형성에 요구되는 전류밀도의 비는 1:2.5∼1:10로 함을 특징으로 하는 플립칩 접속용 UBM의 형성방법
  4. 제 3항에 있어서,
    순수 구리층의 형성시 가하는 전류밀도는 0.2∼1A/dm2임을 특징으로 하는 플립칩 접속용 UBM의 형성방법
  5. 제 3항에 있어서,
    니켈-구리 합금층의 형성시 가하는 전류밀도는 0.3∼4A/dm2임을 특징으로 하는 플립칩 접속용 UBM의 형성방법
  6. 제 1항에 있어서,
    니켈이온공급원으로는 NiSO4, NiCl2, Ni(SO3NH2)2 에서 선택된 적어도 1종이상을 포함함을 특징으로 하는 플립칩 접속용 UBM의 형성방법
  7. 제 1항에 있어서,
    구리이온공급원으로는 CuSO4, CuCN, Cu2P2O7 에서 선택된 적어도 1종 이상을 포함함을 특징으로 하는 플립칩 접속용 UBM의 형성방법
KR10-2002-0044442A 2002-07-27 2002-07-27 전기도금법에 의한 반도체 소자의 플립칩 접속용 ｕｂｍ의형성방법 KR100476301B1 (ko)

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