JP2015504479A - 特別な表面処理及び優れた粒子性能を有するシリコンスパッターターゲット及びその製造方法 - Google Patents
特別な表面処理及び優れた粒子性能を有するシリコンスパッターターゲット及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015504479A JP2015504479A JP2014540207A JP2014540207A JP2015504479A JP 2015504479 A JP2015504479 A JP 2015504479A JP 2014540207 A JP2014540207 A JP 2014540207A JP 2014540207 A JP2014540207 A JP 2014540207A JP 2015504479 A JP2015504479 A JP 2015504479A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- silicon
- angstroms
- backing plate
- cleaning
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 53
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 53
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 52
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims description 22
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 title description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 30
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 25
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims abstract description 11
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 12
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 5
- 229920002401 polyacrylamide Polymers 0.000 claims description 4
- 229920000663 Hydroxyethyl cellulose Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004354 Hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 claims description 3
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 claims description 3
- 235000019447 hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 2
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 12
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 11
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 8
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 8
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 5
- 238000004439 roughness measurement Methods 0.000 description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 5
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 4
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 4
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WUUZKBJEUBFVMV-UHFFFAOYSA-N copper molybdenum Chemical compound [Cu].[Mo] WUUZKBJEUBFVMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N [Ag].[Sn] Chemical compound [Ag].[Sn] QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N alumane;titanium Chemical compound [AlH3].[Ti] UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004491 TaAlN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004200 TaSiN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010038 TiAl Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010037 TiAlN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008482 TiSiN Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 238000001036 glow-discharge mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- QRXWMOHMRWLFEY-UHFFFAOYSA-N isoniazide Chemical compound NNC(=O)C1=CC=NC=C1 QRXWMOHMRWLFEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N nitrogen oxide Inorganic materials O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000879 optical micrograph Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical group 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
- H01J37/3426—Material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/0641—Nitrides
- C23C14/0652—Silicon nitride
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
- C23C14/16—Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon
- C23C14/165—Metallic material, boron or silicon on metallic substrates or on substrates of boron or silicon by cathodic sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3435—Target holders (includes backing plates and endblocks)
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
Abstract
