JP5291754B2 - 太陽電池用スパッタリングターゲット - Google Patents
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Description
本発明の太陽電池用スパッタリングターゲットにおいては、前記インジウム-スズおよびインジウム-ガリウム合金は、その融点が130℃以下であることが好ましい。
本発明の太陽電池用スパッタリングターゲットにおいては、前記物理的応力を加える加工が鍛造であることが好ましい。
鋳塊に物理的応力を加える加工を行って得られた加工材からターゲット材を製造する方法には特に制限はなく、本発明の効果を阻害しない限り、切削加工、研磨等を適宜行うことができる。前記加工材に加工を加えず、加工材をそのままターゲット材として使用してもよい。
本発明の太陽電池用スパッタリングターゲットは、従来のインジウムターゲットと同様の条件でスパッタすることができる。
図1に、使用比率が10%以上である時のターゲット材の上面図の一例を示す。直径4インチの円盤状のターゲット材1には、その表面4のスパッタ部に、スパッタにより掘れた部分であるエロージョン2がリング状に形成されている。エロージョン2はそのリングの中央部に向かって深く形成される。そのリングのほぼ中央部に最深部5が円状に形成されている。
ターゲット材を構成する結晶粒の大きさとの関係から、100μmのピッチで、インジウムの結晶粒の粒界を挟む2点の測定箇所を設定すると、その2点の測定箇所は、相互に隣接する2つのインジウムの結晶粒上に1ヵ所ずつ設定される。エロージョンの深さは、スパッタレートが大きいほど大きくなる。したがって、前記各組の2点の測定箇所におけるエロージョンの深さの差は、相互に隣接する2つのインジウム結晶粒におけるスパッタレートの差を意味する。
(バルク抵抗、電流および電圧)
バルク抵抗は、三菱化学ロレスターHP MCP-T410(直列4探針プローブ TYPE ESP )を用いて、AUTO RANGEモードでインジウムターゲットのターゲット材表面にプローブをあてて測定した。電圧および電流値は、スパッタ中にスパッタ装置の電源メーターから読み取った。
作製されたインジウムターゲットを用いてスパッタを行い、スパッタ実施後のインジウムターゲットの質量を測定した。スパッタ実施前のインジウムターゲットの質量をM1、スパッタ実施後のインジウムターゲットの質量をM2、スパッタ実施前のターゲット材の質量をM3として、使用比率を下式により求めた。下式において、(M1−M2)は、スパッタにより減少したターゲット材の質量を意味する。
作製されたインジウムターゲットを用いて以下の条件でスパッタを行った。
到達真空度 3.0×10-4〜8.3×10-5Pa
O2フロー量 0sccm
Arフロー量 49sccm
スパッタ圧力 6.5×10-1Pa
出力 154W
基板温度 室温
使用ガラス 縦40mm、横40mm、厚さ0.8mm、 コーニング#1737
上記スパッタレートの測定方法で示したスパッタを行ったインジウムターゲットにおいて、使用比率10%以上である時に形成されたリング状のエロージョンの最深部において、ほぼ均等に間隔を置いて3箇所の測定部位を設定し、各測定部位において長さ10mmの線分を3本想定し、その各線分上に100μmピッチで2つの測定点を設定した。各測定点におけるエロージョンの深さ、つまりターゲット材の表面から各測定箇所までの、前記表面に対して直角方向の長さを、下記条件により測定した。前記9本の線分ごとにその線分上の2つの測定点におけるエロージョンの深さの差(粒界差)を求め、それらの平均を平均段差とした。エロージョンの最深部は、エロージョンの最大の深さに対して90〜100%の深さを有する部分とした。
Scan length 100μm
Scan type Standard Scan
Stylus type Radius12.5μm
Stylus force 15mg
Meas Range 2620KÅ
上記スパッタレートの測定方法で示したスパッタを行って得られたインジウム膜の、膜厚5000Åの時の表面粗さRa(μm)を、KEYENCE製 COLOR3D Laser Scanning Microscope VK-8710を用いて下記条件で測定した。
フィルタ:光量1%
Z測定ピッチ:0.01μm
測定モード:表面形状
測定エリア:面
測定品質:高精細
