JPH01169955A

JPH01169955A - 半導体装置

Info

Publication number: JPH01169955A
Application number: JP62327699A
Authority: JP
Inventors: Kenji Yamaguchi; 健司山口; Sadahiko Sanki; 参木　貞彦; Yasuhiko Miyake; 三宅　保彦
Original assignee: Hitachi Cable Ltd
Current assignee: Hitachi Cable Ltd
Priority date: 1987-12-24
Filing date: 1987-12-24
Publication date: 1989-07-05

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〈産業上の利用分野〉本発明は、半導体装置、特にヒートシンクを介して半導
体素子が金属基板に搭載される半導体装置に関する。

〈従来の技術〉従来のパワーＩＣ等の半導体素子を搭載した半導体装置
は金属基板（Ｃｕ板）上に純Ｃｕ板をヒートシンクとし
てろう付し、そのヒートシンク上に半導体素子を固着し
たものである。

しかしながら半導体素子すなわちＳｉ素子の熱膨張係数
αが３．５Ｘ　１０−’／’Ｃであるのに対してヒート
シンクになっているＣｕ板の熱膨張係数αは１６．４　
Ｘ　１０−６／’Ｃであり、両省の熱膨張差が大きいた
め、パワーＩＣ等Ｓｉ素子の実装密度が高く、サイズが
大きくなる場合にはその発熱に伴う熱応力により、ろう
何部にクラックあるいは、Ｓｉ素子に割れが発生する場
合が多い。

そこで、ヒートシンクとしては、熱膨張係数αがＳｉ素
子と金属基板の熱膨張係数αの中間の値を持ちしかも放
熱性を良好にするため熱伝導率の高いものが要求される
。　かかるヒートシンク材として、一般には、Ｍｏ板あ
るいはＷ板が使用されている。　　しかしＭｏ、Ｗは稀
少金属であるためコスト高になり、しかも加工性が悪い
という問題点を有する。

一方、熱伝導性が比較的良好で、熱膨張係数αの小さい
ヒートシンク材としてＣｕ　／　Ｆ　ｅ−３６％Ｎｉ合
金／　Ｃｕの三層構造複合材も使用されている。　　し
かし、このような複合材は金属基板がＡｌ製の場合、基
板へのろう付が難しいという問題点を有する。

また、複合材のＣｕ表面からのＣｕイオン流出が嫌われ
る場合には、その防止を図るために、めっき、蒸着、ス
パッタ等の表面処理が必要となり、製造工程が複雑にな
る。

そこで、金属基板がＡＪＺ製の場合に、ろう付を容易に
するためにＡ　Ｉｔ　／　Ｆ　ｅ　−Ｎ　ｉ合金／ＡＪ
２の三層複合材をヒートシンクとして使用している。

すなわち、第５図に示すように、ＡｆＬ製の金属基板７
上に、ヒートシンク材としてＦｅ−Ｎｉ系合金層１の両
面にＡｆ１層３を形成したＡ　Ｉｔ　／　Ｆ　ｅ　−Ｎ
　ｉ系合金／Ａｆｌの三層構造複合材２１を使用し、こ
の三層構造複合材２１の一方の面をろう材２２にてＡＡ
製の金属基板７上にろう付し、他方の面にＳｉ素子８を
ろう月２２にてろう付固着した半導体装置が使用されて
いる。

この場合、Ａｆｌ製の金属基板７とＡ　１　／　Ｆ　ｅ
−Ｎｉ合金／Ａ、Ｑの三層複合材２１およびパワーＩＣ
等の半導体のろう付は、ろう材２２としてＡｌ１−１０
％５ｉ−１０％Ｚｎ−４％Ｃｕ合金と、さらにフラック
ス（ＺｎＣβ２の主成分〕を用いる。

フラックスはＬｉＣｊｌ、ＫＣｌ１．、ＮａＣｌ１等を
含み、電解質である上に吸湿性あるいは潮解性を有する
ことから、フラックスが残留するとろう何部で腐食が著
しく促進され、半導体装置としての信頼性が劣ることが
多々ある。

