JPH0780634A - ろう付け方法 - Google Patents
ろう付け方法Info
- Publication number
- JPH0780634A JPH0780634A JP24886693A JP24886693A JPH0780634A JP H0780634 A JPH0780634 A JP H0780634A JP 24886693 A JP24886693 A JP 24886693A JP 24886693 A JP24886693 A JP 24886693A JP H0780634 A JPH0780634 A JP H0780634A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- brazing
- brazed
- sputtering
- brazing method
- strength
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ｉｎ単体のろう付け方法では実現できない、
ハイパワーでスパッタリングされるスパッタリングター
ゲットのろう付けに適用可能な高強度のろう付け方法を
提供する。 【構成】 メッキ、蒸着あるいはスパッタリングなどの
表面処理によりろう付け対象物、即ち、図１に示す薄膜
作製に使用されるスパッタリングターゲット材１は、ス
パッタリング中ターゲット自体が高温になるため、通常
銅製あるいはステンレス製のバッキングプレート２と呼
ばれる冷却板にろう付けしてろう付け部３で接合して使
用される。このろう付け対象物の表面に実質１０μｍ以
上の厚さのＣｕの被覆層を形成し、この形成したＣｕ被
覆層とろう付け材であるＩｎをＩｎの融点以上に加熱し
てＩｎを溶解させ、Ｃｕと合金化させてＩｎＣｕ（Ｉｎ
６０wt％Ｃｕ４０wt％）合金相をＩｎ中に微細に分散さ
せてろう材となし、ろう付け対象物をろう付けする。
ハイパワーでスパッタリングされるスパッタリングター
ゲットのろう付けに適用可能な高強度のろう付け方法を
提供する。 【構成】 メッキ、蒸着あるいはスパッタリングなどの
表面処理によりろう付け対象物、即ち、図１に示す薄膜
作製に使用されるスパッタリングターゲット材１は、ス
パッタリング中ターゲット自体が高温になるため、通常
銅製あるいはステンレス製のバッキングプレート２と呼
ばれる冷却板にろう付けしてろう付け部３で接合して使
用される。このろう付け対象物の表面に実質１０μｍ以
上の厚さのＣｕの被覆層を形成し、この形成したＣｕ被
覆層とろう付け材であるＩｎをＩｎの融点以上に加熱し
てＩｎを溶解させ、Ｃｕと合金化させてＩｎＣｕ（Ｉｎ
６０wt％Ｃｕ４０wt％）合金相をＩｎ中に微細に分散さ
せてろう材となし、ろう付け対象物をろう付けする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば磁気ヘッド用、
磁気記録媒体用および半導体用などの薄膜材料を製造す
るためのスパッタリング装置における各種スパッタリン
グターゲット材のろう付けに適するＩｎろうによるろう
付け方法に関するものである。
磁気記録媒体用および半導体用などの薄膜材料を製造す
るためのスパッタリング装置における各種スパッタリン
グターゲット材のろう付けに適するＩｎろうによるろう
付け方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１に示すように、薄膜作製に使用され
るスパッタリングターゲット材１はスパッタリング中タ
ーゲット自体が高温になるため、通常銅製あるいはステ
ンレス製のバッキングプレート２と呼ばれる冷却板にろ
う付けしてろう付け部３で接合して使用される。従来ス
パッタリングターゲット材をはじめとする各種電子部品
のろう付けにはＩｎ単体が主として用いられ、接着強度
もＩｎ単体の強度で十分であった。しかしながら最近生
産性の面からスパッタレイトを上げるため、ハイパワー
でスパッタリングされることが多く、それに伴いターゲ
ット材およびろう付け部が受ける熱的環境および機械的
