JPS62142067A - 半田との合金層形成の少ない複合材 - Google Patents
半田との合金層形成の少ない複合材Info
- Publication number
- JPS62142067A JPS62142067A JP28003585A JP28003585A JPS62142067A JP S62142067 A JPS62142067 A JP S62142067A JP 28003585 A JP28003585 A JP 28003585A JP 28003585 A JP28003585 A JP 28003585A JP S62142067 A JPS62142067 A JP S62142067A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- solder
- composite material
- wettability
- coated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Solid-Phase Diffusion Into Metallic Material Surfaces (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Connections Effected By Soldering, Adhesion, Or Permanent Deformation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本願発明は、電子機器用リード材をラジェータ用フィン
材等半田付作業を必要とする材料、特に半田との合金層
形成が少ない複合材に関するものである。
材等半田付作業を必要とする材料、特に半田との合金層
形成が少ない複合材に関するものである。
[従来技術とその問題点コ
電子機器用のリード線、半導体用リードフレーム、ラジ
ェータ用フィン祠などは、通常半[U付作業に供される
。このような半田付けされた部材には、銅と半FBの界
面に必ず脆い金属間化合物(CU 33n 、 Cu
63n s )が形成され、半田付部の信頼を損う原因
となっている。とりわけ、電子FM器関係における半田
付作業には!11心の注意が払われているが、半田付作
業中の条件(温度。
ェータ用フィン祠などは、通常半[U付作業に供される
。このような半田付けされた部材には、銅と半FBの界
面に必ず脆い金属間化合物(CU 33n 、 Cu
63n s )が形成され、半田付部の信頼を損う原因
となっている。とりわけ、電子FM器関係における半田
付作業には!11心の注意が払われているが、半田付作
業中の条件(温度。
時間)により、また使用々途で温度上界を来たずもので
は、使用中に6化合物が成長する場合もある。
は、使用中に6化合物が成長する場合もある。
従って、半田付作業ににって金属間化合物の生成が少く
、使用中の悪環境の中でbその成長が少く、実質的に無
害で、信頼性の高い材料の開発が望まれている。
、使用中の悪環境の中でbその成長が少く、実質的に無
害で、信頼性の高い材料の開発が望まれている。
[発明の目的]
本発明は、前記した従来技術の欠点を解消し、半田付部
が過大な熱を受けても金属間化合物の生成が少く、かつ
半田付は可能な材料を提供するものである。
が過大な熱を受けても金属間化合物の生成が少く、かつ
半田付は可能な材料を提供するものである。
[発明の概要]
本発明の要旨は、銅または銅合金からなる母材(△)に
溶融半田が濡れ難い異種金属(B)を被覆するか拡散さ
せてなる材料表面(C)の更にその上に、それよりも半
田に濡れ易い別の金属(D)を被覆したことにある。
溶融半田が濡れ難い異種金属(B)を被覆するか拡散さ
せてなる材料表面(C)の更にその上に、それよりも半
田に濡れ易い別の金属(D)を被覆したことにある。
この場合(B)金属としては、溶融半田が濡れ難いもの
が選定されるが、単独あるいは銅と合金化してこの機能
を発揮するのは、AI、Niが良い。
が選定されるが、単独あるいは銅と合金化してこの機能
を発揮するのは、AI、Niが良い。
しかし、この場合の半田の濡れ梵さは、(A)。
<0>金属との比較によって決められるので、例えば(
D)金属として銅や銀を選ぶならば、AI。
D)金属として銅や銀を選ぶならば、AI。
Ni以外にす、zn等も使用できる。
また、(D)金属の厚さは、可能な限り薄いことが望ま
しい。溶融半[0と反応して(D)金属の一部は、半田
中に溶は込み特有の化合物を形成する可能性がある。従
って、できるだけ薄くして全準が半田中に溶は込んでも
半田(Sn )の固溶体となるようにj7さを設定する
のがよい。しかし、あまり薄いと(B)、(C)金属の
影響が現われ、半田付は性を害することになるので、0
.001〜10μm程度が望ましい。
しい。溶融半[0と反応して(D)金属の一部は、半田
中に溶は込み特有の化合物を形成する可能性がある。従
って、できるだけ薄くして全準が半田中に溶は込んでも
半田(Sn )の固溶体となるようにj7さを設定する
のがよい。しかし、あまり薄いと(B)、(C)金属の
影響が現われ、半田付は性を害することになるので、0
.001〜10μm程度が望ましい。
また、([3)、(C)層についてもこれが拡散バリヤ
となり得る厚さを化合物生成限界として0.001〜3
0μmが望ましい範囲である。
となり得る厚さを化合物生成限界として0.001〜3
0μmが望ましい範囲である。
なお、本発明にいう半田の濡れ性の判定は、次のように
して行う。
して行う。
11300℃に保持したPbバスを用意する。
(2無酸素銅の板にZn(、fez系フラックスを塗布
し、Pbバス上に浮かべ、一定時間、例えば3秒経過し