また、ろう材２２は酸化しやすく、フラックスとの反応
も一定でないため、ろう何夜のろう材の均一な厚さの確
保が困難で、半導体装置としての信頼性が低いという問
題がある。

〈発明が解決しようとする問題点〉本発明の目的は、前記した従来技術の問題点を解消し、
ＳＬ素子接合部の割れを防止し、ヒートシンクと金属基
板との接合性も向上させることによって半導体装置とし
ての信頼性を大幅に向上させることができる半導体装置
を提供することにある。

く問題点を解決するための手段〉本発明者らは、ヒートシンク並びに金属基板の両者にＡ
ｌろう材／　Ａ　Ｉｔ　／　Ｆ　ｅ　−Ｎ　ｉ系合金／
Ａｌ／ＡＪ２ろう材の五層構造の複合材を使用すること
により、もしくはヒートシンクに前記五層構造の複合材
を、金属基板にＡｕ材を使用することにより、半導体装
置としての信頼性を大幅に向上させることができること
を見出し、本発明を完成させるに至った。

さらに本発明者らは、Ｆｅ−Ｎｉ系合金層の少なくとも
一方の面にＮｉ、ＴｉおよびＣｒ　ｈ）ら選ばれる１種
以上からなる金属層を形成し、さらにその両面にＡｌ／
ＡＪ２ろう材をそれぞれ形成した複合材をヒートシンク
並びに金属板の両者に使用すること、もしくは、上記複
合材をヒートシンクに、ＡＪｌ材を金属基板に使用する
ことにより、半導体装置の信頼性をより大幅に向上させ
ることができることを見出し、本発明を完成させるに至
った。

すなわち、本発明の第１の態様によれば、Ｆｅ−Ｎｉ系
合金層の両面にＡＪ２層が体積率２０〜７０％で形成さ
れ、さらにその両面に５〜１００μｍ厚の八λろう材が
形成されている五層構造複合材を金属基板およびヒート
シンクとし、前記金属、基板上の前記ヒートシンク上に
半導体素子が搭載されていることを特徴とする半導体装
置が提供される。

また、本発明の第２の態様によれば、Ｆｅ−Ｎｉ系合金
層の少なくとも一方の面にＮｉ１ＴｉおよびＣｒから選
ばれる１種以上からなる０、００１〜５μｍの金属層が
形成されており、さらにその両面にＡＪ２層が体積率２
０〜７０％で形成され、さらにその両面に５〜１００μ
ｍＮのＡｆＬろう材が形成されている複合材を金属基板
およびヒートシンクとし、前記金属板上の前記ヒートシ
ンク上に半導体素子が搭載されていることを特徴とする
半導体装置が提供される。

また、本発明の第３の態様によれば、Ｆｅ−Ｎｉ系合金
層の両面にＡｕ層が体積率２０〜７０％で形成され、さ
らにその両面に５〜１００μｍ厚のＡＩろう材が形成さ
れている五層構造複合材をヒートシンクとすると共にＡ
ｕ材を金属基板とし、前記金属基板上の前記ヒートシン
ク上に半導体素子が搭載されていることを特徴とする半
導体装置が提供される。

さらに、本発明の第４の態様によれば、Ｆｅ−Ｎｉ系合
金層の少なくとも一方の面にＮｉ、ＴｉおよびＣｒから
選ばれる１ｆ！以上からなる０、００１〜５μｍの金属
層が形成されており、さらにその両面にＡｌ層が体積率
２０〜７０％で形成され、さらにその両面に５〜１００
μｍ厚のＡＪｌろう材が形成されている複合材をヒート
シンクとすると共にＡｊ２材を金属基板とし、前記金属
基板上の前記ヒートシンク上に半導体素子が搭載されて
いることを特徴とする半導体装置が提供される。