環境も厳しくなり、ろう付け部分の品質もますます高度
なものが要求されるようになってきた。具体的にはター
ゲット材の冷却効率を上げるためろう付け面積率を増加
させたり、スパッタリング中のターゲット材がサーマル
ショックに耐えるように接着強度の高いろう付けが要求
されるようになってきた。
るスパッタリングターゲット材１はスパッタリング中タ
ーゲット自体が高温になるため、通常銅製あるいはステ
ンレス製のバッキングプレート２と呼ばれる冷却板にろ
う付けしてろう付け部３で接合して使用される。従来ス
パッタリングターゲット材をはじめとする各種電子部品
のろう付けにはＩｎ単体が主として用いられ、接着強度
もＩｎ単体の強度で十分であった。しかしながら最近生
産性の面からスパッタレイトを上げるため、ハイパワー
でスパッタリングされることが多く、それに伴いターゲ
ット材およびろう付け部が受ける熱的環境および機械的
環境も厳しくなり、ろう付け部分の品質もますます高度
なものが要求されるようになってきた。具体的にはター
ゲット材の冷却効率を上げるためろう付け面積率を増加
させたり、スパッタリング中のターゲット材がサーマル
ショックに耐えるように接着強度の高いろう付けが要求
されるようになってきた。
【０００３】ところが、従来のＩｎ単体（強度２．６２
ＭＰａ）を使用したろう付けでは、ろう付け強度は通常
７〜８ＭＰａしか得られずスパッタリングターゲットの
ろう付けとしては不十分になりつつある。
ＭＰａ）を使用したろう付けでは、ろう付け強度は通常
７〜８ＭＰａしか得られずスパッタリングターゲットの
ろう付けとしては不十分になりつつある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のＩｎ単体のろう
付け方法では実現できない、ハイパワーでスパッタリン
グされるスパッタリングターゲットのろう付けに適用可
能な高強度のろう付け方法を提供する。
付け方法では実現できない、ハイパワーでスパッタリン
グされるスパッタリングターゲットのろう付けに適用可
能な高強度のろう付け方法を提供する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】メッキ、蒸着あるいはス
パッタリングなどの表面処理によりろう付け対象物の表
面に実質１０μｍ以上の厚さのＣｕの被覆層を形成し、
この形成したＣｕ被覆層とろう付け材であるＩｎをＩｎ
の融点（１５６℃）以上に加熱し、Ｉｎを溶解させＣｕ
と合金化させ、ＩｎＣｕ（Ｉｎ６０wt％Ｃｕ４０wt％）
合金相をＩｎ中に微細に分散させた強度の高い接合ろう
層によってろう付け対象物をろう付けする。
パッタリングなどの表面処理によりろう付け対象物の表
面に実質１０μｍ以上の厚さのＣｕの被覆層を形成し、
この形成したＣｕ被覆層とろう付け材であるＩｎをＩｎ
の融点（１５６℃）以上に加熱し、Ｉｎを溶解させＣｕ
と合金化させ、ＩｎＣｕ（Ｉｎ６０wt％Ｃｕ４０wt％）
合金相をＩｎ中に微細に分散させた強度の高い接合ろう
層によってろう付け対象物をろう付けする。
【０００６】
【作用】本発明において、加熱温度の上限を５００℃と
したのは、この温度を超すとＩｎの流動性が大きくなり
過ぎ、流れ出すほか、ターゲット材が反るなとの不具合
が起るからである。本発明のろう付けにおいて、ろう付
け対象物間のろう付け部分でＩｎ（融点１５６℃）と表
面処理層のＣｕとが相互に溶解し合うことにより分解温
度３１０℃のＩｎＣｕ（Ｉｎ６０wt％Ｃｕ４０wt％）の
２元合金が分散相として形成される。ろう付け部分のＩ
ｎとＣｕの合金相（融点６５０℃付近）をＳＥＭ−ＥＤ
Ｘで確認した。その結果を図２および表１に示す。図２
は接合ろう層のミクロ組織の模式図で、７の部分はＩｎ
マトリックスで、その成分は表１に示すようにＣｕを
０．４％含む。８の部分は７の部分中に微細に分散析出
したＩｎＣｕ合金で、その成分は表１に示すように５
９．４wt％がＩｎで、Ｃｕは４０．６wt％である。この
合金相を２０〜３０μｍの大きさでＩｎ中に微細分散さ
せることにりより、分散強化の効果により、本発明によ