In(純度99.99%以上)を180℃で溶解し、得られた溶湯を金型に注入して、縦100mm、横100mm、厚さ15mmの平板状の鋳塊を鋳造した。得られた鋳塊に対して、日本クロス圧延製圧延機を用いて、常温にて、圧下量1mm/passの条件で圧延を行い、厚さ9mmの圧延板を得た。得られた圧延板を直径102mmの円盤状に切り出し、両面を各1mmフライスを用いて切削して平滑面とした。この圧延円板(ターゲット材)および直径110mmの円盤状の無酸素銅製バッキングプレートを、それぞれのボンディング面を上にしてホットプレート上で130℃になるように加熱した。In(純度99.99%以上)50質量%とSn(純度99.99%以上)50質量%とからなる合金(融点125℃)をボンディング材として用い、この合金の130℃の溶湯を前記バッキングプレートのボンディング面に、コテを用いて薄く引き延ばしながら付着させた。この上に加熱していた前記圧延円板を乗せ、動かないように重りを圧延円板の上に乗せたまま冷却し、ボンディングを行った。この後、圧延円板部分を旋盤にて直径101mm、厚さ6mmのサイズに加工することによりインジウムターゲットを作製した。このインジウムターゲットに対して、上記測定方法にて各種評価を行った。結果を表1に示した。
圧延円板およびバッキングプレートの加熱温度を120℃としたこと、およびボンディング材として、In(純度99.99%以上)90質量%とGa(純度99.99%以上)10質量%とからなる合金(融点115℃)を用い、この合金の溶湯温度を120℃にしたこと以外は実施例1と同様に行い、インジウムターゲットを作製した。このインジウムターゲットに対して、上記測定方法にて各種評価を行った。結果を表1に示した。
平板状の鋳塊の厚さを18mmとしたこと以外は実施例1と同様に行い、インジウムターゲットを作製した。このインジウムターゲットに対して、上記測定方法にて各種評価を行った。結果を表1に示した。
平板状の鋳塊の厚さを18mmとしたこと、圧延円板およびバッキングプレートの加熱温度を120℃としたこと、およびボンディング材として、In(純度99.99%以上)90質量%とGa(純度99.99%以上)10質量%とからなる合金(融点115℃)を用い、この合金の溶湯温度を120℃にしたこと以外は実施例1と同様に行い、インジウムターゲットを作製した。このインジウムターゲットに対して、上記測定方法にて各種評価を行った。結果を表1に示した。
平板状の鋳塊の厚さを18mmとしたこと、圧延円板およびバッキングプレートの加熱温度を100℃としたこと、およびボンディング材として、In(純度99.99%以上)80質量%とGa(純度99.99%以上)20質量%とからなる合金(融点90℃)を用い、この合金の溶湯温度を100℃にしたこと以外は実施例1と同様に行い、インジウムターゲットを作製した。このインジウムターゲットに対して、上記測定方法にて各種評価を行った。結果を表1に示した。
平板状の鋳塊の厚さを22.5mmとしたこと以外は実施例1と同様に行い、インジウムターゲットを作製した。このインジウムターゲットに対して、上記測定方法にて各種評価を行った。結果を表1に示した。
平板状の鋳塊の厚さを18mmとしたこと、およびこの鋳塊に対して圧延を行う代わりに、この鋳塊全面を、手でハンマーを用いて叩いて鍛造を行い、鋳塊の厚さを9mmにしたこと以外は実施例1と同様に行い、インジウムターゲットを作製した。このインジウムターゲットに対して、上記測定方法にて各種評価を行った。結果を表1に示した。
直径110mmの円盤状の無酸素銅バッキングプレートに内径が102mmのステンレス製の円筒金型を、その中心線を前記バッキングプレートの中心線に合わせて装着し、金型が動かないようにクランプで固定した。これをホットプレート上で180℃(Inの融点以上)となるよう加熱した。このバッキングプレート上にIn(純度99.99%以上)を、溶解後の厚さが7mmとなるように投入し、溶解させた後表面の酸化物を除去し、冷却することでIn溶湯を凝固させた。この凝固体を、旋盤を用いて直径101mm、厚さ6mmの円盤状に加工し、インジウムターゲットを作製した。このインジウムターゲットに対して、上記測定方法にて各種評価を行った。結果を表2に示した。
平板状の鋳塊の厚さを9mmとしたこと、およびこの鋳塊に圧延を行わず、そのままこの鋳塊を直径102mmの円盤状に切り出し、両面を各1mmフライスを用いて切削し平滑面としたこと以外は実施例1と同様に行い、インジウムターゲットを作製した。このインジウムターゲットに対して、上記測定方法にて各種評価を行った。結果を表2に示した。