上記発明の各態様においては、前記Ｆｅ−Ｎｉ系合金が
Ｆｅ−３６％Ｎｉ合金であることが好ましい。

また、上記発明の各態様においては、前記Ｆｅ−Ｎｉ系
合金がＣＯを含む合金であることが好ましい。

以下、本発明を第１図〜第４図に基づいて詳細に説明す
る。なお、これら各図面中、第５図と同一部分には同一
符号を付してその説明を省略する。

第１図は、本発明の第１の態様に係る半導体装置１０を
示し、Ｆｅ−Ｎｉ系合金層１の両面にＡＪ２層３を形成
し、さらにその両面にＡｌろう材４を形成してなる五層
構造複合材Ｓをヒートシンクおよび金属基板として用い
たものである。

本発明の第１態様に係る半導体装置１０のヒートシンク
並びに金属基板として使用されるＡｆｌろう材／　Ａ　
１　／　Ｆ　ｅ　−Ｎ　ｉ系合金／Ａｆｔ／Ａｆｌろう
材の五層構造複合材５において、Ｆｅ−Ｎｉ系合金層１
は複合材の熱膨張係数αを小さくし、Ｓｔ素子８の熱膨
張係数αに近似させるという機能を有する。

Ｆｅ−Ｎｉ系合金としては、熱膨張係数αが低く、加工
性も良いインバー（Ｆｅ−３６％Ｎｉ合金、α＝１．５
ｘｔｏ−６／ｌ）を使用するのが好ましいが、さらに熱
膨張係数αを低下させたい場合にはＣＯを含むＦｅ−Ｎ
ｉ系合金を使用することが好ましい。　例えば、Ｆｅ−
３１％Ｎｉ−５，５％ＣＯ合金（温度Ｏ〜６０℃でａ＝
０．５Ｘ１０−’／’ｅ）、Ｆｅ−２９％Ｎｉ−１７，
５％ＣＯ合金（温度３０〜５００℃でα＝６゜ｏｘｔｏ
−’／’ｃ）等を好適に使用できる。

Ａｌ１ろう材／　Ａ　１２．　／　Ｆ　ｅ　−Ｎ　ｉ系
合金／Ａｌ／Ａｌｌろう材の五層構造の複合材５におい
て、Ａｌ層３は五層構造複合材５の縦弾性係数Ｅを小さ
くし、また、ろう付性が良好となるという機能を有する
。

本発明ではＡλ層３は五層構造複合材５に対して体積率
が２０〜７０％になるように形成されている。　Ａλ層
３の体積率を２０〜７０％に変えることにより五層構造
複合材５の熱膨張係数αを３．６ＸＩＣＭ’〜１２．４
　Ｘ　１０−６／℃に適宜設定することができる。Ａｊ
Ｚの体積率が２０％未満であると、熱伝導率が低くなり
、一方、７０％超になると線膨張係数が大きくなるので
好ましくない。

Ａｌ１層３の両面にＡｌｌろう材４を５〜１００μｍの
厚さで設けて五層構造複合材５を形成するのは、炉中雰
囲気ろう付において、均一なろう付層を確保するためで
ある。　また、あらかじめＡｌろう材４をＡｌ２．層３
の両面に接合することにより接着性の信頼を向上させる
ためである。

Ａｌろう材４を５〜１００μｍ厚に形成するのは、心材
のＡ　１１　／　Ｆ　ｅ　−Ｎ　ｉ系合金／Ａｌの複合
材の低膨張材料に対して、ＡＩＬろう材層４をあまり厚
くすると熱膨張係数が大きくなるためであり、過剰なろ
う材層は、ボイド（ｖｏｉｄ）をつくるからである。　
Ａｌろう材４の厚さを５μｍ未満とすると、炉中雰囲気
ろう付において、フラックスなしではろう材の供給量が
少なく接着が不可能であるからであり、１００μｍ厚を
超えると前述のように五層構造複合材５全体の熱膨張係
数が大きくなるため不適となるからである。