、フラックスが反応するのを待つ。
し、Pbバス上に浮かべ、一定時間、例えば3秒経過し
、フラックスが反応するのを待つ。
(311mtm X 10φのPb−40%Snブラン
クを板上に乗ぜ゛た後、一定時間、例えば約30秒後に
取り出し、半田の拡がった面積を比較する。
クを板上に乗ぜ゛た後、一定時間、例えば約30秒後に
取り出し、半田の拡がった面積を比較する。
(4)面積の大ぎいもの夕濡れ性が優れていると定義す
る。
る。
複連する実施例は、母材として条、線材の場合を示すが
、本発明は表面が銅または銅合金であれば、パイプ、棒
、各種部品に6応用できることは勿論である。
、本発明は表面が銅または銅合金であれば、パイプ、棒
、各種部品に6応用できることは勿論である。
また、本発明では、三層構成について述べであるが、こ
れを拡張することは可能でおる。例えば三層構成の上に
他の機能要求のために別の金属が被覆され、四層構成と
なった場合であるが、下の三層が半田の拡がりと、拡散
を防止する構成ならば、本発明の変形と言うべきである
。
れを拡張することは可能でおる。例えば三層構成の上に
他の機能要求のために別の金属が被覆され、四層構成と
なった場合であるが、下の三層が半田の拡がりと、拡散
を防止する構成ならば、本発明の変形と言うべきである
。
[発明の実施例コ
以下、実施例について説明する。
実施例1
厚さO,Bmm、幅600#のCu−0,12%3n合
金条の表面に、A1を蒸着により0.1μの厚さに被覆
した後、連続炉により800℃×2分間通炉し、表面A
1を拡散させた。この材料を厚さ0.4#I+まで圧延
した(す、その表面に、電気メツキ法によりCUを0.
5μの厚さに被覆した複合材を製作した。この材料は、
幅25mmにスリットされ、半導体リードフレーム用に
供され、足の部分にPb−60%3n半田が溶融メッキ
されたが、母材界面に金属間化合物の生成はなく、折り
曲げても半田が剥離する現蒙は無かった。
金条の表面に、A1を蒸着により0.1μの厚さに被覆
した後、連続炉により800℃×2分間通炉し、表面A
1を拡散させた。この材料を厚さ0.4#I+まで圧延
した(す、その表面に、電気メツキ法によりCUを0.
5μの厚さに被覆した複合材を製作した。この材料は、
幅25mmにスリットされ、半導体リードフレーム用に
供され、足の部分にPb−60%3n半田が溶融メッキ
されたが、母材界面に金属間化合物の生成はなく、折り
曲げても半田が剥離する現蒙は無かった。
実施例2
太さ2.4φの無酸素銅線材の表面に、Zn −3%八
へ合金を溶融法により約0.3μmの厚さに被覆し、こ
れをs o o ’cの連続炉で2分間加熱して表面に
拡散させた。この材料を1.6φまで引抜き加工した後
、電気メッキに」−り0.5μmの厚さの銅メッキを施
した。このものは、電子機器のリード線として利用され
、折り曲げでb半ITIの剥離等のない鳴れたり−ド線
の機能を発揮した。
へ合金を溶融法により約0.3μmの厚さに被覆し、こ
れをs o o ’cの連続炉で2分間加熱して表面に
拡散させた。この材料を1.6φまで引抜き加工した後
、電気メッキに」−り0.5μmの厚さの銅メッキを施
した。このものは、電子機器のリード線として利用され
、折り曲げでb半ITIの剥離等のない鳴れたり−ド線
の機能を発揮した。
実施例3
厚さ0.1m、幅600mm、長さ200mの無酸素銅
条の表面に、Zn−10%A1合金の粉末をフラックス
作用を有する塗料と共に塗布した後、700℃で5分の
連続焼鈍を廠して前記銅条の表面にZn−△1の拡散層
を約5μm形成した。塗料の残物を除去した後、その表
面に電気メッキにより約5μmの厚さのCuをメッキし
た。この材料を圧延により50μに仕上げ、スリットし
た後、ラジェータコアに組立て、連続焼鈍により半田付
f:Jを行った。
条の表面に、Zn−10%A1合金の粉末をフラックス
作用を有する塗料と共に塗布した後、700℃で5分の
連続焼鈍を廠して前記銅条の表面にZn−△1の拡散層
を約5μm形成した。塗料の残物を除去した後、その表
面に電気メッキにより約5μmの厚さのCuをメッキし
た。この材料を圧延により50μに仕上げ、スリットし
た後、ラジェータコアに組立て、連続焼鈍により半田付
f:Jを行った。
半田付は部の状況は極めて良好であり、化合物生成によ
る脆い特性は全く認められなかった。
る脆い特性は全く認められなかった。
[発明の効果J
本発明の祠Hによれば、原理的にも、また実際的にも金
属間化合物の生成は極めて少ない。即ち、下地の異わF
金属またはこれの拡散層はもともと半田と濡れ難い。従
って拡散の生じ難い金属層が選定してあり、半田と極め
て濡れ易い表面層を通じて半田が拡散して来ても、下地
の層で拡散が停滞してしまう。そして表面は半田が舗れ
易い金属群が選定されているので、半田付は性は通常と
遜色はない。
属間化合物の生成は極めて少ない。即ち、下地の異わF
金属またはこれの拡散層はもともと半田と濡れ難い。従
って拡散の生じ難い金属層が選定してあり、半田と極め
て濡れ易い表面層を通じて半田が拡散して来ても、下地
の層で拡散が停滞してしまう。そして表面は半田が舗れ
易い金属群が選定されているので、半田付は性は通常と
遜色はない。
Claims (5)
- (1)表面が銅または銅合金から母材(A)の表面に、
母材(A)よりも半田に対する濡れ性の劣る異種金属(
B)を被覆または拡散させ、更にその表面(C)に、前
記異種金属(B)および表面材料(C)よりも半田の濡
れ性の優れた金属(D)を被覆してなることを特徴とす
る半田との合金層形成の少ない複合材。 - (2)金属(B)が組成の一部にAlまたはNiを含み
、金属(D)がCu、Zn、Sn、AgまたはNiを含