るろう付けは従来のＩｎ単体によるろう付けより高い強
度を有する接合を実現する。
したのは、この温度を超すとＩｎの流動性が大きくなり
過ぎ、流れ出すほか、ターゲット材が反るなとの不具合
が起るからである。本発明のろう付けにおいて、ろう付
け対象物間のろう付け部分でＩｎ（融点１５６℃）と表
面処理層のＣｕとが相互に溶解し合うことにより分解温
度３１０℃のＩｎＣｕ（Ｉｎ６０wt％Ｃｕ４０wt％）の
２元合金が分散相として形成される。ろう付け部分のＩ
ｎとＣｕの合金相（融点６５０℃付近）をＳＥＭ−ＥＤ
Ｘで確認した。その結果を図２および表１に示す。図２
は接合ろう層のミクロ組織の模式図で、７の部分はＩｎ
マトリックスで、その成分は表１に示すようにＣｕを
０．４％含む。８の部分は７の部分中に微細に分散析出
したＩｎＣｕ合金で、その成分は表１に示すように５
９．４wt％がＩｎで、Ｃｕは４０．６wt％である。この
合金相を２０〜３０μｍの大きさでＩｎ中に微細分散さ
せることにりより、分散強化の効果により、本発明によ
るろう付けは従来のＩｎ単体によるろう付けより高い強
度を有する接合を実現する。
【０００７】
【表１】
【０００８】ろう付け部分の品質評価は、試料をろう付
け後、図３に示す引張試験片９を切りだし、図４に示す
引張試験機の治具１０に挟持し、室温で矢印１１方向に
引っ張って引張試験を行ってその強度を評価した。図５
に合金相が形成された場合のＩｎ中の総Ｃｕ含有量と引
張強度との関係を示す。Ｃｕ含有量の増加に伴い強度は
増加し、３ｗｔ．％の含有量でＩｎ単体を使用してろう
付けした場合の強度の約２倍の強度を示した。これより
ろう材であるＩｎ中にＣｕが実質１ｗｔ．％以上含有す
ると強度はＩｎ単体を使用してろう付けした場合の強度
７〜８ＭＰａと比較してすくなくとも２割以上の高強度
を示した。
け後、図３に示す引張試験片９を切りだし、図４に示す
引張試験機の治具１０に挟持し、室温で矢印１１方向に
引っ張って引張試験を行ってその強度を評価した。図５
に合金相が形成された場合のＩｎ中の総Ｃｕ含有量と引
張強度との関係を示す。Ｃｕ含有量の増加に伴い強度は
増加し、３ｗｔ．％の含有量でＩｎ単体を使用してろう
付けした場合の強度の約２倍の強度を示した。これより
ろう材であるＩｎ中にＣｕが実質１ｗｔ．％以上含有す
ると強度はＩｎ単体を使用してろう付けした場合の強度
７〜８ＭＰａと比較してすくなくとも２割以上の高強度
を示した。
【０００９】図６および表２にハイパワースパッタリン
グ時でのターゲットのろう付け部分の性能を従来のＩｎ
のみの場合と本発明による場合を比較して示した。図６
において、従来のＩｎ単体ろうによる場合は最多頻度の
８ＭＰａを中心にして２ＭＰａから１３ＭＰａの引張強
度であるのに対し、本発明のＩｎＣｕ合金を分散させた
ろう付け方法による場合は最多頻度の２０ＭＰａを中心
にして１６ＭＰａから２３ＭＰａの引張強度であり、本
発明の方法による場合は引張強度が格段に優れまたばら
つきも少ない。
グ時でのターゲットのろう付け部分の性能を従来のＩｎ
のみの場合と本発明による場合を比較して示した。図６
において、従来のＩｎ単体ろうによる場合は最多頻度の
８ＭＰａを中心にして２ＭＰａから１３ＭＰａの引張強
度であるのに対し、本発明のＩｎＣｕ合金を分散させた
ろう付け方法による場合は最多頻度の２０ＭＰａを中心
にして１６ＭＰａから２３ＭＰａの引張強度であり、本
発明の方法による場合は引張強度が格段に優れまたばら
つきも少ない。
【００１０】また、表２に見られるとおり、Ｉｎ単体の
従来のろう付けは実験装置条件のハイパワー条件で割れ
・脱落が生じる可能性があり、特に量産操業条件のハイ
パワー条件で割れや脱落等が頻繁に生じる。しかし、本
発明によるろう付けは量産操業条件のハイパワー条件で
も割れや脱落等が生じる問題はなく、全ての条件で問題
を生じることはない。
従来のろう付けは実験装置条件のハイパワー条件で割れ
・脱落が生じる可能性があり、特に量産操業条件のハイ
パワー条件で割れや脱落等が頻繁に生じる。しかし、本