このＡＩＬろう材４は、例えばＡｆｉ−１０％５ｔ−１
０％Ｚｎ−４％Ｃｕ合金等が好ましい。

なお、Ａｌ層３をＦｅ−Ｎｉ系合金層１の両面に形成す
る方法としては、圧延圧接によるクラッド法、気相法（
蒸着、イオンブレーティング、スパッタ法、ＰＶＤ等）
による金属接着等をあげることができる。

また、Ａｆｌ、ろう材４をＡｌ層３の両面に形成する方
法としては、圧延圧接によるクラッド法や気相法（蒸着
、イオンブレーティング、スパッタ法、ＰＶＤ等）等に
よる方法がある。

このようにして形成した五層構造複合材５をヒートシン
クおよび金属板として用いるには、ヒートシンク用の五
層構造複合材５のＡｌ１ろう材４と、金属基板用の五層
構造複合材５のＡｌろう材４とを炉中τ囲気中において
ろう付固定すればよく、さらにヒートシンクの他方のＡ
Ｊ２ろう材４上にＳｉ素子８を同様に炉中雰囲気中にお
いてろう付固定することによって、本発明の第１の態様
に係る半導体装置１０が提供される。

第２図は、本発明の第２の態様に係る半導体装置の一実
施例を示すもので、Ｆｅ−Ｎｉ系合金層１の少なくとも
一方の面にＮｉ、ＴｉおよびＣｒから選ばれる１種以上
からなる０、００１〜５μｍの金属層２が形成されてお
り、さらにその両面にＡｌ層３およびＡＪＺろう材４を
、前記本発明の第一の態様と同様の体積率および厚さで
形成して複合材７を成し、この複合材７をヒートシンク
および金属基板として用いて半導体装置１１を提供する
ものである。

Ｆｅ−Ｎｉ系合金層１とＡＪ２層３の間にＮｉ、Ｔｉお
よびＣｒから選ばれる１種以上からなる０、００１〜５
μｍの金属層２を下地として用いるのは、Ｆｅ−Ｎｉ系
合金層１とＡｆ１層３との間の温度上昇による拡散を防
止し、ＡＪ２／Ｆｅ−Ｎｉ系合金層間に剥離しやすい金
属間化合物の形成を抑制して密着性を特に向上させるた
めである。

この金属層２の厚さは０．００１〜５μｍが好ましい。

　０．００１μｍ未満であると拡散抑制効果が不十分に
なるので好ましくなく、一方、５μｍを超えると複合材
の熱膨張係数並びに熱伝導率が好適な範囲外となるので
好ましくない。

このような下地層は電気めっき、無電解めっき、気相法
（蒸着、イオンブレーティング、スパッタ法、ＰＶＤ）
、固体金属箔を利用した圧延圧接法あるいは拡散接合法
等により形成することができる。

第３図は本発明の第３の態様に係る半導体装置１２を示
すもので、本発明の第１の態様において用いた五層構造
複合材５をヒートシンクに、ＡｊＺ材７を金属基板に用
いたものである。

この実施例においては、五層構造複合材５のＡｌろう材
４を、金属基板のＡ、９材７に炉中７囲気中においてろ
う付固定すればよい。

このように金属基板にＡｊＺ材７を用いることによって
Ａｊ２ろう材４との接合性を良好にし、接着性も安定さ
せる効果がある。

第４図は、本発明の第４の態様に係る半導体装置の一実
施例を示すもので、本発明の第２の態様において用いた
複合材６をヒートシンクに、Ａｊ２材７を金属基板に用
いて半導体装置１３としたものである。

