JPS6340860B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6340860B2 JPS6340860B2 JP8950684A JP8950684A JPS6340860B2 JP S6340860 B2 JPS6340860 B2 JP S6340860B2 JP 8950684 A JP8950684 A JP 8950684A JP 8950684 A JP8950684 A JP 8950684A JP S6340860 B2 JPS6340860 B2 JP S6340860B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- backing plate
- sputtering
- bonded
- scrap
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000005219 brazing Methods 0.000 claims description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 9
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 claims description 9
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 8
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 8
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 19
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 16
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 6
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、バツキングプレートにボンデイン
グされたIn−Snスパツタリングターゲツトすな
わちIn−Snスパツタリング用のボンデツドター
ゲツトとその製造法に関する。
グされたIn−Snスパツタリングターゲツトすな
わちIn−Snスパツタリング用のボンデツドター
ゲツトとその製造法に関する。
一般にスパツタリングは、金属や半導体、セラ
ミツクあるいはそれらの合金、複合材を、その組
成を変えることなく付着対象物に対し、薄膜状に
付着させる技術として、電子・電気工業などの分
野で多用されている。
ミツクあるいはそれらの合金、複合材を、その組
成を変えることなく付着対象物に対し、薄膜状に
付着させる技術として、電子・電気工業などの分
野で多用されている。
ところで、透明導電膜形成用などに使用される
In−Snスパツタリング用のボンデツドターゲツ
トは、従来In−Snターゲツトと、たとえばCuか
らなるバツキングプレートを、樹脂系の接着剤あ
るいは、鉛、ビスマス等を含むロウ材によりボン
デイングすることにより作製されている。
In−Snスパツタリング用のボンデツドターゲツ
トは、従来In−Snターゲツトと、たとえばCuか
らなるバツキングプレートを、樹脂系の接着剤あ
るいは、鉛、ビスマス等を含むロウ材によりボン
デイングすることにより作製されている。
しかしながら樹脂系接着剤あるいは、鉛、ビス
マス等を含むロウ材を用いたボンデイングでは下
記の問題がある。
マス等を含むロウ材を用いたボンデイングでは下
記の問題がある。
ボンデツドターゲツトは通常スパツタリング時
に、バツキングプレート側から水冷するが、樹脂
系接着剤を用いてボンデイングされたものは接着
剤層の熱伝導率が悪いため、ターゲツトの冷却能
力が劣り、このためスパツタリングのパワーを低
くおさえなくてはならず、スパツタリングレート
を大きくすることができない。
に、バツキングプレート側から水冷するが、樹脂
系接着剤を用いてボンデイングされたものは接着
剤層の熱伝導率が悪いため、ターゲツトの冷却能
力が劣り、このためスパツタリングのパワーを低
くおさえなくてはならず、スパツタリングレート
を大きくすることができない。
一方、Pb、Bi等を含むロウ材を用いたボンデ
ツドターゲツトでは、 In−Snターゲツトへロウ材成分（Bi、Pb、
Cd、等）が合金化することを防ぐために、In
−Snターゲツトのボンデイング面にCu、Ni等
の比較的融点の高い金属を被覆する必要があつ
た。
ツドターゲツトでは、 In−Snターゲツトへロウ材成分（Bi、Pb、
Cd、等）が合金化することを防ぐために、In
−Snターゲツトのボンデイング面にCu、Ni等
の比較的融点の高い金属を被覆する必要があつ
た。
In−Snターゲツトのスクラツプは、前記の
被覆金属と、ロウ材の成分によつて汚染される
ため、再精製を行なわなくては、再使用できな
かつた。このため、製造コストの低減および、
製造の効率化のネツクとなつていた。
被覆金属と、ロウ材の成分によつて汚染される
ため、再精製を行なわなくては、再使用できな
かつた。このため、製造コストの低減および、
製造の効率化のネツクとなつていた。
この発明は、以上の問題を解消するためになさ
れたものであり、すなわちこの発明の目的は、強
力な接着力で、In−Snターゲツトとバツキング
プレートをボンデイングし、かつ、両者間の熱伝
導を良好にし、スパツタリング時にIn−Snター
ゲツトの冷却を能率的に行なえしかもスパツタ後
のIn−Snターゲツトのスクラツプをバツキング
プレートからはがして再加工することにより精製
工程を経ることなくIn−Snターゲツトを再生す
ることが可能なIn−Snスパツタリング用ボンデ
ツドターゲツトとその製造法を提供することにあ