平板状の鋳塊の厚さを11mmとしたこと以外は実施例1と同様に行い、インジウムターゲットを作製した。このインジウムターゲットに対して、上記測定方法にて各種評価を行った。結果を表2に示した。
In(純度99.99%以上)を180℃で溶解し、得られた溶湯を金型に注入して、縦100mm、横100mm、厚さ15mmの平板状の鋳塊を鋳造した。得られた鋳塊に対して、日本クロス圧延製圧延機を用いて、常温にて、圧下量1mm/passの条件で圧延を行い、鋳塊の厚さを9mmにした。得られた圧延板を直径102mmの円盤状に切り出し、両面を各1mmフライスを用いて切削して平滑面とした。この圧延円板および直径110mmの円盤状の無酸素銅製バッキングプレートを、それぞれのボンディング面を上にしてホットプレート上に乗せ、圧延円板が140℃、バッキングプレートが180℃になるように加熱した。In(純度99.99%以上)金属(融点156.4℃)をボンディング材として用い、このIn金属の180℃の溶湯を前記バッキングプレートのボンディング面に、コテを用いて薄く引き延ばしながら付着させた。この上に加熱していた前記圧延円板を乗せ、動かないように重りを圧延円板の上に乗せたまま冷却し、ボンディングを行った。この後、圧延円板部分を旋盤にて直径101mm、厚さ6mmのサイズに加工することによりインジウムターゲットを作製した。このインジウムターゲットに対して、上記測定方法にて各種評価を行った。結果を表2に示した。
平板状の鋳塊の厚さを18mmとしたこと以外は比較例4と同様に行い、インジウムターゲットを作製した。このインジウムターゲットに対して、上記測定方法にて各種評価を行った。結果を表2に示した。
鋳塊の厚さを10.5mmにしたこと以外は実施例7と同様に行い、インジウムターゲットを作製した。このインジウムターゲットに対して、上記測定方法にて各種評価を行った。結果を表1に示した。
2 エロージョン
3 測定部位
4 表面
5 最深部
Claims (7)
- インジウム含有量が99.99質量%以上である鋳塊に物理的応力を加える加工を行って該鋳塊の厚みを元の厚みの60%以下にすることにより得られた加工材から製造されたターゲット材、バッキングプレート、および前記ターゲット材とバッキングプレートとを接合する、融点が140℃以下であるインジウム-スズまたはインジウム-ガリウム合金製のボンディング材からなることを特徴とする太陽電池用スパッタリングターゲット。
- 前記ターゲット材は、インジウム含有量が99.99質量%以上である鋳塊に物理的応力を加える加工を行って該鋳塊の厚みを元の厚みの50%以下にすることにより得られた加工材から製造されたターゲット材であることを特徴とする請求項1に記載の太陽電池用スパッタリングターゲット。
- 前記インジウム-スズおよびインジウム-ガリウム合金は、その融点が130℃以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の太陽電池用スパッタリングターゲット。
- 前記物理的応力を加える加工が圧延であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の太陽電池用スパッタリングターゲット。
- 前記物理的応力を加える加工が鍛造であることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の太陽電池用スパッタリングターゲット。
- 請求項1〜5のいずれかに記載の太陽電池用スパッタリングターゲットであって、その使用比率10%以上である時に形成されたエロージョンの最深部において100μmピッチで設定された、インジウムの結晶粒の粒界を挟む2点の測定箇所におけるエロージョンの深さを測定し、その差の平均が100μm以下であることを特徴とする太陽電池用スパッタリングターゲット。
- 請求項1〜5のいずれかに記載の太陽電池用スパッタリングターゲットであって、その使用比率10%以上である時に形成されたエロージョンの最深部において100μmピッチで設定された、インジウムの結晶粒の粒界を挟む2点の測定箇所におけるエロージョンの深さを測定し、その差の平均が60μm以下であることを特徴とする太陽電池用スパッタリングターゲット。
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