この実施例においては、複合材６のＡｌろう材４を、金
属基板のＡｊ２材７に炉中雰囲気中においてろう付固着
すればよい。

このように金属基板にＡｊ２材７を用いることによって
、ＡＪＺろう材との接合性が良好で、高い信頼性が得ら
れるという効果がある。

〈実施例〉以下、本発明を具体例に基づいて更に詳細に説明する。

〈実施例１〉Ｆｅ−３６％Ｎｉ合金の板厚０．７０ｍｍの両面に純Ａ
ｌ層を０．１０ｍｍ形成し、さらにこの純Ａｌ層の表面
にＡｌろう材（ＡｆＬ−１０％５ｉ−１０％Ｚｎ−４％
Ｃｕ合金）を各々５０μｍ厚設け１全板厚が１．０ｍｍ
になる五層構造複合材を冷間圧延圧接で製造した。

そしてこの五層構造複合材をヒートシンクと金属基板と
して使用するため互いに重ね合せ、水素気流中で炉中ろ
う付を５６５℃で短時間（３分間）行って接合し、さら
にヒートシンク部上にＳｉ素子を搭載して第１図に示す
ような半導体装置を作製した。

この半導体装置で１５０℃の温度サイクル試験を行った
ところ、５層構造複合材を利用したヒートシンクと金属
基板との間およびヒートシンク部とＳｉ素子との間の双
方ともに十分な接合が得られた。また、Ｓｉ素子のろう
何部の？）」離およびＳｉ素子の割れも全く生じなかっ
た。

〈実施例２〉Ｆｅ−３１％Ｎｉ−５，５％ＣＯ合金の板厚０．６０ｍ
ｍの両面に各々純Ａｆ１層を０．１５ｍｍ形成し、さら
にこの純ＡＪ２層の表面にＡｊＺろう材（Ａｆｆｉ−１
０％５ｔ−１０％Ｚｎ−４％Ｃｕ合金）を各々５０μｍ
厚設け１全板厚が１．０ｍｍになる五層構造複合材を冷
間圧延圧接で製造した。　そしてこの五層構造複合材を
、第１図に示すような構造のヒートシンクと金属基板と
して使用するため互いに重ね合せ、アンモニア分解ガス
（７５％Ｈ２−２５％Ｎ２）気流中で炉中ろう付を５６
５℃で３分間行って接合し、さらにヒートシンク部上に
Ｓｉ素子を搭載して半導体装置を作製した。

この半導体装置を所定条件で稼動させたところ、Ｓｉ素
子のろう何部の剥離およびＳｉ素子の割れもなく、良好
な実装特性を示した。　また、ヒートシンク部と金属基
板部との間も十分な接合が得られた。

〈実施例３〉Ｆｅ−３６％Ｎｉ合金の板厚１．４０ｍｍの両面にＴｉ
を１．０μｍ厚真空蒸着し、この両面に各々純Ａｕ層を
０．２０ｍｍ形成し、さらにこの純ＡＪ２層の両表面に
Ａｌろう材（Ａｕ２−１０％５Ｌ−１０％Ｚｎ−４％Ｃ
ｕ合金）を各々０．１０ｍｍ重ね合せて４段圧延機で冷
間圧延圧接し、全板厚が１．０ｍｍになる七層の複合材
を製造し、これをヒートシンクと金属基板として使用す
るため互いに重ね合せ、水素気流中で炉中ろう付を５７
０℃で３分間行って接合し、さらにヒートシンク部上に
Ｓｉ素子を搭載して第２図に示すような半導体装置を作
製した。

この半導体装置を所定条件で稼動させたところ、Ｓｉ素
子のろう何部の剥離およびＳｉ素子の割れもなく良好な
半導体装置が得られた。

また、ヒートシンク部と金属基板との間も十分な接合が
得られた。

〈実施例４〉Ｆｅ−３６％Ｎｉ合金の板厚０．６ｍｍの両面に純Ａｌ
層を０．２ｍｍ形成し、さらにこの純Ａｕ層の表面にＡ
ｕ２ろう材（へλ−１０％５Ｌ−１０％Ｚｎ−４％Ｃｕ
合金）を各々１００μｍ設け、全体厚が１．２ｍｍにな
る五層構造複合材を冷間圧延圧接で製造した。