Ｓｉターゲット及びバッキングプレートを有するスパッターターゲットアセンブリが提供され、ここで、バッキングプレートはＳｉターゲットに接合されている。Ｓｉターゲットが、滑らかな鏡面表面を有し、そして約１．５０ｎｍ（約１５．０オングストローム）未満の表面粗さを有している。シリコンターゲット／バッキングプレートアセンブリを製造する方法が提供され、ここで、シリコンブランクはブランク表面から擦り傷を除去するために処理され、ターゲット上に鏡面表面をもたらし、そして、１．５０ｎｍ（１５．０オングストローム）以下の表面粗さをもたらす。該方法が第１及び第２の洗浄ステップを有し、第１の洗浄ステップは擦り傷除去ステップの前に実施され、第２の洗浄ステップは擦り傷除去ステップの後に実施される。【選択図】図１
Description
この出願は、２０１１年１１月８日提出の米国仮特許出願番号６１／５５６，９２６の優先権利益を主張している。
本出願は、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｗ、Ｃｕ及びこれらの元素の合金から成るバッキングプレート、又はＭｏ／Ｃｕ、Ｔｉ／Ａｌ複合材料バッキングプレートに接合されたシリコンスパッターターゲットに関し、そして、そのようなスパッターターゲットの製造方法に関する。本発明の１つの特徴は、特別な表面処理を有するシリコン−バッキングプレート・スパッターターゲットアセンブリに関する。
シリコン(Si)は、質量による宇宙内の最も一般的な元素の１つであり、そして、シリコンは、砂、塵、二酸化ケイ素（シリカ）又は、ケイ酸塩等の化合物の形で最も多く存在している。純結晶シリコンは灰色であり、本来は壊れやすい。シリコンは原子番号１４、原子量２８．０９、そして密度２．３３ｇ／ｃｍ３を有する。シリコンは、常温ではダイアモンド立方結晶構造を有し、融点は１３１０℃であり、沸点は２３５７℃である。さらに、シリコンは、温度２５．０℃で２．４９μｍ／ｍ−℃の線形熱膨張率(coefficient of thermal expansion) (CTE)を有する。
シリコンは、半導体であり、現代の世界経済において重要な役割を担っている。事実、全ての現代の半導体マイクロエレクトロニクス産業はシリコンを基盤として構築されている。シリコンは、集積回路、チップ、ロジック電子デバイス(logic electronics device)、及びメモリー電子デバイス(memory electronics device)に広く使用されている。シリコン及びその化合物は、半導体チップがその上に構築される基板を形成する為に使用されているだけでなく、集積回路(IC)及びチップ内の、シリコン電極、二酸化ケイ素誘電体層、及び窒化ケイ素マスク層のような、トランジスタ及び積層構造(stacking structure)の為の機能ユニット又は層としても使用されている。
近年、高誘電率(high-k)メタルゲート(HKMG)トランジスタ技術が開発され、画像処理、コンピュータ・ネットワーク構築、及び無線モバイルアプリケーションのような、多種多様の高性能及び低電力利用のＩＣデバイスを製造する為に、４５ｎｍ以下の領域の技術に使用されている。高誘電率(high-k)メタルゲート(HKMG)の主要課題の１つは、適切な新しい金属材料及び信頼性のある膜形成方法を見つけ出し、それにより、大電流を有し、漏れ電流の少ない通信路を制御し、そして複雑な構造の保全性を保持することである。Ｈｆ、ＴｉＡｌ、ＴｉＮ、ＴｉＡｌＮ、ＴｉＳｉＮ、ＴａＡｌＮ、ＴａＳｉＮ、及びレアアース金属がメタルゲート材料として使用されていると報告されている。近年、シリコン上に構築される半導体技術に対する自然な接続及びその独特な化学的及び物理的性質のため、メタルゲート構造材料としてシリコンを利用することが非常に注目されている。
ＩＣ及びチップ内の基板上のシリコン及び窒化ケイ素層は、伝統的に、化学的気相成長(chemical vapor deposition)(CVD)法によって形成されている。マイクロエレクトロニクス産業は、４５ｎｍ以下の領域の技術を利用してナノメートル寸法に向ってデバイス及び回路の小型化を進めており、膜／構造形成方法の精密度及び最小インパクトのデバイスの保全性にかつてないほど多くの差し迫った要求が寄せられている。スパッタリングは、物理的気相成長(physical vapor deposition)(PVD)法による高エネルギーイオンの衝突の結果として、材料（ターゲット）の表面から原子がはじき出されるメカニズムであり、高エネルギーイオン衝撃により原子又は分子はターゲット材料からはじき出され、それによって、はじき出された原子又は原子クラスターは基板上に薄膜として凝縮することができる。スパッタリングは、原子クラスターの移送及び気相成長のより正確な制御ができ、化学的気相成長(CVD)法よりも気相成長膜構造への熱インパクトが小さい。物理的気相成長(PVD)法によるＳｉスパッターターゲットは、画像処理、コンピュータ・ネットワーク構築、及び無線モバイルアプリケーションのように、多種多様の高性能及び低電力利用の為の通信デバイス及びマイクロエレクトロニクス集積回路内の、メタルゲート電極のようなシリコン層及び窒化ケイ素及び炭化ケイ素のようなシリコン化合物構造層により広く使用され始めている。
１つの実施形態においては、無欠陥表面を有するＳｉターゲットブランク、及び、モリブデンバッキングプレート、モリブデン銅複合材料バッキングプレート、又はチタンアルミニウム複合材料バッキングプレートを有するシリコンターゲットである。ターゲットブランクは、はんだ接合、ろう付け接合、ホイル接合(foil bonded)又は他の低温接合法によって、バッキングプレートに接合される。スパッターターゲットから膜上に気相成長する粒子及び焼き付け時間を減少する為に、シリコンスパッターターゲットのほぼ無欠陥／無損傷表面を達成する為の表面処理が開発されている。表面処理は機械加工、研削、検査、ラップ仕上げ、洗浄、表面損傷除去（即ち、擦り傷除去）、洗浄、研磨、洗浄、検査、最終洗浄、及び最終検査のステップを含む。この発明はシリコンスパッターターゲットの製造方法も提供する。
以下の詳細な説明は添付の図面を参照としている。
この発明に含まれるシリコンスパッターターゲットはどんな適切な形状を有することもできる。本発明は、擦り傷除去表面処理及び優れた粒子性能及び焼き付け性能を有するシリコンターゲットの製造方法を含むものである。シリコンターゲットはドーパントを除いて少なくとも９９．９９９％の純度を有し、そして好ましくは、９９．９９９９％の純度を有している。シリコンターゲットブランクは５５０ｍｍまでの直径を有し、本質的にｐ型ドープ又はｎ型ドープされている。シリコンブランクは、多結晶構造、単結晶構造、又は半単結晶構造を有している。Ｓｉの他の構造を使用することもできるが、この特許においては単結晶構造が好ましい。シリコン原材料及びそのドーパント元素は、好ましくはチョクラルスキー結晶成長法又は鋳造法を通して、溶融液からシリコンインゴットを成長させる為に溶融される。結果として得られるインゴットはどのような寸法も有することができ、そして、円形、正方形及び長方形を含むどんな適切な形状も有することができる。その後、シリコンインゴットは検査され、様々な部品を作成する為に様々な所望の厚さのインゴットスライスにワイヤーで切断される。シリコンインゴットスライスは、所望の寸法及び表面状態を達成する為に、表面処理を行われる。表面処理には、所望の表面状態及び特性及び形状寸法を有するＳｉターゲットブランクを形成する為の、機械加工、研削、ラップ仕上げ、研磨、表面損傷除去（即ち、擦り傷除去）、エッチング加工、洗浄、及び検査等の製造作業が含まれるが限定はされておらず、好ましくは、これらの作業のどれか２つの作業の間に追加の洗浄ステップが実施される。仕上げられたＳｉブランクは、その後、はんだ接合又は他の低温接合法によって、バッキングプレートに接合され、シリコンターゲットブランク−バッキングプレートアセンブリが得られる。はんだは限定されないがインジウム、錫−銀であり、ナノホイル(nanofoil)を使用することもできる。バッキングプレート材料の選択肢はたくさんあり、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｗ、Ｃｕ及びこれらの元素の合金又はＭｏ／Ｃｕ及びＴｉ／Ａｌ等の複合材料バッキングプレートを含むが、限定はされていない。バッキングプレート材料は、シリコンの熱膨張率と密接に適合するように選択された熱膨張率(CTE)を有する。接合されたターゲットアセンブリは、２００ｍｍ、３００ｍｍ及びそれ以上の直径を有することもでき、様々なＯＥＭデザインのターゲット構成に作ることができる。