る。
れたものであり、すなわちこの発明の目的は、強
力な接着力で、In−Snターゲツトとバツキング
プレートをボンデイングし、かつ、両者間の熱伝
導を良好にし、スパツタリング時にIn−Snター
ゲツトの冷却を能率的に行なえしかもスパツタ後
のIn−Snターゲツトのスクラツプをバツキング
プレートからはがして再加工することにより精製
工程を経ることなくIn−Snターゲツトを再生す
ることが可能なIn−Snスパツタリング用ボンデ
ツドターゲツトとその製造法を提供することにあ
る。
したがつて、この目的を達成するために、この
発明のIn−Snスパツタリング用ボンデツドター
ゲツトはIn−Snスパツタリングターゲツトがあ
らかじめNi被覆されたバツキングプレート上に
In−Snロウ材を用いてロウ付されていることを
特徴とする。
発明のIn−Snスパツタリング用ボンデツドター
ゲツトはIn−Snスパツタリングターゲツトがあ
らかじめNi被覆されたバツキングプレート上に
In−Snロウ材を用いてロウ付されていることを
特徴とする。
ロウ材は、通常箔状にして、前処理されたNi
被覆バツキングプレート面と、ターゲツトの間に
挾み込む。その後３者を加熱密着させ、真空中又
は大気中で加熱することによつて、ロウ付を完了
する。
被覆バツキングプレート面と、ターゲツトの間に
挾み込む。その後３者を加熱密着させ、真空中又
は大気中で加熱することによつて、ロウ付を完了
する。
ロウ材は箔状でなくともよく、ハケ塗り等の方
法を用いても差しつかえない。上述の前処理とは
被ロウ付け面の酸化物層を除去し、ロウとのなじ
みをよくする処理をいう。
法を用いても差しつかえない。上述の前処理とは
被ロウ付け面の酸化物層を除去し、ロウとのなじ
みをよくする処理をいう。
また、この発明によれば、スパツタ後のボンデ
ツドターゲツトスクラツプは、加熱してロウ材層
を溶融せしめターゲツトとバツキングプレートを
分離することにより、In、Sn以外の第３成分か
らの汚染をうけることなくスクラツプが回収でき
る利点がある。すなわち、In−Snスクラツプタ
ーゲツトは、バツキングプレートを分離した後、
In量を調整すればすぐに次回のスパツタリングタ
ーゲツトの原料として使用が可能である。
ツドターゲツトスクラツプは、加熱してロウ材層
を溶融せしめターゲツトとバツキングプレートを
分離することにより、In、Sn以外の第３成分か
らの汚染をうけることなくスクラツプが回収でき
る利点がある。すなわち、In−Snスクラツプタ
ーゲツトは、バツキングプレートを分離した後、
In量を調整すればすぐに次回のスパツタリングタ
ーゲツトの原料として使用が可能である。
以下、図示の実施例によりこの発明を説明す
る。第１図に示された１はバツキングプレートで
あり、その表面にNi被覆層２を有する。Ni被覆
層は湿式メツキ、スパツタリング、イオンブレー
テイング、真空蒸着いずれの方法で形成しても良
いが、コスト面から湿式メツキ特に電気メツキが
適当である。
る。第１図に示された１はバツキングプレートで
あり、その表面にNi被覆層２を有する。Ni被覆
層は湿式メツキ、スパツタリング、イオンブレー
テイング、真空蒸着いずれの方法で形成しても良
いが、コスト面から湿式メツキ特に電気メツキが
適当である。
メツキ層厚は実施例では20μｍである。
メツキ層はNiに限らず、In、Snと合金化しに
くい金属、例えばCo、Cr等でもよい。
くい金属、例えばCo、Cr等でもよい。
Niメツキ層の上には、湿式メツキ、P.V.D、塗
布等の方法でロウ材の薄膜状の層３が形成されて
いる。
布等の方法でロウ材の薄膜状の層３が形成されて
いる。
５はターゲツトであり、本実施例ではIn90％
Sn10％融点145℃とでそのボンデイング面はあら
かじめ、酸化物層を取り除く前処理が行なわれて
いる。ターゲツト５とバツキングプレート１の間
にはロウ材箔４が挾まれている。ロウ材箔は本実
施例はIn50％Sn50％厚さ0.1〜0.15nｍで、融点は
118℃である。
Sn10％融点145℃とでそのボンデイング面はあら
かじめ、酸化物層を取り除く前処理が行なわれて
いる。ターゲツト５とバツキングプレート１の間
にはロウ材箔４が挾まれている。ロウ材箔は本実
施例はIn50％Sn50％厚さ0.1〜0.15nｍで、融点は
118℃である。
バツキングプレートとロウ材箔とターゲツトは
大気中でプレスにて加圧密着させた後真空中又は
大気中で加熱することにより、ロウ材が溶融して
ボンデイングされる。
大気中でプレスにて加圧密着させた後真空中又は
大気中で加熱することにより、ロウ材が溶融して
ボンデイングされる。
このように本発明では、In−Snターゲツトと
In−Snロウ材の融点の差を利用しており、本実
施例のごとく、In90％Sn10％のターゲツトと
In50％Sn50％のロウ材だけの組合せにのみ適用
されるわけではないことは言うまでもない。
In−Snロウ材の融点の差を利用しており、本実
施例のごとく、In90％Sn10％のターゲツトと
In50％Sn50％のロウ材だけの組合せにのみ適用
されるわけではないことは言うまでもない。
このボンデツドターゲツトはスパツタリング作
業で使用された後には全体をバツキングプレート
側からロウ材層のみを溶融させる温度で加熱し、
ターゲツトを溶融することなくはがし取ることが
できる。このようにしてはがし取つたスクラツプ
ターゲツト中には、バツキングプレート材からの
汚染がなく、繰り返し使用が可能である。
業で使用された後には全体をバツキングプレート
側からロウ材層のみを溶融させる温度で加熱し、
ターゲツトを溶融することなくはがし取ることが
できる。このようにしてはがし取つたスクラツプ
ターゲツト中には、バツキングプレート材からの
汚染がなく、繰り返し使用が可能である。
一方、ターゲツトより低融点のロウ材層を用い