この五層構造複合材をヒートシンクとして、またＡｕ２
材を金属基板として使用するため、これらを重ね合わせ
、炉中ろう付で接合し、さらにヒートシンク部上にＳｉ
素子を搭載して第３図に示すような半導体装置を作製し
た。

この半導体装置でヒートサイクル試験を行ったところ、
五層構造複合材とＡｕ２材との間の十分な接合が得られ
、またＳｉ素子のろう何部の剥離およびＳｉ素子の割れ
も全く生じなかった。

〈実施例５〉Ｆｅ−３６％Ｎｉ合金の板厚１．５ｍｍの両面にＮｉを
１．０μｍ厚真空蒸着し、この両面に各々純ＡＩ！、層
を０．５ｍｍ形成し、さらにこの純Ａｕ層の表面にＡｕ
２ろう材（ＡＪＩ！−１０％５ｉ−１０％Ｚｎ−４％Ｃ
ｕ合金）を各々２００ｍｍ重ね合せ、４段圧延機で冷間
圧延圧接し、全板厚が１．０ｍｍになる七層の複合材を
製造した。

この複合材をヒートシンクとして、またＡｕ２材を金属
基板として使用するため、これらを重ね合せ、炉中ろう
付で接合し、さらにヒートシンク部上にＳｉ素子を搭載
して第４図に示すような半導体装置を作製した。

この半導体装置で通電加熱試験を行ったところ、上層構
造複合材とＡｌ材との間の十分な接合が得られ、またＳ
ｉ素子のろう何部の剥離およびＳｉ素子の割れも全く生
じなかった。

く比較例〉Ｆｅ−３６％Ｎｉ合金の板厚０．２ｍｍの両面に純ＡＬ
層を０．４ｍｍ形成して三層の複合材とし、この複合材
をヒートシンクとしてＡｌ材の金属基板上にろう材（Ａ
ｕ−１０％５ｉ−１０％Ｚｎ−４％Ｃｕ合金）をフラッ
クスを使い加熱してろう付した。　その後、この三層の
複合材上面にＳｉ素子をろう材（Ｐｂ−５％Ｓｎ合金）
にてエポキシ樹脂胴箔面上においてろう付固定して半導
体装置を作製した。

この半導体装置でヒートサイクル試験を行ったところ、
三層の複合材とＡｌ１材との間での接合はろう付接合不
安定で剥離し、Ｓｉ素子にも割れが生じた。

〈発明の効果〉以上詳述したように本発明によれば、半導体装置のヒー
トシンク並びに金属基板として使用する複合材の熱膨張
係数αを、複合材のＡｌ１層の体積率を２０〜７０％に
変えることによりα＝３．６Ｘ１０−’〜１２．４Ｘ　
１０−’／℃までＳｉ素子の熱膨張係数に近い値に自由
に選定できるので、従来生じていたＳｉ素子の割れの発
生が防止できる。

また、本発明の複合材の最外層両面にはＡｌろう材を形
成してなるものなので、Ｓｉ素子および金属基板へのろ
う付固着性が良好で安定したものとなる。　特に、この
複合材によるろう付は雰囲気中での炉中ろう付のためフ
ラックスによる不均一な接合性並びに残留がなく、信頼
性の高い半導体装置を提供することができる。

また、Ｓｉ素子の大型化、あるいは特にパワーＩＣの容
量が大きくなった場合にも本発明の複合材のＦｅ−Ｎｉ
系合金層の体積率を大きくしてＳｉ素子との熱膨張係数
を整合させることができ、発生する熱応力を抑制でき、
しかも熱放散性が優れているため、高信顆性の半導体装
置を提供することができる。

さらに、本発明の半導体装置はヒートシンクまたは金属
基板に使用する複合材のＦｅ−Ｎｉ系合金層に特定の下
地処理をしておくことにより、ヒートシンクと金属基板
の密着性が特に優れたものとなる。

