JPS61127861A - スパツタリング用金タ−ゲツト - Google Patents
スパツタリング用金タ−ゲツトInfo
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- JPS61127861A JPS61127861A JP24922984A JP24922984A JPS61127861A JP S61127861 A JPS61127861 A JP S61127861A JP 24922984 A JP24922984 A JP 24922984A JP 24922984 A JP24922984 A JP 24922984A JP S61127861 A JPS61127861 A JP S61127861A
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- gold target
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
- C23C28/02—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material
- C23C28/023—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material only coatings of metal elements only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C28/02—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material
- C23C28/028—Including graded layers in composition or in physical properties, e.g. density, porosity, grain size
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔咳業上の利用分野〕
この発明は、スパッタリング用金ターゲットに関する。
一般に金ターゲットを用いてスパッタリングを行う場合
には、金ターゲットに発生する多線の熱を逃がすために
、金ターゲットをパッキングプレートにろう付け接合す
るようにしている。この４合、金ターゲットをパッキン
グプレートにｌｌｊ接ろう付け接合すると、鉛、錫等の
ろう材が金ターゲットに浸透、拡散し、（このような浸
透、拡散する性質を、この明細誉においては、固相溶解
性という。）金ターゲットの品質が損なゎｎてしまり。
には、金ターゲットに発生する多線の熱を逃がすために
、金ターゲットをパッキングプレートにろう付け接合す
るようにしている。この４合、金ターゲットをパッキン
グプレートにｌｌｊ接ろう付け接合すると、鉛、錫等の
ろう材が金ターゲットに浸透、拡散し、（このような浸
透、拡散する性質を、この明細誉においては、固相溶解
性という。）金ターゲットの品質が損なゎｎてしまり。
そこで、従来の金ターゲットにおいては、パッキングプ
レートに対する接合面に金との固相溶解性が低いニッケ
ルのメッキ層を形成し、このメッキ層によってろう材の
金ターゲットに対する浸透、拡散を防止するようにして
いる。
レートに対する接合面に金との固相溶解性が低いニッケ
ルのメッキ層を形成し、このメッキ層によってろう材の
金ターゲットに対する浸透、拡散を防止するようにして
いる。
〔発明が４４決しようとする間稙点〕
しかしながら、ニッケルメッキ！−を有する金ターゲッ
トにおいては、ニッケルの熱伝達性が比較的低い念め、
金ターゲットからパッキングプレートへ伝達される熱量
が減少し、この結果金ターゲットのａ度が上昇してろう
材が浴融し、金ターゲットがパッキングプレートから剥
離してしまう等の問題があつｔｏ 〔発明の目的〕 この発明は、上記問題を解決するためになさ八ｔもので
、ろう材の金ターゲットに対する′＆透、仏欣を防止す
ることかできるのは勿論のこと、放！４率の向上を図る
ことができるスパッタリング用金ターゲットを提供する
ことを目的とする、〔発明の構成〕 この発明は、上記の目的ｔ−達成するために、金ターゲ
ットのパッキングプレートに対する接合面に、金との面