ずに、あらかじめターゲツトと同一組成のロウ材
層をバツキングプレート上に形成し、これにター
ゲツトを加熱加圧し圧着する方式でボンデイング
されたものでは、スクラツプターゲツトをバツキ
ングプレートから除去する際は、スクラツプター
ゲツト自体を溶融させなくてはならず、この場合
はいかにNiメツキしてあつても回収スクラツプ
中にNiが混入するので好ましくない。
ずに、あらかじめターゲツトと同一組成のロウ材
層をバツキングプレート上に形成し、これにター
ゲツトを加熱加圧し圧着する方式でボンデイング
されたものでは、スクラツプターゲツトをバツキ
ングプレートから除去する際は、スクラツプター
ゲツト自体を溶融させなくてはならず、この場合
はいかにNiメツキしてあつても回収スクラツプ
中にNiが混入するので好ましくない。
もちろん、ロウ材に第３成分を含有する場合
は、スクラツプの回収利用は不可能である。
は、スクラツプの回収利用は不可能である。
以上説明したように、この発明のIn−Snスパ
ツタリング用ボンデツドターゲツトとその製造法
によれば、強力な接着でIn Snターゲツトとバツ
キングプレートをボンデイングできるとともに、
両者間の熱伝導を良好にしてスパツタリング時に
ターゲツトの冷却を効率よく行なえる。さらに、
スパツタ終了後のスクラツプターゲツトは、前工
程の精製工程に遡ることなく回収再利用して新し
いスパツタリングターゲツトとすることができる
ので、製造コストの低減および、製造の効率化が
図れるという効果がある。
ツタリング用ボンデツドターゲツトとその製造法
によれば、強力な接着でIn Snターゲツトとバツ
キングプレートをボンデイングできるとともに、
両者間の熱伝導を良好にしてスパツタリング時に
ターゲツトの冷却を効率よく行なえる。さらに、
スパツタ終了後のスクラツプターゲツトは、前工
程の精製工程に遡ることなく回収再利用して新し
いスパツタリングターゲツトとすることができる
ので、製造コストの低減および、製造の効率化が
図れるという効果がある。
第１図はこの発明のボンデツドターゲツトの１
例を示す図である。 １……バツキングプレート、２……Ni被覆層、
３……ロウ材膜層、４……In−Snロウ箔、５…
…In−Snスパツタリングターゲツト、Ｔ……ボ
ンデツドターゲツト。
例を示す図である。 １……バツキングプレート、２……Ni被覆層、
３……ロウ材膜層、４……In−Snロウ箔、５…
…In−Snスパツタリングターゲツト、Ｔ……ボ
ンデツドターゲツト。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ In−Snスパツタリングターゲツトとボンデ
イング部にあらかじめNiを被覆したバツキング
プレートが、In−Snロウを介したボンデイング
によつて一体化されたものであることを特徴とす
るボンデツドターゲツト。 ２ バツキングプレートに、Ni被覆を施し、そ
の表面を、前処理し、In−Snロウを塗布し、こ
のバツキングプレートと、In−Snスパツタリン
グターゲツトの間にIn−Snロウの箔をはさみ、
加圧した後真空中又は大気中で加熱することによ
つてボンデイングすることを特徴とするボンデツ
ドターゲツトの製造法。 ３ ボンデツドターゲツトのスクラツプのバツキ
ングプレート上に残存するIn−Snスパツタリン
グターゲツトのスクラツプをロウ材層のところか
ら剥離し、該バツキングプレート面を清浄化して
から、Ni被覆面に損傷がある場合にはNi被覆を
やり直し、次いでその表面を前処理してからIn−
Snロウを塗布し、このバツキングプレートと前
記剥離In−Snターゲツトを熔融および品位調整
することによつて再生したIn−Snスパツタリン
グターゲツトの間にIn−Snロウの箔をはさみ、
加圧した後真空中又は大気中で加熱することによ
つてボンデイングすることを特徴とするスクラツ
プからのボンデツドターゲツトの製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8950684A JPS60234968A (ja) | 1984-05-07 | 1984-05-07 | ボンデツドタ−ゲツトとその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8950684A JPS60234968A (ja) | 1984-05-07 | 1984-05-07 | ボンデツドタ−ゲツトとその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60234968A JPS60234968A (ja) | 1985-11-21 |
| JPS6340860B2 true JPS6340860B2 (ja) | 1988-08-12 |
Family
ID=13972664
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8950684A Granted JPS60234968A (ja) | 1984-05-07 | 1984-05-07 | ボンデツドタ−ゲツトとその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60234968A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08269704A (ja) * | 1995-03-31 | 1996-10-15 | Techno Fine:Kk | スパッタ用ターゲット |
| JPH08269703A (ja) * | 1995-03-31 | 1996-10-15 | Techno Fine:Kk | スパッタ用ターゲット |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0677805B2 (ja) * | 1986-07-10 | 1994-10-05 | 株式会社神戸製鋼所 | スパツタリング用タ−ゲツトのボンデイング方法 |