発明によるろう付けは量産操業条件のハイパワー条件で
も割れや脱落等が生じる問題はなく、全ての条件で問題
を生じることはない。
【００１１】
【表２】
【００１２】
（実施例１）８インチ径の磁気ヘッド用センダスト（Ｆ
ｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金）系スパッタリングターゲットの表
面に厚さ２０μｍのＣｕメッキ処理を施した後０．５mm
厚さのＩｎ薄帯を置き、さらにＣｕ製のバッキングプレ
ートを重ね、これらを真空度２×１０-2Ｔｏｒｒの中に
置いて２００℃に昇温してＩｎを溶解させ、１０分間保
持し、その後真空中で冷却し、ろう付けを行った。
ｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金）系スパッタリングターゲットの表
面に厚さ２０μｍのＣｕメッキ処理を施した後０．５mm
厚さのＩｎ薄帯を置き、さらにＣｕ製のバッキングプレ
ートを重ね、これらを真空度２×１０-2Ｔｏｒｒの中に
置いて２００℃に昇温してＩｎを溶解させ、１０分間保
持し、その後真空中で冷却し、ろう付けを行った。
【００１３】ろう付け後、図３のように試料を切りだ
し、引張試験を行った結果を図７に示す。最多頻度を示
す引張強度は２０ＭＰａで、全ての試料が１６ＭＰａか
ら２２ＭＰａの引張強度の範囲にあることが判る。ま
た、接合ろう層についてＥＤＸ分析を行った結果は表１
とほぼ同じであった。
し、引張試験を行った結果を図７に示す。最多頻度を示
す引張強度は２０ＭＰａで、全ての試料が１６ＭＰａか
ら２２ＭＰａの引張強度の範囲にあることが判る。ま
た、接合ろう層についてＥＤＸ分析を行った結果は表１
とほぼ同じであった。
【００１４】（実施例２）１２インチ径の光磁気用Ｔｂ
Ｆｅ系スパッタリングターゲットの表面にスパッタリン
グにより厚さ３０μｍのＣｕ被覆層を形成した後Ｉｎチ
ップを置き、さらにＣｕ製のバッキングプレートを重
ね、これらを真空度２×１０-3Ｔｏｒｒの中に置き１９
０℃に昇温し、Ｉｎを溶解させ、１０分間保持し、その
後真空中で冷却し、ろう付けを行った。
Ｆｅ系スパッタリングターゲットの表面にスパッタリン
グにより厚さ３０μｍのＣｕ被覆層を形成した後Ｉｎチ
ップを置き、さらにＣｕ製のバッキングプレートを重
ね、これらを真空度２×１０-3Ｔｏｒｒの中に置き１９
０℃に昇温し、Ｉｎを溶解させ、１０分間保持し、その
後真空中で冷却し、ろう付けを行った。
【００１５】（実施例３）５インチ×７インチの矩形磁
気ヘッド用パーマロイ系スパッタリングターゲットの表
面に厚さ６０μｍのＣｕ蒸着を施した後Ｉｎチップを置
き、さらに同様にＣｕを蒸着したステンレス製のバッキ
ングプレートを重ね、大気中３００℃に昇温し、Ｉｎを
溶解させ、１０分間保持し、その後真空中で冷却し、ろ
う付けを行った。
気ヘッド用パーマロイ系スパッタリングターゲットの表
面に厚さ６０μｍのＣｕ蒸着を施した後Ｉｎチップを置
き、さらに同様にＣｕを蒸着したステンレス製のバッキ
ングプレートを重ね、大気中３００℃に昇温し、Ｉｎを
溶解させ、１０分間保持し、その後真空中で冷却し、ろ
う付けを行った。
【００１６】（実施例４）１０インチ径の半導体用Ｍｏ
スパッタリングターゲットの表面に厚さ８０μｍのＣｕ
メッキを施した後Ｉｎチップを敷きつめ、この上にＣｕ
製のバッキングプレートを重ね、大気圧のアルゴン雰囲
気中で４００℃に昇温し、Ｉｎを溶解させ、５分間保持
し、その後真空中で冷却し、ろう付けを行った。
スパッタリングターゲットの表面に厚さ８０μｍのＣｕ
メッキを施した後Ｉｎチップを敷きつめ、この上にＣｕ
製のバッキングプレートを重ね、大気圧のアルゴン雰囲
気中で４００℃に昇温し、Ｉｎを溶解させ、５分間保持
し、その後真空中で冷却し、ろう付けを行った。
【００１７】（実施例５）６インチ径の透明電極用ＩＴ
Ｏスパッタリングターゲットの表面にスパッタリングに
より厚さ３５μｍのＣｕ被覆層を形成した後Ｉｎチップ
を敷きつめ、この上にＣｕ製のバッキングプレートを重