超微細表面を有する模範的なシリコンターゲットが上記の工程にしたがって製造された。９９．９９９９％又はより高い純度のＳｉ原材料が、Ｓｉインゴット、好ましくはチョクラルスキー結晶成長法を使用して３００ｍｍ〜８００ｍｍの直径、さらに好ましくは４５０ｍｍより大きな直径を有する無転位単結晶Ｓｉインゴットを成長させるために使用される。ＧＤＭＳ法により計測された得られたインゴットの組成が表１に記載されている。
全ての元素に対して重量濃度単位はｐｐｍであり、金属不純物の総含有量は１ｐｐｍよりも少ない。インゴットは所望の厚さのインゴットスライスに切断される。インゴットスライスは、その後、仕上げ表面及び寸法を達成する為に処理Ａを行われる。ここで参照する比較の為の処理Ａは、機械加工、研削、ラップ仕上げ、研磨、洗浄、及び最終検査の製造作業ステップから成る。本発明の１つの特徴による処理Ｂは、機械加工、研削、検査、ラップ仕上げ、洗浄、表面損傷除去、洗浄、研磨、洗浄、検査、最終洗浄、及び最終検査の製造作業ステップから成る。洗浄剤は脱イオン水及び／又は酸を含むが、限定はされていない。更なる洗浄剤及び洗浄器は、ここで参考に組み込まれている米国特許８，２２７，３９４号(Zhu他)から選択することができる。米国特許８，２２７，３９４号に記載されているように、緩衝材及び１つ以上のポリマーを含むガス又は液体のような洗浄流体を準備することができる。ポリマーは洗浄流体内に溶解され、そして、約１０，０００ｇ／ｍｏｌを超える分子量を有する。例えば、ポリマーはポリアクリル酸(PAA)、ポリアクリルアミド(PAM)、ヒドロキシエチル・セルロース(HEC)から選択することができる。ＰＡＡ及びＰＡＭのコポリマーも例として記載されている。洗浄流体内のポリマーの重量％は約０．００１〜１０重量％である。
水に加えて、イソプロピル・アルコール(IPA)、ジメチル・スルホキシド(DMSO)、及びジメチル・ホルムアミド(DMF)等の他の極性溶媒にも言及することができる。クエン酸及びアンモニア(NH4OH)等の弱酸及び弱塩基を緩衝材の例として言及することができる。
処理Ｂの１つの特徴によると、擦り傷除去ステップは、１．５０ｎｍ（１５．０オングストローム）以下の平均計測粗さを有する基板が得られる研磨を含む。
仕上げられたＳｉターゲットブランクは、インジウムはんだ接合又は低温接合法によって、バッキングプレートに接合され、シリコンターゲットブランク−バッキングプレートアセンブリが得られる。バッキングプレート材料の選択肢はたくさんあり、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｗ、Ｃｕ及びこれらの元素の合金又はトーソーが特許を有するＭｏ／Ｃｕ及びＴｉ／Ａｌ等の複合材料バッキングプレートを含むが、限定はされていない。バッキングプレート材料はシリコンの熱膨張率とほぼ適合する熱膨張率(CTE)を有する。結合されたターゲットアセンブリは、様々のＯＥＭデザインを有する様々の２００ｍｍ、３００ｍｍ及びそれより上のターゲット形状を有することができる。この場合、バッキングプレート材料はＭｏ／Ｃｕ複合材料であり、寸法は３００ｍｍ型のターゲットである。
表面処理Ａ及びＢを行なったシリコンターゲットに対して表面微細構造試験が実施された。図３に図示されているように、光学顕微鏡画像には、比較の為の表面処理Ａを行なったＳｉターゲットが擦り傷、マイクロ・クラック、へこみ、穴、及び欠け（チップ）を含むかなりの量の表面欠陥を有することが示されている。図４に図示されているように、走査電子顕微鏡(SEM)は、擦り傷、汚れ、穴、欠け（チップ）、及びマイクロ・クラックが、処理Ａを行なったシリコンターゲットの表面に存在することを確認している。対照的に、図５に示されているように、表面処理Ｂを行なったシリコンターゲットの表面は清浄であり、ほぼ無欠陥である。
表面処理Ａ及びＢを行なったシリコンターゲットの表面粗さを計測する為に、非破壊干渉計表面粗さ計測が実施された。図６は、処理Ａを行なったＳｉターゲットの表面の干渉計の画像及び粗さ計測データである。粗さは５つの位置、ターゲット表面中央(PC)、３時位置(P3)、６時位置(P6)、９時位置(P9)、及び１２時位置(P12)で、ターゲット表面周囲から７．６２ｃｍ（３インチ）離れた位置で計測されている。平均計測粗さは１．６７９ｎｍ（１６．７９オングストローム）であり、標準偏差は０．２３９４ｎｍ（２．３９４オングストローム）であることを計測は示している。平行型擦り傷が検知されている。図７は、処理Ｂを行なったＳｉターゲットの表面の干渉計の画像及び粗さ計測データである。ターゲット表面上に欠陥は検知されていない。計測された粗さは、ＰＣ＝１．１９１１ｎｍ（１１．９１１オングストローム）、Ｐ３＝１．３８５７ｎｍ（１３．８５７オングストローム）、Ｐ６＝１．５０７９ｎｍ（１５．０７９オングストローム）、Ｐ９＝１．４６２５ｎｍ（１４．６２５オングストローム）、Ｐ１２＝１．１８８８ｎｍ（１１．８８８オングストローム）である。平均計測粗さは１．３４７２ｎｍ（１３．４７２オングストローム）であり、標準偏差は０．１５００ｎｍ（１．５００オングストローム）である。処理Ｂを行なったＳｉターゲット表面は、処理Ａを行なったＳｉターゲット表面に比べて、より少ない表面欠陥を有し、そしてより低い粗さを有している。
処理Ａ及びＢにより作られたこれらの２つの３００ｍｍＳｉターゲットにスパッタリング試験が実施された。スパッタリング工程パラメーターは同一である。ターゲットは所望の低粒子数を達成する為に調整又は焼き付けされた。処理Ａを行なったＳｉターゲットにおいては、初期粒子数は２０００を超え、図８に示されているように、２４時間の焼き付け後、まだ８００を超える粒子が膜上に検知された。対照的に、処理Ｂを行なったターゲットから気相成長した膜においては、初期粒子数は少なく、図９に示されているように、８時間より少ない焼き付けで、粒子数レベルは５０粒子以下にまで下げられた。場合によっては、処理Ｂを行なったＳｉターゲットから気相成長した膜上に検知された粒子数は５未満であった。これは、様々な材料のスパッターターゲットから気相成長した膜において今までに達成された最も低い粒子数の１つである。処理Ｂを行なったＳｉターゲットは、処理Ａを行なったＳｉターゲットに比べて、飛躍的により少ない粒子数を有し、そしてより少ない焼き付け時間を有している。
Ｓｉターゲットの焼き付け時間及び粒子性能は、ターゲット表面状態又は処理と相関性があることを発見した。表面除去、即ち擦り傷除去及び複数の洗浄製造作業を含む表面処理（処理Ｂ）を行なったＳｉターゲットは、ターゲット表面損傷除去及び中間洗浄製造作業を含まない表面処理（処理Ａ）を行なったＳｉターゲットに比べて、より少ない表面欠陥を有し、そしてより低い表面粗さを有することを発見した。処理ＢはＳｉターゲット表面副層損傷及び潜在的汚染を除去し、それにより、より清浄なターゲット表面及びより少ない表面欠陥をもたらし、そして、より少ない膜粒子数及びより短い焼き付け時間をもたらす。
また、シリコンスパッターターゲットを製造する為にこの方法が開示されていることは明らかである。１つの実施形態においては、シリコンスパッターターゲットは、モリブデン又はモリブデン銅複合材料を含むバッキングプレートと接合して提供されている。シリコンターゲットの直径は約８００ｍｍ以下の範囲である。
シリコンブランクは優れたスパッター性能を達成する為に高い表面仕上げを有し、そして、切断、機械加工、研削、ラップ仕上げ、研磨、表面損傷除去（即ち、擦り傷除去）、エッチング加工、洗浄、及び検査等の製造作業を行なったシリコンインゴットから作られる。好ましい実施形態においては、所望の表面状態を有するシリコンターゲット表面を形成する為に、これらの作業のどれか２つの間に追加の洗浄及びエッチング加工ステップが実施される。得られたシリコンターゲットは視覚的に鏡面反射面を有し、そしてほぼ無損傷／無欠陥の表面を有し、表面粗さは５０ｎｍ（５００オングストローム）未満であり、好ましくは１０ｎｍ（１００オングストローム）未満である。
本発明によるシリコンターゲットは短い焼き付け時間を有し、そして、得られたＳｉターゲットから気相成長した膜は低い粒子数を有する。
例えば、シリコンターゲットはドーパントを除いて少なくとも約９９．９９９％の純度を有することができる。シリコンターゲットブランクは５００ｍｍまでの直径を有し、本質的にｐ型ドープ又はｎ型ドープされている。シリコンブランクは、多結晶構造、単結晶構造、又は半単結晶構造を有している。
バッキングプレートは、２Ｎ５以上の純度を有する純モリブデンであり、又は他の実施形態においては、モリブデン銅複合材料バッキングプレートを使用することもできる。本発明のさらに他の特徴においては、バッキングプレート構造にチタンアルミニウム複合材料を使用することもできる。