| DE102011012034A1 (de) | 2011-02-22 | 2012-08-23 | Heraeus Materials Technology Gmbh & Co. Kg | Rohrförmiges Sputtertarget |
| JP5291754B2 (ja) * | 2011-04-15 | 2013-09-18 | 三井金属鉱業株式会社 | 太陽電池用スパッタリングターゲット |
| JP5611886B2 (ja) * | 2011-04-19 | 2014-10-22 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 積層構造体及びその製造方法 |
| CN110129755B (zh) * | 2019-06-05 | 2021-08-24 | Tcl华星光电技术有限公司 | 磁控溅射靶材和磁控溅射装置 |
-
1984
- 1984-05-07 JP JP8950684A patent/JPS60234968A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08269704A (ja) * | 1995-03-31 | 1996-10-15 | Techno Fine:Kk | スパッタ用ターゲット |
| JPH08269703A (ja) * | 1995-03-31 | 1996-10-15 | Techno Fine:Kk | スパッタ用ターゲット |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60234968A (ja) | 1985-11-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5522535A (en) | Methods and structural combinations providing for backing plate reuse in sputter target/backing plate assemblies | |
| US5653856A (en) | Methods of bonding targets to backing plate members using gallium based solder pastes and target/backing plate assemblies bonded thereby | |
| US5593082A (en) | Methods of bonding targets to backing plate members using solder pastes and target/backing plate assemblies bonded thereby | |
| US5100737A (en) | Multi-layer material comprising flexible graphite which is reinforced mechanically, electrically and thermally by a metal and a process for the production thereof | |
| US6649449B2 (en) | Methods of forming physical vapor deposition target/backing plate assemblies | |
| DE69411448T2 (de) | Verfahren zum Herstellen von Silizium enthaltenden Kathoden-Targets | |
| JPS6340860B2 (ja) | ||
| JPS63270459A (ja) | スパツタ用タ−ゲツトのボンデイング方法 | |
| WO1992017622A1 (en) | Thermally compatible sputter target and backing plate assembly | |
| JP4427831B2 (ja) | スパッタリングターゲットおよびその製造方法 | |
| US2728651A (en) | Diamond abrasive wheel | |
| JP2898515B2 (ja) | モザイクターゲット | |
| JPH08218166A (ja) | スパッタリング用ターゲットの接合方法 | |
| JPS6284976A (ja) | 研削砥石用回転式形直しもしくは目直し工具の製造方法 | |
| JPH0867978A (ja) | スパッタリング用ターゲットのはんだ付け方法 | |
| US3754318A (en) | Method for making partially-solder-clad metal | |
| JP3629578B2 (ja) | Ｔｉ系材料とＣｕ系の接合方法 | |
| JPH02267261A (ja) | スパッタリングターゲットの製造方法 | |
| JPS5944956B2 (ja) | 低温接着法 | |
| JPH06128738A (ja) | スパッタリングターゲットの製造方法 | |
| JPS59138426A (ja) | 射出成形方法 | |
| JPS61291967A (ja) | スパツタリング用タ−ゲツト | |
| JPS61115667A (ja) | スパツタリング用タ−ゲツトを冷却板に接合する方法 | |
| JP2745145B2 (ja) | スパッタ用ターゲットの接合方法 | |
| CN118222959B (zh) | 超声辅助热固性塑料及其复合材料金属化方法及复合基板 |