むことを特徴とする、前記第1項記載の複合材。 - (3)金属(B)の厚さが0.001〜30μである、
前記第1項または第2項記載の複合材。 - (4)金属(D)の厚さが0.001〜10μである、
前記第1項、第2項または第3項記載の複合材。 - (5)電子機器用リード材またはラジエーター用フィン
材である、前記第1項ないし第4項の何れかに記載の複
合材。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28003585A JPS62142067A (ja) | 1985-12-12 | 1985-12-12 | 半田との合金層形成の少ない複合材 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28003585A JPS62142067A (ja) | 1985-12-12 | 1985-12-12 | 半田との合金層形成の少ない複合材 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62142067A true JPS62142067A (ja) | 1987-06-25 |
Family
ID=17619385
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28003585A Pending JPS62142067A (ja) | 1985-12-12 | 1985-12-12 | 半田との合金層形成の少ない複合材 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62142067A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0339488A (ja) * | 1989-07-05 | 1991-02-20 | C Uyemura & Co Ltd | 無電解錫めっき方法 |
CN104289856A (zh) * | 2013-07-19 | 2015-01-21 | 北京有色金属研究总院 | 一种钼铜复合材料的制备方法 |
-
1985
- 1985-12-12 JP JP28003585A patent/JPS62142067A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0339488A (ja) * | 1989-07-05 | 1991-02-20 | C Uyemura & Co Ltd | 無電解錫めっき方法 |
CN104289856A (zh) * | 2013-07-19 | 2015-01-21 | 北京有色金属研究总院 | 一种钼铜复合材料的制备方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4441118A (en) | Composite copper nickel alloys with improved solderability shelf life | |
US6110608A (en) | Lead material for electronic part, lead and semiconductor device using the same | |
JP4086949B2 (ja) | 金属被覆部材 | |
US6136460A (en) | Tin coatings incorporating selected elemental additions to reduce discoloration | |
JPH06196349A (ja) | タンタルコンデンサ用銅系リードフレーム材及びその製造方法 | |
WO2004076724A1 (ja) | ハンダ性に優れた表面処理Al板、それを用いたヒートシンク、およびハンダ性に優れた表面処理Al板の製造方法 | |
JPH04329891A (ja) | 錫めっき銅合金材およびその製造方法 | |
JP2670348B2 (ja) | SnまたはSn合金被覆材料 | |
US4958763A (en) | Method of soldering aluminum | |
WO2007049025A1 (en) | Lead-free solder alloy | |
JPS62142067A (ja) | 半田との合金層形成の少ない複合材 | |
JP2798512B2 (ja) | 錫めっき銅合金材およびその製造方法 | |
JP4888992B2 (ja) | 表面処理Al板の製造方法 | |
JPH058276B2 (ja) | ||
JPS6348948B2 (ja) | ||
JPH02145794A (ja) | 耐熱剥離性に優れたリフロー錫またははんだめっき銅または銅合金材料 | |
JP4409356B2 (ja) | ヒートシンク用の表面処理Al板の製造方法 | |
EP0084161B1 (en) | Lead frames for electronic and electric devices | |
JPS628261B2 (ja) | ||
JP4014739B2 (ja) | リフローSnめっき材及び前記リフローSnめっき材を用いた端子、コネクタ、又はリード部材 | |
JP3827487B2 (ja) | はんだコーティング長尺材の製造方法 | |
JPH01104796A (ja) | 多元合金被膜の形成方法 | |
JP3143869B2 (ja) | CuまたはCu合金に対するAlまたはAl合金の被覆法 | |
JPH0945136A (ja) | 多層メッキのリード線とリードフレーム | |
JPS60201651A (ja) | 半導体用リ−ドフレ−ム |