ターゲットブランクは、インジウム、錫−銀、及びナノホイル等を使用したはんだ接合によって、バッキングプレートに接合される。他の実施形態においては、バッキングプレート材料は、シリコンターゲット材料の熱膨張率に密接に適合するように選択された熱膨張率を有する。そのようなバッキングプレート材料は、Ｎｏ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｗ、Ｃｕ及びこれらの元素の合金、特にＭｏ／Ｃｕ及びＴｉ／Ａｌ複合材料バッキングプレート、を含むが、限定はされていない。
本発明はその好ましい実施形態に関連して開示されているが、本発明は、この手段が本発明の効果を発揮する好ましい構造を有するので記載された、特定の実施形態に限定されるものではないと理解されるべきであり、他の実施形態も以下の特許請求の範囲に規定されている発明の範囲内に入るものである。
ＰＣ ターゲット表面中央
Ｐ３ ３時位置
Ｐ６ ６時位置
Ｐ９ ９時位置
Ｐ１２ １２時位置
Ｐ３ ３時位置
Ｐ６ ６時位置
Ｐ９ ９時位置
Ｐ１２ １２時位置
Claims (7)
- Ｓｉターゲット及び該Ｓｉターゲットに接合されたバッキングプレートを有するスパッターターゲットアセンブリであって、該Ｓｉターゲットが、滑らかな鏡面表面を有し、そして１．５０ｎｍ（１５．０オングストローム）未満の表面粗さを有することを特徴とするスパッターターゲットアセンブリ。
- バッキングプレートが、Ｍｏ又はＭｏ／Ｃｕ複合材料又はＡｌ／Ｔｉ複合材料を含むことを特徴とする請求項１に記載のスパッターターゲットアセンブリ。
- 表面粗さが約１．３５ｎｍ（約１３．５オングストローム）であり、約０．１５ｎｍ（約１．５オングストローム）の標準偏差を有することを特徴とする請求項１に記載のスパッターターゲットアセンブリ。
- 基板上に該Ｓｉターゲットをスパッター被覆することにより作られたＳｉ膜と組み合わされ、該基板が８時間以下のターゲット焼き付け後に５０以下の粒子数を有するＳｉを含むことを特徴とする請求項１に記載のスパッターターゲットアセンブリ。
- シリコンターゲット／バッキングプレートアセンブリを製造する方法であって、該方法が、Ｓｉブランクを準備するステップ、及び、該ターゲット上に鏡面表面を備え、そして該表面上に１．５０ｎｍ（１５．０オングストローム）以下の表面粗さを備えるように、該ブランクから擦り傷を除去するステップを有し、該方法がさらに、第１及び第２の洗浄ステップを有し、該第１の洗浄ステップが該擦り傷除去ステップの前に実施され、該第２の洗浄ステップが該擦り傷除去ステップの後に実施されることを特徴とする方法。
- 第１又は第２の洗浄ステップのいずれかが、ポリマーを有する液体洗浄溶液をブランク表面に接触させることを含むことを特徴とする請求項５に記載の方法。
- ポリマーが、ポリアクリル酸、ポリアクリルアミド、及びヒドロキシエチル・セルロースから選択されることを特徴とする請求項６に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201161556926P | 2011-11-08 | 2011-11-08 | |
| US61/556,926 | 2011-11-08 | ||
| PCT/US2012/063829 WO2013070679A1 (en) | 2011-11-08 | 2012-11-07 | Silicon sputtering target with special surface treatment and good particle performance and methods of making the same |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017181756A Division JP2018040060A (ja) | 2011-11-08 | 2017-09-21 | 特別な表面処理及び優れた粒子性能を有するシリコンスパッターターゲットの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2015504479A true JP2015504479A (ja) | 2015-02-12 |
Family
ID=48290495
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014540207A Pending JP2015504479A (ja) | 2011-11-08 | 2012-11-07 | 特別な表面処理及び優れた粒子性能を有するシリコンスパッターターゲット及びその製造方法 |
| JP2017181756A Pending JP2018040060A (ja) | 2011-11-08 | 2017-09-21 | 特別な表面処理及び優れた粒子性能を有するシリコンスパッターターゲットの製造方法 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017181756A Pending JP2018040060A (ja) | 2011-11-08 | 2017-09-21 | 特別な表面処理及び優れた粒子性能を有するシリコンスパッターターゲットの製造方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US9566618B2 (ja) |
| JP (2) | JP2015504479A (ja) |
| KR (1) | KR20140097244A (ja) |
| CN (1) | CN103917685B (ja) |
| TW (1) | TWI623634B (ja) |
| WO (1) | WO2013070679A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6130075B2 (ja) * | 2014-07-31 | 2017-05-17 | Ｊｘ金属株式会社 | 防食性の金属とＭｏ又はＭｏ合金を拡散接合したバッキングプレート、及び該バッキングプレートを備えたスパッタリングターゲット−バッキングプレート組立体 |
| CN104862655A (zh) * | 2015-04-23 | 2015-08-26 | 南京帝优新材料科技有限公司 | 一种大尺寸溅射硅靶材 |
| US10604836B2 (en) | 2015-05-15 | 2020-03-31 | Materion Corporation | Methods for surface preparation of sputtering target |
| JP6502399B2 (ja) | 2017-02-06 | 2019-04-17 | Ｊｘ金属株式会社 | 単結晶シリコンスパッタリングターゲット |
| JP6546953B2 (ja) | 2017-03-31 | 2019-07-17 | Ｊｘ金属株式会社 | スパッタリングターゲット−バッキングプレート接合体及びその製造方法 |
| JP6397592B1 (ja) * | 2017-10-02 | 2018-09-26 | 住友化学株式会社 | スパッタリングターゲットの製造方法およびスパッタリングターゲット |
| WO2021055573A1 (en) * | 2019-09-20 | 2021-03-25 | Microtrace, Llc | Taggant systems with remotely detectable spectral signatures |
| JP2021181603A (ja) * | 2020-05-20 | 2021-11-25 | 三菱マテリアル株式会社 | スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲット用板材 |
| KR102640972B1 (ko) * | 2021-05-28 | 2024-02-23 | 부산대학교 산학협력단 | 실리콘이 코팅 된 구리 제조방법, 이를 이용한 실리콘이 코팅된 산화방지용 구리 및 이를 이용한 반도체 장치 |
Citations (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03261697A (ja) * | 1990-03-09 | 1991-11-21 | Canon Inc | シリコンスパッタリング装置 |
| JPH0653137A (ja) * | 1992-07-31 | 1994-02-25 | Canon Inc | 水素化アモルファスシリコン膜の形成方法 |