相溶解性が低い金禰からなる第１の被ｒｉ＋−と、この
第１の被覆層を構成する金属より熱伝達性の高い金属か
らなる第２の被覆層とを順次形成し、しかも第１の被覆
層の層厚ｉ第＝の被被覆層の層厚Ｔ、、これら両被覆層
の総和Ｔａをそｎぞれ次のように設定したものである ３μ≦Ｔ、≦ ５０μ ３μ＝Ｔｍ≦２５０μ ｍ５μ≦Ｔｓ≦３００μ 〔実施例〕 以下、この発明の一実施例につぃ゛て第１図および第二
図ｔ−参照して説明するつなお、第１図はこの発明に係
る令ターゲットの拡大断面図、第一図はその平面図であ
る。
トにおいては、ニッケルの熱伝達性が比較的低い念め、
金ターゲットからパッキングプレートへ伝達される熱量
が減少し、この結果金ターゲットのａ度が上昇してろう
材が浴融し、金ターゲットがパッキングプレートから剥
離してしまう等の問題があつｔｏ 〔発明の目的〕 この発明は、上記問題を解決するためになさ八ｔもので
、ろう材の金ターゲットに対する′＆透、仏欣を防止す
ることかできるのは勿論のこと、放！４率の向上を図る
ことができるスパッタリング用金ターゲットを提供する
ことを目的とする、〔発明の構成〕 この発明は、上記の目的ｔ−達成するために、金ターゲ
ットのパッキングプレートに対する接合面に、金との面
相溶解性が低い金禰からなる第１の被ｒｉ＋−と、この
第１の被覆層を構成する金属より熱伝達性の高い金属か
らなる第２の被覆層とを順次形成し、しかも第１の被覆
層の層厚ｉ第＝の被被覆層の層厚Ｔ、、これら両被覆層
の総和Ｔａをそｎぞれ次のように設定したものである ３μ≦Ｔ、≦ ５０μ ３μ＝Ｔｍ≦２５０μ ｍ５μ≦Ｔｓ≦３００μ 〔実施例〕 以下、この発明の一実施例につぃ゛て第１図および第二
図ｔ−参照して説明するつなお、第１図はこの発明に係
る令ターゲットの拡大断面図、第一図はその平面図であ
る。
第１図に示すように、この金ターゲット１は、金（Ａｕ
）からなるターゲット本体２と、このターゲット本体２
のパッキングプレートＡ側の面に順次形成された第１の
被覆層３および第一の被１層４とから構成さｎている。
）からなるターゲット本体２と、このターゲット本体２
のパッキングプレートＡ側の面に順次形成された第１の
被覆層３および第一の被１層４とから構成さｎている。
なお、図中符号Ｂは金ターゲット１をパッキングプレー
トＡに接合するためのろう層であって、その材質として
は、襲（Ｓｎ）姶（Ｐυ）等が用いられている、前記！
／の被覆１−３は、ろう層Ｂを構成する金属がターゲッ
ト本体２に浸透、拡散するのを防止するためのものであ
って、ニッケル（Ｎ１）、鉄（Ｆｅ）、コハル）（Ｃｏ
）等から構成されている。
トＡに接合するためのろう層であって、その材質として
は、襲（Ｓｎ）姶（Ｐυ）等が用いられている、前記！
／の被覆１−３は、ろう層Ｂを構成する金属がターゲッ
ト本体２に浸透、拡散するのを防止するためのものであ
って、ニッケル（Ｎ１）、鉄（Ｆｅ）、コハル）（Ｃｏ
）等から構成されている。
この第１の被覆／１１３の厚さは、従来の金ターゲット
と同様にスパッタ出力に応じて決定されるが、従来の金
ターゲットにおける被覆層よりも薄く形成されクベきで
あり、その層厚Ｔ１は３〜５０μに設定されている。こ
れは層厚ｉを３μより薄くした場合には、ろう材のター
ゲット本体２への浸透、拡散を防止し得なくなるおそれ
があり、他方層重を５０μよシ厚くした場合には、例え
はスパッタ出力を１０Ｗ／ｄ以上にしたときに金ターゲ
ット１の温度が上昇し、実用に供し得なくなることがあ
るからである。なお、第１の被覆層３の形成法としては
、メッキ法、蒸着法あるいはスパッタリング法等がある
。
と同様にスパッタ出力に応じて決定されるが、従来の金
ターゲットにおける被覆層よりも薄く形成されクベきで
あり、その層厚Ｔ１は３〜５０μに設定されている。こ
れは層厚ｉを３μより薄くした場合には、ろう材のター
ゲット本体２への浸透、拡散を防止し得なくなるおそれ
があり、他方層重を５０μよシ厚くした場合には、例え
はスパッタ出力を１０Ｗ／ｄ以上にしたときに金ターゲ
ット１の温度が上昇し、実用に供し得なくなることがあ
るからである。なお、第１の被覆層３の形成法としては
、メッキ法、蒸着法あるいはスパッタリング法等がある
。
また、前記第一の被覆層４であるが、これは金ターゲッ
ト１からパッキングプレートＡへの伝達熱量の増大を図