ね、大気圧のアルゴン雰囲気中で２５０℃に昇温し、Ｉ
ｎを溶解させ、５分間保持し、その後真空中で冷却し、
ろう付けを行った。
Ｏスパッタリングターゲットの表面にスパッタリングに
より厚さ３５μｍのＣｕ被覆層を形成した後Ｉｎチップ
を敷きつめ、この上にＣｕ製のバッキングプレートを重
ね、大気圧のアルゴン雰囲気中で２５０℃に昇温し、Ｉ
ｎを溶解させ、５分間保持し、その後真空中で冷却し、
ろう付けを行った。
【００１８】
【発明の効果】以上本発明のろう付け技術によれば、８
インチ径や１０インチ径または大型の矩形状のターゲッ
トなど工業的に生産性を重視してハイパワーでスパッタ
リングするターゲット材のろう付け部分の接着強度を増
加させ、非常に厳しい熱的環境から生じる歪みに耐え得
るろう付けを可能にした。単体であるＩｎもＣｕも共に
電子部品のろう付けに関して二次的な悪影響を及ぼすこ
とがない。さらに、このＩｎ−Ｃｕ合金も同様に悪影響
がない。
インチ径や１０インチ径または大型の矩形状のターゲッ
トなど工業的に生産性を重視してハイパワーでスパッタ
リングするターゲット材のろう付け部分の接着強度を増
加させ、非常に厳しい熱的環境から生じる歪みに耐え得
るろう付けを可能にした。単体であるＩｎもＣｕも共に
電子部品のろう付けに関して二次的な悪影響を及ぼすこ
とがない。さらに、このＩｎ−Ｃｕ合金も同様に悪影響
がない。
【図１】ろう付けしたスパッタリングターゲット材
【図２】ろう付け部のミクロ組織の模式図
【図３】ろう付け引張試験片
【図４】引張試験機の治具に挟持したろう付け試験片
【図５】Ｃｕ含有量と引張強度との関係を示すグラフ
【図６】従来のＩｎ単体ろうによる場合と本発明の方法
による場合のろう付け性能を示すグラフ
による場合のろう付け性能を示すグラフ
【図７】本発明の実施例１におけるろう付け性能を示す
グラフ
グラフ
１ ターゲット材 ２ バッキングプレート ３ ろう付け部 ４ ろう層 ５ ターゲット材 ６ バッキングプレート ７ Ｉｎ結晶粒マトリックス ８ 微細に分散析出したＩｎＣｕ合金 ９ 引張試験片 １０ 引張試験機の治具 １１ 引張り方向
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ２５Ｄ 3/38 (72)発明者 柳谷 彰彦 兵庫県姫路市飾磨区中島字一文字3007番地 山陽特殊製鋼株式会社内 (72)発明者 村上 雅英 兵庫県姫路市飾磨区中島字一文字3007番地 山陽特殊製鋼株式会社内 (72)発明者 小山 まもる 大阪府藤井寺市大井４丁目14−11 株式会 社小山製作所内 (72)発明者 大川 慎二 大阪府藤井寺市大井４丁目14−11 株式会 社小山製作所内 (72)発明者 杉野 康造 大阪府藤井寺市大井４丁目14−11 株式会 社小山製作所内
Claims (4)
- 【請求項１】 Ｉｎろうによるろう付けにおいて、２つ
のろう付け対象物のいずれか一方又は両方の接合面をＣ
ｕで被覆し、ろう材であるＩｎを両面間に配置し、両面
間で挾み、Ｉｎの融点以上５００℃以下の温度に加熱
し、所定時間保持し、もってＩｎ中にＩｎ−Ｃｕ合金が
微細に分散した接合層を生成させることを特徴とする接
合強度の高いＩｎろう付け方法。 - 【請求項２】 請求項１において、被覆はメッキ処理に
よるものであることを特徴とする接合強度の高いＩｎろ
う付け方法。 - 【請求項３】 請求項１において、被覆は蒸着処理によ
るものであることを特徴とする接合強度の高いＩｎろう
付け方法。 - 【請求項４】 請求項１において、被覆はスパッタリン
グ処理によるものであることを特徴とする接合強度の高
いＩｎろう付け方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24886693A JPH0780634A (ja) | 1993-09-08 | 1993-09-08 | ろう付け方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24886693A JPH0780634A (ja) | 1993-09-08 | 1993-09-08 | ろう付け方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0780634A true JPH0780634A (ja) | 1995-03-28 |