| JPH06346215A (ja) * | 1993-04-02 | 1994-12-20 | Ppg Ind Inc | 金属表面へのシリコン含有組成物の接合方法 |
| JPH0748667A (ja) * | 1993-08-04 | 1995-02-21 | Mitsubishi Materials Corp | 高い接合強度を有するスパッタリングターゲット |
| JPH07126837A (ja) * | 1993-10-29 | 1995-05-16 | Canon Inc | バイアススパッタリング法による堆積膜形成方法 |
| JPH07235534A (ja) * | 1994-02-24 | 1995-09-05 | Toshiba Ceramics Co Ltd | シリコンウェーハの製造方法 |
| JP2000021862A (ja) * | 1998-07-06 | 2000-01-21 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 基板表面の処理方法及び珪素半導体単結晶基板 |
| JP2001059170A (ja) * | 1999-06-15 | 2001-03-06 | Tosoh Corp | スパッタリングターゲット |
| JP2001164361A (ja) * | 1999-12-09 | 2001-06-19 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | スパッタリングターゲット冷却構造 |
| JP3292101B2 (ja) * | 1997-07-18 | 2002-06-17 | 信越半導体株式会社 | 珪素単結晶基板表面の平滑化方法 |
| JP2003077529A (ja) * | 2001-09-03 | 2003-03-14 | Sanyo Electric Co Ltd | リチウム電池及びリチウム二次電池 |
| JP3536618B2 (ja) * | 1997-09-30 | 2004-06-14 | 信越半導体株式会社 | シリコンウエーハの表面粗さを改善する方法および表面粗さを改善したシリコンウエーハ |
| JP2007534834A (ja) * | 2003-07-14 | 2007-11-29 | トーソー エスエムディー，インク． | 低導電率の支持板を有するスパッターリングターゲットアセンブリとその製造方法 |
| JP2008124078A (ja) * | 2006-11-08 | 2008-05-29 | Nissin Electric Co Ltd | シリコンドット形成方法及び装置並びにシリコンドット及び絶縁膜付き基板の形成方法及び装置 |
| JP4162211B2 (ja) * | 2002-09-05 | 2008-10-08 | コバレントマテリアル株式会社 | シリコンウエハの洗浄方法および洗浄されたシリコンウエハ |
| WO2011021691A1 (ja) * | 2009-08-21 | 2011-02-24 | 株式会社Sumco | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 |
| JP2011165909A (ja) * | 2010-02-10 | 2011-08-25 | Sumco Corp | 半導体ウェーハの製造方法 |
Family Cites Families (73)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3417732A1 (de) | 1984-05-12 | 1986-07-10 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Verfahren zum aufbringen von siliziumhaltigen schichten auf substraten durch katodenzerstaeubung und zerstaeubungskatode zur durchfuehrung des verfahrens |
| JPH0536142A (ja) * | 1991-03-29 | 1993-02-12 | Sony Corp | 光磁気記録媒体 |
| WO1992017622A1 (en) | 1991-04-08 | 1992-10-15 | Tosoh Smd, Inc. | Thermally compatible sputter target and backing plate assembly |
| US5230459A (en) * | 1992-03-18 | 1993-07-27 | Tosoh Smd, Inc. | Method of bonding a sputter target-backing plate assembly assemblies produced thereby |
| US5922176A (en) * | 1992-06-12 | 1999-07-13 | Donnelly Corporation | Spark eliminating sputtering target and method for using and making same |
| US5464520A (en) | 1993-03-19 | 1995-11-07 | Japan Energy Corporation | Silicide targets for sputtering and method of manufacturing the same |
| JP2794382B2 (ja) | 1993-05-07 | 1998-09-03 | 株式会社ジャパンエナジー | スパッタリング用シリサイドターゲット及びその製造方法 |
| US5403458A (en) | 1993-08-05 | 1995-04-04 | Guardian Industries Corp. | Sputter-coating target and method of use |
| US5415756A (en) | 1994-03-28 | 1995-05-16 | University Of Houston | Ion assisted deposition process including reactive source gassification |
| JPH08264552A (ja) * | 1995-03-24 | 1996-10-11 | Toshiba Ceramics Co Ltd | シリコンウエーハの製造方法 |
| US5836506A (en) | 1995-04-21 | 1998-11-17 | Sony Corporation | Sputter target/backing plate assembly and method of making same |
| JPH08330271A (ja) * | 1995-06-02 | 1996-12-13 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | シリコンウエーハ表面のエッチング方法及び装置 |
| US5639311A (en) * | 1995-06-07 | 1997-06-17 | International Business Machines Corporation | Method of cleaning brushes used in post CMP semiconductor wafer cleaning operations |
| JP3623315B2 (ja) * | 1996-06-06 | 2005-02-23 | 信越半導体株式会社 | 円形薄板状物の支持治具 |
| JP3867328B2 (ja) | 1996-12-04 | 2007-01-10 | ソニー株式会社 | スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| US6030514A (en) | 1997-05-02 | 2000-02-29 | Sony Corporation | Method of reducing sputtering burn-in time, minimizing sputtered particulate, and target assembly therefor |
| JP3962468B2 (ja) * | 1997-12-25 | 2007-08-22 | 花王株式会社 | 洗浄剤組成物 |