るために、いわば従来の金ターゲットの被ｍＦ−の一部
に代えて形成されたものである。すなわち、従来の金タ
ーゲットのように、ニッケルからなる噴−の被！夏！−
を形成した場合には、ニッケルの熱伝達性が低いため、
金ターゲットノ放熱懺が減少してしまう、そこで、この
発明の金ターゲット１においては、第１の被覆層３ｔ−
従来のものの被覆層より薄くし、その分熱伝達性の高い
第一の被覆層４を形成することにより、ターゲット本体
２からパツキングレートＡへの伝達鴫舜の増大を図って
いる。この場合、第一の被覆層４１−構成する金属とし
ては銅（Ｃ，）、銅合金るるいは銀（Ａｇ）等が用いら
れるものであるが、それらの金属はニッケルよりも固相
溶解性が高いので、第一の被覆層４０層厚Ｔ！は、＠／
の被覆ｉ＠３と従来の金ターゲットにおける被覆層との
層厚の差よりも厚くされており、３〜２５０μに設定さ
ｎている。これは、層厚Ｔ、を３μより薄くした場合に
は、′ｒｖＪ／の被覆Ｉ＠が相対的に厚くなり、第一の
被１！−４を形成する童峨が失われ、他方２５０μより
厚くすると、経済性が悪化するからである。
ト１からパッキングプレートＡへの伝達熱量の増大を図
るために、いわば従来の金ターゲットの被ｍＦ−の一部
に代えて形成されたものである。すなわち、従来の金タ
ーゲットのように、ニッケルからなる噴−の被！夏！−
を形成した場合には、ニッケルの熱伝達性が低いため、
金ターゲットノ放熱懺が減少してしまう、そこで、この
発明の金ターゲット１においては、第１の被覆層３ｔ−
従来のものの被覆層より薄くし、その分熱伝達性の高い
第一の被覆層４を形成することにより、ターゲット本体
２からパツキングレートＡへの伝達鴫舜の増大を図って
いる。この場合、第一の被覆層４１−構成する金属とし
ては銅（Ｃ，）、銅合金るるいは銀（Ａｇ）等が用いら
れるものであるが、それらの金属はニッケルよりも固相
溶解性が高いので、第一の被覆層４０層厚Ｔ！は、＠／
の被覆ｉ＠３と従来の金ターゲットにおける被覆層との
層厚の差よりも厚くされており、３〜２５０μに設定さ
ｎている。これは、層厚Ｔ、を３μより薄くした場合に
は、′ｒｖＪ／の被覆Ｉ＠が相対的に厚くなり、第一の
被１！−４を形成する童峨が失われ、他方２５０μより
厚くすると、経済性が悪化するからである。
なお、第一の被覆１−４の形成法としては、メッキ法、
蒸着法あるいはスパッタリング法がある。
蒸着法あるいはスパッタリング法がある。
また、これら＠／および第二の被覆層３．４の４和ＴＩ
であるが、これはスパッタ出力、ろう材のターゲット本
体２への浸透、拡散の防止および熱伝達性を考慮し、＠
／および第二の被覆１＠３１４の各１脅厚Ｔ、、Ｔ、と
の関連において決定される。具体的には、１５μ≦Ｔ、
≦３００μに設定さｎる。
であるが、これはスパッタ出力、ろう材のターゲット本
体２への浸透、拡散の防止および熱伝達性を考慮し、＠
／および第二の被覆１＠３１４の各１脅厚Ｔ、、Ｔ、と
の関連において決定される。具体的には、１５μ≦Ｔ、
≦３００μに設定さｎる。
しかして、上記の金ターゲット１においては、ろうＩｎ
Ｂ ｔ” 構成する金属のターゲット本体１への浸透
、拡＃！Ｌｔ−１第１および第二の被覆層３．４によっ
て防止することができる。ま之、第１の被覆！−３の１
−厚を第二の被覆）−４の分だけ薄くすることができ、
しかも第２の被覆ｉｍ４を熱伝達性の制い金属によって
構成しているから、ターゲット本体１からパッキングプ
レートＡへの伝達熱電の増大ｔ−１ｄることかできる。
Ｂ ｔ” 構成する金属のターゲット本体１への浸透
、拡＃！Ｌｔ−１第１および第二の被覆層３．４によっ
て防止することができる。ま之、第１の被覆！−３の１
−厚を第二の被覆）−４の分だけ薄くすることができ、
しかも第２の被覆ｉｍ４を熱伝達性の制い金属によって
構成しているから、ターゲット本体１からパッキングプ
レートＡへの伝達熱電の増大ｔ−１ｄることかできる。
次に、この発明に係る金ターゲットの効果を確認するた
めに行った実＃ＬｆｌＪｔ−紹介する。この実験では、
スパッタ中における金ターゲットのパッキングプレート
からの剥離およびろう材のターゲット本体への浸透、拡
散の有無について調べた。なお、第１、第二の被覆１−
をそれぞれ構成する金、にとしては、ニッケル、銅とし
、この発明の金ターゲットを次のようにして製造した。