また、本発明で使用する複合材は蒸着、スパッタ等の気
相法並びに圧延圧接にょる圧接法で製造できるので、本
発明の半導体装置は、量産性に適した安価なものとなる
。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図、第３図および第４図は、それぞれ本発
明の第１、第２、第３および第４実施態様を示す半導体
装置の断面図である。第５図は、従来例を示す半導体装置の断面図である。符号の説明１・・・Ｆｅ−Ｎｉ系合金層、２・・・金属層、３・・・Ａｌ１層、４・・・ＡＩＬろう材、５・・・５層構造複合材、６・・・複合材、７・・・ＡＪＺ製金属基板、８・・・Ｓｉ素子、１０．１１．１２．１３・・・半導体装置ＦｊＧ、１ｆ１３，５

Claims

【特許請求の範囲】

（１）Ｆｅ−Ｎｉ系合金層の両面にＡｌ層が体積率２０
〜７０％で形成され、さらにその両面に５〜１００μｍ
厚のＡｌろう材が形成されている五層構造複合材を金属
基板およびヒートシンクとし、前記金属基板上の前記ヒ
ートシンク上に半導体素子が搭載されていることを特徴
とする半導体装置。
（２）前記Ｆｅ−Ｎｉ系合金がＦｅ−３６％Ｎｉ合金で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の半
導体装置。
（３）前記Ｆｅ−Ｎｉ系合金がＣＯを含む合金であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の半導体装
置。
（４）Ｆｅ−Ｎｉ系合金層の少なくとも一方の面にＮｉ
、ＴｉおよびＣｒから選ばれる１種以上からなる０．０
０１〜５μｍの金属層が形成されており、さらにその両
面にＡｌ層が体積率２０〜７０％で形成され、さらにそ
の両面に５〜１００μｍ厚のＡｌろう材が形成されてい
る複合材を金属基板およびヒートシンクとし、前記金属
板上の前記ヒートシンク上に半導体素子が搭載されてい
ることを特徴とする半導体装置。
（５）前記Ｆｅ−Ｎｉ系合金がＦｅ−３６％Ｎｉ合金で
あることを特徴とする特許請求の範囲第４項に記載の半
導体装置。
（６）前記Ｆｅ−Ｎｉ系合金がＣＯを含む合金であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第４項に記載の半導体装
置。
（７）Ｆｅ−Ｎｉ系合金層の両面にＡｌ層が体積率２０
〜７０％で形成され、さらにその両面に５〜１００μｍ
厚のＡｌろう材が形成されている五層構造複合材をヒー
トシンクとすると共にＡｌ材を金属基板とし、前記金属
基板上の前記ヒートシンク上に半導体素子が搭載されて
いることを特徴とする半導体装置。
（８）前記Ｆｅ−Ｎｉ系合金がＦｅ−３６％Ｎｉ合金で
あることを特徴とする特許請求の範囲第７項に記載の半
導体装置。
（９）前記Ｆｅ−Ｎｉ系合金がＣＯを含む合金であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第７項に記載の半導体装
置。
（１０）Ｆｅ−Ｎｉ系合金層の少なくとも一方の面にＮ
ｉ、ＴｉおよびＣｒから選ばれる１種以上からなる０．
００１〜５μｍの金属層が形成されており、さらにその
両面にＡｌ層が体積率２０〜７０％で形成され、さらに
その両面に５〜１００μｍ厚のＡｌろう材が形成されて
いる複合材をヒートシンクとすると共にＡｌ材を金属基
板とし、前記金属基板上の前記ヒートシンク上に半導体
素子が搭載されていることを特徴とする半導体装置。
（１１）前記Ｆｅ−Ｎｉ系合金がＦｅ−３６％Ｎｉ合金
であることを特徴とする特許請求の範囲第１０項に記載
の半導体装置。
（１２）前記Ｆｅ−Ｎｉ系合金がＣＯを含む合金である
ことを特徴とする特許請求の範囲第１０項に記載の半導
体装置。