| US5996498A (en) | 1998-03-12 | 1999-12-07 | Presstek, Inc. | Method of lithographic imaging with reduced debris-generated performance degradation and related constructions |
| JP3820787B2 (ja) | 1999-01-08 | 2006-09-13 | 日鉱金属株式会社 | スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
| US6113985A (en) | 1999-04-27 | 2000-09-05 | The United States Of America As Represented By Secretary Of The Air Force | Process for the manufacture of group III nitride targets for use in sputtering and similar equipment |
| US6406540B1 (en) | 1999-04-27 | 2002-06-18 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Process and apparatus for the growth of nitride materials |
| US6394888B1 (en) | 1999-05-28 | 2002-05-28 | Saint-Gobain Abrasive Technology Company | Abrasive tools for grinding electronic components |
| US6858102B1 (en) | 2000-11-15 | 2005-02-22 | Honeywell International Inc. | Copper-containing sputtering targets, and methods of forming copper-containing sputtering targets |
| JP3628554B2 (ja) | 1999-07-15 | 2005-03-16 | 株式会社日鉱マテリアルズ | スパッタリングターゲット |
| JP2001031494A (ja) * | 1999-07-21 | 2001-02-06 | Nippon Steel Corp | シリコン単結晶ウエーハの製造方法 |
| US6283357B1 (en) | 1999-08-03 | 2001-09-04 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Fabrication of clad hollow cathode magnetron sputter targets |
| US6342134B1 (en) | 2000-02-11 | 2002-01-29 | Agere Systems Guardian Corp. | Method for producing piezoelectric films with rotating magnetron sputtering system |
| US6682636B2 (en) | 2000-08-18 | 2004-01-27 | Honeywell International Inc. | Physical vapor deposition targets and methods of formation |
| US6774009B1 (en) * | 2001-03-27 | 2004-08-10 | Academy Corporation | Silicon target assembly |
| US6620031B2 (en) | 2001-04-04 | 2003-09-16 | Lam Research Corporation | Method for optimizing the planarizing length of a polishing pad |
| US6673220B2 (en) | 2001-05-21 | 2004-01-06 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | System and method for fabricating silicon targets |
| KR101514766B1 (ko) | 2001-07-17 | 2015-05-12 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 스퍼터링 타겟 및 투명 도전막 |
| JP4198918B2 (ja) | 2002-02-14 | 2008-12-17 | 日鉱金属株式会社 | 硫化亜鉛を主成分とするスパッタリングターゲット及び該スパッタリングターゲットの製造方法 |
| US6652668B1 (en) | 2002-05-31 | 2003-11-25 | Praxair S.T. Technology, Inc. | High-purity ferromagnetic sputter targets and method of manufacture |
| SG169230A1 (en) | 2002-08-02 | 2011-03-30 | Idemitsu Kousan Co Ltd | Sputtering target, sintered body, conductive film formed by using them, organic el device, and substrate used for the organic el device |
| US20040040837A1 (en) | 2002-08-29 | 2004-03-04 | Mcteer Allen | Method of forming chalcogenide sputter target |
| US7364644B2 (en) | 2002-08-29 | 2008-04-29 | Micron Technology, Inc. | Silver selenide film stoichiometry and morphology control in sputter deposition |
| WO2004024452A2 (en) | 2002-09-13 | 2004-03-25 | Tosoh Smd, Inc. | PROCESS FOR MAKING DENSE MIXED METAL Si3N4 TARGETS |
| US6787864B2 (en) | 2002-09-30 | 2004-09-07 | Advanced Micro Devices, Inc. | Mosfets incorporating nickel germanosilicided gate and methods for their formation |
| WO2004065046A2 (en) | 2003-01-22 | 2004-08-05 | Tosoh Smd, Inc. | Brittle material sputtering target assembly and method of making same |
| JP4276849B2 (ja) | 2003-01-27 | 2009-06-10 | 日鉱金属株式会社 | Ｇｅ−Ｃｒ合金スパッタリングターゲット |
| KR100753328B1 (ko) | 2003-03-04 | 2007-08-29 | 닛코킨조쿠 가부시키가이샤 | 스퍼터링 타겟트, 광 정보기록 매체용 박막 및 그 제조방법 |
| WO2005026407A1 (ja) | 2003-09-12 | 2005-03-24 | Nikko Materials Co., Ltd. | スパッタリングターゲット及び同ターゲットの表面仕上げ方法 |
| JP2005175106A (ja) * | 2003-12-10 | 2005-06-30 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | シリコンウェーハの加工方法 |
| JP4827033B2 (ja) | 2004-03-01 | 2011-11-30 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | 表面欠陥の少ないスパッタリングターゲット及びその表面加工方法 |