めに行った実＃ＬｆｌＪｔ−紹介する。この実験では、
スパッタ中における金ターゲットのパッキングプレート
からの剥離およびろう材のターゲット本体への浸透、拡
散の有無について調べた。なお、第１、第二の被覆１−
をそれぞれ構成する金、にとしては、ニッケル、銅とし
、この発明の金ターゲットを次のようにして製造した。
まず、ターゲット本体（２０３φ×６ｔ）の表面をゴム
糸のマスキング材等によってマスキングし、誕面（メッ
キする面）ヲトリクレンで脱脂し九。次に、このターゲ
ット本体に塩化ニッケル孜中でニッケルメッキ（′ｆｔ
ｔ流＃ｐｉ、５Ａ／ａｄ）によって第１の被覆層を形成
し、続いて硫酸Ｗ４液中で銅メッキ（電流密度５Ａ／ｄ
ｃｊ）によって第２の被＃９ｋＩｄ ｔ−形成し、その
後マスキング材を剥離しｔｏこのようにして製造された
金ターゲットを銅製のパッキングプレート（２５０φＸ
１０ｔ）にろう材として錫を用いてろう付けしたう 実験の結果は、次のとおりである。
糸のマスキング材等によってマスキングし、誕面（メッ
キする面）ヲトリクレンで脱脂し九。次に、このターゲ
ット本体に塩化ニッケル孜中でニッケルメッキ（′ｆｔ
ｔ流＃ｐｉ、５Ａ／ａｄ）によって第１の被覆層を形成
し、続いて硫酸Ｗ４液中で銅メッキ（電流密度５Ａ／ｄ
ｃｊ）によって第２の被＃９ｋＩｄ ｔ−形成し、その
後マスキング材を剥離しｔｏこのようにして製造された
金ターゲットを銅製のパッキングプレート（２５０φＸ
１０ｔ）にろう材として錫を用いてろう付けしたう 実験の結果は、次のとおりである。
以上説明したように、この発明のスパッタリング用金タ
ーゲットによれば、ターゲット本体のパッキングプレー
トに対する接合面に、金との固相溶解性が低い金属から
なる第１の被ｌ′ｆ層と、この第１の被覆ノーを構成す
る金属より熱伝達性の高い金属からなる第二の被覆層を
形成するようにしているから、ターゲット本体に対する
ろう材の浸透、拡散を防止することができ、しかもター
ゲット本体からパッキングプレートへの伝達熱癒の増大
を図って、ターゲット本体の剥離を防止することができ
る等の効果が得られる。
ーゲットによれば、ターゲット本体のパッキングプレー
トに対する接合面に、金との固相溶解性が低い金属から
なる第１の被ｌ′ｆ層と、この第１の被覆ノーを構成す
る金属より熱伝達性の高い金属からなる第二の被覆層を
形成するようにしているから、ターゲット本体に対する
ろう材の浸透、拡散を防止することができ、しかもター
ゲット本体からパッキングプレートへの伝達熱癒の増大
を図って、ターゲット本体の剥離を防止することができ
る等の効果が得られる。
第１図および第２図はこの発明の一実施例を示し、第１
図はその拡大断面図、第２図はその平面図である。 １・・・・・・金ターゲット２、・・・・・・ターゲッ
ト本体、３・・・・・・第１の破℃ｊ＠、４・・・・・
・第二の被覆ｌ−１Ａ・・・・・・パッキングプレート
、Ｂ・・・・・・ろう層。
図はその拡大断面図、第２図はその平面図である。 １・・・・・・金ターゲット２、・・・・・・ターゲッ
ト本体、３・・・・・・第１の破℃ｊ＠、４・・・・・
・第二の被覆ｌ−１Ａ・・・・・・パッキングプレート
、Ｂ・・・・・・ろう層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 パッキングプレートにろう付け接合されて用いられるス
パッタリング用金ターゲットであつて、前記パッキング
プレートに対する接合面に、金との固相溶解性が低い金
属からなる第１の被覆層と、この第１の被覆層を構成す
る金属より熱伝達性の高い金属からなる第２の被覆層と
を順次形成し、しかも第１の被覆層の層厚Ｔ＿１、第２
の被覆層の層厚Ｔ＿２、両被覆層の総和Ｔ＿３をそれぞ
れ次のように設定したことを特徴とするスパッタリング
用金ターゲット。 ３μ≦Ｔ＿１≦■５０μ ３μ≦Ｔ＿２≦２５０μ １５μ≦Ｔ＿３≦３００μ
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24922984A JPS61127861A (ja) | 1984-11-26 | 1984-11-26 | スパツタリング用金タ−ゲツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24922984A JPS61127861A (ja) | 1984-11-26 | 1984-11-26 | スパツタリング用金タ−ゲツト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61127861A true JPS61127861A (ja) | 1986-06-16 |