Family
ID=17184592
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24886693A Pending JPH0780634A (ja) | 1993-09-08 | 1993-09-08 | ろう付け方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0780634A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015087788A1 (ja) * | 2013-12-09 | 2015-06-18 | 三菱マテリアル株式会社 | Ｉｎ又はＩｎ合金スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| JP2020128583A (ja) * | 2019-02-12 | 2020-08-27 | Ｊｘ金属株式会社 | スパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体 |
| CN114833417A (zh) * | 2022-06-13 | 2022-08-02 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种ITO靶材与Mo背板的焊接方法 |
-
1993
- 1993-09-08 JP JP24886693A patent/JPH0780634A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015087788A1 (ja) * | 2013-12-09 | 2015-06-18 | 三菱マテリアル株式会社 | Ｉｎ又はＩｎ合金スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| JP2015113474A (ja) * | 2013-12-09 | 2015-06-22 | 三菱マテリアル株式会社 | Ｉｎ又はＩｎ合金スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| CN105593398A (zh) * | 2013-12-09 | 2016-05-18 | 三菱综合材料株式会社 | In或In合金溅射靶及其制造方法 |
| CN105593398B (zh) * | 2013-12-09 | 2017-07-25 | 三菱综合材料株式会社 | In或In合金溅射靶及其制造方法 |
| JP2020128583A (ja) * | 2019-02-12 | 2020-08-27 | Ｊｘ金属株式会社 | スパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体 |
| US11538673B2 (en) | 2019-02-12 | 2022-12-27 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Sputtering target-backing plate assembly |
| CN114833417A (zh) * | 2022-06-13 | 2022-08-02 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种ITO靶材与Mo背板的焊接方法 |
| CN114833417B (zh) * | 2022-06-13 | 2024-05-14 | 宁波江丰电子材料股份有限公司 | 一种ITO靶材与Mo背板的焊接方法 |
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