| US7504008B2 (en) | 2004-03-12 | 2009-03-17 | Applied Materials, Inc. | Refurbishment of sputtering targets |
| US7330369B2 (en) | 2004-04-06 | 2008-02-12 | Bao Tran | NANO-electronic memory array |
| US7435672B2 (en) | 2004-07-30 | 2008-10-14 | Texas Instruments Incorporated | Metal-germanium physical vapor deposition for semiconductor device defect reduction |
| TW200741022A (en) | 2006-03-14 | 2007-11-01 | Applied Materials Inc | Pre-conditioning a sputtering target prior to sputtering |
| WO2008072486A1 (ja) | 2006-12-13 | 2008-06-19 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | スパッタリングターゲット及び酸化物半導体膜 |
| US8556681B2 (en) | 2007-01-29 | 2013-10-15 | Tosoh Smd, Inc. | Ultra smooth face sputter targets and methods of producing same |
| FR2914653B1 (fr) | 2007-04-06 | 2009-05-22 | H E F Soc Par Actions Simplifi | Cible de pulverisation cathodique d'oxynitrure |
| US8702919B2 (en) | 2007-08-13 | 2014-04-22 | Honeywell International Inc. | Target designs and related methods for coupled target assemblies, methods of production and uses thereof |
| US20090045044A1 (en) | 2007-08-13 | 2009-02-19 | Jared Akins | Novel manufacturing design and processing methods and apparatus for sputtering targets |
| US20090107834A1 (en) * | 2007-10-29 | 2009-04-30 | Applied Materials, Inc. | Chalcogenide target and method |
| WO2009123055A1 (ja) | 2008-04-03 | 2009-10-08 | 日鉱金属株式会社 | パーティクルの発生の少ないスパッタリングターゲット |
| US8314055B2 (en) | 2008-06-02 | 2012-11-20 | Lam Research Corporation | Materials and systems for advanced substrate cleaning |
| KR20130080063A (ko) | 2008-06-06 | 2013-07-11 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 산화물 박막용 스퍼터링 타겟 및 그의 제조 방법 |
| JP5580972B2 (ja) | 2008-06-06 | 2014-08-27 | デクセリアルズ株式会社 | スパッタリング複合ターゲット |
| EP2294241B1 (en) | 2008-07-08 | 2012-02-22 | Bekaert Advanced Coatings | A method to manufacture an oxide sputter target comprising a first and second phase |
| US8227394B2 (en) | 2008-11-07 | 2012-07-24 | Lam Research Corporation | Composition of a cleaning material for particle removal |
| MY158742A (en) * | 2008-12-19 | 2016-11-15 | Sanyo Chemical Ind Ltd | Cleaning agent for electronic materials |
| KR101120065B1 (ko) | 2009-01-08 | 2012-03-23 | 솔브레인 주식회사 | 신규의 아미딘 유도체를 가지는 게르마늄 화합물 및 이의 제조 방법 |
| KR20110106787A (ko) | 2009-01-22 | 2011-09-29 | 토소우 에스엠디, 인크 | 모놀리식 알루미늄 합금 타겟 및 그 제조방법 |
| MY146996A (en) | 2009-03-03 | 2012-10-15 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Sputtering target and process for producing same |
| WO2011046033A1 (ja) | 2009-10-13 | 2011-04-21 | Jx日鉱日石金属株式会社 | Ｂｉ－Ｇｅ－Ｏ系焼結体スパッタリングターゲット及びその製造方法並びに光記録媒体 |
| JP5216749B2 (ja) * | 2009-11-02 | 2013-06-19 | ジルトロニック アクチエンゲゼルシャフト | シリコンウエーハの加工方法 |
| KR20170072965A (ko) * | 2009-11-13 | 2017-06-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 스퍼터링 타겟 및 그 제조방법, 및 트랜지스터 |
| TWI526558B (zh) | 2010-02-17 | 2016-03-21 | 塔沙Ｓｍｄ公司 | 具有改進的濺鍍板材料利用的濺鍍靶材設計 |
| JP5540972B2 (ja) | 2010-07-30 | 2014-07-02 | 日立金属株式会社 | 酸化物半導体ターゲットおよび酸化物半導体膜の製造方法 |
| US8426242B2 (en) | 2011-02-01 | 2013-04-23 | Macronix International Co., Ltd. | Composite target sputtering for forming doped phase change materials |
| WO2012121028A1 (ja) | 2011-03-04 | 2012-09-13 | シャープ株式会社 | スパッタリングターゲット、その製造方法、および薄膜トランジスタの製造方法 |
| KR101389911B1 (ko) | 2012-06-29 | 2014-04-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막트랜지스터 및 이를 위한 산화아연계 스퍼터링 타겟 |
-
2012
- 2012-11-07 US US14/355,080 patent/US9566618B2/en active Active
- 2012-11-07 KR KR1020147014364A patent/KR20140097244A/ko not_active Application Discontinuation
- 2012-11-07 CN CN201280054872.5A patent/CN103917685B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2012-11-07 JP JP2014540207A patent/JP2015504479A/ja active Pending