| JPH0355548B2 JPH0355548B2 (ja) | 1991-08-23 |
Family
ID=17189838
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24922984A Granted JPS61127861A (ja) | 1984-11-26 | 1984-11-26 | スパツタリング用金タ−ゲツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61127861A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63270460A (ja) * | 1987-04-27 | 1988-11-08 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | スパツタリング・タ−ゲツト |
| WO2017209281A1 (ja) * | 2016-06-02 | 2017-12-07 | 田中貴金属工業株式会社 | 金スパッタリングターゲット |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5956971A (ja) * | 1982-09-27 | 1984-04-02 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | スパツタリング用タ−ゲツトの製造方法 |
-
1984
- 1984-11-26 JP JP24922984A patent/JPS61127861A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5956971A (ja) * | 1982-09-27 | 1984-04-02 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | スパツタリング用タ−ゲツトの製造方法 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63270460A (ja) * | 1987-04-27 | 1988-11-08 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | スパツタリング・タ−ゲツト |
| WO2017209281A1 (ja) * | 2016-06-02 | 2017-12-07 | 田中貴金属工業株式会社 | 金スパッタリングターゲット |
| CN109196137A (zh) * | 2016-06-02 | 2019-01-11 | 田中贵金属工业株式会社 | 金溅射靶 |
| JPWO2017209281A1 (ja) * | 2016-06-02 | 2019-04-18 | 田中貴金属工業株式会社 | 金スパッタリングターゲット |
| JP2022048244A (ja) * | 2016-06-02 | 2022-03-25 | 田中貴金属工業株式会社 | Ａｕ膜の形成方法 |
| US11569074B2 (en) | 2016-06-02 | 2023-01-31 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | Gold sputtering target |
| US11817299B2 (en) | 2016-06-02 | 2023-11-14 | Tanaka Kikinzoku Kogyo K.K. | Gold sputtering target |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0355548B2 (ja) | 1991-08-23 |
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