- 2012-11-07 WO PCT/US2012/063829 patent/WO2013070679A1/en active Application Filing
- 2012-11-07 TW TW101141269A patent/TWI623634B/zh not_active IP Right Cessation
-
2016
- 2016-11-29 US US15/362,986 patent/US20170076923A1/en active Pending
-
2017
- 2017-09-21 JP JP2017181756A patent/JP2018040060A/ja active Pending
Patent Citations (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03261697A (ja) * | 1990-03-09 | 1991-11-21 | Canon Inc | シリコンスパッタリング装置 |
| JPH0653137A (ja) * | 1992-07-31 | 1994-02-25 | Canon Inc | 水素化アモルファスシリコン膜の形成方法 |
| JPH06346215A (ja) * | 1993-04-02 | 1994-12-20 | Ppg Ind Inc | 金属表面へのシリコン含有組成物の接合方法 |
| JPH0748667A (ja) * | 1993-08-04 | 1995-02-21 | Mitsubishi Materials Corp | 高い接合強度を有するスパッタリングターゲット |
| JPH07126837A (ja) * | 1993-10-29 | 1995-05-16 | Canon Inc | バイアススパッタリング法による堆積膜形成方法 |
| JPH07235534A (ja) * | 1994-02-24 | 1995-09-05 | Toshiba Ceramics Co Ltd | シリコンウェーハの製造方法 |
| JP3292101B2 (ja) * | 1997-07-18 | 2002-06-17 | 信越半導体株式会社 | 珪素単結晶基板表面の平滑化方法 |
| JP3536618B2 (ja) * | 1997-09-30 | 2004-06-14 | 信越半導体株式会社 | シリコンウエーハの表面粗さを改善する方法および表面粗さを改善したシリコンウエーハ |
| JP2000021862A (ja) * | 1998-07-06 | 2000-01-21 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 基板表面の処理方法及び珪素半導体単結晶基板 |
| JP2001059170A (ja) * | 1999-06-15 | 2001-03-06 | Tosoh Corp | スパッタリングターゲット |
| JP2001164361A (ja) * | 1999-12-09 | 2001-06-19 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | スパッタリングターゲット冷却構造 |
| JP2003077529A (ja) * | 2001-09-03 | 2003-03-14 | Sanyo Electric Co Ltd | リチウム電池及びリチウム二次電池 |
| JP4162211B2 (ja) * | 2002-09-05 | 2008-10-08 | コバレントマテリアル株式会社 | シリコンウエハの洗浄方法および洗浄されたシリコンウエハ |
| JP2007534834A (ja) * | 2003-07-14 | 2007-11-29 | トーソー エスエムディー，インク． | 低導電率の支持板を有するスパッターリングターゲットアセンブリとその製造方法 |
| JP2008124078A (ja) * | 2006-11-08 | 2008-05-29 | Nissin Electric Co Ltd | シリコンドット形成方法及び装置並びにシリコンドット及び絶縁膜付き基板の形成方法及び装置 |
| WO2011021691A1 (ja) * | 2009-08-21 | 2011-02-24 | 株式会社Sumco | エピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 |
| JP2011165909A (ja) * | 2010-02-10 | 2011-08-25 | Sumco Corp | 半導体ウェーハの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20140311900A1 (en) | 2014-10-23 |
| CN103917685A (zh) | 2014-07-09 |
| TWI623634B (zh) | 2018-05-11 |
| KR20140097244A (ko) | 2014-08-06 |
| WO2013070679A1 (en) | 2013-05-16 |
| US20170076923A1 (en) | 2017-03-16 |
| TW201331397A (zh) | 2013-08-01 |
| CN103917685B (zh) | 2016-11-09 |
| US9566618B2 (en) | 2017-02-14 |
| JP2018040060A (ja) | 2018-03-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2018040060A (ja) | 特別な表面処理及び優れた粒子性能を有するシリコンスパッターターゲットの製造方法 | |
| JP6182661B2 (ja) | 半導体用複合基板のハンドル基板および半導体用複合基板 | |
| KR100978305B1 (ko) | 표면질이 우수한 ｇａｎ 웨이퍼 및 이의 제조 방법 | |
| JP4678039B2 (ja) | ＳｉＣ基板 | |
| JP4523935B2 (ja) | 炭化珪素単結晶基板の研磨用水系研磨スラリー及び研磨法。 | |
| JP4148105B2 (ja) | ＳｉＣ基板の製造方法 | |
| JP2007204286A (ja) | エピタキシャルウェーハの製造方法 | |
| JP5694413B2 (ja) | 平滑なウェハの製造方法 | |
| JP5309224B2 (ja) | ハイブリッドシリコンウエハ | |
| TW200300963A (en) | Silicon semiconductor wafer, and process for producing a multiplicity of semiconductor wafers | |
| WO2015129302A1 (ja) | 半導体用複合基板のハンドル基板 | |
| TWI400743B (zh) | Silicon wafer and its manufacturing method | |
| JP2009209028A (ja) | ダイヤモンド多結晶基板の製造方法及びダイヤモンド多結晶基板 | |
| CN106653561B (zh) | 一种具有背吸杂能力的300mm重掺硅片的加工方法 | |
| TW202042993A (zh) | 鑽石刀具及其製造方法 | |
| JP4514859B2 (ja) | ダミーウエハー | |
| CN114473641A (zh) | 硅片表面平坦度的优化方法 | |
| KR20080063045A (ko) | 에픽텍셜 웨이퍼의 제작 방법 | |
| JP2007073980A (ja) | 半導体デバイス用ＴａＮ膜とそれを用いた半導体デバイス |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150828 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160629 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160802 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20161026 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170201 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20170627 |